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氮化铝陶瓷覆铜基板的研制 预览 被引量:4
1
作者 谢进 宗祥福 《硅酸盐学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2000年第4期 385-387,共3页
通过高温热氧化的方法,在AIN陶表面形成一薄层AI2O3作为过渡层,成功地将铜与AIN陶瓷键合在一起,研制出性能优越的AIN陶瓷覆铜基板。研究了AIN热氧化时间及温度对键合质量的影响,提出子较佳的儿得的键合力可达11... 通过高温热氧化的方法,在AIN陶表面形成一薄层AI2O3作为过渡层,成功地将铜与AIN陶瓷键合在一起,研制出性能优越的AIN陶瓷覆铜基板。研究了AIN热氧化时间及温度对键合质量的影响,提出子较佳的儿得的键合力可达110N/cm,同时,运用扫描电镜(SEM0、电子能谱(EDX)对键合结构作了分析和研究。AIN衬底上的氧化物相对键合过程中上重要作用。 展开更多
关键词 氮化铝氮瓷 氧化 键合 半导体模块 覆铜基板
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铁电陶瓷相和内电极的层间互作用及界面类型 预览
2
作者 左如忠 李龙土 《压电与声光》 CSCD 北大核心 2000年第5期 335-337,共3页
借助于透射、扫描电子显微镜和能谱X射线(EDAX),对弛豫铁电陶瓷和银钯电极组成的多层共烧体系中的界面互作用进行了研究。观察到明显的互扩散现象存在于异相层间界面。阶电极中的银离子外,陶瓷中部分金属阳离子向电极中也有一... 借助于透射、扫描电子显微镜和能谱X射线(EDAX),对弛豫铁电陶瓷和银钯电极组成的多层共烧体系中的界面互作用进行了研究。观察到明显的互扩散现象存在于异相层间界面。阶电极中的银离子外,陶瓷中部分金属阳离子向电极中也有一定的扩散。X射线衍射的分析表明共烧过程中界面发生了化学反应,有新相生成。此外,实验结果还揭示了界面的物理化学作用对多层样品的微结构产生了一定的影响。铁电相和共烧界面的类型为扩攻型化合物 展开更多
关键词 多层陶瓷器件 铁电陶瓷 电极 层间互作用
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添加剂SiO2胡等离子喷涂陶瓷涂层及其激光重熔中的作用研究 被引量:14
3
作者 杨元政 刘正义 《中国激光》 EI CAS CSCD 北大核心 2000年第10期947-952,共6页
系统研究了添加剂SiO2在等离子喷涂陶瓷涂层及其激光重熔中的作用。添加剂SiO2的“液相烧结”作用在高熔点ZrO3陶瓷涂层中比较明显,而在较低熔点Al2O3陶瓷中不明显。在激光重熔中,SiO2能降低ZrO2熔化层应力... 系统研究了添加剂SiO2在等离子喷涂陶瓷涂层及其激光重熔中的作用。添加剂SiO2的“液相烧结”作用在高熔点ZrO3陶瓷涂层中比较明显,而在较低熔点Al2O3陶瓷中不明显。在激光重熔中,SiO2能降低ZrO2熔化层应力并阻碍裂纹扩展;在Al2O3陶瓷涂层中,SiO2还能使熔化层晶粒均匀化,并在晶粒间形成连续玻璃质抑制裂纹形成、阴碍裂纹扩展。而Al2O3陶瓷涂层中的TiO2,激光处理时生成TiAl2O 展开更多
关键词 等离子喷涂 激光重熔 添加剂 二氧化碳 陶瓷涂层
双受主掺杂BaTiO3基PTC陶瓷性能的研究 预览 被引量:1
4
作者 曲远方 陈长庆 《热固性树脂》 CAS CSCD 1999年第4期 47-49,53,共4页
