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浅析500 kV变电站运维管理建设 认领 被引量:2
1
作者 闫亮宇 《企业技术开发:下旬刊》 2014年第11期96-96,101共2页
为了追求电力企业的运维管理的高效稳定发展,文章根据变电站的超高压500 kV的运维管理实际经验情况,分析了在变电站设备运维管理中出现的实际困难,并结合变电站运转的特点,有针对性地提出了解决上述问题的有效措施。
关键词 超高压 变电站 运维管理 安全
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地铁车辆上两种典型GTO驱动电路的对比分析 认领 被引量:2
2
作者 余强 陶生桂 《变流技术与电力牵引》 2008年第1期 28-32,共5页
对上海地铁一号线进口车辆的GTO直流传动系统上的两种典型GTO驱动电路作了对比分析,并对辅助逆变器和牵引斩波器的GTO驱动电路分别进行了测试与分析。
关键词 地铁车辆 GTO 牵引斩波器 辅助逆变器 驱动电路
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基于网压预测的单相PWM整流器比例谐振控制 认领 被引量:25
3
作者 高吉磊 林飞 郑琼林 《电工技术学报》 EI CSCD 北大核心 2011年第5期45-51,共7页
PWM整流器带谐波补偿器的比例谐振控制能够选择性地抑制电网电流中的谐波含量,然而其补偿的谐波次数受到电流环带宽的限制。当抑制谐波次数较高时,必须对谐振频率处电流环延时进行超前补偿,才能保证电流环的稳定性。随着抑制谐波次数的... PWM整流器带谐波补偿器的比例谐振控制能够选择性地抑制电网电流中的谐波含量,然而其补偿的谐波次数受到电流环带宽的限制。当抑制谐波次数较高时,必须对谐振频率处电流环延时进行超前补偿,才能保证电流环的稳定性。随着抑制谐波次数的增多,数字信号处理器的运算量变大。针对上述问题,分析了电网电压谐波对电网电流的影响机理。提出了在电流环比例谐振控制的基础上,采用对电网电压超前预测的方法,在保证电流环良好动态性能的前提下减少PWM整流器电网电流中的谐波含量。最后进行了实验验证,实验结果表明本文提出的电网电压预测方法能够有效抑制电网电压谐波对电网电流的影响。 展开更多
关键词 PWM整流器 重复控制 比例谐振控制 网压预测 谐波
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三相PWM整流器的模糊免疫PID控制 认领 被引量:5
4
作者 廖晓钟 肖延磊 李爽 《北京理工大学学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2007年第12期 1085-1089,共5页
根据模糊参数自整定PID控制和免疫调节机理,设计了一种模糊免疫PID控制器,该控制器综合了模糊控制,免疫调节规律与PID控制技术.将其应用于基于电压定向的直接功率控制中,改善传统PID控制器时整流器的工作性能.仿真结果表明,该方... 根据模糊参数自整定PID控制和免疫调节机理,设计了一种模糊免疫PID控制器,该控制器综合了模糊控制,免疫调节规律与PID控制技术.将其应用于基于电压定向的直接功率控制中,改善传统PID控制器时整流器的工作性能.仿真结果表明,该方法具有高功率因数、低谐波、动态性能好等优点,并对负载扰动具有良好的抑制效果. 展开更多
关键词 PWM整流器 模糊免疫PID 直接功率控制 免疫控制
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差接三角形12脉自耦变压整流器调压技术 认领
5
作者 姜帆 葛红娟 +2 位作者 李男 杨光 周洁敏 《电工技术学报》 EI CSCD 北大核心 2018年第12期2767-2776,共10页
