期刊文献+
任意字段
题名或关键词
题名
关键词
文摘
作者
第一作者
机构
刊名
分类号
参考文献
作者简介
基金资助
栏目信息
共找到90,382篇文章
< 1 2 … 250 >
每页显示 20 50 100
已选择0条
导出题录 引用分析
参考文献
引证文献
 统计分析
检索结果
已选文献
显示方式：
基于故障树的全自动湿法清洗设备故障诊断 预览 被引量：1
1
作者 孙敏 侯为萍 《电子工业专用设备》 2014年第7期22-27,共6页
针对全自动湿法清洗设备的结构和功能特点,使用故障树方法建立本系统故障树模型,对本系统故障进行定性分析.得到的各个故障顶事件的最小割集构成了系统故障数据库,通过使用数据库管理软件Microsoft Access处理编辑数据库数据,利用Micros... 针对全自动湿法清洗设备的结构和功能特点,使用故障树方法建立本系统故障树模型,对本系统故障进行定性分析.得到的各个故障顶事件的最小割集构成了系统故障数据库,通过使用数据库管理软件Microsoft Access处理编辑数据库数据,利用Microsoft Visual C＋＋ 6.0编写查询诊断软件,实现了对自动湿法清洗设备故障快速查询诊断,以及对故障处理方法的快速查询. 展开更多
关键词 故障树 全自动湿法清洗 故障诊断
在线阅读 下载PDF
Degradation mechanism of enhancement-mode AlGaN/GaN HEMTs using fluorine ion implantation under the on-state gate overdrive stress
2
作者 孙伟伟 郑雪峰 +9 位作者 范爽 王冲 杜鸣 张凯 陈伟伟 曹艳荣 毛维 马晓华 张进成 郝跃 《中国物理B：英文版》 SCIE EI CAS CSCD 2015年第1期444-448,共5页
The degradation mechanism of enhancement-mode Al Ga N/Ga N high electron mobility transistors(HEMTs)fabricated by fluorine plasma ion implantation technology is one major concern of HEMT’s reliability.It is observed ... The degradation mechanism of enhancement-mode Al Ga N/Ga N high electron mobility transistors(HEMTs)fabricated by fluorine plasma ion implantation technology is one major concern of HEMT’s reliability.It is observed that the threshold voltage shows a significant negative shift during the typical long-term on-state gate overdrive stress.The degradation does not originate from the presence of as-grown traps in the Al Ga N barrier layer or the generated traps during fluorine ion implantation process.By comparing the relationships between the shift of threshold voltage and the cumulative injected electrons under different stress conditions,a good agreement is observed.It provides direct experimental evidence to support the impact ionization physical model,in which the degradation of E-mode HEMTs under gate overdrive stress can be explained by the ionization of fluorine ions in the Al Ga N barrier layer by electrons injected from 2DEG channel.Furthermore,our results show that there are few new traps generated in the Al Ga N barrier layer during the gate overdrive stress,and the ionized fluorine ions cannot recapture the electrons. 展开更多
