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高热预算三维存储工艺中表面沟道PMOS研究
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作者 汪宗武 李雪 +6 位作者 田武 许文山 孙超 董洁琼 江宁 霍宗亮 《微电子学》 CAS 北大核心 2019年第3期427-430,446共5页
采用标准三维存储器工艺,制备作为外围器件的表面沟道PMOS管。存储单元制备过程中的高热预算对p型掺杂的多晶栅影响很大,尤其是金属硅化物作为栅极接触材料的p型多晶硅。对影响表面沟道PMOS管性能的因素进行研究,发现多晶硅侧墙氧化温... 采用标准三维存储器工艺,制备作为外围器件的表面沟道PMOS管。存储单元制备过程中的高热预算对p型掺杂的多晶栅影响很大,尤其是金属硅化物作为栅极接触材料的p型多晶硅。对影响表面沟道PMOS管性能的因素进行研究,发现多晶硅侧墙氧化温度主导器件的性能。高温侧墙氧化引起严重的多晶硅耗尽,并导致高阈值电压。电容-电压曲线和二次离子质谱验证了这个现象。通过工艺优化,有效抑制了多晶硅耗尽程度,实现了可用于三维存储器的高性能表面沟道PMOS管。在1.2 V工作电压下,PMOS管的饱和电流可达120μA/μm,漏电流低于1 pA/μm。 展开更多
关键词 三维存储器 硼分凝 多晶硅 栅耗尽 表面沟道低压PMOS管
乡村宜居环境下温州传统文化的困境与建设路径研究 预览
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作者 《生产力研究》 2019年第2期47-50,74共5页
文章介绍了乡村宜居建设环境下的温州乡村文化困境,分析了温州乡村文化价值取向产生问题、主流意识形态问题、乡村文化产品供给问题;介绍了温州乡村宜居的文化考量、悠久的瓯越文化和民间信仰表征——“瓯越间好事鬼,山椒水滨多淫祀”;... 文章介绍了乡村宜居建设环境下的温州乡村文化困境,分析了温州乡村文化价值取向产生问题、主流意识形态问题、乡村文化产品供给问题;介绍了温州乡村宜居的文化考量、悠久的瓯越文化和民间信仰表征——“瓯越间好事鬼,山椒水滨多淫祀”;进行了详细的温州乡村文化细分;介绍了温州生态宜居的文化生态内涵以及乡村宜居环境下乡村文化的建设路径。文章旨在为温州在乡村宜居建设环境下提供乡村文化发展模式与路径。 展开更多
关键词 乡村宜居 生态文化 价值取向 路径
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三维闪存中基于钨互连的空气隙结构的制备工艺
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作者 袁璐月 刘峻 +3 位作者 范鲁明 郭安乾 霍宗亮 《半导体技术》 CAS 北大核心 2019年第4期281-285,共5页
将空气隙应用于逻辑器件后段金属互连线中可以有效降低互连线间的寄生电容,提升电路信号传输速度,但制备过程仍具有一定的困难。基于三维闪存(3D NAND)中后段(BEOL)W的自对准双重图形化(SADP)工艺,利用湿法刻蚀的方法在W化学机械平坦化(... 将空气隙应用于逻辑器件后段金属互连线中可以有效降低互连线间的寄生电容,提升电路信号传输速度,但制备过程仍具有一定的困难。基于三维闪存(3D NAND)中后段(BEOL)W的自对准双重图形化(SADP)工艺,利用湿法刻蚀的方法在W化学机械平坦化(CMP)之后去除SiO2介质层,然后再利用化学气相淀积(CVD)法淀积一层台阶覆盖率较低的介质在金属互连线层内形成空气隙。采用空气隙结构代替原来的SiO2介质层可降低约37.4%的寄生电容,且薄膜的台阶覆盖率会进一步降低电容。TCAD仿真和电性能测试结果表明,采用该方法制备的空气隙结构可降低互连延迟。 展开更多
关键词 三维闪存 W互连 RC延迟 空气隙 低台阶覆盖率
高职院校深化校企合作路径研究
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作者 《中国报业》 2018年第10期31-33,共3页
校企合作是高职院校人才培养的必要途径。本文介绍了高职院校校企合作中存在的不足,诸如学校合作欲望不强、企业缺乏热情、校企合作体制机制不健全等,并针对上述问题提出解决路径,以期对健全和改善校企合作体制机制,实现工学结合与政府... 校企合作是高职院校人才培养的必要途径。本文介绍了高职院校校企合作中存在的不足,诸如学校合作欲望不强、企业缺乏热情、校企合作体制机制不健全等,并针对上述问题提出解决路径,以期对健全和改善校企合作体制机制,实现工学结合与政府、高职院校、企业、行业协会及学生多赢,完成培养综合素质高、技能强的高技能专业人才培养目标。 展开更多
关键词 高职院校 校企合作 问题 路径研究
文化创意对隐宿产业的发展与融合 预览
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作者 《生产力研究》 2018年第6期54-58,共5页