针对多脉冲自耦变压整流器(ATRU)的调压技术进行研究,提出一种可调压的差接三角形拓扑结构,实现了宽范围电压输出。该结构自耦变压器一次侧中间抽头,合理设置一次侧三段式绕组匝数与二次绕组匝数比例以构成两组相位差为30°的三... 针对多脉冲自耦变压整流器(ATRU)的调压技术进行研究,提出一种可调压的差接三角形拓扑结构,实现了宽范围电压输出。该结构自耦变压器一次侧中间抽头,合理设置一次侧三段式绕组匝数与二次绕组匝数比例以构成两组相位差为30°的三相输出电压相量,经两组整流桥后得到多脉冲输出直流。通过改变变压器绕组匝数关系可以达到调节输出电压的目的。以自耦变压器输入输出电压比为变量推导绕组匝比关系,并依此对输入电流和自耦变压器等效容量的计算进行进一步的推导和仿真证明,分析在不同电压比下的自耦变压器等效容量变化。最后通过制作一台原理样机进行实验,验证了设计分析的正确性。 展开更多
关键词 多脉冲整流 自耦变压器 电压调节 等效容量
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基于自适应参数预测的SPMSM非线性电压在线补偿策略 认领
6
作者 徐殿国 严帅 +1 位作者 贵献国 杨明 《电工技术学报》 EI CSCD 北大核心 2007年第8期136-143,共8页
PWM电压源型逆变器驱动表贴式永磁同步电动机的输入电压在较低的转速下会存在非线性畸变,而且这种电压非线性畸变会随着运行条件,如温度、电流方向以及功率器件的非理想特性呈现非线性变化,并将导致电机电流畸变,影响永磁同步电动机控... PWM电压源型逆变器驱动表贴式永磁同步电动机的输入电压在较低的转速下会存在非线性畸变,而且这种电压非线性畸变会随着运行条件,如温度、电流方向以及功率器件的非理想特性呈现非线性变化,并将导致电机电流畸变,影响永磁同步电动机控制性能的提高.本文分析了非线性电压畸变的产生机理,提出一种考虑表贴式永磁同步电动机电阻和电感参数不确定性的基于自适应参数预测的非线性电压在线补偿策略.实验结果表明,该方法可以有效改善PWM电压源逆变器驱动表贴式永磁同步电动机的输入电压性能,提高了电机电流的正弦度. 展开更多
关键词 PWM电压源型逆变器 电压畸变 永磁同步电动机 自适应参数预测
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三相四线整流器的中线电流控制 认领 被引量:6
7
作者 BORIS Luis +4 位作者 Corral Martinez 李睿 马柯 徐德鸿 《电机与控制学报》 EI CSCD 北大核心 2009年第3期 419-423,共5页
六开关三相四线PWM整流器拓扑是适合于中大功率高频UPS装置的前级整流器拓扑。与常规的六开关三相三线整流器相比,三相四线整流器输出正负直流母线,并且输入侧存在零序电流通路,如果沿用三相三线整流器的控制方法,必然会引起很大的... 六开关三相四线PWM整流器拓扑是适合于中大功率高频UPS装置的前级整流器拓扑。与常规的六开关三相三线整流器相比,三相四线整流器输出正负直流母线,并且输入侧存在零序电流通路,如果沿用三相三线整流器的控制方法,必然会引起很大的中线电流。针对此问题。讨论了三相四线PWM整流器输出为正负直流母线电压均衡控制和中线电流控制问题,建立了三相四线整流器数学模型,分析了中线电流产生的机理以及抑制的方法,设计了基于同步旋转坐标系的三相四线整流器的控制算法。在功率40kW的实验样机上验证了控制方法的有效性,保证了输出正负母线电压的平衡及较小的输入电流谐波。 展开更多
关键词 整流器 不间断电源 脉宽调制
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三相四线制二极管整流桥的动态平均值模型 认领 被引量:4
8
作者 魏克银 刘德志 +2 位作者 欧阳斌 翟小飞 晏明 《电工技术学报》 EI CSCD 北大核心 2009年第11期102-107,共6页
根据三相四线制发电机整流桥系统的等效电路,应用状态空间平均法推导了四线制二极管整流桥在连续导通模式下的动态平均值模型,给出了换相角的解析表达式。分别应用整流桥的开关模型在Matlab/Simulink软件环境中对平均值模型进行了仿真验... 根据三相四线制发电机整流桥系统的等效电路,应用状态空间平均法推导了四线制二极管整流桥在连续导通模式下的动态平均值模型,给出了换相角的解析表达式。分别应用整流桥的开关模型在Matlab/Simulink软件环境中对平均值模型进行了仿真验证,并应用发电机三相四线制二极管整流桥负载系统对平均值模型进行了实验验证。仿真与实验结果表明,文中的平均值模型能够描述整流桥的主要稳态和瞬态特征,相应直流电压的误差较小,从而验证了模型的有效性。文中给出的平均值模型可以用于此类发电机(变压器)整流桥系统的建模、阻抗特性分析及小扰动下稳定性分析。 展开更多
