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GaSb半导体材料表面的化学蚀刻研究进展 预览
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作者 张哲 赵江赫 +2 位作者 张铭 熊青昀 熊金平 《表面技术》 EI CAS CSCD 北大核心 2019年第1期114-125,共12页
提高GaSb材料表面的湿法化学蚀刻速率以及调控蚀刻后GaSb材料的表面形貌,对增强锑化物激光器器件的性能具有重要意义。总结了各种蚀刻体系蚀刻GaSb材料的速率和蚀刻后的表面形貌,及近年来关于GaSb半导体材料化学蚀刻的最新研究进展,关... 提高GaSb材料表面的湿法化学蚀刻速率以及调控蚀刻后GaSb材料的表面形貌,对增强锑化物激光器器件的性能具有重要意义。总结了各种蚀刻体系蚀刻GaSb材料的速率和蚀刻后的表面形貌,及近年来关于GaSb半导体材料化学蚀刻的最新研究进展,关注的体系包括无机酸蚀刻体系、有机酸蚀刻体系、混酸蚀刻体系及其他蚀刻体系,对各蚀刻体系的蚀刻速率及蚀刻后的表面形貌进行对比,指出了各蚀刻体系优点与不足及后续的研究方向,归纳总结各了蚀刻体系中主要组成的作用。综述发现,可用于GaSb化学蚀刻液中的氧化剂主要有H2O2、HNO3、I2、Br2、KMnO4,络合剂(或溶解剂)主要有酒石酸、HF、HCl、柠檬酸等,缓冲剂(或稀释剂)主要有HAc和H2O等。盐酸、双氧水和无机酸组成蚀刻液的蚀刻速率适中,蚀刻表面较为光滑;硝酸、氢氟酸组成的蚀刻液具有蚀刻速率快的优点,可通过添加有机酸或缓冲剂改善蚀刻效果,具有很大的发展前景;磷酸体系则具有蚀刻后台面平整、下切效应小等优点,但蚀刻速率较慢,蚀刻后表面较粗糙;硫酸体系蚀刻后表面较粗糙,不适于GaSb的湿法蚀刻;单一的有机酸和碱性体系的蚀刻速率较慢,但由于具有很强的蚀刻选择性,被广泛应用于GaSb基材料的选择性蚀刻。总体来说,无机酸和有机酸组成的蚀刻体系更有利于提高GaSb材料的蚀刻速率及控制表面形貌,各蚀刻体系均存在蚀刻速率可调性不强、蚀刻形貌质量不可控、蚀刻可重复性较差等问题。基于此,总结了改进湿法化学蚀刻GaSb材料的多种研究思路,并对GaSb材料湿法蚀刻的未来发展方向进行展望。 展开更多
关键词 GaSb半导体材料 化学蚀刻 湿法蚀刻 蚀刻体系 蚀刻速率 蚀刻成分作用
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不同氪离子束参数下的蓝宝石辐照实验
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作者 刘雨昭 陈智利 +2 位作者 费芒芒 惠迎雪 刘卫国 《激光与光电子学进展》 CSCD 北大核心 2019年第12期162-167,共6页
在不同氪(Kr)离子束参数下,研究了微波回旋共振离子源对旋转蓝宝石样片表面的刻蚀效果。采用四因素三水平正交实验,分析了Kr^+离子束的入射角度、离子束能量、束流密度、作用时间对辐照后蓝宝石表面结构的影响规律,研究了离子束参数与... 在不同氪(Kr)离子束参数下,研究了微波回旋共振离子源对旋转蓝宝石样片表面的刻蚀效果。采用四因素三水平正交实验,分析了Kr^+离子束的入射角度、离子束能量、束流密度、作用时间对辐照后蓝宝石表面结构的影响规律,研究了离子束参数与蓝宝石表面粗糙度、刻蚀速率的关系。实验结果表明:当离子束入射角度为60°、能量为600eV、束流密度为239μA·cm^-2、作用时间为90min时,样品表面的粗糙度最大,且形成的表面形貌具有明显的点状结构;在同样的离子束入射角度、能量和束流密度下,作用时间为30min时,刻蚀速率最大,表面形貌点状结构密集。利用最优参数组合可得到良好的点状纳米结构、最优的粗糙度和刻蚀速率。 展开更多
