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基于金属光栅实现石墨烯三通道光吸收增强 预览
1
作者 江孝伟 武华 寿 《物理学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2019年第13期270-277,共8页
为了增强单层石墨烯在可见光和近红外波段的吸收效率并实现多通道光吸收.本文利用石墨烯-金属光栅-介质层-金属衬底混合结构在λ1=0.553μm、λ2=0.769μm、λ3=1.130μm三通道上提高了石墨烯吸收效率,石墨烯吸收效率最高可达41%.对3个... 为了增强单层石墨烯在可见光和近红外波段的吸收效率并实现多通道光吸收.本文利用石墨烯-金属光栅-介质层-金属衬底混合结构在λ1=0.553μm、λ2=0.769μm、λ3=1.130μm三通道上提高了石墨烯吸收效率,石墨烯吸收效率最高可达41%.对3个光吸收增强通道的磁场分布分析可得它们分别源于表面等离子体激元共振、法布里-帕罗干涉腔共振、磁激元共振.经过模拟分析可知,通过调节金属光栅宽度、介质层厚度可以调谐混合结构的共振峰波长和吸收效率,而石墨烯化学势仅能对共振峰λ3的吸收效率有影响.最后优化结构参数,在最优结构参数下混合结构在3个光吸收增强通道的光吸收效率可达0.97以上,这可以作为超材料吸收器. 展开更多
关键词 石墨烯 金属光栅 吸收效率 光吸收增强通道
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高速低功耗数字逻辑比较器的电路设计 预览
2
作者 寿 武华 王兴全 《赣南师范大学学报》 2018年第3期32-35,共4页
功耗、速度和芯片面积是当今便携电子领域极为关键的技术参数.本文拟采用不同的数字逻辑技术和不同电路结构设计并实现数字逻辑比较器,使电路在功耗、传输延迟、芯片面积以及占用晶体管数等方面得到优化.基于Tanner-EDA仿真平台,选用电... 功耗、速度和芯片面积是当今便携电子领域极为关键的技术参数.本文拟采用不同的数字逻辑技术和不同电路结构设计并实现数字逻辑比较器,使电路在功耗、传输延迟、芯片面积以及占用晶体管数等方面得到优化.基于Tanner-EDA仿真平台,选用电源电压0.7 V及45-nm工艺参数规范,对本文设计的每种电路的功耗、速度和面积进行仿真,通过分析比较仿真结果,综合每种电路的结构特点和电性能参数,选取最优电路设计,对该电路进行版图设计和版图参数提取,从而进行电路后仿真验证并最终实现高性能的数字逻辑比较器电路芯片. 展开更多
关键词 数字逻辑比较器 传输门 半加器 功耗 传输延迟
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基于亚波长高对比度光栅的波前调控器设计 预览
3
作者 武华 彭莉 +3 位作者 寿 张文博 刘巧莉 董建 《光子学报》 CSCD 北大核心 2017年第10期87-92,共6页
基于严格耦合波分析法分析了亚波长光栅波前调控的方法,设计了具有凸透镜、锥透镜和闪耀光栅功能的三种亚波长光栅结构,以平面方式制备了具有聚焦和闪耀效果的三种微纳结构波前调控器.计算了不同光栅厚度、光栅齿和光栅槽宽度下的光栅... 基于严格耦合波分析法分析了亚波长光栅波前调控的方法,设计了具有凸透镜、锥透镜和闪耀光栅功能的三种亚波长光栅结构,以平面方式制备了具有聚焦和闪耀效果的三种微纳结构波前调控器.计算了不同光栅厚度、光栅齿和光栅槽宽度下的光栅透射率,通过选择合适光栅参数组合,得到三种波前调控器透射率均在97%以上.硅基平面结构与常规结构器件性能相比,平面和常规透镜、锥透镜在聚焦效果上,焦斑的半高全宽近似相等,峰值强度提高了1.64和2.35倍;平面相对常规闪耀光栅的峰值强度提高了3.77倍. 展开更多
关键词 亚波长高对比度光栅 波前调控器 透镜 微光学 严格耦合波分析
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融合混合智能方法和多用户意象的色彩决策系统 预览 被引量:3
4
