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高Al组分AlGaN的MBE生长及表面活性机理 认领
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作者 贾浩林 杨文献 +1 位作者 陆书 丁孙安 《半导体技术》 CAS 北大核心 2020年第9期701-706,736,共7页
采用分子束外延(MBE)方法制备了高质量的高Al组分AlGaN薄膜,在室温下获得了266 nm波长的深紫外发光。利用原位监控系统,结合原子力显微镜(AFM)和变温光致发光(PL)谱研究了生长前端的Ga原子的表面活性作用对AlGaN薄膜的生长模式、表面形... 采用分子束外延(MBE)方法制备了高质量的高Al组分AlGaN薄膜,在室温下获得了266 nm波长的深紫外发光。利用原位监控系统,结合原子力显微镜(AFM)和变温光致发光(PL)谱研究了生长前端的Ga原子的表面活性作用对AlGaN薄膜的生长模式、表面形貌和光学性质的影响,并通过二次离子质谱仪(SIMS)探究了生长温度与p型AlGaN Mg掺杂浓度的变化关系及内在机理。结果显示,Ga原子不仅参与AlGaN的结晶,而且在薄膜生长和Mg掺杂中发挥着表面活性剂的作用,能够促进Al原子的迁移与并入。Ga原子作为表面活性剂有利于AlGaN薄膜进行二维层状生长,改善AlGaN薄膜的表面形貌和光学特性;它还能够提高Al原子的并入效率,使AlGaN薄膜具有更短的发光波长。此外,适当降低p型AlGaN薄膜的生长温度,能减少Mg原子脱吸附并增强Ga原子的表面活性剂作用,从而提高Mg的掺杂浓度。 展开更多
关键词 AlGaN薄膜 光致发光(PL) Ga表面活性剂 分子束外延(MBE) 深紫外 光学特性
倍增层厚度对In0.53Ga0.47As/InP雪崩二极管器件特性的影响 认领
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作者 王航 袁正兵 +4 位作者 谭明 顾宇强 吴渊渊 肖清泉 陆书 《光学学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2020年第18期10-14,共5页
利用Zn扩散方法制备了倍增层厚度为1.5,1.0,0.8μm的In0.53Ga0.47As/InP雪崩光电二极管(APDs),研究了该器件特性。随着倍增层厚度的增加,器件的贯穿电压和击穿电压均呈现增大趋势。基于Silvaco模拟计算了APD器件的倍增层厚度对电场强度... 利用Zn扩散方法制备了倍增层厚度为1.5,1.0,0.8μm的In0.53Ga0.47As/InP雪崩光电二极管(APDs),研究了该器件特性。随着倍增层厚度的增加,器件的贯穿电压和击穿电压均呈现增大趋势。基于Silvaco模拟计算了APD器件的倍增层厚度对电场强度、电流特性、击穿电压与贯穿电压的影响规律,结果表明,随着倍增层厚度的增加,倍增层内电场强度减小,贯穿电压和击穿电压同时增大,与实验结果吻合。进一步研究发现,当倍增层的厚度小于0.8μm时,击穿电压随着倍增层厚度的增加会先减小后增大,贯穿电压则会单调增大。 展开更多
关键词 探测器 雪崩光电二极管 贯穿电压 击穿电压 分子束外延 ZN扩散
Ultraviolet-infrared dual-color photodetector based on vertical GaN nanowire array and graphene 认领
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作者 曾春红 林文魁 +9 位作者 何涛 赵宇坤 孙玉华 崔奇 张璇 陆书 张学敏 徐亚萌 孔梅 张宝顺 《中国光学快报:英文版》 SCIE EI CAS CSCD 2020年第11期72-76,共5页
A monolithic integrated ultraviolet-infrared(UV-IR) dual-color photodetector based on graphene/GaN heterojunction was fabricated by vertically integrating a GaN nanowire array on a silicon substrate with monolayer gra... A monolithic integrated ultraviolet-infrared(UV-IR) dual-color photodetector based on graphene/GaN heterojunction was fabricated by vertically integrating a GaN nanowire array on a silicon substrate with monolayer graphene. The device detects UV and IR lights by different mechanisms. The UV detection is