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残余应力对SrRuo3薄膜磁学及电输运性能的影响 预览
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作者 朱明康 董显林 +2 位作者 陈莹 丁国际 王根水 《无机材料学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2017年第1期75-80,共6页
采用射频磁控溅射法在单晶SrTiO3(STO)衬底和硅(Si)衬底上制备出不同取向的SrRuO3(SRO)薄膜,对薄膜的残余应力进行了分析,并研究了应力对不同取向SRO薄膜磁学性能与电输运特性的影响。根据X射线衍射(XRD)结果分析可知,Si基SR... 采用射频磁控溅射法在单晶SrTiO3(STO)衬底和硅(Si)衬底上制备出不同取向的SrRuO3(SRO)薄膜,对薄膜的残余应力进行了分析,并研究了应力对不同取向SRO薄膜磁学性能与电输运特性的影响。根据X射线衍射(XRD)结果分析可知,Si基SRO薄膜为多晶单轴取向薄膜,且应力来源主要为热失配拉应力;STO基SRO薄膜为外延薄膜,其应力主要为热失配压应力和外延压应力;磁学性能测试表明,(001)取向SRO薄膜比(110)取向薄膜拥有更高的居里温度Tc;压应力提高Y(001)取向SRO薄膜的TC,却降低了(110)取向薄膜的TC。电阻性能测试表明,对于在同种类型衬底上沉积的SRO薄膜,(001)取向的薄膜的剩余表面电阻比(RRR)高于(110)取向的薄膜。另外,拉应力引起了薄膜微结构的无序度增加,弱化了表面电阻率的温度依赖性,提高了金属绝缘体转变温度(TMI)。 展开更多
关键词 钌酸锶 取向 残余应力 磁学性能 电输运特性
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Epitaxial thin film of SmFeO_3 ferroelectric heterostructures 被引量:1
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作者 SI WenZhe HUANG KeKe +1 位作者 WU XiaoFeng FENG ShouHua 《中国科学:化学英文版》 SCIE EI CAS 2014年第6期803-806,共4页
Epitaxial growth of SmFeO3/SrRuO3 was achieved on SrTiO3 substrates by the pulsed laser deposition(PLD)method at 973 K under oxygen partial pressure of 12.5 Pa.No Fe2+leakage was detected in our SmFeO3 film.The remane... Epitaxial growth of SmFeO3/SrRuO3 was achieved on SrTiO3 substrates by the pulsed laser deposition(PLD)method at 973 K under oxygen partial pressure of 12.5 Pa.No Fe2+leakage was detected in our SmFeO3 film.The remanent polarization and coercive electric field of the thin film with a higher degree of orientation along(110)were 1.97μC/cm2 and 0.89×104 V/cm at room temperature,respectively.This film showed enhanced canted antiferromagnetism spin ordering compared with its corresponding powder materials. 展开更多
关键词 外延薄膜 异质 铁电 SRRUO3 脉冲激光沉积 SRTIO3 外延生长 剩余极化
沉积温度对磁控溅射BiFeO3薄膜结构和性能的影响 预览 被引量:10
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作者 赵庆勋 张婷 +3 位作者 马继奎 魏大勇 王宽冒 刘保亭 《人工晶体学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2011年第4期921-925,共5页
