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一种高增益级联微波放大器设计与实现
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作者 申伯纯 周进 《电子测量技术》 2019年第8期28-31,共4页
由于某型设备的微波小信号放大需求,需要设计一款高增益微波放大器。本文给出了一种增益大于100 dB的多级放大器设计思路及设计过程,针对此设计进一步讨论了前置放大器、中间级放大器、末级放大器及混频器等各单元的器件的选择,完成了... 由于某型设备的微波小信号放大需求,需要设计一款高增益微波放大器。本文给出了一种增益大于100 dB的多级放大器设计思路及设计过程,针对此设计进一步讨论了前置放大器、中间级放大器、末级放大器及混频器等各单元的器件的选择,完成了电原理图的设计以及PCB板的布置,最后对该放大器的进行了实测,结果表明该放大器实际总增益在■dB,增益精度<±0.5 dB,达到了设计要求。目前此放大器已运用于某型发信监测设备中并取得了良好的效果。 展开更多
关键词 级联放大器 高增益放大器 微波放大器 低噪声放大器 高速PCB
一种用于SKA的SiGe宽带低噪声放大器 预览
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作者 陈涛 庞东伟 +1 位作者 桑磊 曹锐 《合肥工业大学学报:自然科学版》 CAS 北大核心 2019年第2期211-214,236共5页
文章设计了一款用于平方公里阵列(Square Kilometer Array,SKA)接收前端的异质结双极型晶体管(heterojunction bipolar transistor,HBT)低噪声放大器。放大器的第1级在反馈电感的基础上采用电容负载,利用晶体管寄生电容拓展带宽;第2级... 文章设计了一款用于平方公里阵列(Square Kilometer Array,SKA)接收前端的异质结双极型晶体管(heterojunction bipolar transistor,HBT)低噪声放大器。放大器的第1级在反馈电感的基础上采用电容负载,利用晶体管寄生电容拓展带宽;第2级利用发射极跟随放大器实现宽带内稳定的输出阻抗。采用HHNEC 180nm SiGe工艺对电路进行仿真,版图仿真结果表明,在0.5~1.5GHz内,噪声系数低于1.16dB,最小噪声系数为0.76dB,S21大于15dB。整个电路尺寸为1.1mm×0.98mm(含焊盘),在3.3V供电电压下,功耗为34mW。 展开更多
关键词 宽带 低噪声 SIGE工艺 低噪声放大器 平方公里阵列(SKA)
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基于电源调制及有源滤波匹配的双向放大器芯片设计
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作者 张萌 何乐 刘铸 《现代雷达》 CSCD 北大核心 2019年第5期67-72,共6页
射频双向放大器作为雷达接收通道的前端模块芯片,其性能的优劣直接影响通道的性能。传统的双向放大器芯片往往是基于射频开关的拓扑结构设计的,在噪声性能和反向隔离度方面都有所不足。文中设计基于电源调制的双向放大器芯片,具有全新... 射频双向放大器作为雷达接收通道的前端模块芯片,其性能的优劣直接影响通道的性能。传统的双向放大器芯片往往是基于射频开关的拓扑结构设计的,在噪声性能和反向隔离度方面都有所不足。文中设计基于电源调制的双向放大器芯片,具有全新的电路拓扑结构,射频信号不通过射频开关而直接进入低噪声放大器,可以优化芯片的噪声性能;同时,截止的器件可以提高芯片的反向隔离度。设计中如何提高低噪声放大器的增益和噪声性能,以及如何利用有源滤波匹配技术实现射频输入输出端口的合并和匹配是两大难点和创新点。文中基于L波段的双向放大器设计及流片的测试结果显示,芯片有良好的性能,充分验证了理论分析的正确性。 展开更多
关键词 射频双向放大器 低噪声放大器 电源调制 有源滤波匹配
应用于P波段及L波段AESA的射频发射前端
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作者 李嘉骏 张为 +1 位作者 文枭鹏 刘艳艳 《南开大学学报:自然科学版》 CAS CSCD 北大核心 2019年第4期34-40,共7页