关键词 HEMT器件 离子注入技术 降解机理 氟离子 ALGAN 动应力 增强型 栅极
ASIVIL极紫外光EUV设备助台积电攻关10纳米以下工艺流程 预览 被引量：1
3
《集成电路应用》 2014年第12期43-43,共1页
半导体微影技术厂商艾司摩尔ASML新一代极紫外光EUV微影设备已正式量产，并接获台积电订单，预计2015年出货，为台积电工艺流程推进至10纳米以下，提供关键加工设备。
关键词 加工设备 工艺流程 台积电 EUV 紫外光 纳米 微影技术 半导体
在线阅读 下载PDF
Modeling the defect distribution and degradation of Cd Te ultrathin films
4
作者 Nima E.Gorji 《半导体学报：英文版》 EI CAS CSCD 2014年第12期1-4,共4页
The defect distribution across an ultrathin film CdTe layer of a CdS/CdTe solar cell is modelled by solving the balance equation in steady state. The degradation of the device parameters due to the induced defects dur... The defect distribution across an ultrathin film CdTe layer of a CdS/CdTe solar cell is modelled by solving the balance equation in steady state. The degradation of the device parameters due to the induced defects during ion implantation is considered where the degradation rate is accelerated if the defect distribution is considerable.The defect concentration is maximum at the surface of the CdTe layer where implantation is applied and it is minimum at the junction with the CdS layer. It shows that ultrathin devices degrade faster if the defect concentration is high at the junction rather than the back region(CdTe/Metal). Since the front and back contacts of the device are close in ultrathin films and the electric field is strong to drive the defects into the junction, the p-doping process might be precisely controlled during ion implantation. The modeling results presented here are in agreement with the few available experimental reports in literature about the degradation and defect configuration of the ultrathin CdTe films. 展开更多
关键词 缺陷分布 超薄膜 降解率 硫化镉 建模 CDTE 器件参数 离子注入
55V沟槽型功率场效应管设计 预览
5
作者 汪德波 冯全源 陈晓培 《电子器件》 CAS 北大核心 2015年第1期23-26,共4页