本文系统地研究了Fe^3+,Mn^4+复合受主掺杂和烧结工艺对BaTiO3基PTC陶瓷性能的影响,通过不同复合受主掺杂量和不同烧结工艺。测试并整理了较大量的PTC陶瓷材料的室温电阻及其升阻比数据,旨在研究多受主掺杂和... 本文系统地研究了Fe^3+,Mn^4+复合受主掺杂和烧结工艺对BaTiO3基PTC陶瓷性能的影响,通过不同复合受主掺杂量和不同烧结工艺。测试并整理了较大量的PTC陶瓷材料的室温电阻及其升阻比数据,旨在研究多受主掺杂和烧结工艺对瓷料性能的影响规律及寻找一种相应的最佳配方和最佳烧结工艺,提高PTC陶瓷的特性。 展开更多
关键词 钛酸钡基 PTC陶瓷 性能 掺杂
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压电陶瓷及其元器件 预览
5
《技术与市场》 2001年第12期 20,共1页
关键词 压电陶瓷元器件 压电陶瓷谐振器 接产条件 经济效益
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Cu—Al2O3陶瓷键合机理的研究 预览 被引量:5
6
作者 谢进 徐传骧 《电力电子技术》 CSCD 北大核心 1995年第4期 66-73,共8页
在一定的温度下,Cu-Al2O3界面处由于氧元素的引入,铜的表面形成一层Cu-Cu2O共晶熔体,这一熔体能同时湿润铜和陶瓷,降温后使Cu-Al2O3形成牢固键合。到目前为止,其键合机理还不十分明了。本文运用扫描电镜、... 在一定的温度下,Cu-Al2O3界面处由于氧元素的引入,铜的表面形成一层Cu-Cu2O共晶熔体,这一熔体能同时湿润铜和陶瓷,降温后使Cu-Al2O3形成牢固键合。到目前为止,其键合机理还不十分明了。本文运用扫描电镜、能谱分析、X射线衍射技术对Cu-Al2O3界面的键合结构及生成的物相进行了系统的研究。 展开更多
关键词 键合机理 陶瓷 电力半导体器件 半导体器件
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浅析压敏转印技术的应用 预览
7
作者 李春甫 《丝网印刷》 2005年第11期 29-30,共2页
转印技术在我国已经有很久的应用历史,最初缝纫机台面上、自行车大梁和挡泥板上的图案,就是最早的转印技术了,当时称之为"贴花".这种转印技术直至今天仍在使用.天津缝纫机厂师傅讲:最早是用湿布润湿后揭下来贴在台面上,整平... 转印技术在我国已经有很久的应用历史,最初缝纫机台面上、自行车大梁和挡泥板上的图案,就是最早的转印技术了,当时称之为"贴花".这种转印技术直至今天仍在使用.天津缝纫机厂师傅讲:最早是用湿布润湿后揭下来贴在台面上,整平干燥后表面喷涂胺基清漆.后来随着科学的发展和进步,图案的背面涂一层桃胶或橡皮胶,一是成膜质量好,二是揭下来容易,可直接贴在表面上,无需干燥即可直接喷漆. 展开更多
关键词 技术 转印 应用 压敏 表面喷涂 成膜质量 缝纫机 挡泥板 自行车 台面
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ZnO—Bi2O3—Sb2O3—BaO系陶瓷的晶界相与抗退降性能 被引量:5
8
作者 陈志雄 黄卓和 《物理学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 1994年第6期 1035-1040,T001,共7页
在通常的ZnO-Bi_2O_3-Sb_2O_3系电压敏陶瓷中,加入能构成压敏特性的钡添加剂,发现除已知的Bi_2O_3和Zn_2.33Sb_0.67O_4晶界相以外,还出现新的晶界相,分析表明是固溶有微量其它成分的偏... 在通常的ZnO-Bi_2O_3-Sb_2O_3系电压敏陶瓷中,加入能构成压敏特性的钡添加剂,发现除已知的Bi_2O_3和Zn_2.33Sb_0.67O_4晶界相以外,还出现新的晶界相,分析表明是固溶有微量其它成分的偏锑酸钡(BaSb_2O_6)晶相。同时还发现,BaSb_2O_6相是热稳定的,它对改善压敏陶瓷的退降性能起重要作用。通过控制各种添加剂的含量,使晶界相Bi_2O_3,Zn_2.33Sb_0.67O_4和BaSb_2O_6之间的数量有适当比例时,压敏陶瓷在长期电负荷作用下和脉冲大电流作用下的抗退降能力都有显著的提高,特别可贵的是反向V—I特性的退阵有很大的改善。 展开更多
