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文章速递MoSe_(2)电子结构和光学性质的理论研究 认领
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作者 蒋立鹏 袁金宏 +3 位作者 马睿华 刘珊珊 辛霞 伍冬兰 《井冈山大学学报:自然科学版》 2021年第1期7-13,共7页
基于密度泛函理论第一性原理,计算了MoSe_(2)的能带结构、态密度和光学性质,再根据相关参数分析了该材料的半导体特性和光学性质。能带结构结果表明MoSe_(2)具有间接带隙宽度为0.853 eV的半导体材料,从态密度图可看出价带由Mo的5s4d价... 基于密度泛函理论第一性原理,计算了MoSe_(2)的能带结构、态密度和光学性质,再根据相关参数分析了该材料的半导体特性和光学性质。能带结构结果表明MoSe_(2)具有间接带隙宽度为0.853 eV的半导体材料,从态密度图可看出价带由Mo的5s4d价电子和Se的4s4p价电子起主要作用,其它价电子作用较少导带主要是Mo的4d和Se的4s4p价电子作用。通过计算得到的复介电函数,根据其它光学参数与其之间的关系,分析获得复折射率、反射和吸收谱、能量损失函数和光电导率等光学性质。由光学性质可知复介电函数的峰值都出现在低能区;介于可见到紫外区域的光子具有最大的吸收系数2.99×10^(5)cm^(-1);在光子能量17.93 eV处,Mo的4s4d和Se的4p电子发生共振,其它区域能量损失值都趋于0,说明电子之间共振非常微弱。这些光学性质在制作微电子、光电子器件和紫外探测器方面有着广泛的应用前景。 展开更多
关键词 MoSe_(2) 第一性原理 电子结构 光学性质
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二维黑磷的光学性质 认领
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作者 黄申洋 张国伟 +2 位作者 汪凡洁 雷雨晨 晏湖根 《物理学报》 SCIE EI CAS 北大核心 2021年第2期162-173,共12页
黑磷是继石墨烯、过渡金属硫族化合物(TMDCs)之后又一个备受关注的二维材料.黑磷从单层到块材都是直接带隙半导体,且带隙从单层的1.7 eV一直随着层数的增加而减小,到块材则变为0.3 eV,涵盖了可见光到中红外波段,恰好填补了石墨烯和过渡... 黑磷是继石墨烯、过渡金属硫族化合物(TMDCs)之后又一个备受关注的二维材料.黑磷从单层到块材都是直接带隙半导体,且带隙从单层的1.7 eV一直随着层数的增加而减小,到块材则变为0.3 eV,涵盖了可见光到中红外波段,恰好填补了石墨烯和过渡金属硫族化合物的带隙在该波段的空白.同时,黑磷还具有很高的载流子迁移率、良好的调控性、面内各向异性等优异特性,很快便引起了人们广泛的研究兴趣.本论文主要介绍了当前有关二维黑磷光学性质方面的研究进展,包括黑磷的本征光学性质,如带间跃迁吸收、激子、光致发光、光学性质的稳定性;外界微扰,如应变、电场等对黑磷光学性质的影响;最后做了总结与展望.希望本文对黑磷光学性质研究的综述,能够引起对黑磷研究的更广泛兴趣. 展开更多
关键词 二维材料 黑磷 光学性质 红外光谱
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In掺杂h-LuFeO3光吸收及极化性能的第一性原理计算 认领
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作者 张小娅 宋佳讯 +2 位作者 王鑫豪 王金斌 钟向丽 《物理学报》 SCIE EI CAS 北大核心 2021年第3期218-223,共6页