关键词 材料 低能离子束刻蚀 自组织纳米结构 粗糙度 刻蚀速率 表面形貌
传统SAW离子束调频技术研究 预览
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作者 伍平 陈峻 +5 位作者 米佳 董家和 赵雪梅 刘晓莉 董姝 黎亮 《压电与声光》 CAS 北大核心 2019年第6期874-876,共3页
制作传统声表面波(SAW)器件晶圆芯片表面的材料是Al,Al在空气中被氧化,极易生成致密的氧化铝(Al 2O 3)薄膜,由于Al 2O 3薄膜和Al及基底压电材料的刻蚀速率存在差异,会导致SAW的离子束调频过程复杂。该文介绍了一种用于SAW的离子束调频方... 制作传统声表面波(SAW)器件晶圆芯片表面的材料是Al,Al在空气中被氧化,极易生成致密的氧化铝(Al 2O 3)薄膜,由于Al 2O 3薄膜和Al及基底压电材料的刻蚀速率存在差异,会导致SAW的离子束调频过程复杂。该文介绍了一种用于SAW的离子束调频方法,采用该方法对制作的SAW器件进行离子束调频后,实现了目标频率的调高和调低,并进一步提高了频率集中度,从而解决了低频窄带SAW器件及2 GHz以上SAW高频器件频率精度难以提高的工艺难题。 展开更多
关键词 离子束 刻蚀速率 目标频率
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纯钛表面处理及其耐腐蚀性和润湿性研究 预览
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作者 张梦蛟 欧飞洋 陈显春 《功能材料》 CSCD 北大核心 2019年第10期10081-10086,10091共7页
探讨不同酸蚀条件对纯钛片的腐蚀速率、润湿性的影响及其腐蚀机理,旨在为纯钛表面改性及临床应用提供实验和理论依据。采用不同类型的弱酸酸蚀体系对经抛光的纯钛片进行表面处理;视频光学接触角测量仪、扫描电子显微镜和表面粗糙度仪考... 探讨不同酸蚀条件对纯钛片的腐蚀速率、润湿性的影响及其腐蚀机理,旨在为纯钛表面改性及临床应用提供实验和理论依据。采用不同类型的弱酸酸蚀体系对经抛光的纯钛片进行表面处理;视频光学接触角测量仪、扫描电子显微镜和表面粗糙度仪考察所得钛片表面性能,并分析其与润湿性关系。实验表明,接触角不断增大的同时,腐蚀速率逐渐减小。纯钛片表面的润湿性主要取决于表面形成的特殊形貌和表面基团,与表面粗糙度无直接关系。 展开更多
关键词 纯钛 酸蚀 腐蚀速率 表面粗糙度
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阳极磁屏蔽对阳极层霍尔推力器内磁极刻蚀的影响
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作者 赵杰 唐德礼 +4 位作者 许丽 李平川 张帆 李建 桂兵仪 《物理学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2019年第21期226-232,共7页