作者 李孟山 徐秋莹 +3 位作者 高德民 陈炳生 寿 许德鹏 《计算机辅助设计与图形学学报》 CSCD 北大核心 2017年第11期2091-2099,共9页
产品色彩意象通过情感认知传达消费者的色彩需求,为探讨用户的色彩意象与色彩需求间的内在关联,准确把握消费群体对产品色彩的情感意象,将多用户色彩意象作为决策因素,提出一个基于混合智能方法的色彩决策系统.该系统采用自适应策略调... 产品色彩意象通过情感认知传达消费者的色彩需求,为探讨用户的色彩意象与色彩需求间的内在关联,准确把握消费群体对产品色彩的情感意象,将多用户色彩意象作为决策因素,提出一个基于混合智能方法的色彩决策系统.该系统采用自适应策略调整惯性权重和混沌序列产生学习因子,提出粒子群改进算法;将改进的粒子群算法用于优化径向基人工神经网络,并建立预测模型;通过模型预测得到各用户的需求色彩;利用模糊C-均值聚类方法从需求色彩中提取用于产品设计的决策色彩.通过汽车外饰色彩的测试与评估结果表明,文中建立的色彩预测模型性能卓越,决策的色彩用户满意度较好,可设计出符合消费者真实意象需求的色彩方案,并为各类产品色彩的设计提供理论指导. 展开更多
关键词 色彩意象 多用户 混合智能 演化算法 人工神经网络
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新型薄膜热电变换器的误差分析及其设计制作 预览
5
作者 寿 韩建强 +1 位作者 刘亚媚 宋力 《赣南师范大学学报》 2017年第3期39-44,共6页
交流电压(流)基准是国家交流电压(流)量值传递中的基准计量器具.首先分析新型薄膜热电变换器的热电转换误差,提出采用微桥谐振器非接触式测量加热电阻温度,属于新型薄膜热电变换器中加热电阻的高灵敏度温度检测方式、减小温度传感... 交流电压(流)基准是国家交流电压(流)量值传递中的基准计量器具.首先分析新型薄膜热电变换器的热电转换误差,提出采用微桥谐振器非接触式测量加热电阻温度,属于新型薄膜热电变换器中加热电阻的高灵敏度温度检测方式、减小温度传感器与加热电阻之间的寄生电容、减小因热电效应、寄生电容和介质损耗引起的交直流转换误差,从而具有较高的测温灵敏度.其次研究新型薄膜热电变换器设计制作中的关键工艺,加热电阻辐射的热量使得微机械桥平均温度上升,轴向压应力增加(或拉应力减小),谐振频率减小,通过测量微桥谐振频率的变化获得加热器的温度信息,而温度测量元件从加热电阻汲取的热量极小.这种新型薄膜热电变换器的测量输出量为频率信号,受电路噪声影响很小,因此是一种高计量精度的薄膜热电转换器. 展开更多
关键词 薄膜热电变换器 谐振器 微电子机械系统 交流电压标准 交流电流标准
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超临界CO2在聚合物中的溶解计算研究进展 被引量:2
6
作者 李孟山 黄兴元 +2 位作者 柳和生 陈炳生 寿 《化学通报》 CAS CSCD 北大核心 2016年第7期610-615,共6页
本文以超临界CO2在聚合物中的溶解计算模型为例,综述了状态方程、经验方程和人工神经网络计算方法的实现原理、研究现状和优缺点;依据人工神经网络预测方法存在的问题,重点阐述基于混合智能方法的神经网络溶解计算模型;并对溶解计算研... 本文以超临界CO2在聚合物中的溶解计算模型为例,综述了状态方程、经验方程和人工神经网络计算方法的实现原理、研究现状和优缺点;依据人工神经网络预测方法存在的问题,重点阐述基于混合智能方法的神经网络溶解计算模型;并对溶解计算研究进行了总结和展望。 展开更多
关键词 溶解计算 聚合物 混合神经网络 状态方程 经验方程
基于MOSFET的高频宽带线性单片功率放大器研究 预览
7
作者 寿 李孟山 +2 位作者 张文 刘亚媚 宋力 《赣南师范学院学报》 2015年第6期35-38,共4页