关键词 三相四线制 二极管整流桥 状态空间平均法 动态平均值模型
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基于碳化硅MOSFET的99.2%高效率功率因数校正器 认领 被引量:1
9
作者 严阳 吴新科 盛况 《电源学报》 CSCD 2016年第4期73-81,共9页
半桥功率因数校正PFC(power factor correction)拓扑由于其具有较少的电流回路器件数,因而导通损耗小、效率高。但是,该拓扑中开关器件电压应力大,因此如果选用高压的IGBT作为开关器件,则开关损耗很大。新型的碳化硅MOSFET由于兼顾了... 半桥功率因数校正PFC(power factor correction)拓扑由于其具有较少的电流回路器件数,因而导通损耗小、效率高。但是,该拓扑中开关器件电压应力大,因此如果选用高压的IGBT作为开关器件,则开关损耗很大。新型的碳化硅MOSFET由于兼顾了高耐压与低通态电阻,其具有较小的开关损耗,可以降低开关损耗,尤其是关断损耗。但由于高频工作时其开通损耗仍然较大,严重制约变换器效率的提高。因此,利用碳化硅MOSFET优良的开关特性,采用电感电流三角波模式(TCM)的控制方式,使器件工作在零电压开通状态下,进一步降低开关损耗。针对这种控制方式,详细叙述了各个关键参数的计算,并设计搭建了一台1 100 W的全碳化硅半桥功率因数校正变换器,其达到了较高的效率,峰值效率达到了99.2%。 展开更多
关键词 高效率 碳化硅器件 电流三角波模式(TCM) 零电压开通
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IGCT变流器相模块吸收电路参数设计 认领 被引量:2
10
作者 邹扬举 马振宇 +1 位作者 罗凌波 朱武 《大功率变流技术》 2015年第5期18-22,28共6页
IGCT变流器广泛应用于中压大功率传动领域,其相模块吸收电路的参数设计与器件的电气安全、器件损耗以及变流器控制性能密切相关,是变流器设计的关键环节。文章通过对吸收电路的原理分析,结合器件关断过电压、吸收电路动态工作时间、二... IGCT变流器广泛应用于中压大功率传动领域,其相模块吸收电路的参数设计与器件的电气安全、器件损耗以及变流器控制性能密切相关,是变流器设计的关键环节。文章通过对吸收电路的原理分析,结合器件关断过电压、吸收电路动态工作时间、二极管截止时电容残留电压等约束条件,并充分考虑了杂散电感对器件特性的影响,提出了一种吸收电路参数设计方法。仿真与试验结果均验证了该方法的有效性和实用性。 展开更多
关键词 IGCT变流器 吸收电路 参数设计 杂散电感
基于单相H桥级联变换器的高斯模糊算法电压平滑调制策略 认领
11
作者 韩鹏程 何晓琼 《电源学报》 CSCD 北大核心 2018年第4期126-132,共7页
为了在提高H桥级联整流器的均压能力的同时保持各个模块开关状态平滑变换,提出了一种基于高斯模糊算法的电压平滑调制策略。通过对H桥级联整流器工作状态的分析以及对负载不均衡状态下级联整流器均压原理的分析,对基于高斯模糊算法的电... 为了在提高H桥级联整流器的均压能力的同时保持各个模块开关状态平滑变换,提出了一种基于高斯模糊算法的电压平滑调制策略。通过对H桥级联整流器工作状态的分析以及对负载不均衡状态下级联整流器均压原理的分析,对基于高斯模糊算法的电压平滑调制策略的原理进行了推导。最后搭建了4模块(9级)级联H桥整流器实验平台,并通过实验验证了所提调制策略的正确性。 展开更多
关键词 H桥级联整流器 直流侧电压均衡 高斯模糊 电压平滑调制
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共源极电感对SiC MOSFET开关损耗影响的研究 认领 被引量:1
12
作者 董泽政 吴新科 +1 位作者 盛况 张军明 《电源学报》 CSCD 2016年第4期112-118,共7页