文化创意产业与其他产业融合的经济意义和社会意义越发明显。文章结合文化创意理论、遗产经济学理论、体验经济理论、文化创意与隐宿产业协同理论分析了文化创意产业与隐宿产业融合的合理性和必要性;阐述了隐宿产业与文化创意产业有机... 文化创意产业与其他产业融合的经济意义和社会意义越发明显。文章结合文化创意理论、遗产经济学理论、体验经济理论、文化创意与隐宿产业协同理论分析了文化创意产业与隐宿产业融合的合理性和必要性;阐述了隐宿产业与文化创意产业有机协同的经济效应、文化效应、社会效应、环境效应;分析了文化创意与隐宿产业融合的内部动力要素和外部动力要素;研究了隐宿产业创意开发的路径选择,包括多元理念整合开发模式、产业链延伸路径、视觉文化创意策略、区域隐居文化复兴战略。通过文化创意与隐宿产业融合,更好地发挥隐宿产业开发的经济作用、社会作用、文化作用和环境作用。 展开更多
关键词 隐宿 文化 创意 隐宿产业开发
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建立多元产业联盟突破工业设计企业人才瓶颈的可行性研究——以温州为例
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作者 《特区经济》 2017年第4期43-45,共3页
工业设计的竞争是未来国家间最重要的竞争,对一个城市的发展而言,工业设计同样重要。温州作为一个重要的小商品城市曾经历史辉煌,但是随着劳动力成本的提升,单靠价格的竞争已失去优势,通过工业设计提升品牌的竞争力是温州重铸辉煌的关... 工业设计的竞争是未来国家间最重要的竞争,对一个城市的发展而言,工业设计同样重要。温州作为一个重要的小商品城市曾经历史辉煌,但是随着劳动力成本的提升,单靠价格的竞争已失去优势,通过工业设计提升品牌的竞争力是温州重铸辉煌的关键。本课题从工业设计战略联盟的角度出发,为解决温州工业设计人才瓶颈,帮助温州重塑领导力和竞争力提供发展思路。 展开更多
关键词 工业设计 战略联盟 品牌 领导力 工业4.0
温州文化创意产业园的本地化创新发展战略研究 预览 被引量:1
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作者 《中国商论》 2017年第4期114-115,共2页
首先,温州文化创意产业园要发挥好温州本地的文化品牌特色。其次,建立温州文化创意产业园区位优势。在发展策略方面,一是开创温州梦想小镇,体现温州特色,彰显温州文化;二是大力打造温州文化交流创新平台,拓展跨界运作,创造创意... 首先,温州文化创意产业园要发挥好温州本地的文化品牌特色。其次,建立温州文化创意产业园区位优势。在发展策略方面,一是开创温州梦想小镇,体现温州特色,彰显温州文化;二是大力打造温州文化交流创新平台,拓展跨界运作,创造创意基金;三是打造温州文化展示平台,利用温州品牌资源;四是打造温州文化交易平台,借鉴国内外先进经验,提高文化创意园园区服务水平,做好互联网+产业,提高温州文化创意园区的综合效益。本文研究成果将为温州文化创意产业园的进一步发展提供意见和建议,以期促进园区更快发展。 展开更多
关键词 温州文创园 本地化 跨界 创新
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乡村隐宿的文化内核作用研究 预览 被引量:1
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作者 《生产力研究》 2017年第4期122-126,共5页
隐宿行业不仅仅是在乡村旅游住宿,应注意挖掘隐宿行业中的乡土文化内涵;要保护与传承乡土文化,使文化旅游接地气,实现经济利益与文化传承双丰收;突出隐宿地理区位的天然性、乡土韵味和隐宿业主的乡土情怀是对传统乡土文化的回归和... 隐宿行业不仅仅是在乡村旅游住宿,应注意挖掘隐宿行业中的乡土文化内涵;要保护与传承乡土文化,使文化旅游接地气,实现经济利益与文化传承双丰收;突出隐宿地理区位的天然性、乡土韵味和隐宿业主的乡土情怀是对传统乡土文化的回归和对乡土文化的构建中隐宿的文化内核作用的主要体现。 展开更多
关键词 乡土文化 生态农业 文化旅游 乡愁情愫
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隐宿商业模式的形成机理分析与发展路径 预览 被引量:6
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作者 田启明 《生产力研究》 2016年第12期118-121,共4页
中国进入了一个农村大开发时代,乡村旅游投资逐渐成为中外投资者的“风口”,中国隐宿开发进入了一个新时代.文章介绍了隐宿的主要商业模式和发展依据;分析了隐宿开发的经济价值与社会价值;阐述了隐宿开发中主要途径和方法.突出了隐宿开... 中国进入了一个农村大开发时代,乡村旅游投资逐渐成为中外投资者的“风口”,中国隐宿开发进入了一个新时代.文章介绍了隐宿的主要商业模式和发展依据;分析了隐宿开发的经济价值与社会价值;阐述了隐宿开发中主要途径和方法.突出了隐宿开发的商业模式、价值观和消费群体的情感体验和价值导向. 展开更多
关键词 隐宿 商业模式 价值导向 人格亲和力 IP链接力