基于TSMC 0.18μm RFCMOS工艺,设计了一款应用于P波段和L波段(405 M-2.2 GHz)的全集成射频发射前端芯片.系统由单转双巴伦、混频器、可变增益放大器和驱动放大器组成,系统架构基于改进的直接上变频方案.基带和本振端口的巴伦采用了一种... 基于TSMC 0.18μm RFCMOS工艺,设计了一款应用于P波段和L波段(405 M-2.2 GHz)的全集成射频发射前端芯片.系统由单转双巴伦、混频器、可变增益放大器和驱动放大器组成,系统架构基于改进的直接上变频方案.基带和本振端口的巴伦采用了一种能够同时实现噪声和非线性消除及宽带阻抗匹配的结构,混频器使用了正交双平衡基尔伯特结构,可变增益放大器基于跨导可变的共源共栅结构进行设计,驱动放大器采用了具有高线性度和宽带匹配特性的推挽结构.后仿真结果表明,在3.3 V电源电压下,该发射前端直流电流为76 m A,版图面积为2.4 mm×2.0 mm;具有可控电压增益10-30 dB;输出1 dB压缩点大于10.8 dBm;中频大于25 MHz时,噪声系数小于8 dB;基带和射频端口反射系数小于-20 dB,本振端口反射系数小于-15 dB. 展开更多
关键词 T/R组件 发射前端 低噪声放大器 正交混频器 推挽放大器
(0.1~1.8)GHz SiGe HBT超宽带低噪声放大电路设计 预览
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作者 魏正华 叶小兰 +1 位作者 孟洋 肖辽亮 《宇航计测技术》 CSCD 2019年第5期27-32,共6页
本文选用SiGe材料低噪声放大芯片,设计了一款(0.1~1.8)GHz小型低功耗超宽带低噪声放大器(LNA)。该LNA采用两级放大结构,负反馈方式实现宽带匹配,级间和输出端匹配采用小阻值电阻提高电路稳定性,电路尺寸为35mm×15mm。测试结果表明... 本文选用SiGe材料低噪声放大芯片,设计了一款(0.1~1.8)GHz小型低功耗超宽带低噪声放大器(LNA)。该LNA采用两级放大结构,负反馈方式实现宽带匹配,级间和输出端匹配采用小阻值电阻提高电路稳定性,电路尺寸为35mm×15mm。测试结果表明:工作频率为(0.1~1.8)GHz,在室温条件下,增益为30dB,噪声系数<0.82dB,增益平坦度<0.5dB,输入输出回波损耗<-10dB,直流功耗为41.8mW;在-40℃低温条件下,增益为32dB,增益平坦度、输入输出回波损耗、直流功耗与室温下一致,噪声系数<0.69dB。设计过程与测试结果验证了本文中使用室温SiGe放大管的S参数计算-40℃温度下该芯片S参数方法的可行性。 展开更多
关键词 超宽带 功耗 低噪声放大器 温度特性
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220 GHz低噪声放大器研究 预览
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作者 毛燕飞 鄂世举 +1 位作者 SCHMALZ Klaus SCHEYTT John Christoph 《红外》 CAS 2019年第8期24-30,共7页
基于IHP锗硅BiCMOS工艺,研究和实现了两种220 GHz低噪声放大器电路,并将其应用于220 GHz太赫兹无线高速通信收发机电路。一种是220 GHz四级单端共基极低噪声放大电路,每级电路采用了共基极(Common Base,CB)电路结构,利用传输线和金属-... 基于IHP锗硅BiCMOS工艺,研究和实现了两种220 GHz低噪声放大器电路,并将其应用于220 GHz太赫兹无线高速通信收发机电路。一种是220 GHz四级单端共基极低噪声放大电路,每级电路采用了共基极(Common Base,CB)电路结构,利用传输线和金属-绝缘体-金属(Metal-Insulator-Metal,MIM)电容等无源电路元器件构成输入、输出和级间匹配网络。该低噪放电源的电压为1.8 V,功耗为25 mW,在220 GHz频点处实现了16 dB的增益,3 dB带宽达到了27 GHz。另一种是220 GHz四级共射共基差分低噪声放大电路,每级都采用共射共基的电路结构,放大器利用微带传输线和MIM电容构成每级的负载、Marchand-Balun、输入、输出和级间匹配网络等。该低噪放电源的电压为3 V,功耗为234 mW,在224 GHz频点实现了22 dB的增益,3 dB带宽超过6 GHz。这两个低噪声放大器可应用于220 GHz太赫兹无线高速通信收发机电路。 展开更多
关键词 低噪声放大器 220 GHz 共基级 共射共基 太赫兹无线高速通信收发机 BICMOS工艺
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基于ADS宽带微波低噪声放大器设计与仿真 预览