应用磁控溅射法在以SrRuO3(SRO)薄膜为缓冲层的Pt/TiO2/SiO2/Si(001)基片上制备了多晶BiFeO3(BFO)薄膜,构架了SRO/BFO/SRO异质结电容器。采用X射线衍射、铁电测试仪等研究沉积温度对BFO薄膜结构和性能的影响。X射线衍射图谱显示BF... 应用磁控溅射法在以SrRuO3(SRO)薄膜为缓冲层的Pt/TiO2/SiO2/Si(001)基片上制备了多晶BiFeO3(BFO)薄膜,构架了SRO/BFO/SRO异质结电容器。采用X射线衍射、铁电测试仪等研究沉积温度对BFO薄膜结构和性能的影响。X射线衍射图谱显示BFO薄膜为多晶结构。在2.5 kHz测试频率下,500℃生长的BFO薄膜呈现比较饱和的电滞回线,2Pr为145μC/cm2,矫顽场Ec为158 kV/cm,漏电流密度约为2.4×10-4A/cm2。漏电机制研究表明,在低电场区,SRO/BFO/SRO电容器满足欧姆导电机制,在高电场区,满足普尔-弗兰克导电机理。实验发现:SRO/BFO/SRO电容器经过109翻转后仍具有良好的抗疲劳特性。 展开更多
关键词 磁控溅射 沉积温度 SRRUO3 BIFEO3薄膜
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沉积温度对磁控溅射生长SrRuO3薄膜结构和性能的影响 预览 被引量:2
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作者 王宽冒 张沧生 +5 位作者 李曼 周阳 王玉强 王侠 彭英才 刘保亭 《人工晶体学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2010年第1期 135-138,148,共5页
采用射频磁控溅射法在(001)SrTiO3基片上制备了SrRuO3薄膜,采用X射线衍射(XRD)、原子力显微镜(AFM)、四探针测试仪等分析方法系统研究了沉积温度对SrRuO3薄膜结构、表面形貌及输运性质的影响。实验结果表明:当生长温度低于550℃... 采用射频磁控溅射法在(001)SrTiO3基片上制备了SrRuO3薄膜,采用X射线衍射(XRD)、原子力显微镜(AFM)、四探针测试仪等分析方法系统研究了沉积温度对SrRuO3薄膜结构、表面形貌及输运性质的影响。实验结果表明:当生长温度低于550℃时,SrRuO3薄膜为多晶结构;当温度在550~650℃范围内变化时,SrRuO3薄膜可以在SrTiO3基片上外延生长,薄膜的最低电阻率约为0.5mΩ.cm。 展开更多
关键词 SRRUO3 磁控溅射 外延薄膜
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SrRuO3导电层对快速退火制备Pb(Zr,Ti)O3薄膜结构和性能的影响 预览 被引量:6
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作者 王宽冒 刘保亭 +4 位作者 倪志宏 赵敬伟 李丽 李曼 周阳 《人工晶体学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2010年第3期 608-612,627,共6页
采用溶胶-凝胶法在Pt/Ti/SiO2/Si基片上,制备了Pt/Pb(Zr,Ti)O3(PZT)/Pt和SrRuO3(SRO)/PZT/SrRuO3(SRO)异质结电容器,并研究了快速退火条件下SRO导电层对PZT结构和性能的影响。XRD测试表明,两种结构电容器中的PZT薄膜均为钙钛矿... 采用溶胶-凝胶法在Pt/Ti/SiO2/Si基片上,制备了Pt/Pb(Zr,Ti)O3(PZT)/Pt和SrRuO3(SRO)/PZT/SrRuO3(SRO)异质结电容器,并研究了快速退火条件下SRO导电层对PZT结构和性能的影响。XRD测试表明,两种结构电容器中的PZT薄膜均为钙钛矿结构,SRO/PZT/SRO、Pt/PZT/Pt均具有较好的铁电性和脉宽依赖性,5V电压下两电容器的剩余极化强度Pr和矫顽电压Vc分别为28.3μC/cm2、1.2V和17.4μC/cm2、2.1V。在经过1010次翻转后,SRO/PZT/SRO铁电电容器疲劳特性相对于Pt/PZT/Pt电容器有了较大的改善,但SRO导电层的引入也带来了漏电流增大的问题。 展开更多
关键词 钌酸锶 锆钛酸铅 快速退火
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High resolution X-ray diffraction investigation of epitaxially grown SrTiO3 thin films by laser-MBE
6
作者 翟章印 吴小山 贾全杰 《中国物理C:英文版》 SCIE CAS CSCD 2009年第11期949-953,共5页
