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数字图像处理技术在面阵CCD自动检测系统中的应用 预览 被引量:4
1
作者 刘成忠 刘键强 《电脑开发与应用》 2003年第3期 23-25,共3页
介绍了数字图像处理的基本概念、基本原理,对面阵CCD自动检测系统中应用到的基于样条小波的多尺度边缘检测和基于空间矩的亚像素细分等数字图像处理技术进行了详细的说明.
关键词 数字图像处理 面阵CCD 自动检测系统 应用 边缘检测 亚像素细分 计算机
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Oxygen Scavenging Effect of LaLuO3/TiN Gate Stack in High-Mobility Si/SiGe/SOI Quantum-Well Transistors
2
作者 冯锦锋 刘畅 +1 位作者 俞文杰 彭颖红 《中国物理快报:英文版》 SCIE CAS CSCD 2016年第5期108-110,共3页
Higher-κ dielectric LaLuO_3,deposited by molecular beam deposition,with TiN as gate stack is integrated into high-mobility Si/SiGe/SOI quantum-well p-type metal-oxide-semiconductor field effect transistors.Threshold ... Higher-κ dielectric LaLuO_3,deposited by molecular beam deposition,with TiN as gate stack is integrated into high-mobility Si/SiGe/SOI quantum-well p-type metal-oxide-semiconductor field effect transistors.Threshold voltage shift and capacitance equivalent thickness shrink are observed,resulting from oxygen scavenging effect in LaLuO_3 with Ti-rich TiN after high temperature annealing.The mechanism of oxygen scavenging and its potential for resistive memory applications are analyzed and discussed. 展开更多
关键词 金属氧化物 场效应晶体管 清除作用 高流动性 锗/硅 量子阱 栅极 堆栈
GaAs HEMT开关器件的大信号模型
3
作者 刘亚男 杜光伟 +2 位作者 胡志富 孙希国 崔玉兴 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2016年第6期446-450,480共6页
为了更好地表征GaAs HEMT开关器件的特性,提出了一种基于经验公式的改进型大信号模型。基于0.25μm HEMT工艺制备不同栅指数和单指栅宽的GaAs HEMT开关器件,然后对这些器件进行直流I-V特性和多偏置S参数的测试。采用栅源电流模型、漏源... 为了更好地表征GaAs HEMT开关器件的特性,提出了一种基于经验公式的改进型大信号模型。基于0.25μm HEMT工艺制备不同栅指数和单指栅宽的GaAs HEMT开关器件,然后对这些器件进行直流I-V特性和多偏置S参数的测试。采用栅源电流模型、漏源电流模型和电容模型对测试曲线进行拟合,从而得到可定标的GaAs开关大信号模型。对模型的开态插损和关态隔离度进行小信号仿真,模型的仿真结果与测试结果吻合较好,验证了此模型有较高的精准度。通过大信号负载牵引测试验证了模型的有效性,此模型可用于GaAs HEMT开关器件的设计、开发及应用。 展开更多
关键词 GAAS HEMT 开关 大信号 模型
fT/fmax>230/290GHZ的超薄势垒InAlGaN/AlN/GaN HEMTs 预览
4
作者 朱广润 张凯 孔月婵 《固体电子学研究与进展》 CAS CSCD 北大核心 2016年第2期171-,共1页
<正>氮化镓(GaN)材料具有大的禁带宽度、高击穿场强、高电子迁移率和高电子饱和速度等优良特性,不仅在微波大功率器件领域有广泛的应用,而且在超高频器件领域具备独特优势。南京电子器件研究所采用高极化强度的超薄InAlGaN势垒层... <正>氮化镓(GaN)材料具有大的禁带宽度、高击穿场强、高电子迁移率和高电子饱和速度等优良特性,不仅在微波大功率器件领域有广泛的应用,而且在超高频器件领域具备独特优势。南京电子器件研究所采用高极化强度的超薄InAlGaN势垒层形成InAlGaN/AlN/GaN异质结构,实现了电流截止 展开更多