关键词 陶瓷 晶界相 伏-安特性 退降
偏锡酸锌气敏材料敏感机理的研究 预览 被引量:14
9
作者 刘焕林 吴兴惠 《功能材料》 EI CAS CSCD 北大核心 1999年第5期 549-550,共2页
偏锡酸锌是一种重要气敏材料,通过对其材料及元件进行的电导率与温度的关系,电阻与真空度的关系,X光电子能谱等的测试分析,了偏锡酸锌气敏材料的敏感机理。
关键词 偏锡酸锌 气敏材料 特性测试 敏感机理
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多施主掺杂PTC陶瓷材料的研究 预览 被引量:3
10
作者 马建丽 曲远方 《热固性树脂》 CAS CSCD 1999年第4期 54-58,共5页
本文在双施主掺杂高TcBaTiO3基PTC陶瓷材料的基础上,对BaTiO3的A,B,O位同时进行离子置换以实现多施主掺杂,同时还研究了烧结温度对阻温特性的影响。研究结果表明,多施主掺杂试样的烧成温度对ρ-T性能影响很... 本文在双施主掺杂高TcBaTiO3基PTC陶瓷材料的基础上,对BaTiO3的A,B,O位同时进行离子置换以实现多施主掺杂,同时还研究了烧结温度对阻温特性的影响。研究结果表明,多施主掺杂试样的烧成温度对ρ-T性能影响很大,在一定配方及工艺条件下,获得的PTC陶瓷材料的室温电阻率变化不大,升阻比明显提高。 展开更多
关键词 多施主掺杂 电阻率 热敏电阻 陶瓷半导体
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陶瓷薄摸与金属间的浸润性及其界面的研究 被引量:6
11
作者 王家祥 黄燕清 《真空》 CAS 北大核心 1991年第3期26-31,共6页
本文在对 TiN、TiC陶瓷薄膜与金属 Ag、 Cu、 Ni、 Fe间的浸润性测量的基础上,用扫描电子显微镜(SEM)、电子探针(EPMA)对其界面进行了观察。结果表明:浸润性较差的Ag、Cu与TiN、TiC的界面平整,... 本文在对 TiN、TiC陶瓷薄膜与金属 Ag、 Cu、 Ni、 Fe间的浸润性测量的基础上,用扫描电子显微镜(SEM)、电子探针(EPMA)对其界面进行了观察。结果表明:浸润性较差的Ag、Cu与TiN、TiC的界面平整,几乎没有发生相互扩散和化学反应;而浸润性较好的 Fe、Ni与 TiN、TiC的界面有明显的扩散和化学反应现象沿着TiN、TiC的晶界扩散;薄膜部分甚至全部溶入金属中。TiC薄膜与Fe的界面反应程度大于TiN 薄膜。 展开更多
关键词 陶瓷薄膜 金属 浸润性 界面
两种不同AIN粉末的烧结和热传导特性比较 预览 被引量:2
12
作者 李星国 姜辉恩 《功能材料》 EI CAS CSCD 1994年第3期 264-268,272,共6页
本文对Al_2O_3碳还原氮化法和Al直接氮化法所制作的两种AlN粉体的特性进行了分析和比较,然后研究了这两种粉体在添加0~15wt.%的Y_2O_3烧结助剂的条件下,经2073K烧结后的密度变化以及在室温下的热传导... 本文对Al_2O_3碳还原氮化法和Al直接氮化法所制作的两种AlN粉体的特性进行了分析和比较,然后研究了这两种粉体在添加0~15wt.%的Y_2O_3烧结助剂的条件下,经2073K烧结后的密度变化以及在室温下的热传导特性。 展开更多
关键词 AIN粉末 碳还原氮化法 直接氮化法 常压烧结 热传导
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含铋BaTiO3基PTC陶瓷半导化研究 被引量:3
13
作者 梁云鹤 王瑾菲 +2 位作者 蒲永平 杨公安 杨文虎 《中国陶瓷》 CAS CSCD 北大核心 2009年第7期23-24,46共3页