设计了一款55V N沟道沟槽型功率器件。通过对元胞与边端进行理论分析,结合实际工艺,对元胞与边端进行合理优化。通过对流片测试数据的分析,最终实现击穿电压为69.562V、阈值电压2.85V、特征导通电阻537.8 mΩ·cm2的功率器件设计。... 设计了一款55V N沟道沟槽型功率器件。通过对元胞与边端进行理论分析,结合实际工艺,对元胞与边端进行合理优化。通过对流片测试数据的分析,最终实现击穿电压为69.562V、阈值电压2.85V、特征导通电阻537.8 mΩ·cm2的功率器件设计。仿真与流片的击穿电压偏差1.5%、阈值电压偏差2.4%、导通电阻偏差0.83%,器件具有较高的可靠性。 展开更多
关键词 沟槽功率器件 元胞 终端 流片测试
在线阅读 下载PDF
基于三维场景的电力设施安全区域预警方法 预览 被引量：4
6
作者 彭斌 麻立群 +2 位作者 潘坚跃 张元歆 陈希 《电子设计工程》 2015年第10期65-67,71共4页
在电力设施现场作业过程中,需要监控在现场中的工作人员的位置用来对人员目标进行安全预警。本文提出了一种基于三维场景标定技术的电力设施作业现场人员目标安全预警方法,可以对于电力设施监控系统摄到的监控图像视频进行分析。从电力... 在电力设施现场作业过程中,需要监控在现场中的工作人员的位置用来对人员目标进行安全预警。本文提出了一种基于三维场景标定技术的电力设施作业现场人员目标安全预警方法,可以对于电力设施监控系统摄到的监控图像视频进行分析。从电力设施作业现场以及监控视频中提取先验标定数据,根据先验标定数据进行数据拟合,完成对电力设施作业现场的三维场景建模,再根据人员目标的识别结果从视频中计算人员目标的实际位置,与预先设定好的安全区域预警参数进行对比,确定当前现场状态。该方法经过现场验证,可以稳定的计算人员目标位置,提出准确安全预警信号。 展开更多
关键词 电力设施 视频监控 三维场景 标定 预警
在线阅读 下载PDF
近紫外激发具有颜色可调的Er^3＋/Eu^3＋共掺BiOCl荧光粉 预览 被引量：2
7
作者 李永进 黄杨彬 +3 位作者 刘群 邱建备 尹兆益 宋志国 《物理学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2015年第17期349-354,共6页
本文采用固相法在500℃合成了Er^3＋/Eu^3＋共掺BiOCl荧光粉,并通过XRD,SEM,吸收,激发和发射光谱研究了其结构、形貌和发光特性.XRD和SEM结果表明在500℃下即可成功合成纯四方相片层结构的Er3＋/Eu^3＋共掺BiOCl荧光粉.吸收光谱表明掺杂... 本文采用固相法在500℃合成了Er^3＋/Eu^3＋共掺BiOCl荧光粉,并通过XRD,SEM,吸收,激发和发射光谱研究了其结构、形貌和发光特性.XRD和SEM结果表明在500℃下即可成功合成纯四方相片层结构的Er3＋/Eu^3＋共掺BiOCl荧光粉.吸收光谱表明掺杂Er^3＋/Eu^3＋离子使BiOCl形成杂质能级;激发光谱显示该荧光粉具有来自于基质BiOCl价带（VB）到导带（CB）跃迁的优异宽带近紫外激发特性.在380 nm近紫外光激发下,同时获得了Er^3＋离子和Eu^3＋离子的特征发射峰,其中发光中心位于410 nm^（^2H9/2→^4I15/2）,525 nm（^2H11/2→^4I15/2）,554 nm（^4S3/2→^4I15/2）,673 nm（^4F9/2→^4I15/2）的发射峰来自于Er^3＋离子的跃迁,而581 nm（^5D0→^7F0）,594 nm（^5D0→^7F1）,622 nm（^5D0→^7F2）,653 nm（^5D0→^7F3）,699 nm（^5D0→^7F4）的发射峰则来自于Eu^3＋离子的跃迁.值得注意的是,与传统Er^3＋/Eu^3＋掺杂的材料不同,该荧光粉还具有独特高效的紫光（Er^3＋）和长波红光（Eu^3＋）发射特性,分析表明这与BiOCl的结构有关;并且通过改变掺杂浓度,实现了发光颜色由黄绿光→黄光→橙红光的调节.研究结果表明Er^3＋/Eu^3＋共掺BiOCl荧光粉有望成为一种潜在的近紫外激发白光LED荧光粉. 展开更多
关键词 Er^3+/Eu^3+共掺Bi OCL 近紫外激发 颜色可调
在线阅读 下载PDF
模拟压缩采样技术研究 预览
8
作者 裴志军 王晓敏 韩蕾 《天津职业技术师范大学学报》 2015年第3期48-52,共5页
高带宽信号的应用对传统的香农-奈奎斯特采样提出了苛刻挑战,因此,基于压缩感知理论,对模拟信号的亚奈奎斯特采样技术进行研究。将压缩感知概念从离散域推广到模拟信号域,采用压缩采样算子对模拟信号输入带宽进行压缩,实现模拟压缩采样... 高带宽信号的应用对传统的香农-奈奎斯特采样提出了苛刻挑战,因此,基于压缩感知理论,对模拟信号的亚奈奎斯特采样技术进行研究。将压缩感知概念从离散域推广到模拟信号域,采用压缩采样算子对模拟信号输入带宽进行压缩,实现模拟压缩采样。在模拟压缩采样算子设计中,基于信号结构选择能够与信号稀疏有效结合成单一硬件结构的感知矩阵,使在压缩带宽的同时不损失任何重要信息。在压缩采样的数字处理中,应用非线性探测方法从低速率压缩采样序列中探测信号的精确子空间。 展开更多
