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用于抗菌药物敏感实验的倍比稀释微流控芯片
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作者 刘洋 毛海央 +3 位作者 范文兵 黄成军 王玮冰 《微纳电子技术》 北大核心 2019年第4期279-284,302共7页
基于微流控梯度网络理论和相关的数学模型,设计了一种新型的浓度倍比稀释微流控芯片结构,对其混合和稀释功能进行了仿真,并结合微加工工艺进行了芯片制备。初步实验结果表明,芯片两个入口处分别以3.267∶1的体积流量比注入去离子水与待... 基于微流控梯度网络理论和相关的数学模型,设计了一种新型的浓度倍比稀释微流控芯片结构,对其混合和稀释功能进行了仿真,并结合微加工工艺进行了芯片制备。初步实验结果表明,芯片两个入口处分别以3.267∶1的体积流量比注入去离子水与待稀释试剂样品时,在混合通道入口处两种流体能够进行等体积混合。当芯片两个入口的体积流量分别设置为1.225μL/min和0.375μL/min时,经过4 min后在芯片的四个出口可分别得到经过两倍稀释后的试剂样品,稀释精度达到98%。该浓度状态能长时间保持稳定,进而为抗菌药物敏感实验的研究提供了一条方便快捷、试剂用量少的新途径。 展开更多
关键词 微流控芯片 微加工工艺 倍比稀释 抗菌药物 浓度梯度
一种挡板结构被动式微混合器的设计与仿真
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作者 刘洋 毛海央 +4 位作者 范文兵 黄成军 程洁 王玮冰 《微纳电子技术》 北大核心 2018年第4期258-264,共7页
基于在微通道内设置障碍物可以提高混合效率的方法,以T型方波通道微混合器为基础,设计了一种新型的、具有挡板结构的被动式微混合器,并采用有限元方法建立了仿真模型,分析比较了T型直通道微混合器、T型方波通道微混合器和具有挡板结构的... 基于在微通道内设置障碍物可以提高混合效率的方法,以T型方波通道微混合器为基础,设计了一种新型的、具有挡板结构的被动式微混合器,并采用有限元方法建立了仿真模型,分析比较了T型直通道微混合器、T型方波通道微混合器和具有挡板结构的T型方波通道微混合器在不同雷诺数(Re)下器件内流体的流动特性和混合效率。研究结果表明,具有挡板结构的T型方波通道微混合器在挡板阻塞比为1/4时具备最优的综合性能,也即在较宽Re值范围(5~60)内可实现流体的快速、高效混合,混合效率高于95%。 展开更多
关键词 微混合器 混合效率 挡板 雷诺数 有限元方法
基于稀疏字典学习和核稀疏表示的激光遥感图像超分辨重建 被引量:6
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作者 范文兵 方堃 《激光杂志》 北大核心 2015年第6期52-58,共7页
针对激光遥感图像的超分辨重建问题,提出了基于稀疏字典学习和核稀疏表示的单幅图像超分辨重建算法。该算法首先利用已有的高分辨图像,通过预处理得到高低分辨样本集;然后利用稀疏字典学习技术训练得到稀疏的高低分辨字典对;最后提出了... 针对激光遥感图像的超分辨重建问题,提出了基于稀疏字典学习和核稀疏表示的单幅图像超分辨重建算法。该算法首先利用已有的高分辨图像,通过预处理得到高低分辨样本集;然后利用稀疏字典学习技术训练得到稀疏的高低分辨字典对;最后提出了核正交匹配追踪算法求解核稀疏表示问题得到稀疏表示系数,结合高分辨字典重建高分辨图像。相比较现有同类的超分辨重建算法,由于采用了稀疏字典学习技术,该算法训练字典时需要较少的样本数和计算量,同时由于核稀疏表示能够描述图像的细节信息,使得重建效果得到了进一步的提高。实验结果验证了算法的有效性。 展开更多
关键词 稀疏字典学习 核稀疏表示 超分辨重建 激光遥感
一种新颖的基于边缘检测的车辆阴影去除方法 预览 被引量:2
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作者 李浩亮 水清河 +1 位作者 范文兵 《郑州大学学报:工学版》 CAS 北大核心 2014年第5期11-14,共4页
针对普通基于HSV颜色空间算法的缺陷,提出了一种新颖的车辆阴影消除方法.通过自适应混合高斯模型(AGMM)进行背景建模得到视频序列背景和前景,使用改进的高斯-拉普拉斯(LOG)边缘检测算子对前景图像和阈值分割后的前景进行两次边缘检... 针对普通基于HSV颜色空间算法的缺陷,提出了一种新颖的车辆阴影消除方法.通过自适应混合高斯模型(AGMM)进行背景建模得到视频序列背景和前景,使用改进的高斯-拉普拉斯(LOG)边缘检测算子对前景图像和阈值分割后的前景进行两次边缘检测,最后对两次检测后的前景边缘进行相减,保留车辆运动区域.实验结果表明,提出的新颖算法能有效去除与车辆特性相近的光照阴影. 展开更多
关键词 混合高斯 LOG边缘算子 阴影去除
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硅纳米晶存储器的耐受性研究
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作者 姜丹丹 霍宗亮 +3 位作者 靳磊 王永 刘明 《微纳电子技术》 CAS 北大核心 2014年第8期481-488,共8页