accomplished by the forbidden band absorption of GaN, and the IR detection is realized by the free electron absorption of graphene. At peak wavelengths of 360 nm and 1540 nm, the detector has responsivities up to 6.93 A/W and 0.11 A/W, detection efficiencies of 1.23 × 1012 cm·Hz1/2·W-1 and 1.88 × 1010 cm·Hz1/2·W-1, respectively,and a short response time of less than 3 ms. 展开更多
关键词 UV-IR dual-color photodetector HETEROJUNCTION GaN nanowire array GRAPHENE
高注量1 MeV电子辐照下InGaAs单结太阳电池退化规律与机制 认领 被引量:1
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作者 慎小宝 李豫东 +7 位作者 玛丽娅·黑尼 赵晓凡 莫敏·赛来 许焱 雷琪琪 艾尔肯·阿不都瓦衣提 郭旗 陆书 《发光学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2019年第9期1115-1122,共8页
为研究键合四结太阳电池中In 0.53 Ga 0.47 As子电池在高注量电子辐照下的性能退化规律与机制,对In 0.53 Ga 0.47 As单结太阳电池进行了高注量1 MeV电子辐照试验,并结合等效位移损伤剂量理论和数值拟合方法对电池性能的退化进行了分析... 为研究键合四结太阳电池中In 0.53 Ga 0.47 As子电池在高注量电子辐照下的性能退化规律与机制,对In 0.53 Ga 0.47 As单结太阳电池进行了高注量1 MeV电子辐照试验,并结合等效位移损伤剂量理论和数值拟合方法对电池性能的退化进行了分析讨论。结果表明,在1 MeV电子辐照下,非电离能损(NIEL)值在电池活性区内随着电子入射深度的增加不断增大;开路电压V oc、短路电流I sc等重要I-V特性参数随着辐照注量的增加均发生了不同程度的退化,注量达到6×10 16 e/cm 2时,电池光电转化效率为零,电池失效。光谱响应方面,注量小于4×10 16 e/cm 2时,长波区域退化程度明显比短波区域严重;注量大于4×10 16 e/cm 2时,长波区域退化程度与短波区域基本相同。辐照位移损伤引起的光生少数载流子扩散长度减小和载流子去除效应是导致电池性能退化的主要原因。 展开更多
关键词 InGaAs单结太阳电池 高注量电子 位移损伤 载流子寿命 载流子去除效应
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Sb组分对InAs/GaAs1-xSbx量子点能带结构及载流子复合动力学影响 认领
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作者 季莲 叶赛 陆书 《中国科学:物理学、力学、天文学》 CSCD 北大核心 2018年第10期105-112,共8页
本文研究Sb组分对InAs/GaAs1-xSbx量子点能带结构和载流子复合动力学特性的影响.采用8带k·P法计算InAs/GaAs1-xSbsk量子点能带结构,当Sb组分从0.08增加No.14,InAs/GaAs1-xSbx量子点从I类NII类能带转变,电子限制在量子点... 本文研究Sb组分对InAs/GaAs1-xSbx量子点能带结构和载流子复合动力学特性的影响.采用8带k·P法计算InAs/GaAs1-xSbsk量子点能带结构,当Sb组分从0.08增加No.14,InAs/GaAs1-xSbx量子点从I类NII类能带转变,电子限制在量子点中,空穴逐渐进入GaAsSb盖层,波函数空间交叠减小,跃迁几率降低.为验证计算结果,生长不同Sb组分的InAs/GaAshsb。量子点,并进行光谱测试.当Sb组分超过0.14,光致发光谱表现出明显的II类量子点特征:发光峰红移明显,发光强度减弱,峰位随着激发光功率的增加蓝移.时间分辨光谱测试结果表明,InAs/GaAs1-xSbx量子点能带由I类转变为II类,少数载流子寿命从0.41ns增加到14-3ns,复合被抑制.在中间带太阳电池中使用InAs/GaAshS1-xsbxII类量子点,有助于维持导带、中间带、价带独立的准费米能级,避免因引入量子点造成电池开路电压下降. 展开更多
关键词 InAs/OaAs1-xSbx 量子点 II类能带结构 载流子复合 太阳电池
In0.53Ga0.47As/InP雪崩光电二极管响应及电学特性 认领 被引量:3