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作者 马翠红 靳伟超 +1 位作者 陈宇擎 杨友良 《现代电子技术》 北大核心 2019年第15期170-174,180共6页
文章主要研究低噪声放大器在宽频带范围内增益平坦度低、阻抗匹配差的问题。选用Avago公司生产的具有高动态范围和低噪声特性的PHEMT器件ATF-38143晶体管,采用自给偏置共源,负反馈结构,基于ADS仿真设计完成一款两级级联的宽带低噪声放... 文章主要研究低噪声放大器在宽频带范围内增益平坦度低、阻抗匹配差的问题。选用Avago公司生产的具有高动态范围和低噪声特性的PHEMT器件ATF-38143晶体管,采用自给偏置共源,负反馈结构,基于ADS仿真设计完成一款两级级联的宽带低噪声放大器。该放大器利用源极串联反馈电感和输入端接双支节微带线的匹配方法。仿真结果显示放大器在1.0~3.0GHz的频带范围内,输入输出回波损耗均小于-10dB;系统稳定性因子K>1;噪声系数为(1.6±0.4)dB;最大增益为26.5dB,增益平坦度缩小到±0.5dB。 展开更多
关键词 低噪声放大器 ADS 负反馈 自偏置 共源级联 阻抗匹配 增益平坦度
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基于ATF54143的2.45GHz平衡式低噪声放大器设计 预览
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作者 孙华军 《淮阴师范学院学报:自然科学版》 CAS 2019年第2期115-119,共5页
为了实现放大器在2.4~2.5GHz范围内低噪声、高增益、输入输出阻抗匹配等性能指标,通过ADS2011仿真软件优化设计硬件电路,提出并加工制作了基于ATF54143的新型平衡式低噪声放大器.实测结果表明,该平衡式低噪声放大器的噪声系数低于3dB,... 为了实现放大器在2.4~2.5GHz范围内低噪声、高增益、输入输出阻抗匹配等性能指标,通过ADS2011仿真软件优化设计硬件电路,提出并加工制作了基于ATF54143的新型平衡式低噪声放大器.实测结果表明,该平衡式低噪声放大器的噪声系数低于3dB,增益高达10dB,输入端驻波比小于1.5,且输出端驻波比小于3.测试过程中发现在保证噪声系数较小的情况下,通过选取合适的偏置点可以明显地提高放大器的线性度.提出的平衡式低噪声放大器可以较好地应用于无线局域网领域,具有较强的实用价值. 展开更多
关键词 低噪声放大器 噪声系数 阻抗匹配 线性度
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天气雷达低噪声放大器的仿真设计
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作者 黄斌 赵玉胜 +3 位作者 崔学林 匡昌武 井高飞 高涛 《国外电子测量技术》 2019年第3期93-96,共4页
低噪声放大器的性能是天气雷达的重要指标之一。为提高天气雷达的性能,以中心频率在2.73GHz的天气雷达为根据,采用三级级联的放大结构,设计出高增益、低噪声的放大器。通过Advanced Design System软件对放大器的稳定系数、噪声系数、增... 低噪声放大器的性能是天气雷达的重要指标之一。为提高天气雷达的性能,以中心频率在2.73GHz的天气雷达为根据,采用三级级联的放大结构,设计出高增益、低噪声的放大器。通过Advanced Design System软件对放大器的稳定系数、噪声系数、增益和驻波比进行仿真设计。最终设计出增益大于37dB,噪声小于0.8dB,输入输出驻波比小于2的放大器。仿真结果表明,设计的低噪声放大器比现用天气雷达的低噪声放大器的性能更好。 展开更多
关键词 低噪声放大器 ADS仿真 噪声 增益
基于ADS的低噪声放大器电路设计 预览
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作者 马晓波 《电子测试》 2019年第13期26-27,共2页
介绍了基于ADS的低噪声放大器电路设计技术要求以及设计思路;重点设计了偏置电路和分析了噪声匹配参数,采用低噪声放大管AT41511,并利用ADS对相关指标进行了系统仿真。仿真结果表明,设计的放大器电路各项性能指标符合设计要求。
关键词 低噪声放大器 AT41511 稳定性分析 ADS仿真
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一种高增益、低功耗的超宽带低噪声放大器 预览
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作者 刘丹丹 马铭磷 《仪表技术与传感器》 CSCD 北大核心 2019年第7期109-113,共5页