SrTiO3 thin films are epitaxially grown on DyScO3, LaAlO3 substrates with/without buffer layers of DyScO3 and SrRuO3 using laser-MBE.X-ray diffraction methods, such as high resolution X-ray diffraction, grazing incide... SrTiO3 thin films are epitaxially grown on DyScO3, LaAlO3 substrates with/without buffer layers of DyScO3 and SrRuO3 using laser-MBE.X-ray diffraction methods, such as high resolution X-ray diffraction, grazing incident X-ray diffraction, and reciprocal space mapping are used to investigate the lattice structure, dislocation density, in-plane lattice strain distribution along film thickness.From the measurement results, the effects of substrate on film lattice quality and microstructure are discussed. 展开更多
关键词 X射线衍射方法 激光分子束外延 钛酸锶薄膜 外延生长 高分辨率 掠入射X射线衍射 SRRUO3 晶格结构
Fabrication of atomically smooth SrRuO3 thin films by laser molecular beam epitaxy
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《中国科学:物理学、力学、天文学英文版》 SCIE EI CAS 2008年第7期745-749,共5页
High-quality SrRuO3 (SRO) thin films and SrTiO3/SRO bilayer were grown epitaxially on SrTiO3 (STO)(001) substrates by laser molecular beam epitaxy. The results of in situ observation of reflection high-energy electro... High-quality SrRuO3 (SRO) thin films and SrTiO3/SRO bilayer were grown epitaxially on SrTiO3 (STO)(001) substrates by laser molecular beam epitaxy. The results of in situ observation of reflection high-energy electron diffraction and ex situ X-ray diffraction θ -2θ scan indicate that the SRO thin films have good crystallinity. The measurements of atomic force microscopy and scan tunneling microscopy reveal that the surface of the SRO thin film is atomically smooth. The resistivity of the SRO thin film is 300 μΩ·cm at room temperature. Furthermore, the transmission electron microscopy study shows that the interfaces of STO/SRO and SRO/STO are very clear and no interfacial reaction layer was observed. The experimental results show that the SRO thin film is an excellent electrode material for devices based on perovskite oxide materials. 展开更多
关键词 SRRUO3 THIN film laser molecular beam EPITAXY surface morphology
SrRuO3阳极催化剂的制备及对乙醇电催化氧化性能研究 预览 被引量:4
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作者 崔莉莉 周德璧 +1 位作者 曲军林 胡剑文 《无机化学学报》 SCIE CAS CSCD 北大核心 2007年第11期 1970-1974,共5页
用溶胶凝胶法制备了钙钛矿型氧化物SrRuO3,热重分析和X射线衍射分别对制备过程和产物进行了分析和表征。采用循环伏安、计时电流和交流阻抗方法测试了所得产物对常温下碱性介质中乙醇电化学氧化的催化性能。循环伏安曲线、计时电流和交... 用溶胶凝胶法制备了钙钛矿型氧化物SrRuO3,热重分析和X射线衍射分别对制备过程和产物进行了分析和表征。采用循环伏安、计时电流和交流阻抗方法测试了所得产物对常温下碱性介质中乙醇电化学氧化的催化性能。循环伏安曲线、计时电流和交流阻抗结果表明:在乙醇溶液中,阳极电流密度明显大于氢氧化钾溶液中的阳极电流密度,并且随着电极中SrRuO3含量的增加,电流密度也大幅度增加,在乙醇溶液中,SrRuO3电极的电荷迁移阻抗明显降低。SrRuO3对乙醇电化学氧化具有良好的催化作用。 展开更多