h-LuFeO3是一种窄带隙铁电半导体材料,已被证明在铁电光伏领域有较好的应用前景.然而,较低的极化强度使光生电子-空穴对复合率大,限制了h-LuFeO3基铁电光伏电池效率的提高.为改善h-LuFeO3的极化强度,提高光吸收性质,本文利用第一性原理... h-LuFeO3是一种窄带隙铁电半导体材料,已被证明在铁电光伏领域有较好的应用前景.然而,较低的极化强度使光生电子-空穴对复合率大,限制了h-LuFeO3基铁电光伏电池效率的提高.为改善h-LuFeO3的极化强度,提高光吸收性质,本文利用第一性原理计算方法研究了In原子在h-LuFeO3不同位置的掺杂形成能,得到最稳定的掺杂位置,比较了h-Lu1-xInxFeO3(x=0,0.167,0.333,0.667)的带隙、光吸收性能及极化强度等性质.计算结果表明,随着In掺杂比例的增加,h-LuFeO3的晶格常数c/a比不断增大,铁电极化强度得到提高.当In:Lu=2:1时,材料杂质能级出现,Fe-O轨道杂化得到增强,提高了h-LuFeO3的光吸收性能.此工作证明了In掺杂是改善h-LuFeO3极化强度和光吸收系数的有效方法,对铁电光伏性能的提高提供一种新途径. 展开更多
关键词 h-LuFeO3 掺杂 光学性质 极化强度 第一性原理
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镧系掺杂ZnO的电子结构和光学性质 认领
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作者 白玲玲 林志萍 +1 位作者 董华锋 吴福根 《广东工业大学学报》 CAS 2021年第2期66-72,共7页
通过第一性原理计算研究了镧系元素掺杂ZnO的电子结构和光学性质。结果表明:单层ZnO中掺杂形成能低于体ZnO的形成能。较Zn原子而言,具有更大原子半径的镧系原子的引入使得掺杂后的ZnO的晶格常数变大。镧系元素的4f电子与O的2s和Zn的3p... 通过第一性原理计算研究了镧系元素掺杂ZnO的电子结构和光学性质。结果表明:单层ZnO中掺杂形成能低于体ZnO的形成能。较Zn原子而言,具有更大原子半径的镧系原子的引入使得掺杂后的ZnO的晶格常数变大。镧系元素的4f电子与O的2s和Zn的3p、4s轨道电子的杂化使非磁性的ZnO在掺入单个镧系原子后呈现出一定的铁磁性。镧系元素掺杂ZnO使体系的价带和导带之间出现了杂质能级,这使带隙减小从而提高了ZnO的导电能力;Eu/La/Ce掺杂ZnO的光吸收谱在近红外区域出现了新的吸收峰。随Eu/Ce-Oi双缺陷的形成,氧间隙明显地改变了ZnO的光学性质。 展开更多
关键词 镧系掺杂ZnO 电子结构 光学性质 缺陷对
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不同丰枯情景下长江三角洲非通江湖泊(滆湖、淀山湖和阳澄湖)有色可溶性有机物组成特征 认领
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作者 石玉 李元鹏 +5 位作者 张柳青 郭燕妮 周蕾 周永强 张运林 黄昌春 《湖泊科学》 EI CAS 北大核心 2021年第1期168-180,共13页