本文基于功率MOSFET设计高频宽带线性功率放大器单片集成电路,主要针对功率放大器自身功耗和因高频下电路容性负载引起的信号相移及与此有关的功率放大器的效率问题.特别是选用高频功率MOSFET器件,通过电路优化设计使功放的转换速率达... 本文基于功率MOSFET设计高频宽带线性功率放大器单片集成电路,主要针对功率放大器自身功耗和因高频下电路容性负载引起的信号相移及与此有关的功率放大器的效率问题.特别是选用高频功率MOSFET器件,通过电路优化设计使功放的转换速率达到最大,频带宽度达5-135 MHZ,在60 MHZ频率下,放大器的线性度为1 d B增益压缩点,在20-110 MHZ频率范围内,输入功率12 d B时,放大器的平均和最大增益分别为51.8 d B和53.5 d B,放大器的增益稳定性测试表明,频率60 MHZ,输入功率6 d B时,放大器的增益在24 d B-29 d B区间内波动. 展开更多
关键词 功率MOSFET 功率放大器 单片集成电路 研究 宽带
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基于电荷补偿的槽栅IGBT设计和工艺研究 预览
8
作者 寿 乐江源 +1 位作者 宋力 刘亚媚 《赣南师范学院学报》 2015年第3期30-33,共4页
大功率半导体器件是现代工业和国防进行能量转换及控制的核心器件,也是制约我国电力电子技术水平和竞争力提升的关键器件.本文以降低器件导通电阻和功耗、提高击穿电压为目标研究电荷补偿槽栅IGBT,着重器件结构创新和关键工艺优化.电荷... 大功率半导体器件是现代工业和国防进行能量转换及控制的核心器件,也是制约我国电力电子技术水平和竞争力提升的关键器件.本文以降低器件导通电阻和功耗、提高击穿电压为目标研究电荷补偿槽栅IGBT,着重器件结构创新和关键工艺优化.电荷补偿槽栅IGBT导通电阻与器件间隔排列的p、n区半导体层厚及击穿电压成正比,相比传统IGBT导通电阻正比于击穿电压2.5次方理论,同等击穿电压下,允许n区有更高的掺杂浓度,这降低了器件的导通电阻和功耗.采用倾斜角离子注入制作电荷补偿结构,调节注入倾斜角和优化注入剂量是精确控制n区掺杂浓度的有效方法,也是保证器件电参数指标的关键制作工艺.用难熔金属硅化物设计双掩膜版的全自对准制作工艺,系统研究电荷补偿槽栅IGBT工艺制作原理,探索保证器件电参数指标的制作工艺控制机制,提出电荷补偿槽栅IGBT结构和版图设计优化方法和制作工艺参数优化方法. 展开更多
关键词 电荷补偿 槽栅IGBT 全自对准制作工艺 研究 硅化物 掩膜 漂移区
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应用MATLAB实现自动控制系统的频域法校正 预览 被引量:4
9
作者 张文 陈建萍 +2 位作者 新娣 王兴权 寿 《广东技术师范学院学报》 2014年第3期12-14,共3页
利用MATLAB下的BODE图进行控制系统串联校正,可以进一步提高利用MATLAB平台下进行控制系统频域分析的能力。通过举例介绍在MATLAB平台上使用频域法进行系统串联校正的理论根据与操作方法,给出了用MATLAB进行串联超前校正设计的一般步... 利用MATLAB下的BODE图进行控制系统串联校正,可以进一步提高利用MATLAB平台下进行控制系统频域分析的能力。通过举例介绍在MATLAB平台上使用频域法进行系统串联校正的理论根据与操作方法,给出了用MATLAB进行串联超前校正设计的一般步骤,通过改变系统的开环波德图形状,使之具有满意的性能指标,对工程设计人员有一定的参考价值. 展开更多
关键词 MATLAB 相位超前校正 频域法
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碳纳米管阴极场发射平板显示器用高压驱动电路研究 预览 被引量:2
10
作者 寿 刘亚媚 《赣南师范学院学报》 2013年第3期10-13,共4页