共源极电感同时存在于功率MOSFET的功率回路和门极驱动回路中,影响器件的开关特性和开关损耗。共源极电感的影响将随着器件开关速度和开关频率的提高而显得更为严重。碳化硅(SiC)MOSFET相对于硅器件的材料优势使其可以实现更快速的开... 共源极电感同时存在于功率MOSFET的功率回路和门极驱动回路中,影响器件的开关特性和开关损耗。共源极电感的影响将随着器件开关速度和开关频率的提高而显得更为严重。碳化硅(SiC)MOSFET相对于硅器件的材料优势使其可以实现更快速的开关过程,共源极电感的影响更加需要考虑。首先分析了现有功率开关损耗测量方法的优劣,然后选用一种通过测量结温升和热阻的方法来测量SiC MOSFET的开关损耗,最后搭建了一台输出功率1kW、输出电压800V的全碳化硅Boost样机,从100kHz到500kHz进行实验验证。实验结果表明,当不含共源极电感时SiC MOSFET的开通损耗、关断损耗均有所减小。 展开更多
关键词 共源极电感 开关损耗 碳化硅(SiC)MOSFET
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碳化硅功率器件封装关键技术综述及展望 认领 被引量:1
13
作者 盛况 董泽政 吴新科 《中国电机工程学报》 EI CSCD 北大核心 2019年第19期5576-5584,共9页
碳化硅(silicon carbide,SiC)功率器件作为一种宽禁带器件,具有耐高压、高温,导通电阻低,开关速度快等优点。如何充分发挥碳化硅器件的这些优势性能则给封装技术带来了新的挑战:传统封装杂散电感参数较大,难以匹配器件的快速开关特性;... 碳化硅(silicon carbide,SiC)功率器件作为一种宽禁带器件,具有耐高压、高温,导通电阻低,开关速度快等优点。如何充分发挥碳化硅器件的这些优势性能则给封装技术带来了新的挑战:传统封装杂散电感参数较大,难以匹配器件的快速开关特性;器件高温工作时,封装可靠性降低;以及模块的多功能集成封装与高功率密度需求等。针对上述挑战,论文分析传统封装结构中杂散电感参数大的根本原因,并对国内外的现有低寄生电感封装方式进行分类对比;罗列比较现有提高封装高温可靠性的材料和制作工艺,如芯片连接材料与技术;最后,讨论现有多功能集成封装方法,介绍多种先进散热方法。在前面综述的基础上,结合电力电子的发展趋势,对SiC器件封装技术进行归纳和展望。 展开更多
关键词 碳化硅 功率器件 封装技术
电容滤波型三相四线桥式整流电路的电压分析 认领 被引量:2
14
作者 孙兆龙 刘德志 陈俊全 《船电技术》 2007年第5期 261-264,共4页
本文对电容滤波型三相四线桥式整流电路的输出电压进行了分析。在考虑了网侧和中线电感影响的条件下,通过对整流过程的分析列解出方程组,进行了数值计算并绘制出整流电压波形。然后由仿真和实验验证了理论分析的正确性。通过和传统三... 本文对电容滤波型三相四线桥式整流电路的输出电压进行了分析。在考虑了网侧和中线电感影响的条件下,通过对整流过程的分析列解出方程组,进行了数值计算并绘制出整流电压波形。然后由仿真和实验验证了理论分析的正确性。通过和传统三相桥式整流电路比较,证明了该电路在改善输出电压品质方面的作用。 展开更多
关键词 三相四线桥式整流电路 电容滤波 电压分析
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双P调速系统中PWM整流器的研究 认领 被引量:2
15
作者 娄东祥 王清灵 欧璐璐 《机电工程》 CAS 2007年第9期 43-45,共3页
在三相PWM整流器一般数学模型建立的基础上,阐述了坐标变换的原理。并利用同步旋转变换构建了三相电压型整流器(VSR)的dq模型,提出了解耦控制策略,建立了系统的MATLAB仿真模型。利用此模型在Matlab-Simulink环境中进行了抗扰性能和能... 在三相PWM整流器一般数学模型建立的基础上,阐述了坐标变换的原理。并利用同步旋转变换构建了三相电压型整流器(VSR)的dq模型,提出了解耦控制策略,建立了系统的MATLAB仿真模型。利用此模型在Matlab-Simulink环境中进行了抗扰性能和能量可逆性的仿真。仿真结果证明,该系统具有很好的动/静态性能、网侧单位功率因数,且能量双向流动。 展开更多
关键词 脉宽调制 电压型整流器 矢量控制 同步旋转变换 仿真
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碳化硅MOSFET电热耦合模型及分析 认领
16
作者 吕秀婷 谭平安 《电源学报》 CSCD 2016年第6期29-34,共6页