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作者 袁正兵 肖清泉 +7 位作者 杨文献 肖梦 吴渊渊 谭明 代盼 李雪飞 谢泉 陆书 《光子学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2018年第3期107-112,共6页
通过分子束外延生长和开管式Zn扩散方法,制备了低暗电流、宽响应范围的In(0.53)Ga(0.47)As/InP雪崩光电二极管.在0.95倍雪崩击穿电压下,器件暗电流小于10nA;-5V偏压下电容密度低至1.43×10^-8 F/cm^2.在1 310nm红外光照及30V反... 通过分子束外延生长和开管式Zn扩散方法,制备了低暗电流、宽响应范围的In(0.53)Ga(0.47)As/InP雪崩光电二极管.在0.95倍雪崩击穿电压下,器件暗电流小于10nA;-5V偏压下电容密度低至1.43×10^-8 F/cm^2.在1 310nm红外光照及30V反向偏置电压下,雪崩光电二极管器件的响应范围为50nW-20mW,响应度达到1.13A/W.得到了电荷层掺杂浓度、倍增区厚度结构参数与击穿电压和贯穿电压的关系:随着电荷层电荷密度的增加,器件贯穿电压线性增加,而击穿电压线性降低;电荷层电荷面密度为4.8×10^12cm^-2时,随着倍增层厚度的增加,贯穿电压线性增加,击穿电压增加.通过对器件结构优化,雪崩光电二极管探测器实现25V的贯穿电压和57V的击穿电压,且具有低暗电流和宽响应范围等特性. 展开更多
关键词 雪崩光电二极管 低暗电流 宽响应范围 分子束外延 ZN扩散
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基于silvaco-TCAD的In0.53Ga0.47As/InP红外探测器的仿真 认领 被引量:1
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作者 陈豪 肖清泉 +5 位作者 袁正兵 王坤 黎业羽 史娇娜 谢泉 陆书 《低温物理学报》 CAS CSCD 北大核心 2018年第6期1-7,共7页
采用silvaco-TCAD研究In0.53Ga0.47As/InP SAGCM-APD光电探测器,对探测器的结构参数对器件的电场分布、击穿电压和贯穿电压的影响进行仿真分析.研究表明电荷层对器件内部电场起到更好的调节作用,但过高的电荷层面密度会导致APD探测器的... 采用silvaco-TCAD研究In0.53Ga0.47As/InP SAGCM-APD光电探测器,对探测器的结构参数对器件的电场分布、击穿电压和贯穿电压的影响进行仿真分析.研究表明电荷层对器件内部电场起到更好的调节作用,但过高的电荷层面密度会导致APD探测器的击穿电压与贯穿电压之差减小.倍增层厚度的增加使击穿电压先减小后增高,贯穿电压线性增加,同时耗尽层宽度变大,使器件电容减小.当倍增区厚度1μm、偏压为-5V时,器件电容密度达到了4.5×10-17F/μm.反向偏置电压为30V时,APD探测器在1.31μm和1.55μm波长下的响应度分别达到1A/W和1.1A/W. 展开更多
关键词 IN0.53GA0.47AS/INP SAGCM-APD探测器 InP倍增层 击穿电压 贯穿电压
美洲斑潜蝇成虫的卵巢结构观察及营养影响卵子发生的试验 认领 被引量:4
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作者 轩景丽 陆书 +2 位作者 程晓琴 万方浩 刘万学 《环境昆虫学报》 CSCD 北大核心 2017年第3期660-666,共7页
卵育型(Synovigenic)植食性昆虫的雌成虫需要取食寄主植物组织或非寄主食物(如花蜜、花粉等)以延长寿命和促进产卵。为了明确寄主食物和非寄主食物对美洲斑潜蝇Liriomyza sativae卵子发生的功能差异,本实验在明确美洲斑潜蝇成虫卵... 卵育型(Synovigenic)植食性昆虫的雌成虫需要取食寄主植物组织或非寄主食物(如花蜜、花粉等)以延长寿命和促进产卵。为了明确寄主食物和非寄主食物对美洲斑潜蝇Liriomyza sativae卵子发生的功能差异,本实验在明确美洲斑潜蝇成虫卵巢发育动态和结构的基础上,比较了清水(饥饿,对照)、菜豆叶片、20%葡萄糖溶液、菜豆叶片+20%葡萄糖溶液四种处理下的雌成虫卵子发生动态。结果显示:美洲斑潜蝇为强卵育型昆虫,初羽化成虫体内无卵子;两侧卵巢管数之和为11-18根,大多数情况下,左右两侧卵巢管数目不等。成虫在饥饿条件下,几乎不能形成成熟卵子;继续取食寄主叶片、20%葡萄糖溶液和寄主叶片+20%葡萄糖溶液,均可显著促进卵子发生和卵成熟,但补充葡萄糖溶液起到极显著促进作用;成虫不具备卵子重吸收功能。本文重点从卵育型角度,对美洲斑潜蝇取食寄主食物和非寄主食物的营养功能进行了讨论。研究结果为美洲斑潜蝇以及该类植食性害虫的室内饲养和田间生态调控提供了依据。 展开更多
关键词 卵育型昆虫 美洲斑潜蝇 卵巢发育 卵子发生 重吸收
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Transparent conducting indium-tin-oxide (ITO) film as full front electrode in Ⅲ-Ⅴ compound solar cell 认领