利用PIC与溅射模拟相结合的方法,研究阳极层霍尔推力器的阳极磁屏蔽对内磁极刻蚀速率的影响.通过磁屏蔽技术,改变了阳极表面的磁场位形分布,提高了推力器磁镜场的磁镜比和中轴线上的正梯度的磁场宽度.磁镜比是原来的1.4倍,且增加了两个... 利用PIC与溅射模拟相结合的方法,研究阳极层霍尔推力器的阳极磁屏蔽对内磁极刻蚀速率的影响.通过磁屏蔽技术,改变了阳极表面的磁场位形分布,提高了推力器磁镜场的磁镜比和中轴线上的正梯度的磁场宽度.磁镜比是原来的1.4倍,且增加了两个鞍形磁场区域.在放电电压900 V,工作气压2×10–2 Pa时,仿真结果表明:在阳极磁屏蔽的情况下,大部分轰击内磁极的离子能量概率分布范围在40-260eV之间,比无屏蔽下的40-360 eV下降了将近100 eV;入射角余弦值的最大概率分布从0.1附近的小范围(入射角84°)扩展到0.1-0.45 (入射角84°-63°)的大范围;阳极屏蔽后的内磁极最大刻蚀速率是6.1×10–10 m/s,比无磁屏蔽时的16×10–10 m/s降低了38.2%.无磁屏蔽下的仿真结果和实验结果具有很好的一致性. 展开更多
关键词 阳极层霍尔推力器 磁屏蔽 入射离子能量 刻蚀速率
全文增补中
低能Kr^+离子束诱导蓝宝石晶体实验研究 预览
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作者 费芒芒 陈智利 +2 位作者 刘卫国 刘雨昭 惠迎雪 《光子学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2019年第6期137-142,共6页
使用微波回旋共振离子源制备蓝宝石(A向)自组织纳米结构,研究不同入射角度下Kr+离子束刻蚀蓝宝石表面形成的自组织纳米结构及其形成过程.采用等离子体与离子束刻蚀设备在不同入射角度下对蓝宝石样品表面进行刻蚀并通过Taylor Surf CCI2... 使用微波回旋共振离子源制备蓝宝石(A向)自组织纳米结构,研究不同入射角度下Kr+离子束刻蚀蓝宝石表面形成的自组织纳米结构及其形成过程.采用等离子体与离子束刻蚀设备在不同入射角度下对蓝宝石样品表面进行刻蚀并通过Taylor Surf CCI2000非接触式表面测量仪和原子力显微镜分别对刻蚀后的蓝宝石样品的刻蚀速率及表面形貌进行分析.研究表明:当离子束能量为400eV,加速电压为200V,离子束流密度为310μA/cm^2时,小角度入射下,蓝宝石样品表面出现纵向尺度较小的有序点状纳米结构;随着入射角度的增加,样品表面形成条纹状纳米结构,30°时形成短程有序且纵横比为0.87的条纹状结构;入射角度继续增加,纵向高度减小直至纳米结构消失;当角度达到60°附近,蓝宝石表面又出现条纹状结构,70°时形成了短程有序且纵横比为1.07的条纹状结构.自组织纳米结构的形成先以"岛状"形式出现,随后岛上生长出条纹状纳米结构,随着刻蚀时间的增加,岛状条纹结构纵向尺度增大且有序性增强,纳米结构的横向周期不变. 展开更多
关键词 低能Kr^+离子束 自组织纳米结构 条纹状纳米结构 蓝宝石 表面形貌 刻蚀速率 原子力显微镜
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MEMS中硅各向异性腐蚀特性研究 预览
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作者 刘伟伟 吕菲 +2 位作者 常耀辉 李聪 宋晶 《电子工业专用设备》 2018年第4期14-17,共4页
在碱性溶液中硅单晶片因晶向不同其刻蚀速率出现差异,利用这一特点制作三维结构器件;刻蚀速率与三维结构的形状和精度相关,刻蚀的表面粗糙度与器件的性能有关;根据各向异性腐蚀机理可知,刻蚀速率强烈依赖单晶晶向,刻蚀温度和刻蚀液的组... 在碱性溶液中硅单晶片因晶向不同其刻蚀速率出现差异,利用这一特点制作三维结构器件;刻蚀速率与三维结构的形状和精度相关,刻蚀的表面粗糙度与器件的性能有关;根据各向异性腐蚀机理可知,刻蚀速率强烈依赖单晶晶向,刻蚀温度和刻蚀液的组分也会对刻蚀速率产生显著影响;表面粗糙度主要是因为刻蚀时表面被反应生成的氢气泡覆盖,局部区域不能参加化学反应,导致这一区域出现凸起;在刻蚀液中加入添加剂使气泡迅速脱离反应表面能有效降低表面粗糙度,但刻蚀液不同所适用的添加剂不同。 展开更多