关键词 微波大功率 极化强度 电子迁移率 势垒层 HZ f_T/f max 异质结构 击穿场强 氮化镓
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三极管应用电路实例(上):谈谈三极管三个电极电阻的选择
5
作者 葛中海 《无线电》 2004年第10期 59-61,共3页
三极管既包括双极型晶体管(BJT),又包括场效应管(FET),而场效应管按结构又可分为结型(JEFT)和绝缘栅型(IGFET)两种。绝缘栅型场效应管绝大多数是由金属氧化物半导体构成的FET型场效应管(MOSFET)。
关键词 场效应管 三极管 应用电路 BJT MOSFET 双极型晶体管 金属氧化物半导体 绝缘 电阻 电极
MOSFET低温热载流子效应 预览
6
作者 刘卫东 魏同立 《东南大学学报:自然科学版》 EI CAS CSCD 1994年第2期 15-21,共7页
与常温下相比,低温工作MOS器件具有许多优点,但低温热载流子引起的器件蜕变却明显增强,本文简要研究了这种效应,包括低温热载流子的行为和界面态的产生及其对器件特性蜕变的影响,最后,从器件结构和工作条件等方面提出了抑制低... 与常温下相比,低温工作MOS器件具有许多优点,但低温热载流子引起的器件蜕变却明显增强,本文简要研究了这种效应,包括低温热载流子的行为和界面态的产生及其对器件特性蜕变的影响,最后,从器件结构和工作条件等方面提出了抑制低温热载流子效应的设计考虑。 展开更多
关键词 低温 热载流子 MOS 场效应晶体管
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华硕超薄王DVD刻景机SDRW-0806T-D新上市 预览
7
《电脑应用文萃》 2006年第3期 20,共1页
新款超薄王SDRW-0806T-D的外观依然是荣获2005工业设计“大满贯“(包括2005iF德国,iF中国、德国红点、美国IDEA四项大奖)的经典造型。略有不同的是.新产品增加了全黑色机身造型.让用户有了更多更酷的选择。
关键词 超薄 DVD 上市 华硕 机身造型 工业设计 IDEA 德国
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12GHz GaAs/InGaAs异质结双栅功率场效应晶体管 预览 被引量:1
8
作者 王玉林 吴仲华 《固体电子学研究与进展》 CAS CSCD 北大核心 1997年第2期 110-113,共4页
报道了GaAs/InGaAs异质结双栅功率场效应晶体管的设计考虑,器件结构和制作,讨论了所采用一些关键工艺,给出了器件性能,在12GHz下,最大输出功率≥130mW,增益≥12dB功率附加效率≥30%。
关键词 异质结 双栅功率 场效应晶体管
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一个干涉图法波面位相自动探测 预览
9
作者 王文生 《半导体光电》 EI CAS CSCD 北大核心 1997年第3期 179-182,共4页
用He-Ne激光器作光源、CCD摄像机-微机系统作探测器,应用一个干涉图法在泰曼干涉仪上实现了自动计算干涉图,不但再现了二维等高线图,而且获得了三维波面面形,作为实例,测试了玻璃平板的不平行度。
关键词 泰曼干涉仪 干涉图 CCD摄像机 电荷耦合器件
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明明白白影像传感器 预览
10
作者 一川 《照相机》 北大核心 2000年第6期 28-29,共2页
关键词 数码相机 影像传感器 CCD CMOS
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新型4H-SiC肖特基二极管的仿真与分析 预览 被引量:1
11
作者 李俊楠 战可涛 《北京化工大学学报:自然科学版》 CAS CSCD 北大核心 2012年第4期117-121,共5页
设计了斜面结构碳化硅肖特基二极管(4H-SiC SBD)并且在器件中加入场环结构,通过基于半导体物理理论的计算机辅助设计软件(Silvaco-TCAD)分析计算了常规结构和新结构SiC-SBD器件的V-I特性、击穿电压、温度热学分布。对比计算结果,可... 设计了斜面结构碳化硅肖特基二极管(4H-SiC SBD)并且在器件中加入场环结构,通过基于半导体物理理论的计算机辅助设计软件(Silvaco-TCAD)分析计算了常规结构和新结构SiC-SBD器件的V-I特性、击穿电压、温度热学分布。对比计算结果,可知新结构SiC-SBD器件击穿电压提高至2300 V,导通电阻减小,温度热学分布明显优于常规结构SiC-SBD器件。 展开更多
关键词 4H-SIC 肖特基二极管 击穿电压 V-I特性
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功率型LED封装趋势 预览 被引量:1