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作者 代盼 卢建娅 +6 位作者 谭明 王青松 吴渊渊 季莲 边历峰 陆书 杨辉 《中国物理B:英文版》 SCIE EI CAS CSCD 2017年第3期495-499,共5页
The application of transparent conducting indium-tin-oxide(ITO) film as full front electrode replacing the conventional bus-bar metal electrode in Ⅲ–Ⅴ compound GaInP solar cell was proposed. A high-quality, non-rec... The application of transparent conducting indium-tin-oxide(ITO) film as full front electrode replacing the conventional bus-bar metal electrode in Ⅲ–Ⅴ compound GaInP solar cell was proposed. A high-quality, non-rectifying contact between ITO and 10 nm N~+-GaAs contact layer was formed, which is benefiting from a high carrier concentration of the terrilium-doped N~+-GaAs layer, up to 2×10~(19)cm~(-3). A good device performance of the GaInP solar cell with the ITO electrode was observed. This result indicates a great potential of transparent conducting films in the future fabrication of larger area flexible Ⅲ–Ⅴ solar cell. 展开更多
不同背场的GaAs基单结太阳能电池伏安特性及分析 认领 被引量:8
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作者 谢波实 代盼 +1 位作者 罗向东 陆书 《光学学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2017年第2期226-233,共8页
介绍了GaAs基太阳能电池的原理、等效电路及性能参数,基于集成电路工艺与器件计算机辅助工艺设计(TCAD)仿真工具,设计了背场分别为InAlGaP和InAlP的两种GaAs基太阳能电池,并对其结构和性能进行仿真。同时,通过分子束外延(MBE)... 介绍了GaAs基太阳能电池的原理、等效电路及性能参数,基于集成电路工艺与器件计算机辅助工艺设计(TCAD)仿真工具,设计了背场分别为InAlGaP和InAlP的两种GaAs基太阳能电池,并对其结构和性能进行仿真。同时,通过分子束外延(MBE)设备制备了这两种太阳能电池,并测试了其伏安(IV)特性。在考虑并联电阻和串联电阻对太阳能电池伏安特性的实际影响后,仿真结果与实验结果基本一致。重掺杂(原子浓度为2×1018 cm-3)的InAlGaP作为GaAs太阳能电池背场时,伏安特性曲线是典型的太阳能电池的伏安特性。重掺杂(原子浓度为2×1018 cm-3)的InAlP作为GaAs太阳能电池背场时,伏安特性曲线呈现“S”形变化。分析结果表明,背场与基层形成漂移场,加速了光生少子在电池中的输运,提高了光生电流,同时,背场将光生少子反射回有源区,降低了背表面的复合概率。当InAlP作为背场时,由于异质结的存在,影响了载流子的运输,在较小的偏压下,载流子主要通过隧道效应越过势垒,在较大的偏压下,载流子主要通过热电子发射越过势垒,因此伏安特性曲线呈现“S”形变化。 展开更多
关键词 光学器件 太阳能电池 砷化镓 背场
与GaN晶格匹配的InAlN分子束外延生长及其性能 认领
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作者 顾俊 吴渊渊 +2 位作者 杨文献 陆书 罗向东 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2016年第7期532-538,共7页