关键词 各向异性腐蚀 微电子机械系统(MEMS) 刻蚀速率 表面粗糙度 添加剂
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激光诱导化学反应刻蚀石英玻璃的实验研究 预览
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作者 丛启东 袁根福 +1 位作者 章辰 郭百澄 《激光与红外》 CSCD 北大核心 2018年第3期291-298,共8页
针对目前常用的超短脉冲激光加工、激光诱导等离子加工、纳秒紫外激光加工石英玻璃刻蚀率低下的问题,提出一种能够大范围、高刻蚀率、低裂损刻蚀石英玻璃的新方法,即利用1064mn红外激光诱导Ba(OH)2化学反应刻蚀。本文主要从不同能量密... 针对目前常用的超短脉冲激光加工、激光诱导等离子加工、纳秒紫外激光加工石英玻璃刻蚀率低下的问题,提出一种能够大范围、高刻蚀率、低裂损刻蚀石英玻璃的新方法,即利用1064mn红外激光诱导Ba(OH)2化学反应刻蚀。本文主要从不同能量密度激光诱导化学反应刻蚀机理进行分析,实验表明,当激光能量密度超过16J/cm2时,石英玻璃被刻蚀;当激光能量密度在16~24J/cm2之间时,仅物理作用去蚀石英玻璃,故刻蚀率随激光能量变化较小;当激光能量密度在24~42J/cm2之间时,刻蚀率随激光能量密度变化较大,该阶段Ba(OH)2&及其分解生成的BaO在高温条件下都与石英玻璃主要成分Si02发生化学反应并生成BaSi03,故刻蚀率较高;激光能量密度在42~46J/cm2时,化学反应速率趋于饱和,故该阶段刻蚀率随激光能量密度变化较小。 展开更多
关键词 激光技术 石英玻璃刻蚀 化学作用机理 刻蚀率
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梳齿型深硅刻蚀工艺研究 预览 被引量:1
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作者 张旭 张迪雅 《仪表技术与传感器》 CSCD 北大核心 2018年第2期1-3,27共4页
为实现Faims气体传感器梳齿型离子迁移区的设计,文中采用感应耦合等离子体(ICP)刻蚀技术进行大深宽比梳齿型结构的深硅刻蚀。影响刻蚀的工艺参数主要包括RF功率、腔室压力、气体流量等,通过调节刻蚀气体SF6流量、腔室压力等参数进行试... 为实现Faims气体传感器梳齿型离子迁移区的设计,文中采用感应耦合等离子体(ICP)刻蚀技术进行大深宽比梳齿型结构的深硅刻蚀。影响刻蚀的工艺参数主要包括RF功率、腔室压力、气体流量等,通过调节刻蚀气体SF6流量、腔室压力等参数进行试验,分析工艺参数对刻蚀速率、表面形貌和侧壁垂直度的影响,选出最优工艺参数。根据选出的最优工艺参数,刻蚀出了侧壁光滑、垂直度为90°的梳齿型迁移区。 展开更多
关键词 深硅刻蚀 大深宽比 刻蚀速率 工艺参数
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基于胶体球掩模板法制备图形化蓝宝石衬底
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作者 马文静 杨瑞霞 +2 位作者 陈春梅 任利鹏 罗春丽 《半导体技术》 CSCD 北大核心 2018年第5期353-358,374共7页
