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土塞效应对管桩低应变测试视波速的影响研究
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作者 刘浩 吴文兵 +3 位作者 蒋国盛 梅国雄 梁荣柱 文杰 《岩土工程学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2019年第2期383-389,共7页
首先,基于附加质量模型建立了考虑环向波动效应的管桩纵向振动频域解析解,然后利用傅里叶逆变换得到半正弦脉冲激振力作用下时域响应半解析解,最后,基于建立的理论模型,研究了土塞效应对管桩视波速的影响,为管桩的低应变无损检测提供更... 首先,基于附加质量模型建立了考虑环向波动效应的管桩纵向振动频域解析解,然后利用傅里叶逆变换得到半正弦脉冲激振力作用下时域响应半解析解,最后,基于建立的理论模型,研究了土塞效应对管桩视波速的影响,为管桩的低应变无损检测提供更加精确的管桩测试波速计算理论。本文解的理论反演曲线分别与现有理论解的反演曲线、模型试验和现场试验测试曲线进行了比较,验证了本文解的合理性和计算精度。分析表明:土塞效应对管桩视波速的衰减作用随着管桩壁厚和纵波波速的减小而增强;土塞的存在会导致桩端反射信号幅值到达时间随着桩顶接收角度的变化而变化;土塞效应会增大桩端反射信号的宽度。 展开更多
关键词 管桩 视波速 土塞效应 附加质量模型 低应变测试
低承台管桩纵向自由振动特性分析 预览
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作者 文杰 吴文兵 +2 位作者 蒋国盛 梁荣柱 徐宝军 《振动与冲击》 EI CSCD 北大核心 2019年第17期32-44,共13页
基于广义Voigt模型和附加质量模型,研究了低承台管桩的纵向自由振动特性。首先,根据承台和管桩周围土体的性质,建立了承台、管桩、桩侧土以及土塞纵向自由振动的控制方程;然后,结合承台-管桩-土系统的耦合条件,采用Laplace变换技术及阻... 基于广义Voigt模型和附加质量模型,研究了低承台管桩的纵向自由振动特性。首先,根据承台和管桩周围土体的性质,建立了承台、管桩、桩侧土以及土塞纵向自由振动的控制方程;然后,结合承台-管桩-土系统的耦合条件,采用Laplace变换技术及阻抗函数传递法,求解得到了承台纵向自由振动位移的频域解析解及时域半解析解。最后,分析了附加质量模型中Voigt模型参数的敏感性区间,并将该解退化与已有解进行对比,验证了该解的合理性;讨论了桩身参数、土塞、桩侧土及承台周围土体对低承台管桩纵向自由振动特性的影响规律。结果表明:桩身参数、土塞、桩侧土及承台周围土体对低承台管桩纵向自由振动特性有明显影响,为低承台管桩基础的防震减震设计提供了一定的理论依据。 展开更多
关键词 管桩 低承台 纵向自由振动 桩侧土 土塞 承台底土 承台侧土 附加质量模型
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虚土桩扩散角对楔形桩扭转振动阻抗的影响 预览
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作者 余前标 文杰 刘浩 《建筑技术开发》 2017年第5期35-37,共3页
基于桩端土的锥形虚土桩模型,研究端土应力扩散效应对楔形桩扭转振动阻抗的影响。首先将桩侧土和桩端土划分多个薄层,采用平面应变模型求解得到桩(虚土桩)侧土的剪切复刚度,然后利用Laplace变换技术和阻抗函数递推法得到虚土桩顶... 基于桩端土的锥形虚土桩模型,研究端土应力扩散效应对楔形桩扭转振动阻抗的影响。首先将桩侧土和桩端土划分多个薄层,采用平面应变模型求解得到桩(虚土桩)侧土的剪切复刚度,然后利用Laplace变换技术和阻抗函数递推法得到虚土桩顶部阻抗,并将其作为楔形桩的实际支撑刚度,进一步推得楔形桩桩顶扭转振动阻抗频域响应解析解;最后,分析虚土桩扩散角对楔形桩扭转振动阻抗的影响。研究表明:随着虚土桩扩散角的增大,楔形桩桩顶扭转动刚度逐渐增大,动阻尼逐渐减小。 展开更多
关键词 楔形桩 扭转振动 锥形虚土桩模 平面应变模型
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Co掺杂的ZnO基稀磁半导体薄膜的制备 预览 被引量:1
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作者 李博睿 文杰 《大众科技》 2010年第8期 108-109,96,共3页
