期刊文献+
共找到4篇文章
< 1 >
每页显示 20 50 100
新型研磨垫对单晶氧化镓研磨的实验研究 预览
1
作者 龚凯 周海 +2 位作者 黄传锦 韦嘉 王晨宇 《现代制造工程》 CSCD 北大核心 2019年第5期13-17,共5页
为抑制氧化镓晶片在研磨过程中的解理现象,通过NAKAMURA的方法,重新设计、研制一种黏弹性固着磨料新型研磨垫对氧化镓晶片进行研磨实验研究,对比分析其与传统铸铁研磨盘对单晶氧化镓研磨的材料去除率和表面质量的影响规律,结果表明:在... 为抑制氧化镓晶片在研磨过程中的解理现象,通过NAKAMURA的方法,重新设计、研制一种黏弹性固着磨料新型研磨垫对氧化镓晶片进行研磨实验研究,对比分析其与传统铸铁研磨盘对单晶氧化镓研磨的材料去除率和表面质量的影响规律,结果表明:在同一研磨参数下,采用铸铁盘研磨时,晶片材料去除率较高,为358nm/min,研磨后晶片表面粗糙度Ra由初始的269nm降低到117nm,降幅仅为56.5%;而采用新型研磨垫研磨时,其材料去除率虽较低,为263nm/min,但研磨后晶片表面粗糙度Ra却降低至58nm,降幅达到78.4%,晶片表面质量得到明显提高,为后续氧化镓晶片的抛光奠定了良好的基础,因而新型研磨垫更适合对氧化镓进行研磨。同时,也为氧化镓晶片研磨提供了参考依据。 展开更多
关键词 研磨垫 单晶氧化镓 研磨 材料去除率 表面质量
在线阅读 免费下载
基于ANSYS Workbench的铜质研磨盘热结构耦合分析 预览
2
作者 宋放 周海 +2 位作者 韦嘉 吴宇航 孙亮 《机械工程与自动化》 2019年第2期1-4,7共5页
在研磨氧化镓晶片时,由于铜质研磨盘的导热系数和热膨胀率较大,因此研磨盘各个部位的热变形量也会因为温度的不同而不同。通常在加工前需要对研磨盘加工时的变形量进行预测,并对研磨盘表面进行平面补偿。选取了3组不同补偿角的研磨盘,基... 在研磨氧化镓晶片时,由于铜质研磨盘的导热系数和热膨胀率较大,因此研磨盘各个部位的热变形量也会因为温度的不同而不同。通常在加工前需要对研磨盘加工时的变形量进行预测,并对研磨盘表面进行平面补偿。选取了3组不同补偿角的研磨盘,基于ANSYS Workbench对它们分别进行瞬态热结构耦合分析。结果表明:当补偿角为0.003°时铜盘补偿效果最好。该方法为不同研磨工况下研磨盘补偿角的选定提供了参考。 展开更多
关键词 研磨盘 氧化镓 热变形 热结构耦合 ANSYS WORKBENCH
在线阅读 下载PDF
抛光垫特性对氧化镓CMP影响的实验研究 预览
3
作者 龚凯 周海 +2 位作者 韦嘉 宋放 王晨宇 《工具技术》 2018年第6期29-32,共4页
对比分析了不同抛光垫的表面形貌、表面粗糙度、硬度以及涵养量对氧化镓晶片化学机械抛光过程中表面质量和材料去除率的影响规律,结果表明:在同一抛光参数条件下,Suba600无纺布抛光垫的材料去除率最大,为30.8nm/min,但抛光后氧化镓表... 对比分析了不同抛光垫的表面形貌、表面粗糙度、硬度以及涵养量对氧化镓晶片化学机械抛光过程中表面质量和材料去除率的影响规律,结果表明:在同一抛光参数条件下,Suba600无纺布抛光垫的材料去除率最大,为30.8nm/min,但抛光后氧化镓表面有明显的凹坑;Politex阻尼布、LP57聚氨酯抛光垫抛光后晶片表面形貌都较好,获得了镜面无损伤晶片表面,但LP57聚氨酯抛光垫的材料去除率为22.6nm/min,大于Politex阻尼布抛光垫16.4nm/min的材料去除率;LP57聚氨酯抛光垫更适合对单晶氧化镓晶片进行化学机械抛光。该研究为氧化镓化学机械抛光(CMP)提供了参考依据。 展开更多
关键词 抛光垫特性 单晶氧化镓 化学机械抛光 材料去除率 表面质量
在线阅读 免费下载
表面活性剂复配对蓝宝石CMP后清洗效果的影响
4
作者 韦嘉 周海 +1 位作者 高晗 梁志强 《微纳电子技术》 北大核心 2019年第2期151-156,共6页
为了去除蓝宝石化学机械抛光(CMP)后表面残留的抛光液,采用表面活性剂复配清洗法,选用非离子表面活性剂脂肪醇聚氧乙烯醚9 (AEO9)和阴离子表面活性剂脂肪醇聚氧乙烯醚硫酸钠(AES)按不同质量比复配,并与酸碱清洗法进行了对比。对CMP后的... 为了去除蓝宝石化学机械抛光(CMP)后表面残留的抛光液,采用表面活性剂复配清洗法,选用非离子表面活性剂脂肪醇聚氧乙烯醚9 (AEO9)和阴离子表面活性剂脂肪醇聚氧乙烯醚硫酸钠(AES)按不同质量比复配,并与酸碱清洗法进行了对比。对CMP后的蓝宝石进行超声辅助清洗实验,分析了不同复配比对于蓝宝石晶片清洗后表面接触角、表面形貌以及颗粒去除率的影响。结果表明:表面活性剂复配清洗法的清洗效果优于传统的酸碱清洗法,最优配比的表面活性剂复配清洗法的颗粒去除率较酸碱清洗法提升了31.17%;当表面活性剂复配清洗法中AEO9与AES复配比为1∶1时,清洗后的蓝宝石表面接触角最小,为21.6°,表面形貌最优,颗粒去除率达到99.65%,清洗效果最好。 展开更多
关键词 蓝宝石 化学机械抛光(CMP) 清洗 表面活性剂复配 超声波
上一页 1 下一页 到第
使用帮助 返回顶部 意见反馈