长三角地区大部分湖泊为非通江湖泊,地势低平,港汊及闸坝众多,水流宣泄不畅,水力滞留时间较长,加之周边地区城镇人口稠密.因此与水滞留时间短的通江湖泊相比,非通江湖泊的有色可溶性有机物(CDOM)来源和组成具有差异性.本文选取了3个重... 长三角地区大部分湖泊为非通江湖泊,地势低平,港汊及闸坝众多,水流宣泄不畅,水力滞留时间较长,加之周边地区城镇人口稠密.因此与水滞留时间短的通江湖泊相比,非通江湖泊的有色可溶性有机物(CDOM)来源和组成具有差异性.本文选取了3个重要的中型非通江供水湖泊——滆湖、淀山湖和阳澄湖,对枯水期、平水期、丰水期3种水文情景下CDOM组成结构变化特征进行分析,从而进一步揭示该类湖泊CDOM来源和对水文情景响应的内在机理.结果表明:滆湖、淀山湖和阳澄湖通过平行因子分析法得到2种类腐殖质(C1和C4)和2种类蛋白质(C2和C3),湖泊CDOM结构受到降雨事件和人类活动的双重影响.三个湖泊类蛋白质的高值在空间上主要集中在人类活动频繁的湖区,并且类蛋白质平均荧光强度与叶绿素a浓度相关性较差,说明湖泊类蛋白质组分受到内源藻类降解、外源人类生产生活排放双重作用的影响.三个湖泊类蛋白质的平均荧光强度和总氮浓度均在枯水期显著高于丰水期,说明降雨量的增加可以稀释湖泊有机质浓度;同时,陆源类腐殖质C1与溶解性有机碳、总氮、总磷、叶绿素a浓度呈显著正相关,并且随着降雨量增加,类蛋白质的占比逐渐降低,滆湖从86.84%降低至62.49%,淀山湖从96.53%降低至90.56%,阳澄湖从98.40%降低至96.26%,说明降雨事件也可以增强径流的冲刷作用,携带更多腐殖化程度高的陆源有机质进入湖泊.本研究发现降雨过程和人类活动共同作用于滆湖、淀山湖和阳澄湖CDOM库,研究结果可以为进一步保障太湖流域人类用水安全提供参考依据. 展开更多
关键词 太湖流域 有色可溶性有机物 光学性质 平行因子分析 人类活动 滆湖 淀山湖 阳澄湖
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表面修饰调控单层ZnS电子结构和光学性质 认领
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作者 吴迪 熊子谦 方文玉 《四川大学学报:自然科学版》 CAS 北大核心 2021年第1期121-127,共7页
为了研究H,F修饰单层ZnS对其电子结构和光学性质的影响,建立了H修饰、F修饰以及H-F共同修饰单层ZnS晶体结构.采用基于密度泛函理论(DFT)的第一性原理平面波超软赝势方法,计算了各二维材料的晶体结构、稳定性、电子结构和光学性质.计算... 为了研究H,F修饰单层ZnS对其电子结构和光学性质的影响,建立了H修饰、F修饰以及H-F共同修饰单层ZnS晶体结构.采用基于密度泛函理论(DFT)的第一性原理平面波超软赝势方法,计算了各二维材料的晶体结构、稳定性、电子结构和光学性质.计算结果表明,单层ZnS是一种准平面结构,经过修饰后则转变为褶皱六元环结构,且修饰后的ZnS具有很好的稳定性.电子结构表明,单层ZnS是一种直接带隙半导体,其计算能隙为2.625 eV,H修饰ZnS会导致其能隙增大,且转变为间接带隙半导体,F修饰和H-F共修饰则使得ZnS能隙不同程度减小.载流子有效质量结果显示,单层ZnS为轻空穴重电子型半导体,H或F修饰会导致半导体的空穴有效质量显著增大,电子有效质量的变化则相对较小.光学性质表明,H,F修饰会导致ZnS的吸收边发生蓝移,其中F修饰,H-F共修饰(H与Zn同侧,F与S同侧)ZnS对短中波紫外线的吸收效果明显增强,表明其在未来光电子领域有着广阔的应用前景. 展开更多
关键词 单层ZnS 第一性原理 电子结构 有效质量 光学性质
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基于铑催化的C—H键活化/轴手性到中心手性转化策略的螺环构筑 认领
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作者 马小军 栾新军 《有机化学》 SCIE CAS CSCD 北大核心 2020年第6期1785-1786,共2页