关键词 压缩感知 模拟信号 亚奈奎斯特采样 稀疏 频谱感知
在线阅读 免费下载
大功率超高亮度LED工业观片灯的设计与制作 预览
9
作者 宋斌 张仁良 +2 位作者 杨思达 赵伟宗 张杨 《江苏科技信息》 2015年第26期64-65,共2页
使用性能优良的LED光源制作工业X射线观片灯已经成为工业观片灯的发展趋势。而不断提高LED观片灯的功率以提升光源亮度成为工业观片灯改进的主要目标。文章中介绍的大功率超高亮度LED工业观片灯,采用144个1W大功率LED贴片灯珠,24V直流供... 使用性能优良的LED光源制作工业X射线观片灯已经成为工业观片灯的发展趋势。而不断提高LED观片灯的功率以提升光源亮度成为工业观片灯改进的主要目标。文章中介绍的大功率超高亮度LED工业观片灯,采用144个1W大功率LED贴片灯珠,24V直流供电,8路驱动电路同时驱动,大幅度提高了光线亮度,满足黑度大于4.5的要求。使用PT4115芯片作为LED驱动芯片,采用PWM调光方式,满足标准中所规定的散射系数的要求。从多方位采取散热措施,保证了观片灯的稳定和安全。采用电容式触摸按键作为人机交互,使用方便。 展开更多
关键词 大功率LED 工业观片灯 无损检测 超高亮度 PWM调光
在线阅读 下载PDF
10kV新型STATCOM装置的研究 预览
10
作者 孙国歧 连艳 +2 位作者 颜勇 夏成山 魏晓宾 《电气技术》 2015年第9期131-132,共2页
本论文研究了基于热敏电阻的温度检测电路,该电路具有较高的检测精度,减少了开发成本,检测方法更加简便;基于IGBT驱动电路的信号隔离电路后,隔离电路能够提供更小的信号延迟,具有更好的共模抑制能力以及成本低廉。
关键词 热敏电阻 共模抑制 信号隔离电路
在线阅读 下载PDF
世界上首块GaN/金刚石晶片
11
作者 陈裕权 《半导体信息》 2006年第4期32-33,共2页
关键词 GAN 化学汽相淀积 原子级 新型半导体 有源区 微波毫米波 白光照明 外延生长 军事用途 功率密度
美国科学家制造出世界上最长的碳纳米管
12
作者 章从福 《半导体信息》 2007年第4期10-10,共1页
关键词 化学气相沉积 原子蒸气 半导体工业 阵列形式 设备公司
基于雪崩二极管的振荡器技术 预览
13
作者 方岚 田波 郑宇 《集成电路通讯》 2015年第4期36-40,共5页
雪崩二极管振荡器主要组成包括负阻器件和外部谐振电路（谐振腔），雪崩二极管振荡器可在整个毫米波波段提供较佳的连续波信号和脉冲信号。雪崩二极管振荡器调谐方法有机械、偏压、外调谐三种，多采用机械调谐和偏压调谐结合应用的方法... 雪崩二极管振荡器主要组成包括负阻器件和外部谐振电路（谐振腔），雪崩二极管振荡器可在整个毫米波波段提供较佳的连续波信号和脉冲信号。雪崩二极管振荡器调谐方法有机械、偏压、外调谐三种，多采用机械调谐和偏压调谐结合应用的方法完成。雪崩二极管振荡器输出受多种因素制约，需综合考虑谐振腔Q值、回路阻抗匹配、环境温度、电源波动等问题才能保证其稳定高效的输出状态。 展开更多
关键词 雪崩二极管 振荡器 负阻 调谐 波导
在线阅读 下载PDF
掺杂铌和钴元素的PZT薄膜的残余应力测定 预览
14
作者 陈泓霖 李伟 +2 位作者 武鹏飞 丁长路 杨凯 《压电与声光》 CAS CSCD 北大核心 2016年第1期42-45,共4页
锆钛酸铅（PZT）薄膜具有优异的压电性能,是制作微机电系统（MEMS）振动式能量收集器的理想材料。在溶胶-凝胶法制备PZT薄膜的过程中产生的残余应力会对能量收集器有负面影响。该文利用X线衍射法对在退火温度分别为650℃、700℃、750℃... 锆钛酸铅（PZT）薄膜具有优异的压电性能,是制作微机电系统（MEMS）振动式能量收集器的理想材料。在溶胶-凝胶法制备PZT薄膜的过程中产生的残余应力会对能量收集器有负面影响。该文利用X线衍射法对在退火温度分别为650℃、700℃、750℃、800℃下掺杂铌（Nb）和钴（Co）元素的PZT薄膜样品的残余应力进行了测定。实验结果表明,PZT薄膜样品中的残余应力表现为压应力,从650℃升高到750℃的过程中,随着退火温度的升高薄膜中的残余应力增大;直到750℃附近后,残余应力基本保持稳定。 展开更多
关键词 溶胶-凝胶法 PZT薄膜 残余应力 X线衍射法 退火温度
在线阅读 免费下载
SiC混合功率模块封装工艺 预览 被引量：1
15
作者 徐文辉 陈云 王立 《电子与封装》 2016年第3期1-3,8共4页