制备并研究了纳米级图形化蓝宝石衬底。采用磁控溅射技术在蓝宝石衬底上沉积SiO_2薄膜,利用自组装方法在SiO_2薄膜上制备单层聚苯乙烯(PS)胶体球阵列,利用感应耦合等离子体干法刻蚀将周期性PS胶体球的图形转移到SiO_2薄膜上,通过湿法... 制备并研究了纳米级图形化蓝宝石衬底。采用磁控溅射技术在蓝宝石衬底上沉积SiO_2薄膜,利用自组装方法在SiO_2薄膜上制备单层聚苯乙烯(PS)胶体球阵列,利用感应耦合等离子体干法刻蚀将周期性PS胶体球的图形转移到SiO_2薄膜上,通过湿法腐蚀制备了纳米级图形化蓝宝石衬底。利用扫描电子显微镜对胶体球掩膜、SiO_2纳米柱掩膜和图形化蓝宝石衬底结构进行了观察,研究了湿法腐蚀蓝宝石衬底的中间产物对刻蚀的影响,分析了腐蚀温度和腐蚀时间对蓝宝石衬底的影响。结果表明,湿法腐蚀的中间产物会降低蓝宝石衬底的刻蚀速率。蓝宝石衬底的腐蚀速率随着腐蚀温度的升高而加快;在同一腐蚀温度下,随着腐蚀时间的增加,图形尺寸进一步减小。 展开更多
关键词 图形化蓝宝石衬底(PSS) 湿法腐蚀 聚苯乙烯(PS) 胶体球掩膜 腐蚀速率
TMAH湿法腐蚀工艺制备微台面结构
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作者 任霄峰 《微纳电子技术》 北大核心 2018年第7期526-531,共6页
针对目前四甲基氢氧化铵(TMAH)湿法腐蚀工艺制备微台面结构工艺可控性差、需要添加添加剂、溶液使用周期短及工艺维护繁琐、无法实现大尺寸晶圆工程化应用等问题,研究了无添加剂时,微台面的腐蚀形貌与TMAH溶液质量分数和循环速率之间... 针对目前四甲基氢氧化铵(TMAH)湿法腐蚀工艺制备微台面结构工艺可控性差、需要添加添加剂、溶液使用周期短及工艺维护繁琐、无法实现大尺寸晶圆工程化应用等问题,研究了无添加剂时,微台面的腐蚀形貌与TMAH溶液质量分数和循环速率之间的关系,提升了大尺寸晶圆凸角腐蚀尺寸的均匀性及表面质量,6英寸(1英寸=2.54 cm)硅晶圆内,凸角腐蚀尺寸不均匀性小于5%,台面高度不均匀性小于3%,且腔体底部平整光亮,腐蚀速率较快,实现了工程化应用。当TMAH溶液pH值为12.2-12.6时,微台面结构制备工艺稳定可控、维护简单,实现了高质量微台面结构的可批量化生产。 展开更多
关键词 四甲基氢氧化铵(TMAH) 湿法腐蚀 微台面结构 凸角 黑点 循环速率 不均匀性
电感耦合等离子体刻蚀反应烧结碳化硅工艺研究 预览
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作者 赵杨勇 刘卫国 惠迎雪 《西安工业大学学报》 CAS 2018年第2期154-160,共7页
为获得超光滑的反应烧结碳化硅(RB-Si C)材料表面,以提高其表面反射率,利用电感耦合等离子体(ICP)刻蚀技术对RB-Si C进行刻蚀.通过正交实验研究了射频功率、偏压功率和刻蚀气体(CF4/O2)流量比三个因素对刻蚀速率和表面粗糙度的影... 为获得超光滑的反应烧结碳化硅(RB-Si C)材料表面,以提高其表面反射率,利用电感耦合等离子体(ICP)刻蚀技术对RB-Si C进行刻蚀.通过正交实验研究了射频功率、偏压功率和刻蚀气体(CF4/O2)流量比三个因素对刻蚀速率和表面粗糙度的影响程度.分析了偏压功率这一单因素对刻蚀速率和表面粗糙度的影响规律.结果表明:偏压功率对刻蚀速率和表面粗糙度的影响程度最大,其次为射频功率,刻蚀气体(CF4/O2)流量比对刻蚀速率和表面粗糙度的影响最小;刻蚀最优射频功率为150 W,最优偏压功率为50 W,最优CF4/O2流量比为25∶5,最优工作压强为1 Pa. 展开更多
关键词 反应烧结碳化硅 电感耦合等离子体 刻蚀速率 表面粗糙度
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圆柱形阳极层霍尔推力器的内磁极刻蚀研究 被引量:1