螺环化合物是一类具有三维立体结构的化合物,因其优异的光物理性质及光学性质广泛地应用于材料科学领域中,尤其由萘酚衍生而来的螺环化合物的应用得到了科学家们的广泛研究^[1,2].随着对螺环化合物的合成需求的增加,化学家们需要发展快... 螺环化合物是一类具有三维立体结构的化合物,因其优异的光物理性质及光学性质广泛地应用于材料科学领域中,尤其由萘酚衍生而来的螺环化合物的应用得到了科学家们的广泛研究^[1,2].随着对螺环化合物的合成需求的增加,化学家们需要发展快速、高效构建螺环的合成方法. 展开更多
关键词 螺环化合物 光学性质 三维立体结构 光物理性质 轴手性 铑催化 中心手性 材料科学领域
Fe3 O4/POMs纳米复合物的合成及对次甲基蓝的吸附性研究 认领
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作者 李春艳 魏葆婷 +2 位作者 景国岐 刘红玲 韩秋霞 《化学研究》 CAS 2020年第6期492-498,共7页
以Fe3O4与[Co(L)2(H2O)2]2[P2Mo5O23]·2H2O(POMs,L=pyridine-2-carboxamide)为原料成功合成Fe3O4/POMs纳米复合物.通过透射电子显微镜(TEM)、X射线衍射仪(XRD)、紫外可见分光光度计(UV-Vis)、傅立叶变换红外光谱仪(FT-IR)、荧光光... 以Fe3O4与[Co(L)2(H2O)2]2[P2Mo5O23]·2H2O(POMs,L=pyridine-2-carboxamide)为原料成功合成Fe3O4/POMs纳米复合物.通过透射电子显微镜(TEM)、X射线衍射仪(XRD)、紫外可见分光光度计(UV-Vis)、傅立叶变换红外光谱仪(FT-IR)、荧光光谱仪(PL)和振动样品磁强计(VSM)对Fe3O4/POMs纳米复合物进行结构和性质研究,结果表明合成的Fe3O4/POMs纳米复合物平均粒径为13.03 nm,几乎呈球形,大小较为均匀,室温下显示良好的光学和磁学性能,在黑暗条件下,Fe3O4/POMs纳米复合物能有效吸附有色染料次甲基蓝.该纳米复合物在吸附、磁学和生物医学方面都具有潜在应用. 展开更多
关键词 Fe3O4/POMs纳米复合物 光学性质 磁学性质 次甲基蓝吸附
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AlxGa1-xAs材料结构与物理特性的第一性原理研究 认领
9
作者 宋娟 丁召 +5 位作者 张振东 郭祥 魏节敏 王继红 罗子江 王一 《人工晶体学报》 EI CAS 北大核心 2020年第5期824-832,共9页
基于密度泛函理论,对Al组分由0~1变化时AlxGa1-xAs体系的晶体结构、差分电荷密度、光电性质以及热力学性质进行第一性原理计算。得到AlxGa1-xAs体系的晶格常数a与Al组分x之间呈线性增加关系。能带结构图显示其禁带宽度将随掺入Al组分x... 基于密度泛函理论,对Al组分由0~1变化时AlxGa1-xAs体系的晶体结构、差分电荷密度、光电性质以及热力学性质进行第一性原理计算。得到AlxGa1-xAs体系的晶格常数a与Al组分x之间呈线性增加关系。能带结构图显示其禁带宽度将随掺入Al组分x的增加而变大,并且当x≥0.5时,体系能带由直接带隙变为间接带隙。静介电系数ε1(0)随掺入Al组分增加而减小,吸收系数带边随x增大而发生蓝移现象。由材料体系的德拜温度随Al组分的变化情况可知,Al组分增加,体系的声速和弹性劲度常数也相应地增大,高温时比热容的非线性增大是单位质量内AlxGa1-xAs的原胞数非线性增加所导致。通过分析不同Al组分下AlxGa1-xAs体系的光电特征、热力学性质,从而为AlxGa1-xAs在光电子器件以及太阳能电池等方面的应用以及后续的深入研究打下理论基础。 展开更多
关键词 第一性原理 晶格常数 电子结构 光学性质 热力学性质
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杂质Si对晶体物理特性的影响——以氧化石墨烯纳米带为例 认领