SiC（碳化趟材料作为第三代半导体材料，具有高结温、高临界击穿电压、高热导率等特点，因此，SiC材料有利于实现功率模块的小型化并提高功率模块的高温性能。基于此，同时为了实现模块的自主可控化，将Si模块中的Si二极管用自主SiC二... SiC（碳化趟材料作为第三代半导体材料，具有高结温、高临界击穿电压、高热导率等特点，因此，SiC材料有利于实现功率模块的小型化并提高功率模块的高温性能。基于此，同时为了实现模块的自主可控化，将Si模块中的Si二极管用自主SiC二极管进行替代，制作SiC混合功率模块。主要介绍混合功率模块封装工艺的关键工序：回流、铝线键合、点胶、灌胶。 展开更多
关键词 SIC 功率模块 回流 键合 点胶 灌胶
在线阅读 下载PDF
AlN/GaN high electron mobility transistors on sapphire substrates for Ka band applications
16
作者 宋旭波 吕元杰 +9 位作者 顾国栋 王元刚 谭鑫 周幸叶 敦少博 徐鹏 尹甲运 魏碧华 冯志红 蔡树军 《半导体学报：英文版》 EI CAS CSCD 2016年第4期69-72,共4页
We report the DC and RF characteristics of AlN/GaN high electron mobility transistors(HEMTs) with the gate length of 100 nm on sapphire substrates. The device exhibits a maximum drain current density of 1.29 A/mm and ... We report the DC and RF characteristics of AlN/GaN high electron mobility transistors(HEMTs) with the gate length of 100 nm on sapphire substrates. The device exhibits a maximum drain current density of 1.29 A/mm and a peak transconductance of 440 m S/mm. A current gain cutoff frequency and a maximum oscillation frequency of 119 GHz and 155 GHz have been obtained, respectively. Furthermore, the large signal load pull characteristics of the AlN/GaN HEMTs were measured at 29 GHz. An output power density of 429 m W/mm has been demonstrated at a drain bias of 10 V. To the authors’ best knowledge, this is the earliest demonstration of power density at the Ka band for Al N/Ga N HEMTs in the domestic, and also a high frequency of load-pull measurements for Al N/Ga N HEMTs. 展开更多
关键词 高电子迁移率晶体管 蓝宝石衬底 Ka波段 GAN ALN HEMT器件 应用 功率密度
Oxygen Scavenging Effect of LaLuO3/TiN Gate Stack in High-Mobility Si/SiGe/SOI Quantum-Well Transistors
17
作者 冯锦锋 刘畅 +1 位作者 俞文杰 彭颖红 《中国物理快报：英文版》 SCIE CAS CSCD 2016年第5期108-110,共3页