提出了一种基于跨导增强技术及噪声抵消技术的超宽带低噪声放大器电路,并且在电路中采用了电流复用技术。电路由输入级、放大级和输出级3部分组成。在输入级中,利用跨导增强技术实现了电路输入阻抗的匹配;在放大级中,利用跨导增强技术... 提出了一种基于跨导增强技术及噪声抵消技术的超宽带低噪声放大器电路,并且在电路中采用了电流复用技术。电路由输入级、放大级和输出级3部分组成。在输入级中,利用跨导增强技术实现了电路输入阻抗的匹配;在放大级中,利用跨导增强技术以及电流复用技术使电路增益有了明显的提升,并且利用噪声抵消技术、跨导增强技术使得电路的噪声性能以及功耗有了明显的改善;在输出级中,利用电感与电容谐振的原理实现输出阻抗的匹配。该放大器采用TSMC 0.18 μm RF CMOS工艺,并利用ADS对电路进行优化仿真,结果表明,该放大器在3~5 GHz范围内增益为20.4~21.8 dB,噪声系数为1~1.8 dB。电路工作电压为1 V,功耗为7.9 mW。 展开更多
关键词 低噪声放大器 跨导增强技术 电流复用技术 噪声抵消技术 噪声系数 增益
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用于GPS接收机的130nm PD-SOI低噪声放大器
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作者 王志鹏 孙浩 +3 位作者 刘艳艳 关鸿 周曙光 朱红卫 《微电子学》 CAS 北大核心 2019年第5期609-612,617共5页
基于130nm PD-SOI工艺,设计了一种用于GPS接收机射频前端的单片低噪声放大器(LNA)。利用SOI工艺特有的低噪声特性,降低了衬底耦合到电路的噪声。采用单独的带隙基准源和LDO为低噪声放大器供电,降低了电源纹波和高频噪声对放大器噪声性... 基于130nm PD-SOI工艺,设计了一种用于GPS接收机射频前端的单片低噪声放大器(LNA)。利用SOI工艺特有的低噪声特性,降低了衬底耦合到电路的噪声。采用单独的带隙基准源和LDO为低噪声放大器供电,降低了电源纹波和高频噪声对放大器噪声性能的影响。测试结果表明,在3.3V电源电压、1.575GHz工作频率下,该LNA的噪声系数仅为1.49dB,增益为13.7dB,输入回波损耗S11、输出回波损耗S22均小于-15dB,输入P1dB为-13dBm,IIP3为-0.34dBm。 展开更多
关键词 低噪声放大器 PD-SOI 全球定位系统 单片 噪声系数
极低温散粒噪声测试系统及隧道结噪声测量 预览
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作者 宋志军 吕昭征 +4 位作者 董全 冯军雅 姬忠庆 金勇 吕力 《物理学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2019年第7期105-114,共10页
介观体系输运过程中载流子的离散性导致了散粒噪声.通过测量散粒噪声可以得到传统的基于时间平均值的电导测量无法得到的随时间涨落信息,因而作为一种重要手段在极低温量子输运研究中得到了一定的应用.极低温环境下的噪声测量是一种难... 介观体系输运过程中载流子的离散性导致了散粒噪声.通过测量散粒噪声可以得到传统的基于时间平均值的电导测量无法得到的随时间涨落信息,因而作为一种重要手段在极低温量子输运研究中得到了一定的应用.极低温环境下的噪声测量是一种难度很大的极端条件下的微弱信号测量,通常需要在低温端安装前置放大器并且尽量靠近待测器件以提高测量信噪比和带宽,因此对放大器的噪声水平和功耗都有严格的要求.提出了在稀释制冷机内搭建的散粒噪声测量系统,以及利用此套系统得到了在mK温区超导隧道结散粒噪声的测量结果.自行研制的高电子迁移率晶体管低温前置放大器采用整体封装,便于安装在商用干式稀释制冷机的4 K温区,本底电压噪声为0.25 nV/√Hz,功耗仅为0.754 mW.通过对隧道结进行散粒噪声测量,得到的Fano因子和理论计算吻合. 展开更多
关键词 稀释制冷机 低噪声放大器 散粒噪声 隧道结
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一种0.13 μm SOI CMOS 2.4/5.5 GHz双频段LNA
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作者 凌园园 卢煜旻 《微电子学》 CAS 北大核心 2019年第1期55-62,共8页