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作者 赵杰 唐德礼 +1 位作者 李平川 耿少飞 《真空科学与技术学报》 CSCD 北大核心 2018年第8期708-718,共11页
本文重点研究引起圆柱形阳极层霍尔推力器的内磁极刻蚀的入射离子能量和入射角分布,仿真中考虑入射离子能量和入射角分布大小的变化,进而得到相应的刻蚀速率。由仿真结果可知,放电电压400 V,阳极表面磁场强度175×10^-4T,中心最大... 本文重点研究引起圆柱形阳极层霍尔推力器的内磁极刻蚀的入射离子能量和入射角分布,仿真中考虑入射离子能量和入射角分布大小的变化,进而得到相应的刻蚀速率。由仿真结果可知,放电电压400 V,阳极表面磁场强度175×10^-4T,中心最大刻蚀速率为3×10^-9m/s。磁场提高到205×10^-9T时,中心附近刻蚀速率增加到原来的1.3倍左右,边沿处的刻蚀速率基本相同。在175×10^-9T的磁场强度时,把放电电压从400提高到600 V时,中心附近的刻蚀速率从3×10^-9提高到12.1×10^-9m/s,刻蚀速率增加了4倍多。此仿真结果与150 h的实验结果一致。此研究方法和结果有助于圆柱形阳极层霍尔推力器的设计和寿命评估工作。 展开更多
关键词 刻蚀速率 推力器 等离子体 入射能量 入射角余弦值
离子液体作用下兔毛染色性能的研究 预览
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作者 王永光 张美娜 张宗才 《皮革与化工》 CAS 2018年第5期11-14,共4页
采用离子液体作用于兔毛纤维进行染色处理.选用常规和两种离子液体作用对兔毛纤维进行染色,通过扫描电镜、分光光度计、单纤维电子强力仪等仪器,测定离子液体作用下兔毛纤维的表面形态和染色性能的变化.结果表明:离子液体作用于兔毛纤... 采用离子液体作用于兔毛纤维进行染色处理.选用常规和两种离子液体作用对兔毛纤维进行染色,通过扫描电镜、分光光度计、单纤维电子强力仪等仪器,测定离子液体作用下兔毛纤维的表面形态和染色性能的变化.结果表明:离子液体作用于兔毛纤维,使其表面产生了刻蚀作用,且离子液体与兔毛纤维共浴染色效果较好.离子液体作用提高了染料的上染率,实现了低温染色. 展开更多
关键词 离子液体 兔毛纤维 刻蚀 上染率
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AZ4620光刻胶掩膜的氮化硅图形化工艺
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作者 胡磊 石树正 +3 位作者 高翔 何剑 穆继亮 丑修建 《微纳电子技术》 北大核心 2017年第6期426-430,共5页
以薄膜体声波谐振器(FBAR)的背腔刻蚀为研究背景,研究了光刻工艺参数设置与光刻图形转移效果的关系。分析了紫外曝光剂量大小对光刻图形面积和边角曲率的影响,优化得到最佳工艺流程,以AZ4620光刻胶为掩膜实现了氮化硅的湿法刻蚀。实... 以薄膜体声波谐振器(FBAR)的背腔刻蚀为研究背景,研究了光刻工艺参数设置与光刻图形转移效果的关系。分析了紫外曝光剂量大小对光刻图形面积和边角曲率的影响,优化得到最佳工艺流程,以AZ4620光刻胶为掩膜实现了氮化硅的湿法刻蚀。实验结果表明,曝光剂量为60 mJ、显影时间60 s时,曝光图形化质量最佳;随着氮化硅刻蚀液温度的升高,湿法刻蚀速率不断增大,温度过高导致光刻胶被破坏而不能起到掩膜作用,60℃时刻蚀速率为109.5 nm/min,得到了边线规整、底部平整的微结构。刻蚀后表面分子喇曼位移为单晶硅的波峰(519.354 cm^-1),证实氮化硅被完全去除,为氮化硅作掩膜的单晶硅湿法刻蚀提供了一种有效途径。 展开更多
关键词 曝光剂量 掩膜 湿法刻蚀 刻蚀速率 喇曼位移