碳纳米管场发射显示器是平板显示器中极具发展潜力的新型显示器件,是在碳纳米管及纳米工艺研究基础上发展起来的.它采用印刷碳纳米管来代替微锥形发射尖端,简化了制作工艺.另外,在碳纳米管平板显示器中,控制系统及驱动电路尤其是阴极高... 碳纳米管场发射显示器是平板显示器中极具发展潜力的新型显示器件,是在碳纳米管及纳米工艺研究基础上发展起来的.它采用印刷碳纳米管来代替微锥形发射尖端,简化了制作工艺.另外,在碳纳米管平板显示器中,控制系统及驱动电路尤其是阴极高压驱动电路在整个显示系统中占有非常重要的地位,该高压驱动电路的设计优化和制作不但直接影响显示效果,甚至决定着整机的价格,本文结合碳纳米管显示器研制过程中对高压驱动电路的需要,对比分析了已有几种高压驱动电路的结构特点,设计了基于CMOS电路结构的高压驱动电路,电路全部由高压和低压MOSFET组成,从而达到降低功耗、提高速度、并利于实现单片集成的目的.用SPICE电路仿真软件验证所设计电路具有正确的逻辑功能,并对电路结构和器件参数进行优化.在此基础上,通过制作电路板,并实测电路的频率响应符合设计要求.用所制作电路板驱动系统驱动我们制作的5英寸单色碳纳米管阴极场发射平板显示屏,显示效果良好. 展开更多
关键词 场发射显示器 平板显示器 高压驱动电路 阴极 电路设计 CMOS 微尖锥 碳纳米管
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一种用于生物检测的半导体电场效应传感器
11
作者 寿 王紫玉 范小林 《半导体光电》 CAS CSCD 北大核心 2012年第4期474-477,506共5页
设计了一种简化的铝栅MOS半导体器件制作工艺流程,用6张掩模版成功制作出了基于表面电场效应原理的生物检测硅芯片传感器,采用SiO2-Si3N4复合栅介质层及耗尽型器件结构,以增强器件的识别与检测灵敏度。该传感器与常规铝栅MOS晶体管相比... 设计了一种简化的铝栅MOS半导体器件制作工艺流程,用6张掩模版成功制作出了基于表面电场效应原理的生物检测硅芯片传感器,采用SiO2-Si3N4复合栅介质层及耗尽型器件结构,以增强器件的识别与检测灵敏度。该传感器与常规铝栅MOS晶体管相比,去除了介质层表面的栅极导电层,代之以自组装技术制作生物薄膜并辅以栅参考电极作为控制栅极。用所制作的硅芯片传感器检测了相关生物蛋白质的电流响应,给出了该电流响应与器件沟道长度和沟道电阻及生物蛋白浓度等参数的关系,得到了较为满意的检测数据,达到了预期的基于表面电场效应的硅传感器制作和生物检测的目的。 展开更多
关键词 电场效应传感器 检测 制造 工艺 设计 生物
平面工艺IGBT制作及导通压降的PIN模型计算 预览 被引量:1
12
作者 寿 刘亚媚 《西南交通大学学报》 EI CSCD 北大核心 2009年第5期 648-653,共6页
以硅平面工艺生产设备为基础,设计制作了基于外延衬底的IGBT器件,器件的实测输出电流-电压特性良好,阈值电压在3.7~4.8V之间.将制作IGBT器件的结构和工艺参数代入PIN二极管模型计算其正向导通压降,并将计算结果与器件的实测参... 以硅平面工艺生产设备为基础,设计制作了基于外延衬底的IGBT器件,器件的实测输出电流-电压特性良好,阈值电压在3.7~4.8V之间.将制作IGBT器件的结构和工艺参数代入PIN二极管模型计算其正向导通压降,并将计算结果与器件的实测参数进行了比较.结果表明:小电流区段符合较好;但大电流区段由于模型简化和测试系统寄生串联电阻的影响出现偏差,对于同一导通电流,计算值比实测值约小8%. 展开更多
关键词 绝缘栅双极晶体管 设计 工艺 PIN模型 制作
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全自对准双掩模槽栅IGBT设计与样品制备 预览 被引量:1
13
作者 寿 《半导体光电》 CAS CSCD 北大核心 2008年第2期 203-207,共5页
基于侧墙自对准和金属硅化物等VLSI先进工艺实现全自对准的多晶硅反刻及栅源金属连接,并用氮化锆(ZrN)代替二氧化硅做硬掩模,由于氮化锆(ZrN)膜更薄使膜应力更小,设计出用两张掩模版制作trench绝缘栅双极晶体管(IGBT)的工艺流... 基于侧墙自对准和金属硅化物等VLSI先进工艺实现全自对准的多晶硅反刻及栅源金属连接,并用氮化锆(ZrN)代替二氧化硅做硬掩模,由于氮化锆(ZrN)膜更薄使膜应力更小,设计出用两张掩模版制作trench绝缘栅双极晶体管(IGBT)的工艺流程,给出了初步的实验结果。该设计减少了IGBT制作的工艺步骤,降低了器件制作成本,同时缩小了元包尺寸,增加了trench结构的元包密度和单位芯片面积的沟道宽度。 展开更多
关键词 IGBT 槽栅 全自对准 硅化物 侧墙