基于Tower Jazz 0.13μm SOI CMOS工艺,提出了一种应用于无线局域网的2.4/5.5GHz双频段低噪声放大器(LNA)。该双频段LNA基于带源极电感的共源共栅结构,在放大管栅极与共源共栅管漏极之间增加负反馈电容,以改善5.5GHz频段的阻抗匹配。工... 基于Tower Jazz 0.13μm SOI CMOS工艺,提出了一种应用于无线局域网的2.4/5.5GHz双频段低噪声放大器(LNA)。该双频段LNA基于带源极电感的共源共栅结构,在放大管栅极与共源共栅管漏极之间增加负反馈电容,以改善5.5GHz频段的阻抗匹配。工作频段的切换通过开关控制的电感电容匹配网络实现。SOI射频开关通过增加MOS管尺寸来减小导通时的插入损耗,并且保持较低的关断电容,使开关的引入对LNA性能的影响最小化。Cadence后仿真结果表明,在2.4GHz频段范围内,S21为10.3~10.7dB,NF为2.1~2.2dB,IIP3为5dBm;在5.5GHz频段范围内,S21为9.7~11.8dB,NF为2.4~2.9dB,IIP3为14dBm。 展开更多
关键词 低噪声放大器 SOI CMOS工艺 可重配置 共源共栅结构 射频开关
一种2.4 GHz低功耗可变增益低噪声放大器
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作者 耿志卿 《微电子学》 CAS 北大核心 2019年第1期22-28,共7页
设计了一种工作频率为2.4GHz的低功耗可变增益低噪声放大器。针对不同的增益模式,采用不同的设计方法来满足不同的性能要求。在高增益模式下,通过理论分析,提出了一种新的定功耗约束条件下的噪声优化方法,考虑了栅匹配电感的损耗和输入... 设计了一种工作频率为2.4GHz的低功耗可变增益低噪声放大器。针对不同的增益模式,采用不同的设计方法来满足不同的性能要求。在高增益模式下,通过理论分析,提出了一种新的定功耗约束条件下的噪声优化方法,考虑了栅匹配电感的损耗和输入端口的各种寄生效应,给出了简明而有效的设计公式和设计过程。在低增益模式下,提出了一种改进线性度的方法。采用TSMC 0.18μm CMOS RF工艺进行了设计。后仿真结果表明,在功耗为1.8mW时,最高增益为35dB,对应的噪声系数为1.96dB;最低增益为5dB,对应的输入3阶交调点为3.2dBm。 展开更多
关键词 低噪声放大器 噪声系数 可变增益 功耗
北斗导航接收通道低噪声放大器设计 预览
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作者 高贵虎 苏凯雄 《电气开关》 2019年第3期38-41,共4页
低噪声放大器作为射频接收通道的核心部件,直接关系到接收通道对于弱信号的捕获和识别。本文提出一种两级级联放大器的设计框架,运用输入最佳阻抗匹配和输出共挺匹配相结合的设计方法,较好地权衡了噪声系数和增益。通过引入滤波器,提高... 低噪声放大器作为射频接收通道的核心部件,直接关系到接收通道对于弱信号的捕获和识别。本文提出一种两级级联放大器的设计框架,运用输入最佳阻抗匹配和输出共挺匹配相结合的设计方法,较好地权衡了噪声系数和增益。通过引入滤波器,提高了射频通信模块的收发隔离度和抗干扰能力,确保射频模块在混杂的电磁环境中能够稳定工作。通过理论分析、仿真设计和实物制作,设计出满足北斗导航应用的接收通道低噪声放大器。 展开更多
关键词 中国北斗卫星导航系统 低噪声放大器 噪声系数 增益
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一种130~150 GHz毫米波低噪声放大器
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作者 单奇星 胡成成 +1 位作者 朱玲 高海军 《微电子学》 CAS 北大核心 2019年第2期183-187,共5页
基于65 nm CMOS工艺,设计了一种工作于130~150 GHz的毫米波低噪声放大器(LNA),它采用五级级联共源组态的拓扑结构。第一级电路采用最小噪声匹配,保证了放大器的噪声性能。后级电路采用最大增益匹配,保证电路具有较高的增益。对无源器件... 基于65 nm CMOS工艺,设计了一种工作于130~150 GHz的毫米波低噪声放大器(LNA),它采用五级级联共源组态的拓扑结构。第一级电路采用最小噪声匹配,保证了放大器的噪声性能。后级电路采用最大增益匹配,保证电路具有较高的增益。对无源器件进行了结构优化,电感的品质因数在140 GHz处达到15以上。仿真结果表明,在1.2 V电源电压、0.45 V栅极偏置电压下,该LNA的直流功耗为54.1 mW。在130~150 GHz频带内,噪声系数小于7.5 dB,增益大于18 dB。芯片尺寸为0.5 mm×0.3 mm。该LNA有望被应用于D波段接收系统中。 展开更多