低能气相腐蚀系统的建模与仿真 预览
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作者 张红霞 杨旭辉 +3 位作者 马芳兰 胡艳琴 徐武德 马宏伟 《自动化仪表》 CAS 2017年第6期15-18,共4页
低能气相腐蚀系统在微电子机械系统(MEMS)生产工艺中的应用非常广泛,但是该系统的设计和开发十分复杂.为了降低 系统设计的复杂度和生产成本,对低能气相腐蚀系统进行了基于可视化开发工具LabVIEW的建模和仿真.以XeF2腐蚀MEMS中的 无... 低能气相腐蚀系统在微电子机械系统(MEMS)生产工艺中的应用非常广泛,但是该系统的设计和开发十分复杂.为了降低 系统设计的复杂度和生产成本,对低能气相腐蚀系统进行了基于可视化开发工具LabVIEW的建模和仿真.以XeF2腐蚀MEMS中的 无定形硅为例,对腐蚀速率、时间与腐蚀效果之间的关系进行了研究,重点分析和讨论了建模中需要解决的三个重要问题:循环控制 回路中交换腔气体压强的计算方法、恒定腐蚀速率下腐蚀气体压强的计算方法以及非晶硅牺牲材料表面积与时间的关系.根据对反 应趋势的计算结果进行仿真,表明在腐蚀一个微结构的过程中,腐蚀速率能够维持恒定.仿真结果验证了该方法可以快速模拟真实 的低能气相腐蚀环境,具有准确性和可行性,为后期系统的设计和开发提供了数据参考和技术指导. 展开更多
关键词 MEMS 腐蚀系统 低能气相 腐蚀速率 LABVIEW 牺牲层 建模 仿真
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化学刻蚀工艺参数对刻蚀速率的影响 预览
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作者 王洪祥 沈璐 +1 位作者 王晓霞 李成福 《佳木斯大学学报:自然科学版》 CAS 2017年第3期409-412,共4页
本文系统分析了化学刻蚀过程中反应生成的扩散和物质传输规律,得到了刻蚀工艺参数如时间、温度、HF酸浓度、辅助试剂对刻蚀速率的影响规律。结果表明:在刻蚀时间较短时刻蚀速率基本恒定,随着时间的增加刻蚀速率呈现逐渐下降的趋势。温... 本文系统分析了化学刻蚀过程中反应生成的扩散和物质传输规律,得到了刻蚀工艺参数如时间、温度、HF酸浓度、辅助试剂对刻蚀速率的影响规律。结果表明:在刻蚀时间较短时刻蚀速率基本恒定,随着时间的增加刻蚀速率呈现逐渐下降的趋势。温度的升高改变了反应物质的活化能和溶液的传输特性,促使刻蚀速率加快。随HF酸浓度的增大刻蚀速率有很大的提高,但反应过快不宜控制刻蚀进程,而采用缓冲氧化物刻蚀剂有利于提高熔石英元件化学刻蚀速率。 展开更多
关键词 化学刻蚀 刻蚀速率 工艺参数 熔石英元件 亚表面裂纹
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基于梳齿式电容加速度计的深硅刻蚀 被引量:1
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作者 任子明 白冰 +1 位作者 王任鑫 张国军 《微纳电子技术》 北大核心 2017年第9期633-638,共6页
梳齿式电容加速度计对梳齿的形貌有很高的要求,如需要梳齿侧壁具有良好的垂直度和粗糙度等。利用深硅刻蚀机对梳齿结构进行加工需要对刻蚀参数进行分析和调整。以SF6和C4F8为刻蚀气体,设定深硅刻蚀中极板功率、腔室压力、刻蚀/钝化周期... 梳齿式电容加速度计对梳齿的形貌有很高的要求,如需要梳齿侧壁具有良好的垂直度和粗糙度等。利用深硅刻蚀机对梳齿结构进行加工需要对刻蚀参数进行分析和调整。以SF6和C4F8为刻蚀气体,设定深硅刻蚀中极板功率、腔室压力、刻蚀/钝化周期、气体流量等工艺参数,着重研究了刻蚀速率、垂直度、粗糙度、光刻胶选择比、均匀性等直接影响刻蚀形貌的几项因素,得到了宽5.3μm、深50μm的沟槽结构,且垂直度为89.5°,侧壁凸起高度为83.69 nm,而预期目标为垂直度90°±2°,侧壁凸起高度小于120 nm,故结果符合要求。最终将调整好的工艺用于刻蚀SOI片上的梳齿结构,得到了良好的形貌。 展开更多