采用等离子体辅助的分子束外延(MBE)方法制备了InAlN外延薄膜,探讨了InAlN材料In原子数分数和生长条件的关系,以及等效束流强度(BEP)对材料质量的影响。绘制了InAlN关于温度与In和Al BEP的生长相图,经过优化后生长了与GaN晶格匹配的... 采用等离子体辅助的分子束外延(MBE)方法制备了InAlN外延薄膜,探讨了InAlN材料In原子数分数和生长条件的关系,以及等效束流强度(BEP)对材料质量的影响。绘制了InAlN关于温度与In和Al BEP的生长相图,经过优化后生长了与GaN晶格匹配的InAlN外延薄膜。使用高分辨率透射电子显微镜、X射线衍射仪、原子力显微镜和阴极荧光光谱(CL)对制备的InAlN材料进行了测试和表征。结果表明,InAlN/GaN异质界面清晰,In0.18Al0.82N外延材料(002)面X射线衍射峰半高宽为263 arcsec,表面粗糙度仅为0.23 nm,CL发光波长为283 nm,弯曲系数为5.2 e V,根据CL图像估算的材料位错密度约为2×108cm-2。 展开更多
关键词 分子束外延(MBE) INALN 晶格匹配 弯曲系数 表面粗糙度
图形化衬底对高In组分InGaN材料分子束外延(MBE)生长的影响 认领
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作者 李宝吉 吴渊渊 +1 位作者 陆书 张继军 《材料导报》 EI CAS CSCD 北大核心 2016年第16期31-34,54共5页
研究了不同衬底上MBE技术生长的InGaN的光学和结构特征。结果表明,在相同生长条件下,用图形化衬底生长的InGaN材料比用普通衬底生长的材料有较低的表面粗糙度和背景载流子浓度及较强的发光强度。通过透射电子显微镜(TEM)观察,发现普... 研究了不同衬底上MBE技术生长的InGaN的光学和结构特征。结果表明,在相同生长条件下,用图形化衬底生长的InGaN材料比用普通衬底生长的材料有较低的表面粗糙度和背景载流子浓度及较强的发光强度。通过透射电子显微镜(TEM)观察,发现普通衬底生长的InGaN内部原子错排现象严重,而采用图形化衬底生长的InGaN原子排列清晰规则。这主要是因为图形化衬底材料外延初期为横向生长模式,这种生长模式可有效地抑制穿透位错在GaN材料体系中的纵向延伸,降低GaN缓冲层中的位错密度,进而抑制外延InGaN材料中穿透位错和V型缺陷的产生。 展开更多
关键词 INGAN 图形化衬底 分子束外延 晶体质量
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基于金属背支撑刻蚀技术的柔性AlGaInP/AlGaAs/GaAs三结太阳电池研制 认领 被引量:2
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作者 卢建娅 谭明 +3 位作者 杨文献 陆书 张玮 黄健 《半导体光电》 CAS 北大核心 2016年第5期688-693,共6页
对柔性GaAs基太阳电池的制备方法进行研究,报道了一种用于制备柔性倒置生长的AlGaInP/AlGaAs/GaAs三结太阳电池的剥离和转移方法——金属背支撑选择性湿法刻蚀技术。在GaAs/GaInP选择性腐蚀的基础上进行了GaAs衬底层的腐蚀,研究了不同... 对柔性GaAs基太阳电池的制备方法进行研究,报道了一种用于制备柔性倒置生长的AlGaInP/AlGaAs/GaAs三结太阳电池的剥离和转移方法——金属背支撑选择性湿法刻蚀技术。在GaAs/GaInP选择性腐蚀的基础上进行了GaAs衬底层的腐蚀,研究了不同类型和体积比的溶液对GaAs/GaInP/AlInP结构腐蚀的选择特性,最终选用不同配比的H2SO4-H2O2系腐蚀液,获得快速、可控制、重复性好的去除衬底的两步腐蚀法。原子力显微镜测试结果表明,通过此方法能够成功地将电池外延层薄膜转移到Cu衬底上,并且在剥离和转移过程中外延层薄膜没有受到损伤。柔性AlGaInP/AlGaAs/GaAs三结太阳电池的开路电压超过3.4V。 展开更多
关键词 AlGaInP/AlGaAs/GaAs 太阳电池 柔性薄膜 湿法腐蚀 重量比功率
利用全固态分子束外延方法在Ge(100)衬底上异质外延GaAs薄膜及相关特性表征 认领 被引量:1
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作者 何巍 陆书 杨辉 《红外与毫米波学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2016年第2期206-209,共4页
利用全固态分子束外延(MBE)方法在Ge(100)衬底上异质外延GaAs薄膜,并通过高能电子衍射(RHEED)、高分辨X射线衍射(XRD),原子力显微镜等手段研究了不同生长参数对外延层的影响.RHEED显示在较高的生长温度或较低的生长速率下,低温G... 利用全固态分子束外延(MBE)方法在Ge(100)衬底上异质外延GaAs薄膜,并通过高能电子衍射(RHEED)、高分辨X射线衍射(XRD),原子力显微镜等手段研究了不同生长参数对外延层的影响.RHEED显示在较高的生长温度或较低的生长速率下,低温GaAs成核层呈现层状生长模式.同时降低生长温度和生长速率会使GaAs薄膜的XRD摇摆曲线半高宽(FWHM)减小,并降低外延层表面的粗糙度,这主要是由于衬底和外延薄膜之间的晶格失配度减小的结果. 展开更多