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河北省与浙江省工业设计类人才创新创造提升能力对比研究①——以秦皇岛市与温州市为例 预览 被引量:4
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作者 田启明 《中国商论》 2016年第29期176-177,179共3页
工业设计的竞争决定了国家实力的竞争,工业设计人才的培养是国家、城市、企业之间竞争的关键。本文通过对比研究秦皇岛与温州工业设计人才的培养模式,希望达到两个城市之间的优势互补、查缺补漏、互相借鉴的目的,以共同提高工业设计... 工业设计的竞争决定了国家实力的竞争,工业设计人才的培养是国家、城市、企业之间竞争的关键。本文通过对比研究秦皇岛与温州工业设计人才的培养模式,希望达到两个城市之间的优势互补、查缺补漏、互相借鉴的目的,以共同提高工业设计人才培养的水平,为实现城市与国家2025中国制造宏伟目标提供意见。 展开更多
关键词 工业设计 人才培养 中国创造 工业4.0
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现代创意产业之“大美术”观 预览
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作者 黄国想 《经济视野》 2012年第12期102-103,共2页
从创意产业与美术的关系分析,理解“大美术”的观念,用创意产业和产品设计两个方面去分析现代创意产业的“大美术”观。在大美术概念下,传统审美与新美术之间相互作用的情况下。现代创意产业呈现出新的面貌,产业类型在不断扩展,产... 从创意产业与美术的关系分析,理解“大美术”的观念,用创意产业和产品设计两个方面去分析现代创意产业的“大美术”观。在大美术概念下,传统审美与新美术之间相互作用的情况下。现代创意产业呈现出新的面貌,产业类型在不断扩展,产业结构在不断提升.大美术理念中的创意产业门类越发多样化。包括广告、建筑艺术、艺术和古董市场、手工艺品、时尚设计、电影与录像、交互式互动软件、音乐、表演艺术、出版业、电视和广播、博物馆和美术馆等。 展开更多
关键词 大美术 创意产业 传统美术 设计
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Effect of interface roughness on the carrier transport in germanium MOSFETs investigated by Monte Carlo method
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作者 杜刚 刘晓彦 +2 位作者 杨竞峰 韩汝琦 《中国物理B:英文版》 SCIE EI CAS CSCD 2010年第5期536-541,共6页
Interface roughness strongly influences the performance of germanium metal-organic-semiconductor field effect transistors(MOSFETs).In this paper,a 2D full-band Monte Carlo simulator is used to study the impact of inte... Interface roughness strongly influences the performance of germanium metal-organic-semiconductor field effect transistors(MOSFETs).In this paper,a 2D full-band Monte Carlo simulator is used to study the impact of interface roughness scattering on electron and hole transport properties in long-and short-channel Ge MOSFETs inversion layers.The carrier effective mobility in the channel of Ge MOSFETs and the in non-equilibrium transport properties are investigated.Results show that both electron and hole mobility are strongly influenced by interface roughness scattering.The output curves for 50 nm channel-length double gate n and p Ge MOSFET show that the drive currents of n-and p-Ge MOSFETs have significant improvement compared with that of Si n-and