为在Matlab/Simulink环境下准确预测碳化硅Si C(silicon carbide)功率器件在实际工况下的结温变化,针对Si C MOSFET器件提出了一种基于时变温度反馈的电热耦合模型建模方法。该方法能更好地反映Si C MOSFET在导通和开关过程中的性能特... 为在Matlab/Simulink环境下准确预测碳化硅Si C(silicon carbide)功率器件在实际工况下的结温变化,针对Si C MOSFET器件提出了一种基于时变温度反馈的电热耦合模型建模方法。该方法能更好地反映Si C MOSFET在导通和开关过程中的性能特点,模型从器件物理分析和工作机理出发,将功率损耗和热网络模块引入建模,实时反馈器件结温和更新温度相关参数。采用CREE C2M0160120D Si C MOSFET器件进行测试,根据制造商数据手册和测试实验中提取,仿真结果证实了该建模方法的正确性,为器件的寿命预测和可靠性评估提供了研究基础。 展开更多
关键词 碳化硅 MOSFET 电热耦合 MATLAB/SIMULINK
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无源无损软开关功率因数校正电路的研制 认领
17
作者 孙进 王少坤 霍红光 《电子设计工程》 2009年第6期 31-32,35,共3页
采用无源无损软开关功率因数校正电路技术及UC3854BN控制器件,完成了一台1kW样机的设计。实验结果验证了设计的正确性和可行性,各项性能指标均达到设计要求。
关键词 软开关 功率因数校正(PFC) 变换器 控制
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基于Multisim的数字钟电路仿真研究 认领 被引量:2
18
作者 张卫丰 王瑞春 +1 位作者 潘晓宁 郑芙蓉 《通信电源技术》 2010年第6期 28-29,共2页
数字钟是数字电子技术的综合应用,文中以数字钟设计为需求,分析了其工作原理,建立了基于Multisim的秒时基信号、数字钟计数显示仿真模型,给出了仿真波形,提出了理论分析、虚拟实验仿真和实际电路调试相结合的教学方法和基于工作过程即... 数字钟是数字电子技术的综合应用,文中以数字钟设计为需求,分析了其工作原理,建立了基于Multisim的秒时基信号、数字钟计数显示仿真模型,给出了仿真波形,提出了理论分析、虚拟实验仿真和实际电路调试相结合的教学方法和基于工作过程即面向岗位的教学模式。实践证明,数字钟电路设计合理,新的教学方法,降低了对实验条件的要求,提高了学生的积极性,增强了学生的技能水平。 展开更多
关键词 数字电子技术 数字钟 教学改革
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移相全桥ZVS变换器的分析和设计 认领 被引量:2
19
作者 张本庚 刘平 《通信电源技术》 2010年第6期 30-32,共3页
移相全桥零电压开关变换器是中大功率直直变换场合的理想拓扑之一,但其次级整流二极管反向恢复时,产生严重的寄生振荡,二极管上存在很高的尖峰电压。而文献1中的变换器通过增加一个谐振电感和两个二极管,不仅可以实现软开关,还可以消除... 移相全桥零电压开关变换器是中大功率直直变换场合的理想拓扑之一,但其次级整流二极管反向恢复时,产生严重的寄生振荡,二极管上存在很高的尖峰电压。而文献1中的变换器通过增加一个谐振电感和两个二极管,不仅可以实现软开关,还可以消除次级整流二极管反向恢复引起的电压振荡。基于此变换器的工作原理,文中设计了一台500W移相控制零电压软开关电源,给出了主电路的设计过程和实验波形。 展开更多
关键词 移相全桥 零电压 软开关
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反激式变换器DCM与CCM模式的分析与比较 认领 被引量:15
20
作者 孟建辉 刘文生 《通信电源技术》 2010年第6期 33-35,38,共4页
反激式变换器有两种工作模式,一种是不连续导通工作模式(DCM),另一种是连续导通工作模式(CCM)。文中在分析其工作原理的基础上,通过推导计算两种模式下主要参数的大小,从不同的方面来分析二者的优缺点,进而得出相关的结论。
关键词 反激式变换器 不连续导通工作模式 连续导通工作模式
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