采用PLD 方法制备了5 at.% Co 掺杂的ZnO0.95Co0.05O 薄膜,以及Co,Al 共掺杂的样品,并对其进行了电学及磁学性质测量,发现ZnO:Co薄膜具有室温铁磁性,同时有着优异的透光特性及良好的导电性,有着集成磁光电特性与一体的潜质.Co,Al共掺... 采用PLD 方法制备了5 at.% Co 掺杂的ZnO0.95Co0.05O 薄膜,以及Co,Al 共掺杂的样品,并对其进行了电学及磁学性质测量,发现ZnO:Co薄膜具有室温铁磁性,同时有着优异的透光特性及良好的导电性,有着集成磁光电特性与一体的潜质.Co,Al共掺杂的样品饱和磁矩有较为明显的增强,说明样品的铁磁性可能来源于载流子浓度的增加. 展开更多
关键词 稀磁半导体 ZNO 载流子浓度
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直流溅射ZnO导电靶制备ZnO:Al透明导电薄膜 预览 被引量:4
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作者 方斌 文杰 +1 位作者 陈欣 陈志强 《武汉理工大学学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2007年第4期 52-54,共3页
利用直流(DC)磁控溅射导电率良好的ZnO:Al陶瓷制备ZnO:Al透明导电薄膜。在不同的温度下对靶的溅射得到的薄膜进行X—ray、AFM、霍尔系数的测量等的分析,研究了溅射温度对膜的薄膜结构电学和光学性能的影响。制得的薄膜均为(002)... 利用直流(DC)磁控溅射导电率良好的ZnO:Al陶瓷制备ZnO:Al透明导电薄膜。在不同的温度下对靶的溅射得到的薄膜进行X—ray、AFM、霍尔系数的测量等的分析,研究了溅射温度对膜的薄膜结构电学和光学性能的影响。制得的薄膜均为(002)面的单一择优取向,且当温度为300℃时,有最低的电阻率为6.33×10^-4Ωcn。薄膜在可见光部分的透射率都在80%以上。 展开更多
关键词 ZnO:Al(ZAO)薄膜 直流(DC)磁控溅射 电学性能
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激光沉积法制备近红外高屏蔽性能透明薄膜 预览
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作者 朱超 文超 +3 位作者 文杰 龙华 胡少六 曹远美 《武汉理工大学学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2005年第11期 11-13,38,共4页
以金属锌、铁、银为靶材,用准分子脉冲激光沉积法(PLD),在石英玻璃基片上制备了锌、铁、银的金属氧化物多层薄膜.XRD和AFM研究结果表明薄膜的结晶度很好,晶粒尺寸在30~50 nm,成膜均匀致密,光滑平整;经紫外和红外光谱发现:Ag/Fe/Zn氧化... 以金属锌、铁、银为靶材,用准分子脉冲激光沉积法(PLD),在石英玻璃基片上制备了锌、铁、银的金属氧化物多层薄膜.XRD和AFM研究结果表明薄膜的结晶度很好,晶粒尺寸在30~50 nm,成膜均匀致密,光滑平整;经紫外和红外光谱发现:Ag/Fe/Zn氧化物多层膜反射率小于15%,是一种低反射薄膜,其在可见光区的透过率约为50%(浅蓝灰色),对紫外的阻隔率大于90%,对近红外的阻隔率大于70%. 展开更多
关键词 脉冲激光沉积法 透明薄膜 抗紫外/近红外性能
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沉积温度和退火处理对脉冲激光沉积的 ZnO∶Al 膜性能的影响 预览 被引量:6
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作者 陈欣 方斌 +4 位作者 文杰 吴天书 郭明森 方国家 赵兴中 《功能材料》 EI CAS CSCD 北大核心 2005年第10期 1511-1513,共3页
利用脉冲激光沉积法制备了ZnO∶Al透明导电薄膜.通过对膜的霍尔系数测量及 AFM、XRD分析,详细研究了温度和退火处理对薄膜结构、表面形貌及光电性能的影响.结果表明沉积温度影响膜的电学、光学性能和膜的结晶状况.制备的薄膜均具有ZnO(0... 利用脉冲激光沉积法制备了ZnO∶Al透明导电薄膜.通过对膜的霍尔系数测量及 AFM、XRD分析,详细研究了温度和退火处理对薄膜结构、表面形貌及光电性能的影响.结果表明沉积温度影响膜的电学、光学性能和膜的结晶状况.制备的薄膜均具有ZnO(002)择优取向的多晶膜.在240~310℃沉积的薄膜具有最低的电阻率,其值为6.1×10-4Ω·cm,在240℃沉积的薄膜在氩气中退火薄膜的电阻率下降为4. 7×10-4Ω·cm.所有薄膜在可见光区的平均透过率均达到了90%以上. 展开更多