p-MOSFETs with smooth interface between channel and gate dielectric.The 82% and 96% drive current enhancement are obtained for the n-and p-MOSFETs with the completely smooth interface.However,the enhancement decreases sharply with the increase of interface roughness.With the very rough interface,the drive currents of Ge MOSFETs are even less than that of Si MOSFETs.Moreover,the significant velocity overshoot also has been found in Ge MOSFETs. 展开更多
关键词 双栅MOSFET 界面粗糙度 承运人 蒙特卡罗法 半导体场效应晶体管 运输 通道长度
高职高专在校创业学生创业心理品质的因素分析及其对创业教育的启示 预览 被引量:3
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作者 汪幼新 郑国波 《科技信息》 2008年第32期 11-12,共2页
创业创新已经成为时代的主题。在现代高校中,大学生创业也是一个社会普遍关注的问题,本文从地方创业背景出发,论述了大学生在选择自己创业的过程中应该培养的创业心理品质.提出了培养大学生创业心理品质必须从生活实践中锻炼出来的... 创业创新已经成为时代的主题。在现代高校中,大学生创业也是一个社会普遍关注的问题,本文从地方创业背景出发,论述了大学生在选择自己创业的过程中应该培养的创业心理品质.提出了培养大学生创业心理品质必须从生活实践中锻炼出来的几种有效途径,主要以温州地区高校的创业学生为调查对象,对大学生创业心理品质的因素分析及其对创业教育的启示。 展开更多
关键词 大学生 创业心理品质 创新
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现代产品设计中逆向工程的应用 预览 被引量:2
14
作者 《陇东学院学报》 2008年第2期 26-27,共2页
阐述了逆向工程的概念及其在产品设计中的应用,有效地解决造型设计与后续的工程设计、制造环节相脱节的问题,为工业产品造型设计与后期的工程制造的连贯开辟了一个新的途径,其设计流程的过程为产品设计系统化提供行之有效的措施,从... 阐述了逆向工程的概念及其在产品设计中的应用,有效地解决造型设计与后续的工程设计、制造环节相脱节的问题,为工业产品造型设计与后期的工程制造的连贯开辟了一个新的途径,其设计流程的过程为产品设计系统化提供行之有效的措施,从而缩短了产品设计开发周期,实现了产品造型设计的系统化. 展开更多
关键词 逆向工程 CAD技术 产品设计
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煤矿机械产品的人性化设计研究 预览 被引量:17
15
作者 叶振合 李鑫 《包装工程》 CAS CSCD 北大核心 2008年第4期 102-103,111,共3页
阐述人性化设计的相关理论,并且系统论述煤矿机械设备如何进行人性化的设计开发。从人机界面、人机工程学、机械产品美学等几个方面进行了研究,使“以人为本”的设计思想得到了充分的体现,在注重人使用机械设备的舒适性,操作方式、... 阐述人性化设计的相关理论,并且系统论述煤矿机械设备如何进行人性化的设计开发。从人机界面、人机工程学、机械产品美学等几个方面进行了研究,使“以人为本”的设计思想得到了充分的体现,在注重人使用机械设备的舒适性,操作方式、生理、心理、产品语意上赋予产品的人性化关怀,使煤矿机械设备更宜人、悦人,从而表明了煤矿机械设备的发展方向。 展开更多
关键词 人性化设计 人机界面 人机工程学 造型美学
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商业空间设计与中国传统元素 预览 被引量:3
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作者 宋强 李鑫 《商场现代化》 北大核心 2008年第9期 25-26,共2页
中国传统元素与商业空间设计息息相关,中国传统元素与商业空间设计结合有着重要的意义,我们要通过合理科学的方式、方法把商业空间设计与中国传统元素有机的结合起来。
关键词 商业空间设计 文化 中国传统元素
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双栅肖特基源漏MOSFET的阈值电压模型 预览
17
作者 徐博卷 杜刚 +3 位作者 曾朗 韩汝琦 刘晓彦 《半导体学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2007年第8期 1179-1183,共5页