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作者 柴储芬 《中小企业管理与科技》 2012年第21期311-312,共2页
本文重点介绍了陶瓷基板模封硅胶、COB封装、高压LED、Remote—phosphorLED、倒装心--N-片封装技术等几种LED的封装趋势,分析了各技术方案的优缺点。
关键词 封装 硅胶 COB LED 远程荧光体
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氨敏场效应晶体管微型化的研究 预览
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作者 段振新 《传感器技术》 CSCD 1991年第2期 10-12,共3页
本文对探头及测试器件的微型化,研究了一些有效办法并用了氨敏场效应晶体管,取得成功
关键词 氨敏 场效应晶体管 微型化 探测器
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准一维碳纳米管的含时输运性质的研究(英文) 预览
14
作者 夏春萍 肖广然 +1 位作者 李浩 王伟 《固体电子学研究与进展》 CAS CSCD 北大核心 2013年第4期317-322,共6页
提出了一种数值模拟方法,用于研究准一维碳纳米管系统的含时输运特性。基于非平衡格林函数,通过提出的方法,对准一维碳纳米管系统的电学性质进行数值计算。计算结果显示:当同一连续方波作用于电极时,电极与碳纳米管之间的耦合能越大,... 提出了一种数值模拟方法,用于研究准一维碳纳米管系统的含时输运特性。基于非平衡格林函数,通过提出的方法,对准一维碳纳米管系统的电学性质进行数值计算。计算结果显示:当同一连续方波作用于电极时,电极与碳纳米管之间的耦合能越大,电流的最初上升值越大,弛豫时间越短;当输入电压为低频正弦信号,响应电流曲线变得不规则。本仿真结果有利于对纳米材料电学性质的评估,为纳米电子器件的设计和优化提供理论指导。 展开更多
关键词 非平衡格林函数 含时输运性质 准一维碳纳米管系统
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衍射条纹CCD拟合定位方法及其精度分析 预览 被引量:13
15
作者 张广军 《仪器仪表学报》 EI CAS CSCD 北大核心 1995年第1期 107-109,91,共4页
衍射条纹CCD拟合定位方法及其精度分析张广军(北京航空航天大学)0引言电荷耦合器件CCD是70年代发展起来的新型光电器件,它以其线性好、体积小、功耗低、响应速度快及空间分辨率高等优点,已在光衍射测试技术中作为衍射条纹... 衍射条纹CCD拟合定位方法及其精度分析张广军(北京航空航天大学)0引言电荷耦合器件CCD是70年代发展起来的新型光电器件,它以其线性好、体积小、功耗低、响应速度快及空间分辨率高等优点,已在光衍射测试技术中作为衍射条纹的探测器件而得到了广泛应用。利用C... 展开更多
关键词 电荷耦合器件 CCD 衍射条纹定位 衍射测试技术
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Degradation mechanism of enhancement-mode AlGaN/GaN HEMTs using fluorine ion implantation under the on-state gate overdrive stress
16
作者 孙伟伟 郑雪峰 +9 位作者 范爽 王冲 杜鸣 张凯 陈伟伟 曹艳荣 毛维 马晓华 张进成 郝跃 《中国物理B:英文版》 SCIE EI CAS CSCD 2015年第1期444-448,共5页
The degradation mechanism of enhancement-mode Al Ga N/Ga N high electron mobility transistors(HEMTs)fabricated by fluorine plasma ion implantation technology is one major concern of HEMT’s reliability.It is observed ... The degradation mechanism of enhancement-mode Al Ga N/Ga N high electron mobility transistors(HEMTs)fabricated by fluorine plasma ion implantation technology is one major concern of HEMT’s reliability.It is observed that the threshold voltage shows a significant negative shift during the typical long-term on-state gate