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作者 王伟华 吴瑞芳 王旭颖 《科技创新导报》 2020年第21期93-95,共3页
半导体的物理特性对杂质是敏感的,杂质的存在会强烈的影响半导体的导电性质。本文主要由氧化石墨烯纳米带为例,结合热力学与统计物理和固体物理的相关知识,讨论杂质Si对其物理特性,如电子性质和光学性质的影响,为掺杂缺陷的课堂教学打... 半导体的物理特性对杂质是敏感的,杂质的存在会强烈的影响半导体的导电性质。本文主要由氧化石墨烯纳米带为例,结合热力学与统计物理和固体物理的相关知识,讨论杂质Si对其物理特性,如电子性质和光学性质的影响,为掺杂缺陷的课堂教学打下坚实的理论基础。通过理论计算得到了掺杂Si原子的氧化石墨烯纳米带,由半导体性质变成了导体性质。掺杂Si原子导致在费米能级附近的能带导通条数增加,带隙值变小,以及电子的共有化运动,导致了氧化石墨烯纳米导电性和发光性增强。并且介电函数的虚部吸收峰增多,电子之间相互作用显著,光学性质变化显著。 展开更多
关键词 氧化石墨烯纳米带 电子性质 光学性质 杂质
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A2BNiX6型双钙钛矿分子光电性质的第一性原理研究 认领
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作者 林春丹 张艳超 +3 位作者 赵玉莹 杨振清 张万松 邵长金 《人工晶体学报》 EI CAS 北大核心 2020年第4期659-664,671共7页
A2BB′X6型双钙钛矿分子材料由于其结构稳定、性质优异、成本低廉等优点受到了人们的广泛关注,具有无毒、环境稳定性高等特点,同时也成为目前太阳能电池研究领域的热点。为了筛选优质的双钙钛矿分子,本文采用密度泛函理论设计了10种A2BN... A2BB′X6型双钙钛矿分子材料由于其结构稳定、性质优异、成本低廉等优点受到了人们的广泛关注,具有无毒、环境稳定性高等特点,同时也成为目前太阳能电池研究领域的热点。为了筛选优质的双钙钛矿分子,本文采用密度泛函理论设计了10种A2BNiX6型双钙钛矿分子。研究了分子的结构稳定性、电子性质和光学性质,分析了不同位置的元素对其能带和光学性质的影响。研究结果表明,A2BNiX6型双钙钛矿都是直接带隙,非常有利于可见光的吸收。尤其是X位置为F原子的A2BNiF6的4种双钙钛矿带隙值为1.52~1.69 eV,非常适合作为光吸收材料。光学性质研究表明,A2BNiF6双钙钛矿是一种透明材料,在透明发光材料方面具有广泛的应用前景。尽管相对于杂化泛函存在一定误差,但这些研究为双钙钛矿太阳能电池的吸光材料提供了理论支持。 展开更多
关键词 双钙钛矿 第一性原理 电子性质 光学性质
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Y掺杂SrAl2Si2的电子结构与光学性质的第一性原理研究 认领
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作者 刘娟 陈中钧 赖仓隆 《科技创新与应用》 2020年第14期1-7,共7页