采用zBi4Ti3O12+(1-z)BaTi1-xLaxO3系统,按照传统的氧化物工艺制备陶瓷样品,分析La掺杂量对陶瓷电阻率的影响。采用两种气氛烧结:在空气中和在还原气氛中烧结,分析烧结气氛对陶瓷半导化的影响。结果表明:BaTiO3+0.2%La2O3制... 采用zBi4Ti3O12+(1-z)BaTi1-xLaxO3系统,按照传统的氧化物工艺制备陶瓷样品,分析La掺杂量对陶瓷电阻率的影响。采用两种气氛烧结:在空气中和在还原气氛中烧结,分析烧结气氛对陶瓷半导化的影响。结果表明:BaTiO3+0.2%La2O3制备Ba0.0998La0.002TiO3时,没有加入促进烧结的液相添加剂.使得烧结温度很高1350℃。在制备zBi4Ti5O12+(1-z)Ba0.998La0.002TiO3时,在空气中烧结.任何配比下都无法实现半导化样品,但在氮气中无论裸烧还是埋烧,均是配比为0.3:0.7时的样品显现出较好的半导化效果。 展开更多
关键词 PTCR(正温度系数热敏电阻) 无铅陶瓷 气氛烧结
单片半导体陶瓷电子元件 预览
14
《佛山陶瓷》 2002年第12期 43,共1页
关键词 单片半导体陶瓷 电子元件 钛酸钡基半导体陶瓷层 电极 陶瓷微粒 电极层 镍基金属
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(Zr1—xMx)O2陶瓷的电导性能研究 预览
15
作者 李福燊 陈宁 《无机材料学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 1997年第6期 850-854,共5页
本文利用量子化学理论方法研究了含有不同金属(M=Y,Mg和Al)掺杂的ZrO2陶瓷体系的电子能谱和不同原子的局域态密度,并结合实验分析探讨了掺杂下的电子导电和离子导电行为,研究表明,Al掺杂体系费米能级附近的能隙较小... 本文利用量子化学理论方法研究了含有不同金属(M=Y,Mg和Al)掺杂的ZrO2陶瓷体系的电子能谱和不同原子的局域态密度,并结合实验分析探讨了掺杂下的电子导电和离子导电行为,研究表明,Al掺杂体系费米能级附近的能隙较小,因而其电子导电能力强;而Al与O的结合较强,使O空位形成能加大,表现出其离子导电性弱,而Y掺杂与Al掺杂的情形相反,Y掺杂导致了较强的离子导电性,但电子导电性较弱,Mg掺要的影响介于 展开更多
关键词 氧化锆 掺杂 电导 氧化物陶瓷
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半导体陶瓷及用其制造的器件 预览
16
《佛山陶瓷》 2002年第12期 43,共1页
关键词 半导体陶瓷 钛酸钡 钛酸钡 钛酸锶 钛酸钙 组分 氧化钐
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铌酸钾半导瓷的烧结及其电性能 预览 被引量:1
17
作者 丁盛平 黄仲臧 +1 位作者 沈嘉祺 殷文之 《无机材料学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 1989年第1期 59-64,共6页
通过在 KNbO3合成料中添加钾锗玻璃的方法,烧结后得到了 KNbO3半导瓷,其样品有较大电阻率,并在 KNbO3晶体的两个相变点附近发生 PTC 电阻反常。样品的制备工艺参数如烧结温度、保温时间等对其成瓷性能、电学性能和显微结构等均有影响。... 通过在 KNbO3合成料中添加钾锗玻璃的方法,烧结后得到了 KNbO3半导瓷,其样品有较大电阻率,并在 KNbO3晶体的两个相变点附近发生 PTC 电阻反常。样品的制备工艺参数如烧结温度、保温时间等对其成瓷性能、电学性能和显微结构等均有影响。对样品所做的 SEM 和 TG 分析结果表明:在 KNbO3陶瓷中,K2O 在烧结温度下发生明显的挥发,样品中晶粒和晶粒之间含有较多气孔。KNbO3材料的固有特性和成瓷特性使该半导瓷具有一些独特的电学性能。更多还原 展开更多
