期刊文献+

Co掺杂的ZnO基稀磁半导体薄膜的制备 预览 被引量:1

在线阅读 下载PDF
收藏 分享 导出
摘要 采用PLD 方法制备了5 at.% Co 掺杂的ZnO0.95Co0.05O 薄膜,以及Co,Al 共掺杂的样品,并对其进行了电学及磁学性质测量,发现ZnO:Co薄膜具有室温铁磁性,同时有着优异的透光特性及良好的导电性,有着集成磁光电特性与一体的潜质.Co,Al共掺杂的样品饱和磁矩有较为明显的增强,说明样品的铁磁性可能来源于载流子浓度的增加.
出处 《大众科技》 2010年第8期 108-109,96,共3页 Popular science & technology
作者简介 李博睿(1984-),男,湖北应城人,武汉大学物理学院凝聚态物理硕士研究生,研究方向为稀磁半导体; 官文杰(1956-),男,湖北武汉人,武汉大学物理学院副教授,理学博士,研究方向为稀磁半导体。
  • 相关文献

参考文献5

  • 1T.Dietl,H.Ohno,F.Matsukura,J.Cibert and D.Ferrand,Science 287(5455),1019-1022(2000). 被引量:1
  • 2K.Sato and H.Katayama-Yoshida,Jpn J Appl Phys 2 39(6B),L555-L558(2000). 被引量:1
  • 3T.Fukumura,Z.W.Jin,M.Kawasaki,T.Shono,T.Hasegawa,S.Koshihara and H.Koinuma,Appl Phys Lett 78(7),958-960(2001). 被引量:1
  • 4K.Ueda,H.Tabata and T.Kawai,Appl Phys Lett 79 (7),988-990(2001). 被引量:1
  • 5J.J.Chen,M.H.Yu,W.L.Zhou,K.Sun and L.M.Wang,Appl Phys Lett 87(17),(2005). 被引量:1

同被引文献27

  • 1王永强,陈伟,缪菊红,任光明,肖循,肖利霞,商景林,袁力,刘胜,夏正才.稀磁半导体Zn0.7Mn0.15Co0.15O中的铁磁行为[J].低温物理学报,2006,28(1):17-20. 被引量:7
  • 2彭英姿,Thomas Liew,叶志镇,张银珠.从M-T曲线上“奇异峰”分析掺杂3d族ZnO基稀磁半导体的磁学本质[J].科学通报,2007,52(16):1864-1867. 被引量:2
  • 3PRELLIER W, FOUCHET A, MERCEY B, et al. Laser ab- lation of Co: ZnO films deposited from Zn and Co metal tar- gets on (0001 )A 1203 substrates [ J ]. Appl Phys Lett, 2003,82 (20) : 3490-3492. 被引量:1
  • 4LEE H J, JEONG Y J, CHAE R C. Study of diluted magnetic semiconductor : Co-doped ZnO [ J ]. Appl Phys Lett, 2002, 81(21 ) : 4020-4022. 被引量:1
  • 5KIM J H, KIM H, KIM D, et al. Magnetoresistance in laser- deposited Znl-:CoxO thin films [J]. Physiea B, 2003, 327 (22) : 304-306. 被引量:1
  • 6UEDA K, TABATA H, KAWAI T. Magnetic and electric properties of transition-metal-doped ZnO films [ J ]. Appl Phys Lett, 2001, 79(7): 988-990. 被引量:1
  • 7SATO K, YOSHIDA H K. Material design for transparent ferromagnets with ZnO-Based magnetic semiconductors [J]. Jpn J AppL Phys, 2000, 39(2): 555-558. 被引量:1
  • 8SATO K, YOSHIDA H K. Stabilization of ferromagnetic states by electron doping in Fe-, Co-or Ni-Doped ZnO [ J ]. Jpn J AppL Phys, 2001,40(2) :334-336. 被引量:1
  • 9YANG Z, BIASINI M. Electron carrier concentration depen- dent magnetization and transport properties in ZnO: Co di- luted magnetic semiconductor thin lms [J]. Journal Appl Phys, 2008,104( 11 ) : 3712-3718. 被引量:1
  • 10ZHANG Y B, LI S. ZnO: Co diluted magnetic semiconduct- ing single crystalline films by hydrothermal epitaxy[ J ]. Jour- nal AppL Phys, 2009,105 (7) : C504-1-C504-3. 被引量:1

引证文献1

投稿分析

相关作者

内容加载中请稍等...

相关机构

内容加载中请稍等...

相关主题

内容加载中请稍等...

浏览历史

内容加载中请稍等...
;
使用帮助 返回顶部 意见反馈