Higher-κ dielectric LaLuO_3,deposited by molecular beam deposition,with TiN as gate stack is integrated into high-mobility Si/SiGe/SOI quantum-well p-type metal-oxide-semiconductor field effect transistors.Threshold ... Higher-κ dielectric LaLuO_3,deposited by molecular beam deposition,with TiN as gate stack is integrated into high-mobility Si/SiGe/SOI quantum-well p-type metal-oxide-semiconductor field effect transistors.Threshold voltage shift and capacitance equivalent thickness shrink are observed,resulting from oxygen scavenging effect in LaLuO_3 with Ti-rich TiN after high temperature annealing.The mechanism of oxygen scavenging and its potential for resistive memory applications are analyzed and discussed. 展开更多
关键词 金属氧化物 场效应晶体管 清除作用 高流动性 锗/硅 量子阱 栅极 堆栈
GaAs HEMT开关器件的大信号模型 被引量：1
18
作者 刘亚男 杜光伟 +2 位作者 胡志富 孙希国 崔玉兴 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2016年第6期446-450,480共6页
为了更好地表征GaAs HEMT开关器件的特性,提出了一种基于经验公式的改进型大信号模型。基于0.25μm HEMT工艺制备不同栅指数和单指栅宽的GaAs HEMT开关器件,然后对这些器件进行直流I-V特性和多偏置S参数的测试。采用栅源电流模型、漏源... 为了更好地表征GaAs HEMT开关器件的特性,提出了一种基于经验公式的改进型大信号模型。基于0.25μm HEMT工艺制备不同栅指数和单指栅宽的GaAs HEMT开关器件,然后对这些器件进行直流I-V特性和多偏置S参数的测试。采用栅源电流模型、漏源电流模型和电容模型对测试曲线进行拟合,从而得到可定标的GaAs开关大信号模型。对模型的开态插损和关态隔离度进行小信号仿真,模型的仿真结果与测试结果吻合较好,验证了此模型有较高的精准度。通过大信号负载牵引测试验证了模型的有效性,此模型可用于GaAs HEMT开关器件的设计、开发及应用。 展开更多
关键词 GAAS HEMT 开关 大信号 模型
假栅P区互联对沟槽栅IGBT性能的影响
19
作者 罗海辉 肖强 +4 位作者 余伟 杨鑫著 谭灿健 黄建伟 刘国友 《机车电传动》 北大核心 2016年第3期41-45,共5页
基于假栅条形元胞设计与200 mm（8英寸）沟槽栅成套关键工艺,成功研制1 700 V沟槽栅IGBT。通过Silvaco仿真与衬板测试,对比研究了假栅P区互联方式对器件的动静态特性与安全工作区的影响。与假栅P区接地方案相比,假栅P区浮空时器件导通... 基于假栅条形元胞设计与200 mm（8英寸）沟槽栅成套关键工艺,成功研制1 700 V沟槽栅IGBT。通过Silvaco仿真与衬板测试,对比研究了假栅P区互联方式对器件的动静态特性与安全工作区的影响。与假栅P区接地方案相比,假栅P区浮空时器件导通与开关损耗更低、RBSOA能力更强。分析了假栅P区互联方式对器件性能的影响机理。器件采用假栅P区浮空方案,结合场截止与载流子存储技术,具有良好的综合性能,已通过各项验证,即将进行应用考核。 展开更多
关键词 沟槽栅IGBT 假栅P区 空穴浓度 安全工作区 关断dV/dt
基于DSP的SAW温度检测系统的设计 预览
20
作者 余翔 刘礼跃 漆晶 《压电与声光》 CAS CSCD 北大核心 2016年第3期454-457,共4页
介绍了基于谐振器型声表面波（SAW）传感器的温度检测系统的工作原理及组成结构,详细说明了系统中读写器设计过程中的关键技术,重点说明了读写器中射频前端电路的设计,包括锁相环（PLL）频率合成器模块、发射电路和接收电路的硬件设计,... 介绍了基于谐振器型声表面波（SAW）传感器的温度检测系统的工作原理及组成结构,详细说明了系统中读写器设计过程中的关键技术,重点说明了读写器中射频前端电路的设计,包括锁相环（PLL）频率合成器模块、发射电路和接收电路的硬件设计,同时给出了数字信号处理（DSP）基带主控模块的设计框图和工作流程。对传感器在0~100℃的环境下测试数据进行了详细分析,测量温度的精度可达±1℃,在良好电磁环境下,最大测温距离可达5m。 展开更多
关键词 读写器 谐振器 声表面波 温度检测系统
在线阅读 免费下载
已选择0条
导出题录 引用分析
参考文献
引证文献
 统计分析
检索结果
已选文献
上一页 1 2 … 250 下一页 到第 页
使用帮助 返回顶部 意见反馈