关键词 铌酸钾 半导瓷 绕结
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陶瓷材料
18
《电子科技文摘》 2003年第12期8-9,共2页
【正】 0327568陶瓷蜂窝载体表面Ce-Zr-O固溶液涂层的表征[刊,中]/钟依均//浙江师范大学学报(自然科学版).—2003,26(2).—158-160(K1)研究了陶瓷蜂窝载体表面直接涂载Ce-Zr-O固溶体涂层,采用XRD和Raman光谱对Ce-Zr-O固体溶层进行了表征... 【正】 0327568陶瓷蜂窝载体表面Ce-Zr-O固溶液涂层的表征[刊,中]/钟依均//浙江师范大学学报(自然科学版).—2003,26(2).—158-160(K1)研究了陶瓷蜂窝载体表面直接涂载Ce-Zr-O固溶体涂层,采用XRD和Raman光谱对Ce-Zr-O固体溶层进行了表征,表明在陶瓷蜂窝载体表面形成了具有立方结构的Ce-Zr-O固溶体,高温焙烧有利于固溶体的 展开更多
关键词 陶瓷材料 载体表面 立方结构 师范大学学报 高温焙烧 蜂窝陶瓷 溶胶一凝胶 介电性能 机械品质因数 钙钦矿
多彩纳米复合功能高级金属颜料 预览
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《技术与市场》 2008年第11期 140,共1页
随着科学技术和现代工业的发展,金属颜料的品种越来越多,应用范围也在不断扩大,用于装饰目的的铝颜料也已从单纯仿银,发展到使被饰物具有五彩缤纷的颜色,同时还闪现金属亮点。另外,金属颜料具有的“双色”效应(随视角的不同呈现... 随着科学技术和现代工业的发展,金属颜料的品种越来越多,应用范围也在不断扩大,用于装饰目的的铝颜料也已从单纯仿银,发展到使被饰物具有五彩缤纷的颜色,同时还闪现金属亮点。另外,金属颜料具有的“双色”效应(随视角的不同呈现不同的颜色)、耐候性和耐划伤性能是有机颜料所不能比拟的。 展开更多
关键词 金属颜料 复合功能 纳米 多彩 耐划伤性能 现代工业 科学技术 有机颜料
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InAlN材料表面态性质研究 被引量:1
20
作者 杨彦楠 王新强 +3 位作者 卢励吾 黄呈橙 许福军 沈波 《物理学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2013年第17期439-445,共7页
运用电流.电压(I-V),变频电容一电压(C—V)和原子力显微镜(AFM)技术研究In组分分别为15%,17%~I21%的Ni/Au/-InAlN肖特基二极管InAlN样品表面态性质(表面态密度、时间常数和相对于InAlN导带底的能级位置).I-V和变频C—... 运用电流.电压(I-V),变频电容一电压(C—V)和原子力显微镜(AFM)技术研究In组分分别为15%,17%~I21%的Ni/Au/-InAlN肖特基二极管InAlN样品表面态性质(表面态密度、时间常数和相对于InAlN导带底的能级位置).I-V和变频C—V方法测量得到的实验结果表明,随着In组分增加,肖特基势垒高度逐渐降低,表面态密度依次增加.变频C-V特性还表明,随着测试频率降低,c—y曲线有序地朝正电压方向移动,该趋势随着In组分的增加而变得更加明显,这可能归结于InAlN表面态的空穴发射.AFM表面形貌研究揭示InAlN表面粗糙度增加可能是表面态密度增加的主要原因. 展开更多
关键词 不同In组分的InAlN材料 表面态 电流 电压特性 变频电容 电压特性
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