关键词 SRRUO3 乙醇电化学氧化 计时电流 交流阻抗
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SrRuO3的相变规律与临界指数的研究 预览
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作者 侯登录 赵晶 +1 位作者 杜国强 唐贵德 《功能材料》 EI CAS CSCD 北大核心 2004年第z1期 784-786,共3页
利用交流磁化率实验结果研究SrRuO3材料的相变规律:利用居里温度处M(h,0)∝h1/δ关系得到δ=3.17±0.20.计算约化温度tm=(Tm-TC)/TC,利用公式,tm∝h1/(γ+β),得到γ+β值为1.50±0.05.利用交流磁化率峰的高度xm与峰的温度tm的... 利用交流磁化率实验结果研究SrRuO3材料的相变规律:利用居里温度处M(h,0)∝h1/δ关系得到δ=3.17±0.20.计算约化温度tm=(Tm-TC)/TC,利用公式,tm∝h1/(γ+β),得到γ+β值为1.50±0.05.利用交流磁化率峰的高度xm与峰的温度tm的关系,xm(h,tm)∝tm-γ,得到指数y=0.96±0.05.以上结果与平均场预测值相近. 展开更多
关键词 相变 SRRUO3 磁性材料 临界指数
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在氧-水蒸气存在下单相Sr2(Gd,Ce)2Cu2RuO10的合成及其电学性质
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作者 李明德 王忠兵 +3 位作者 杨宏顺 阮可青 曹烈兆 陈祖耀 《物理学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2003年第10期 2596-2600,共5页
传统固相反应所合成的锶系钌铜氧化物,通常总伴有少量铁磁性SrRuO3杂相.采用氧(或空气)-水蒸气混合气氛下的新型固相反应,既能成功合成锶系钌铜氧化物的前驱物纯相Sr2GdRuO6(211相), 也能进一步在相对低的温度下成功合成锶系钌铜氧1222... 传统固相反应所合成的锶系钌铜氧化物,通常总伴有少量铁磁性SrRuO3杂相.采用氧(或空气)-水蒸气混合气氛下的新型固相反应,既能成功合成锶系钌铜氧化物的前驱物纯相Sr2GdRuO6(211相), 也能进一步在相对低的温度下成功合成锶系钌铜氧1222纯相化合物RuSr2(Gd,Ce)2Cu2O10 (Ru-1222),使其中SrRuO3杂相含量大大减少.详细讨论了新型固相反应下产物的形成及其机理,并涉及SrRuO3杂相的存在对RuSr2(Gd,Ce)2Cu2O10产物电学性质的影响.结果表明,水蒸气的作用能抑制前驱物合成中SrRuO3杂相的形成,进而控制反应产物Ru-1222相中SrRuO3杂相的存在,而后者又有利于Ru-1222相超导电性的获得. 展开更多
关键词 氧-水蒸气混合气体 超导体 单相 Sr2(Gd Ce)2Cu2RuO10 合成 电学性质 SrRuO3杂相 铁磁性 纯相
SrRuO3的磁化率随温度的变化关系 预览 被引量:5
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作者 侯登录 徐静 +2 位作者 唐贵德 聂向富 姜恩永 《稀有金属》 EI CAS CSCD 北大核心 2003年第5期 652-654,共3页
用固相反应法制备了SrRuO3样品, 用物理性质测量系统PPMS测量, 得到了样品在不同直流偏磁场下的交流磁化率随温度变化关系曲线. 观察到SrRuO3的磁化率曲线在居里温度附近呈现临界峰和Hopkinson峰, 它们的位置随直流偏磁场的不同而有规... 用固相反应法制备了SrRuO3样品, 用物理性质测量系统PPMS测量, 得到了样品在不同直流偏磁场下的交流磁化率随温度变化关系曲线. 观察到SrRuO3的磁化率曲线在居里温度附近呈现临界峰和Hopkinson峰, 它们的位置随直流偏磁场的不同而有规律的变化. SrRuO3的Hopkinson峰随磁场的增大向低温移动, 而其临界峰随磁场的增大几乎不变, 并分析了上述现象的原因. 展开更多
关键词 磁化率 Hopkinson峰 SRRUO3
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烧结SrRuO3的交流磁化率 预览
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作者 李秀玲 何琪 +1 位作者 栗淑花 张上慧 《河北师范大学学报:自然科学版》 CAS 2003年第3期 259-261,共3页
采用固相反应法制备了SrRuO3样品,利用物理性质测量系统(PPMS)测量了样品在不同直流偏磁场下的交流磁化率随温度的变化关系曲线.磁化率曲线在居里温度附近呈现一个尖锐的峰,峰的位置随直流偏磁场的增加而复杂变化.