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饱和烷烃衍生物的分子隧道结制备及其电学性能研究 预览 被引量:1
14
作者 刘向芬 寿 +1 位作者 李勋 范小林 《赣南师范学院学报》 2008年第6期 1-4,共4页
采用毛细管隧道结法,用C12H25OH和C122H25NH2作功能分子,采用分子自组装方法,在无水无氧条件下制备“镓-自组装单分子层-镓”分子隧道结,并对其电学性能进行了检测.结果表明:在无水无氧条件下制备的分子隧道结的I~V曲线同样呈现... 采用毛细管隧道结法,用C12H25OH和C122H25NH2作功能分子,采用分子自组装方法,在无水无氧条件下制备“镓-自组装单分子层-镓”分子隧道结,并对其电学性能进行了检测.结果表明:在无水无氧条件下制备的分子隧道结的I~V曲线同样呈现出明显的非线性关系,其电子迁移较之在大气条件下更容易发生. 展开更多
关键词 毛细管隧道结 分子自组装 能带宽度 电子传输
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CoolMOS导通电阻分析及与VDMOS的比较 预览
15
作者 寿 刘亚媚 《电子器件》 CAS 2008年第4期 1219-1222,共4页
为了克服传统功率MOS导通电阻与击穿电压之间的矛盾,提出了一种新的理想器件结构,称为超级结器件或CoolMOS,CoolMOS由一系列的P型和N型半导体薄层交替排列组成。在截止态时,由于p型和n型层中的耗尽区电场产生相互补偿效应,使P型和... 为了克服传统功率MOS导通电阻与击穿电压之间的矛盾,提出了一种新的理想器件结构,称为超级结器件或CoolMOS,CoolMOS由一系列的P型和N型半导体薄层交替排列组成。在截止态时,由于p型和n型层中的耗尽区电场产生相互补偿效应,使P型和n型层的掺杂浓度可以做的很高而不会引起器件击穿电压的下降。导通时,这种高浓度的掺杂使器件的导通电阻明显降低。由于CoolMOS的这种独特器件结构,使它的电性能优于传统功率MOS。本文对CoolMOS导通电阻与击穿电压关系的理论计算表明,对CoolMOS横向器件:Ron·A=C·VB^2,对纵向器件:Ron·A=C·VB,与纵向DMOS导通电阻与击穿电压之间Ron·A=C·VB^2.5的关系相比,CoolMOS的导通电阻降低了约两个数量级。 展开更多
关键词 COOLMOS 超级结器件 导通电阻 击穿电压 VDMOS
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碳纳米管场效应晶体管电子输运特性的研究 预览 被引量:1
16
作者 寿 刘亚媚 《电子器件》 CAS 2008年第5期 1523-1528,共6页
由于硅器件尺寸不断缩小至纳米尺度,人们因此对纳米尺度器件开展了理论与结构方面的广泛而深入的研究,其中最重要的纳米尺度器件是基于碳纳米管的电场效应器件并被称为碳纳米管场效应晶体管(CNTFET)。本文分析了碳纳米管场效应晶体... 由于硅器件尺寸不断缩小至纳米尺度,人们因此对纳米尺度器件开展了理论与结构方面的广泛而深入的研究,其中最重要的纳米尺度器件是基于碳纳米管的电场效应器件并被称为碳纳米管场效应晶体管(CNTFET)。本文分析了碳纳米管场效应晶体管沟道电子的传输特性,并给出了用器件端子参数描述的器件I-V特性方程表达式,计算了器件的I-V特性曲线并把结果与纳米器件专用分析软件nanoMOS-2.0给出的结果作了比较,发现本文模型的计算结果均大于nanoMOS-2.0给出的结果,表明本文模型尚需进一步的深入分析和优化。 展开更多
关键词 碳纳米管场效应晶体管 弹道输运 器件模拟 量子效应 半导体器件模型 超薄衬底
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用传输门VCO和动态PFD设计低功耗CMOS琐相环 预览
17
作者 寿 郑月明 《电子器件》 CAS 2005年第4期 775-777,共3页