关键词 分子束外延(MBE) GAAS/GE 异质外延
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补充非寄主食物对芙新姬小蜂和潜蝇姬小蜂控害行为权衡的影响 认领 被引量:1
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作者 肖悦 王文霞 +3 位作者 张毅波 陆书 陶淑霞 刘万学 《环境昆虫学报》 CSCD 北大核心 2016年第6期1231-1236,共6页
芙新姬小蜂和潜蝇姬小蜂均为强卵育型(synovigenic)寄生蜂,成虫具有产卵寄生致死、寄主取食致死和寄主叮蛰直接致死3种寄主致死行为。为了明确成虫补充非寄主食物营养对2种姬小蜂控害潜力/控害行为的影响,本文比较研究了分别提供寄主... 芙新姬小蜂和潜蝇姬小蜂均为强卵育型(synovigenic)寄生蜂,成虫具有产卵寄生致死、寄主取食致死和寄主叮蛰直接致死3种寄主致死行为。为了明确成虫补充非寄主食物营养对2种姬小蜂控害潜力/控害行为的影响,本文比较研究了分别提供寄主食物和寄主食物+非寄主食物(10%葡萄糖)条件下的2种姬小蜂在初羽化前期(前6 d)内对美洲斑潜蝇幼虫的致死行为的影响。结果显示:在仅提供寄主食物时,芙新姬小蜂的寄生、取食和总体致死量均显著的高于潜蝇姬小蜂,但是直接致死能力却弱于后者;补充非寄主食物和仅提供寄主食物处理相比,两种寄生蜂的寄生量,取食量和总致死量均呈下降趋势。该研究显示:在初羽化前期,取食寄主食物的雌蜂比取食寄主食物+葡萄糖的雌蜂具有更强的致死能力。 展开更多
关键词 卵育性寄生蜂 非寄主食物 寄主致死行为 寄主取食 寄主叮蛰
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基于分子束外延生长的1.05 eV InGaAsP的超快光学特性研究 认领
16
作者 杨文献 季莲 +7 位作者 代盼 谭明 吴渊渊 卢建娅 李宝吉 顾俊 陆书 马忠权 《物理学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2015年第17期342-348,共7页
利用分子束外延方法制备了应用于四结光伏电池的1.05 eV InGaAsP薄膜,并对其超快光学特性进行了研究.温度和激发功率有关的发光特性表明:InGaAsP材料以自由激子发光为主.室温下InGaAsP材料的载流子发光弛豫时间达到10.4 ns,且随激发功... 利用分子束外延方法制备了应用于四结光伏电池的1.05 eV InGaAsP薄膜,并对其超快光学特性进行了研究.温度和激发功率有关的发光特性表明:InGaAsP材料以自由激子发光为主.室温下InGaAsP材料的载流子发光弛豫时间达到10.4 ns,且随激发功率增大而增大.发光弛豫时间随温度升高呈现S形变化,在低于50 K时随温度升高而增大,在50-150 K之间时减小,而温度高于150 K时再次增大.基于载流子弛豫动力学,分析并解释了温度及非辐射复合中心浓度对样品材料载流子发光弛豫时间S形变化的影响. 展开更多
关键词 In Ga As P 分子束外延 光致发光 载流子发光弛豫时间
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Ge基GaInP材料结构和光学性质研究 认领
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作者 陈俊霞 江德生 +3 位作者 何巍 贾少鹏 边历峰 陆书 《中国科学:物理学、力学、天文学》 CSCD 北大核心 2015年第5期82-93,共12页
采用高分辨透射电子显微图像(HRTEM)、光致发光谱(PL)和原子力显微镜(AFM)技术等研究了金属有机化学气相沉积(MOVPE)技术制备的Ge基GaInP异质外延层的结构和光学性质.研究表明,GaInP带边发光峰能量位置随温度变化的倒“S”型... 采用高分辨透射电子显微图像(HRTEM)、光致发光谱(PL)和原子力显微镜(AFM)技术等研究了金属有机化学气相沉积(MOVPE)技术制备的Ge基GaInP异质外延层的结构和光学性质.研究表明,GaInP带边发光峰能量位置随温度变化的倒“S”型变化来源于局域态和本征态发光之间的竞争;同时,实验中观察到了由[Ge(Ga,In)-V(Ga,In)】络合物所引起的1.4eV左右的宽发光峰.不同偏角衬底的GaInP外延层的变温PL谱和AFM分析表明,9°偏角的Ge衬底上生长的GaInP外延层的有序度比6°偏角时减小,表面形貌更为平整.此外,Ge衬底和GaInP之间插入超薄AlAs层会增加GaInP材料的有序度.当AlAs界面层厚度由0.5nm增加到5nm时,观察到了由于应力增加所导致的GaInP材料有序度的增加,从而导致载流子弛豫时间增加且呈双指数规律衰减.在Ge/A1As/GaInP结构中,100K下的PL谱中出现了与P空位相关的1.57eV左右宽发光峰,并且该发光峰强度随AlAs界面层厚度的增加而增强. 展开更多
关键词 Ge基GaInP 有序度 光致发光 AlAs界面层