通过求解泊松方程得到了双栅肖特基势垒MOSFET的解析模型. 这个解析模型包括整个沟道的准二维电势分布和适用于短沟双栅肖特基势垒MOSFET的阈值电压模型.数值模拟器ISE DESSIS验证了模型结果.
关键词 双栅 肖特基势垒 阈值电压
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Investigation of gate current in nano-scale MOSFETs by Monte Carlo solution of quantum Boltzmann equation
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作者 杜刚 +2 位作者 刘晓彦 康晋锋 韩汝琦 《中国物理B:英文版》 SCIE EI CAS CSCD 2007年第2期537-541,共5页
关键词 量子玻尔兹曼方程 蒙特卡洛解 纳米级MOSFET 场效应晶体管 门电流 隧穿 量子效应
Fabrication and characteristics of Ni-germanide Schottky contacts with Ge
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作者 韩德栋 刘晓彦 +3 位作者 康晋锋 杜刚 韩汝琦 《中国物理B:英文版》 SCIE EI CAS CSCD 2005年第5期1041-1043,共3页
In this study, Ni germanide Schottky barrier diodes on n-Ge (100) substrate were fabricated by sputtering metal Ni on Ge, followed by annealing in N2 atmosphere from 300 to 500℃ in a furnace. The results of x-ray dif... In this study, Ni germanide Schottky barrier diodes on n-Ge (100) substrate were fabricated by sputtering metal Ni on Ge, followed by annealing in N2 atmosphere from 300 to 500℃ in a furnace. The results of x-ray diffraction (XRD) show that the Ni germanide was formed and the diffraction line of (111) was observed in all samples. The structure of Ni germanide is orthorhombic with lattice parameters a=5.811, b=5.381, c=3.428. However, the lines (121) and (002) were observed only in the samples annealed at a temperature higher than 400℃. The influence of annealing temperature on the electrical properties of Ni germanide Schottky barrier diodes on n-Ge (100) substrate was investigated. Experimental results indicated that Schottky barrier diodes on n-Ge (100) with current-voltage (I-V) rectifier characteristics were obtained. The Ion/Ioff ratio of the Schottky diode obtained by using a 300℃ annealing process is the highest. The Schottky barrier heights were evaluated by the capacitance-voltage method. 展开更多
关键词 锗化物 肖特基连通 金属-氧化物-半导体 场效应
亚100nm多栅MOSFET的三维模拟 预览 被引量:2
20
作者 刘晓彦 +1 位作者 刘恩峰 韩汝琦 《半导体学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2003年第B05期 140-143,共4页
使用三维模拟软件对具有FINFET的多栅结构(主要是双栅和三栅)进行了模拟,对比了双栅和三栅的I-V特性,发现三栅的特性要优于双栅;减小FIN宽度(即两个侧栅之间的距离),双栅和三栅结构特性之间的差距变小。
关键词 双栅MOSFET 阈值电压 FINFET 三维模拟 短沟效应
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