锁相环(PLL)是VLSI系统的重要单元电路之一,为了实现高速低功耗的CMOS锁相环,用传输门VCO和动态反相器PFD电路设计CMOS锁相环.传输门结构VCO具有高速、低电压和低功耗的特性,而动态反相器PFD具有功耗低和面积小的特点.SPICE模拟表明,当... 锁相环(PLL)是VLSI系统的重要单元电路之一,为了实现高速低功耗的CMOS锁相环,用传输门VCO和动态反相器PFD电路设计CMOS锁相环.传输门结构VCO具有高速、低电压和低功耗的特性,而动态反相器PFD具有功耗低和面积小的特点.SPICE模拟表明,当电源电压为2.5 V时,基于0.6 μm CMOS工艺设计的CMOS锁相环电路,工作频率高达1000 MHz,而功耗低于50mW. 展开更多
关键词 传输门 低功耗 CMOS 电路设计 模拟 SPICE 压控震荡器 锁相环
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混合模式与深亚微米设计面临的新挑战 预览
18
作者 寿 汪李明 祝咏晨 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2004年第1期 8-11,26,共5页
基于硅的VLSI设计和制造技术在取得极大进展的同时面临纳米新材料新工艺的挑战,世界各大公司相继开发成功纳米晶体管和纳米器件制造工艺.可以说,模拟电路的设计和制造在电子学领域起着举足轻重的作用,它是大系统前端和后端信号处理和转... 基于硅的VLSI设计和制造技术在取得极大进展的同时面临纳米新材料新工艺的挑战,世界各大公司相继开发成功纳米晶体管和纳米器件制造工艺.可以说,模拟电路的设计和制造在电子学领域起着举足轻重的作用,它是大系统前端和后端信号处理和转换的关键部件. 展开更多
关键词 混合模式 深亚微米 VLSI 纳米晶体管 模拟电路 数字电路
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IGBT全自对准栅挖槽工艺研究 预览 被引量:1
19
作者 寿 汪李明 祝咏晨 《微电子学》 CAS CSCD 北大核心 2004年第2期 211-214,共4页
设计了一种全自对准槽栅IGBT(绝缘栅双极晶体管)结构,其工艺简单,全套工艺只有两张光刻版,提高了工艺成品率.它独特的IGBT沟道多重短路结构,有效地防止了器件闩锁;采用氧化层硬掩膜和硅化物工艺,实现了全自对准的多晶硅反刻和金属连接,... 设计了一种全自对准槽栅IGBT(绝缘栅双极晶体管)结构,其工艺简单,全套工艺只有两张光刻版,提高了工艺成品率.它独特的IGBT沟道多重短路结构,有效地防止了器件闩锁;采用氧化层硬掩膜和硅化物工艺,实现了全自对准的多晶硅反刻和金属连接,增加了IGBT芯片单位面积的元胞密度和沟道宽度,提高了器件的电流能力;用砷(As)掺杂代替磷(P)掺杂,有效地提高了源区表面浓度,实现了浅结工艺. 展开更多
关键词 IGBT 绝缘栅双极晶体管 全自对准 槽栅
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全自对准槽栅IGBT设计 预览
20
作者 寿 朱长纯 《中国集成电路》 2003年第49期 77-79,50,共4页
本文设计了一种全自对准的楷栅IGBT(绝缘栅双极晶体管)结构,其工艺简单,全套工艺只有两块光刻版,且两次光刻之间没有套刻关系,避免了套刻误差,提高了工艺成品率。同时,降低了制版费用和制造成本。我们设计了一种独特的IGBT多重沟... 本文设计了一种全自对准的楷栅IGBT(绝缘栅双极晶体管)结构,其工艺简单,全套工艺只有两块光刻版,且两次光刻之间没有套刻关系,避免了套刻误差,提高了工艺成品率。同时,降低了制版费用和制造成本。我们设计了一种独特的IGBT多重沟道短路结构,有效地防止器件闩锁。用氧化层硬掩模和先进的硅化物工艺实现全自对准的多晶硅反刻和金属连接,可使元胞尺寸缩小到2μm甚至更小;增加了IGBT芯片单位面积的元胞密度和沟道宽度,提高了电流。用砷(As)掺杂代替磷(P),可有效提高源区表面浓度,实现浅结工艺。 展开更多
关键词 IGBT 绝缘栅双极晶体管 半导体功率器件 侧墙自对准 金属硅化物
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