GaNAs/InGaAs Superlattice Solar Cells with High N Content in the Barrier Grown by All Solid-State Molecular Beam Epitaxy 认领
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作者 卢建娅 郑新和 +4 位作者 王乃明 陈曦) 李宝吉 陆书 杨辉 《中国物理快报:英文版》 SCIE CAS CSCD 2015年第5期111-114,共4页
关键词 分子束外延生长 太阳能电池 超晶格 全固态 GANAS 砷化铟镓 含氮量 短路电流密度
High quality non-rectifying contact of ITO with both Ni and n-type GaAs 认领
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作者 王青松 Masao Ikeda +4 位作者 谭明 代盼 吴渊渊 陆书 杨辉 《半导体学报:英文版》 EI CAS CSCD 2015年第5期14-18,共5页
We report the specific contact resistance for ITO with both metal and a semiconductor.Good quality ITO was deposited by electron beam evaporation with the resistivity of 2.32 ×10-4 Ω·cm and an averaged tran... We report the specific contact resistance for ITO with both metal and a semiconductor.Good quality ITO was deposited by electron beam evaporation with the resistivity of 2.32 ×10-4 Ω·cm and an averaged transmittance of 92.8%in the visible light region.The circular transmission line model(c-TLM) method was used to evaluate and compare the properties of the ITO/metal and ITO/semiconductor ohmic contacts.The lowest specific contact resistance of the ITO/Ni is 2.81×10-6Ω·cm2,while that of ITO/n-GaAs is 7× 10-5 Ω·cm2.This is the best ohmic contact between ITO and n-GaAs ever reported.These results suggest that good quality ITO has strong potential to be used to realize highly efficient solar cells. 展开更多
关键词 ITO 整流接触 GaAs NI 比接触电阻 品质 n型 欧姆接触
基于InP衬底的晶格失配In(0.68)Ga(0.32)As的MOCVD生长及其特性研究 认领 被引量:1
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作者 朱亚旗 陈治明 +3 位作者 陆书 季莲 赵勇明 谭明 《红外与毫米波学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2013年第2期118-121,共4页
采用MOCVD生长技术在InP衬底上成功实现了晶格失配的3μm In0.68Ga0.32As薄膜生长.通过As组分的改变,利用张应变和压应变交替补偿的InAsxP1-x应变缓冲层结构来释放由于晶格失配所产生的应力,在InP衬底上得到了与In0.68Ga0.32As晶格匹配... 采用MOCVD生长技术在InP衬底上成功实现了晶格失配的3μm In0.68Ga0.32As薄膜生长.通过As组分的改变,利用张应变和压应变交替补偿的InAsxP1-x应变缓冲层结构来释放由于晶格失配所产生的应力,在InP衬底上得到了与In0.68Ga0.32As晶格匹配的InAsxP1-x"虚拟"衬底,通过对缓冲层厚度的优化,使应力能够在"虚拟"衬底上完全豫弛.通过原子力显微镜(AFM)、高分辨XRD、透射电镜(TEM)和光致发光(PL)等测试分析表明,这种释放应力的方法能够有效提高In0.68Ga0.32As外延层的晶体质量. 展开更多
关键词 IN0 68Ga0 32As 应力释放 InAsxP1-x
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