关键词 低噪声放大器 毫米波 共源 品质因数 匹配
2~8 GHz超宽带低噪声放大器设计 预览
18
作者 吴晓文 陈晓东 刘轶 《现代电子技术》 北大核心 2019年第7期108-111,共4页
文中设计并实现一款适用于S波段和C波段(2~8GHz)的超宽带低噪声放大器(LNA)。该低噪声放大器选用三菱公司InGaAs HEMT晶体管MGF4941AL,采用并联负反馈的三级级联放大结构,有效提高了增益和带内匹配。三级电路均采用电阻自偏压方式实现... 文中设计并实现一款适用于S波段和C波段(2~8GHz)的超宽带低噪声放大器(LNA)。该低噪声放大器选用三菱公司InGaAs HEMT晶体管MGF4941AL,采用并联负反馈的三级级联放大结构,有效提高了增益和带内匹配。三级电路均采用电阻自偏压方式实现单电源供电,并且加入了正电延时模块确保晶体管正常工作。测试结果表明,在2~8GHz频率范围内,输入反射系数S11和输出反射系数S22分别小于-8.5dB和-7.7dB,正向增益S21大于21dB,噪声系数小于3.6dB。 展开更多
关键词 INGAAS 并联负反馈 低噪声放大器 S波段 C波段 超宽带
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基于TSMC0.18μm RF CMOS工艺的1.2 GHz LNA的设计和仿真 预览
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作者 祁赓 黄海生 +1 位作者 李鑫 惠强 《电子元件与材料》 CAS CSCD 北大核心 2019年第12期84-88,94,共6页
针对射频接收机芯片中的低噪声放大器(Low-Noise Amplifier,LNA)电路在工作时要求拥有更小的噪声系数和更好的隔离度等问题,采用TSMC 0.18μm RF CMOS工艺结合共源共栅结构设计了一款低噪声放大器,在导航接收机中主要用来接收GPS L2频... 针对射频接收机芯片中的低噪声放大器(Low-Noise Amplifier,LNA)电路在工作时要求拥有更小的噪声系数和更好的隔离度等问题,采用TSMC 0.18μm RF CMOS工艺结合共源共栅结构设计了一款低噪声放大器,在导航接收机中主要用来接收GPS L2频段信号和BDS B2频段信号。通过对器件尺寸的计算和选择,使得电路具有良好的噪声性能及线性度。利用Cadence软件中Spectre对所设计的电路进行仿真。得到仿真结果为:LNA在1.8 V电源电压下,功耗为4.28 mW,功率增益为18.51 dB,输入回波损耗为38.67 dB,输出回波损耗为19.21 dB,反向隔离度S12为-46.91 dB,噪声系数(Noise Figure,NF)为0.41 dB,输入1 dB压缩点为-11.70 dBm,输入三阶交调点为-1.50 dBm。 展开更多
关键词 低噪声放大器 共源共栅 噪声系数 功率增益 1 dB压缩点
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SiGe异质结双极型晶体管的高功率微波效应与机理 预览
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作者 吴涵 柴常春 +2 位作者 刘彧千 李赟 杨银堂 《现代应用物理》 2019年第3期29-34,共6页
为了研究射频前端低噪声放大器的高功率微波效应,利用仿真软件构建了NPN型SiGe异质结双极型晶体管的器件模型,采用多晶硅作为发射极,SiGe作为器件的基极,研究了集电极和基极分别注入高功率微波时,器件内部温度的变化规律,分析了高功率... 为了研究射频前端低噪声放大器的高功率微波效应,利用仿真软件构建了NPN型SiGe异质结双极型晶体管的器件模型,采用多晶硅作为发射极,SiGe作为器件的基极,研究了集电极和基极分别注入高功率微波时,器件内部温度的变化规律,分析了高功率微波的效应机理。结果表明,高功率微波注入集电极时,器件内部峰值温度呈现周期性的"上升-下降-上升-下降"趋势,直至最终烧毁,烧毁位置在集电结与氧化层交界处;当高功率微波注入基极时,由于器件的发射极尺寸很小,产生的电流密度很大,热量无法耗散,器件的多晶硅发射结最终被烧毁。SiGe异质结双极型晶体管的集电极抗高功率微波的能力要强于基极。 展开更多
关键词 低噪声放大器 异质结双极型晶体管 高功率微波 损伤效应 机理分析
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