关键词 SRRUO3 固相反应法 交流磁化率 居里温度 磁学性质 磁性材料
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巡游铁磁体SrRuO3磁性的Preisach描述 预览
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作者 侯登录 姜恩永 +3 位作者 R.M.Roshko 杨连祥 唐贵德 聂向富 《材料研究学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2002年第6期 575-579,共5页
测量了巡游铁磁体SrRuO3的零场冷却(ZFC)和加场冷却(FC)的磁化强度随温度的变化关系,以及不同温度下的磁滞回线.考虑了热涨落和自由能壁垒随温度的变化,改进了Preisach模型并对测量数据进行了拟合.数值模拟再现了测量结果的变化规律,包... 测量了巡游铁磁体SrRuO3的零场冷却(ZFC)和加场冷却(FC)的磁化强度随温度的变化关系,以及不同温度下的磁滞回线.考虑了热涨落和自由能壁垒随温度的变化,改进了Preisach模型并对测量数据进行了拟合.数值模拟再现了测量结果的变化规律,包括在不同温度下的磁滞回线和在不同外磁场下的ZFC和FC磁化强度曲线等.对拟合出的巴克豪森跳跃谱进行了讨论. 展开更多
关键词 巡游铁磁体 SRRUO3 磁性 PREISACH模型 铁磁性材料 不可逆过程 磁滞回线 磁化强度
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SrRuO3的制备及其结构与磁性 预览
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作者 李凤舞 高恒志 《信息记录材料》 2002年第1期 11-13,共3页
利用固相反应法制备了多晶SrRuO3固体.利用X射线衍射确定样品的相结构为正交畸变钙钛矿结构,空间群为Pbnm.利用最小二乘法求得晶格常数为a=0.5548 nm,b=0.5551 nm,c=0.7830 nm.利用物理性质测量系统(PPMS)测量样品在不同偏磁场下的交流... 利用固相反应法制备了多晶SrRuO3固体.利用X射线衍射确定样品的相结构为正交畸变钙钛矿结构,空间群为Pbnm.利用最小二乘法求得晶格常数为a=0.5548 nm,b=0.5551 nm,c=0.7830 nm.利用物理性质测量系统(PPMS)测量样品在不同偏磁场下的交流磁化率、零场冷却(ZFC)和加场冷却(FC)磁化强度随温度的变化规律,对此规律给出了合理解释. 展开更多
关键词 SRRUO3 制备 结构 磁性 铁磁体 磁化强度 磁化率
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Zero—field—cooled and field—cooled magnetizations and magnetic susceptibility of itinerant ferromagnet SrRuO3
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作者 侯登录 姜恩永 《中国物理B:英文版》 SCIE EI CAS CSCD 2002年第8期827-833,共7页
Zero-field-cooled(ZFC) magnetization,field-cooled(FC) magnetization,ac magnetic susceptibility and major hysteresis loops of itinerant ferromagnet SrRuO3 have been measured at magnetic ordering temperatures ranging fr... Zero-field-cooled(ZFC) magnetization,field-cooled(FC) magnetization,ac magnetic susceptibility and major hysteresis loops of itinerant ferromagnet SrRuO3 have been measured at magnetic ordering temperatures ranging from 5 to 160K.An empirical model is proposed to calculate the measured ZFC magnetization.The result indicates that the calculated ZFC magnetization compares well with the measured one.Based on the generalized Preisach model.both the ZFC and FC curves are reproduced by numerical simulations.The critical temperature and critical exponents are determined by measuring the ac magnetic susceptibility in different bias magnetic fields at temperatures in the vicinity of the point of phase transition. 展开更多
关键词 铁磁体 SRRUO3 场冷却磁化 磁敏感性
SrRuO3的电子结构与磁性研究 被引量:1
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作者 谭明秋 陶向明 何军辉 《物理学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2001年第11期 2203-2207,共5页