首先介绍了硅纳米晶粒的制备工艺以及硅纳米晶存储器件的基本特性。接着重点探讨了硅纳米晶存储器耐久性退化的物理机制,发现应力引起的界面陷阱是耐受性退化的主要原因。随后,同时采用多种分析手段,如电荷泵法和CV曲线分析法对界面陷... 首先介绍了硅纳米晶粒的制备工艺以及硅纳米晶存储器件的基本特性。接着重点探讨了硅纳米晶存储器耐久性退化的物理机制,发现应力引起的界面陷阱是耐受性退化的主要原因。随后,同时采用多种分析手段,如电荷泵法和CV曲线分析法对界面陷阱的退化机理进行了更深入细致的研究。从界面陷阱在禁带中的能级分布中发现,相较于未施加应力时界面陷阱的双峰分布,施加应力后产生了新的Pb1中心的双峰。最后,分别从降低擦写电压和对载流子预热的角度提出了三种新的编程方法,有效提高了硅纳米晶存储器件的耐受性。 展开更多
关键词 硅纳米晶存储器 耐受性 界面陷阱 能级分布 退化
基于硅纳米晶的非挥发存储器制备与存储特性
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作者 王永 +2 位作者 张满红 张博 刘明 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2011年第6期421-424,共4页
硅纳米晶非挥发存储器由于其卓越的性能以及与传统工艺的高度兼容性,近来引起高度关注。采用两步低压化学气相淀积(LPCVD)生长方式制备硅纳米晶(Si-NC),该方法所制备的硅纳米晶具有密度高、可控性好的特点,且完全兼容于传统CMOS工... 硅纳米晶非挥发存储器由于其卓越的性能以及与传统工艺的高度兼容性,近来引起高度关注。采用两步低压化学气相淀积(LPCVD)生长方式制备硅纳米晶(Si-NC),该方法所制备的硅纳米晶具有密度高、可控性好的特点,且完全兼容于传统CMOS工艺。在此基础上制作四端硅纳米晶非挥发存储器,该器件展示出良好的存储特性,包括10 V操作电压下快速地擦写,数据保持特性的显著提高,以及在105次擦写周期以后阈值电压(Vt)飘移低于10%的良好耐受性。该器件在未来高性能非挥发存储器应用上极具潜质。 展开更多
关键词 硅纳米晶 非挥发存储器 存储特性 耐受性 数据保持
电荷俘获存储器中俘获层的研究进展 预览 被引量:1
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作者 李德君 刘明 +8 位作者 龙世兵 王琴 张满红 刘璟 仕谦 王永 陈军宁 代月花 《微纳电子技术》 CAS 北大核心 2009年第9期 518-524,539,共8页
随着45nm和32nm技术节点的来临,传统Si3N4作为电荷俘获存储器的俘获层已经使器件的性能受到了限制。指出采用高k材料代替Si3N4作为俘获层已成为目前微电子材料研究的热点和趋势;着重对电荷俘获存储器的俘获层,包括对Si3N4掺O的无定... 随着45nm和32nm技术节点的来临,传统Si3N4作为电荷俘获存储器的俘获层已经使器件的性能受到了限制。指出采用高k材料代替Si3N4作为俘获层已成为目前微电子材料研究的热点和趋势;着重对电荷俘获存储器的俘获层,包括对Si3N4掺O的无定形氧氮化硅(α-SiOxNy)俘获层、高k介质材料俘获层、植入纳米晶材料的俘获层及其叠层结构的研究现状和存在的问题进行了综述和分析,并对其进一步的研究趋势进行了展望。 展开更多
关键词 高K材料 非挥发性存储器(NVM) 电荷俘获存储器 俘获层 隧穿层
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A novel 2-T structure memory device using a Si nanodot for embedded application
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作者 王永 +4 位作者 张满红 霍宗亮 刘璟 张博 刘明 《半导体学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2011年第12期 86-90,共5页
<正>Performance and reliability of a 2 transistor Si nanocrystal nonvolatile memory(NVM) are investigated. A good performance of the memory cell has been achieved,including a fast program/erase(P/E) speed under ... <正>Performance and reliability of a 2 transistor Si nanocrystal nonvolatile memory(NVM) are investigated. A good performance of the memory cell has been achieved,including a fast program/erase(P/E) speed under low voltages,an excellent data retention(maintaining for 10 years) and good endurance with a less threshold voltage shift of less than 10%after 10~4 P/E cycles.The data show that the device has strong potential for future embedded NVM applications. 展开更多
关键词 嵌入式应用 硅纳米晶 设备 纳米点 非易失性存储器 内存 结构 阈值电压漂移
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