关键词 深硅刻蚀 梳齿结构 刻蚀速率 垂直度 选择比 均匀性
不同低温层积天数和酸蚀时间对黄栌种子萌发的影响 预览
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作者 李振林 李晓环 《安徽农学通报》 2017年第19期79-80,89共3页
该文以黄栌种子为试验材料,通过研究黄栌种子在不同的酸蚀时间(0min、10min、20min、30min、50min)和不同低温层积催芽天数(10d、20d、30d、50d)下的发芽率和发芽势,探索出适合黄栌种子发芽的最佳条件。试验结果表明:酸蚀50min,低... 该文以黄栌种子为试验材料,通过研究黄栌种子在不同的酸蚀时间(0min、10min、20min、30min、50min)和不同低温层积催芽天数(10d、20d、30d、50d)下的发芽率和发芽势,探索出适合黄栌种子发芽的最佳条件。试验结果表明:酸蚀50min,低温层积催芽50d的黄栌种子的发芽率最高为25%;酸蚀0min,低温层积催芽10d的黄栌种子的发芽率最低为0%。酸蚀时间分别为0min和50min,低温层积催芽20d,发芽势存在最低和最高,分别为0%和19%。可见,随着低温层积催芽天数和酸蚀时间的延长,种子发芽速度较快,种子的发芽率也随之增高。 展开更多
关键词 黄栌种子 低温层积 酸蚀时间 浓硫酸 发芽率 发芽势
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Cl2/Ar/O2环境下使用光刻胶掩膜的感应耦合等离子体(ICP)刻蚀GaAs的研究 被引量:1
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作者 范惠泽 刘凯 +7 位作者 黄永清 蔡世伟 任晓敏 段晓峰 王琦 刘昊 吴瑶 费嘉瑞 《真空科学与技术学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2017年第3期286-289,共4页
自1970年,元件制造首先采用感应耦合等离子体(ICP)刻蚀技术后,至今30多年,它的发展与集成电路和光电子器件发展密不可分,很大程度上,干法刻蚀的水平决定了整个产业的水平和规模。在本文中,本课题组使用ICP刻蚀技术刻蚀GaAs材料,在Cl2/... 自1970年,元件制造首先采用感应耦合等离子体(ICP)刻蚀技术后,至今30多年,它的发展与集成电路和光电子器件发展密不可分,很大程度上,干法刻蚀的水平决定了整个产业的水平和规模。在本文中,本课题组使用ICP刻蚀技术刻蚀GaAs材料,在Cl2/Ar/O2环境下,研究控制刻蚀气流组成成分,刻蚀气流总速率等不同的刻蚀条件对于GaAs材料刻蚀速率的影响。实验表明,当刻蚀气流的成分不变的情况下,GaAs的刻蚀速率随着总刻蚀气流速率的增加而增加。刻蚀孔径的大小和Cl2的含量多少也会影响GaAs的刻蚀速率。当O2的含量在5%左右或者大于5%的实验中,GaAs材料的刻蚀表面的粗糙度几乎没有被刻蚀所影响。同时,给出了实验现象的简要分析和解释。 展开更多
关键词 GAAS 感应耦合等离子体刻蚀 CL2 O2 刻蚀速率 表面的粗糙度
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