overdrive stress.The degradation does not originate from the presence of as-grown traps in the Al Ga N barrier layer or the generated traps during fluorine ion implantation process.By comparing the relationships between the shift of threshold voltage and the cumulative injected electrons under different stress conditions,a good agreement is observed.It provides direct experimental evidence to support the impact ionization physical model,in which the degradation of E-mode HEMTs under gate overdrive stress can be explained by the ionization of fluorine ions in the Al Ga N barrier layer by electrons injected from 2DEG channel.Furthermore,our results show that there are few new traps generated in the Al Ga N barrier layer during the gate overdrive stress,and the ionized fluorine ions cannot recapture the electrons. 展开更多
关键词 HEMT器件 离子注入技术 降解机理 氟离子 ALGAN 动应力 增强型 栅极
55V沟槽型功率场效应管设计 预览
17
作者 汪德波 冯全源 陈晓培 《电子器件》 CAS 北大核心 2015年第1期23-26,共4页
设计了一款55V N沟道沟槽型功率器件。通过对元胞与边端进行理论分析,结合实际工艺,对元胞与边端进行合理优化。通过对流片测试数据的分析,最终实现击穿电压为69.562V、阈值电压2.85V、特征导通电阻537.8 mΩ·cm2的功率器件设计。... 设计了一款55V N沟道沟槽型功率器件。通过对元胞与边端进行理论分析,结合实际工艺,对元胞与边端进行合理优化。通过对流片测试数据的分析,最终实现击穿电压为69.562V、阈值电压2.85V、特征导通电阻537.8 mΩ·cm2的功率器件设计。仿真与流片的击穿电压偏差1.5%、阈值电压偏差2.4%、导通电阻偏差0.83%,器件具有较高的可靠性。 展开更多
关键词 沟槽功率器件 元胞 终端 流片测试
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0.18μm NMOSFETS的衬底偏压增强电子注入的电荷泵技术 预览
18
作者 王庆学 《功能材料与器件学报》 CAS CSCD 北大核心 2008年第3期 702-706,共5页
分别研究了0.18μm NMOSFETS的传统漏雪崩热载流子(DAHC)和衬底偏压增强电子注入(SEEI)的退化机制。结果表明,在这两个偏置条件下,界面缺陷的产生均是导致热载流子诱导器件性能退化的主导因素。界面缺陷诱导的反型层电子迁移率下降... 分别研究了0.18μm NMOSFETS的传统漏雪崩热载流子(DAHC)和衬底偏压增强电子注入(SEEI)的退化机制。结果表明,在这两个偏置条件下,界面缺陷的产生均是导致热载流子诱导器件性能退化的主导因素。界面缺陷诱导的反型层电子迁移率下降是导致先进深亚微米NMOSFETS电学特性退化的根本原因。 展开更多
关键词 SEEI 界面缺陷 电荷泵
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汽车电子 预览
19
《电子产品世界》 2008年第10期 136,共1页
飞思卡尔芯片提升汽车安全气囊技术,IR推出适合汽车应用的坚固可靠600V IC
关键词 汽车电子 汽车安全气囊 汽车应用 IC
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初级端调节PWM控制器 预览
20
《今日电子》 2009年第6期 67,共1页
FSEZ1016A是集成了一个初级端调节PWM控制器和一个功率MOSFET的EZSWITCH PSR PWM控制器,而FAN100是一个初级端调节PWM控制器。FSEZ1016A 和 FAN100具有专有的节能模式,提供关断时间调制功能,
关键词 PWM控制器 功率MOSFET 节能模式 时间调制 PSR
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