关键词 沉积温度 ZnO:Al(AZO)膜 退火
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脉冲激光沉积法制备La0.5Sr0.5CoO3薄膜及其结构和表面特性 预览 被引量:2
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作者 刘建 李美亚 +2 位作者 文杰 国世上 赵兴中 《武汉大学学报:理学版》 CAS CSCD 北大核心 2004年第3期 320-324,共5页
利用脉冲激光沉积法在(001)取向的LaAlO3(LAO)衬底上实现了La0.5Sr0.5CoO3(LSCO)薄膜的外延生长.主要研究了衬底温度(Ts),激光能量(El)和氧气压强(pO2)对薄膜结构和表面形貌的影响.X射线衍射结果显示在Ts=700~850 ℃的范围内沉积的L... 利用脉冲激光沉积法在(001)取向的LaAlO3(LAO)衬底上实现了La0.5Sr0.5CoO3(LSCO)薄膜的外延生长.主要研究了衬底温度(Ts),激光能量(El)和氧气压强(pO2)对薄膜结构和表面形貌的影响.X射线衍射结果显示在Ts=700~850 ℃的范围内沉积的LSCO薄膜都具有c轴取向.从扫描电子显微镜和原子力显微镜照片可以看出上述3个沉积参数中,氧压对LSCO薄膜表面形貌的影响最为显著,较低氧压下沉积的薄膜具有较光滑的表面.通过实验,确立了能够制备同时具有c轴取向和光滑表面的薄膜的最佳沉积参数范围. 展开更多
关键词 La0.5Sr0.5CoO3 外延生长 脉冲激光沉积 薄膜
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Li掺杂对ZnO陶瓷结构与电学性能的影响 预览
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作者 熊洁 文杰 +2 位作者 高相东 李效民 赵兴中 《武汉大学学报:理学版》 CAS CSCD 北大核心 2003年第3期 357-360,共4页
研究了用传统方法在1 200~1 400℃烧结的ZnO陶瓷,以及用放电等离子体烧结(SPS)方法烧结的ZnO陶瓷的结构特征与电学性能.以ZnO为基添加了不同浓度的LiOH,制备了不同Li掺杂浓度的ZnO陶瓷.研究了掺杂、烧结温度,以及烧结方法等因素对ZnO... 研究了用传统方法在1 200~1 400℃烧结的ZnO陶瓷,以及用放电等离子体烧结(SPS)方法烧结的ZnO陶瓷的结构特征与电学性能.以ZnO为基添加了不同浓度的LiOH,制备了不同Li掺杂浓度的ZnO陶瓷.研究了掺杂、烧结温度,以及烧结方法等因素对ZnO基陶瓷的微观结构、电学性能的影响.实验表明,用传统方法烧结时,ZnO在烧结温度低于1 400℃的情况下难以成瓷,而放电等离子体烧结(SPS)方法可以显著降低烧结温度.ZnO陶瓷的晶粒大小、密度随着烧结温度的增大而增大.在同样的烧结温度下,LiOH含量越大,ZnO基陶瓷的电阻率越大. 展开更多
关键词 ZnO陶瓷 结构特征 电学性能 放电等离子体烧结方法 微观结构 电阻率 LI 掺杂 半导体 禁带宽度
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二氧化硅陶瓷靶材的烧结 预览 被引量:4
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作者 李纲 文杰 赵兴中 《武汉大学学报:理学版》 CAS CSCD 北大核心 2003年第3期 350-352,共3页
通过添加SiO2超微粉末,成功地实现了SiO2陶瓷的低温烧结.在1 250 ℃的温度下,获得了密度接近理论值的高纯SiO2陶瓷靶材.对于不同微粉含量的靶材进行了断口形貌分析及其密度的比较.实验结果证明,超微粉的添加对SiO2低温下的致密烧结有明... 通过添加SiO2超微粉末,成功地实现了SiO2陶瓷的低温烧结.在1 250 ℃的温度下,获得了密度接近理论值的高纯SiO2陶瓷靶材.对于不同微粉含量的靶材进行了断口形貌分析及其密度的比较.实验结果证明,超微粉的添加对SiO2低温下的致密烧结有明显的促进效果. 展开更多
关键词 二氧化硅陶瓷靶材 低温烧结 断口形貌 密度 超微粉 SiO2陶瓷 致密烧结
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