用自洽的全势能线性丸盒轨道能带方法计算了氧化物体系SrRuO3(SRO)的电子结构和磁性.对于理想的立方钙钛矿结构的计算得出的电子结构明显改善了已有的计算结果:每个元胞的磁矩为1.29 μB,按原子球划分为0.84μB/Ru原子和0.11μB/O原子;... 用自洽的全势能线性丸盒轨道能带方法计算了氧化物体系SrRuO3(SRO)的电子结构和磁性.对于理想的立方钙钛矿结构的计算得出的电子结构明显改善了已有的计算结果:每个元胞的磁矩为1.29 μB,按原子球划分为0.84μB/Ru原子和0.11μB/O原子;Sr 原子上的自旋磁矩几乎为零;费米能级处的态密度N(EF)为43.5(states/Ryd/f.u.).关于实际的正交结构SRO,计算得出磁矩为1.08μB/f.u.的铁磁性基态,费米能级处的态密度N(EF)为61.0(states/Ryd/f.u.),电子线性比热系数γ为10.60mJ/mol@K2.结果说明SRO是一宽能带的巡游铁磁性体系. 展开更多
关键词 电子结构 磁性 SRRUO3 高温氧化物超导体
控制原子级结构开发金属氧化物
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《金属功能材料》 CAS 2018年第6期51-51,共1页
日本京都大学化学研究所菅大介认为,控制氧化物原子级结构是开发金属氧化物新功能特性的途径,借助环状亮场扫描电镜研究微结构。对具有钙钛矿型结构巡游铁磁体SrRuO3,设计氧原子位移界面能环(ring),调整Ru-O-Ru结合键角度,在不改变化学... 日本京都大学化学研究所菅大介认为,控制氧化物原子级结构是开发金属氧化物新功能特性的途径,借助环状亮场扫描电镜研究微结构。对具有钙钛矿型结构巡游铁磁体SrRuO3,设计氧原子位移界面能环(ring),调整Ru-O-Ru结合键角度,在不改变化学成分条件下,使SrRuO3薄膜结构由单斜晶变成正方晶,这种变化显著地影响磁性各向异性。 展开更多
关键词 金属氧化物 原子级结构 开发 控制 SRRUO3 日本京都大学 钙钛矿型结构 化学研究所
硅基外延SrRuO3/PbZr0.5Ti0.5O3/SrRuO3电容器的结构和性能研究 预览
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作者 朱慧娟 刘保亭 +2 位作者 代秀红 郭建新 周阳 《人工晶体学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2013年第3期428-431,451共5页
传统的方法很难直接在硅衬底上制备外延的氧化物铁电电容器,本实验采用生长在硅衬底上的外延SrTiO3为模板,直接生长了SrRuO3/PbZr0.5Ti0.5O3/SrRuO3电容器异质结,并对其结构及性能进行了研究。x射线衍射表明所制备的SrRuO3/PbZr... 传统的方法很难直接在硅衬底上制备外延的氧化物铁电电容器,本实验采用生长在硅衬底上的外延SrTiO3为模板,直接生长了SrRuO3/PbZr0.5Ti0.5O3/SrRuO3电容器异质结,并对其结构及性能进行了研究。x射线衍射表明所制备的SrRuO3/PbZr0.5Ti0.5O3/SrRuO3异质结实现了在硅衬底上的外延生长。在5V测试电压下,铁电电容器的剩余极化强度和矫顽电压分别为19.6μC/cm^2和0.8V。当极化翻转次数达到10^10时,铁电电容器的极化强度没有明显的衰减,表明SrRuO3/PbZr0.5Ti0.5O3/SrRuO3电容器具有良好的抗疲劳性能。 展开更多
关键词 硅衬底 外延生长 SrRu03 PbZro5Ti0503 SrRu03异质结
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Critical Behaviour of Sintered SrRuO3
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作者 侯登录 李凤舞 《中国物理快报:英文版》 SCIE CAS CSCD 2002年第5期733-735,共3页
From the measurements of the ac susceptibility of SrRuO3,we determine the critical temperature,Tc=159.7±0.2K and critical exponents δ=2.50±0.15(from the critical isotherm)or δ=3.17±0.20(from magnetiza... From the measurements of the ac susceptibility of SrRuO3,we determine the critical temperature,Tc=159.7±0.2K and critical exponents δ=2.50±0.15(from the critical isotherm)or δ=3.17±0.20(from magnetization versus magnetic field at Curie temperature),γ+β=1.50±0.05(from the temperature dependence of the internal field of the crossover line),and γ=0.96±0.05(from the temperature dependence of the susceptibility along the same line).These exponent values are very close to those predicted by the mean field model. 展开更多
关键词 磁信息存储 烧结SrRuO3 临界行为
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