文章采用基于密度泛函理论的第一性原理方法研究掺杂Y的Sr1-xYxAl2Si2(x=0,0.25,0.5和0.75)的晶体结构、电子性质和光学性质。研究发现掺杂Y的SrAl2Si2晶体结构发生了明显的压缩,Sr0.5Y0.5Al2Si2发生了相变,由三方晶系转变为单斜晶系。... 文章采用基于密度泛函理论的第一性原理方法研究掺杂Y的Sr1-xYxAl2Si2(x=0,0.25,0.5和0.75)的晶体结构、电子性质和光学性质。研究发现掺杂Y的SrAl2Si2晶体结构发生了明显的压缩,Sr0.5Y0.5Al2Si2发生了相变,由三方晶系转变为单斜晶系。此外,能带结构的计算表明,SrAl2Si2是一种半金属,在导带和价带之间有很小的重叠。掺杂Y原子后,SrAl2Si2从半金属向金属转变,并且随着掺杂浓度从x=0.25,0.5到0.75,其金属性逐渐增强,这与态密度(DOS)的计算结果一致。这些结果表明,通过提高Y的掺杂浓度,SrAl2Si2基合金的热电性能很可能得到进一步的改善。最后,计算并分析了掺杂Y的Sr1-xYxAl2Si2(x=0,0.25,0.5和0.75)晶体的介电函数、能量损失谱和反射谱,得出Sr1-xYxAl2Si2是一种前景较好的介电材料,并且在20-30 eV能量范围内是良好的紫外透光材料。 展开更多
关键词 第一性原理计算 Sr1-xYxAl2Si2 结构 电子性质 光学性质
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掺质极宽禁带半导体β-Ga2O3单晶光电性质调控研究进展 认领
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作者 蒋孟飞 张乃霁 +3 位作者 刘皓月 万玲玉 覃善华 夏长泰 《中国照明电器》 2020年第8期1-11,共11页
近年来,β-Ga2O3材料的研究和应用成为国际上的热点。由于β-Ga2O3禁带宽度大(4.8~4.9 eV),击穿场强高达8 MV/cm^3,其单晶可以通过多种熔体法生长,故β-Ga2O3是一种极具潜力的应用于大功率电子设备和深紫外(DUV)光电探测器的半导体材料... 近年来,β-Ga2O3材料的研究和应用成为国际上的热点。由于β-Ga2O3禁带宽度大(4.8~4.9 eV),击穿场强高达8 MV/cm^3,其单晶可以通过多种熔体法生长,故β-Ga2O3是一种极具潜力的应用于大功率电子设备和深紫外(DUV)光电探测器的半导体材料。本文综述介绍了β-Ga2O3晶体的结构、光电性质和单晶生长方法,总结了不同掺质β-Ga2O3晶体的光学性质和电学性质。人们可以通过不同掺质对晶体的光电性质进行调控,以满足不同的应用目的。最后总结了β-Ga2O3晶体在功率器件、LED衬底和日盲探测器方面的应用。 展开更多
关键词 宽禁带半导体 β-Ga2O3晶体 掺质 光学性质 电学性质
文章速递查尔酮基荧光染料的合成、光学性质及细胞成像 认领
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作者 沈学彬 丁大力 +1 位作者 周乐 王慧 《池州学院学报》 2020年第6期64-66,共3页
以2-乙酰基吡啶和6-甲氧基-2-萘甲醛为原料,通过醛酮缩合反应,合成了一种新型的查尔酮衍生物(E)-3-(6-甲氧基-2-萘基)-1-(2-吡啶基)丙烯基酮(L),借助氢谱、碳谱、质谱和单晶射线X-衍射对化合物L的结构进行了表征。利用紫外可见吸收光谱... 以2-乙酰基吡啶和6-甲氧基-2-萘甲醛为原料,通过醛酮缩合反应,合成了一种新型的查尔酮衍生物(E)-3-(6-甲氧基-2-萘基)-1-(2-吡啶基)丙烯基酮(L),借助氢谱、碳谱、质谱和单晶射线X-衍射对化合物L的结构进行了表征。利用紫外可见吸收光谱和荧光光谱并结合含时密度泛函理论研究了化合物L的光学性质,表明化合物L具有良好的光学性能。生物学实验结果表明化合物L具有较好的生物相容性和低的细胞毒性,且其能够穿过细胞膜,着色细胞的细胞质部位。 展开更多
关键词 查尔酮 理论计算 光学性质 细胞成像
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基于第一性原理与BP神经网络的V掺杂TiO2光电性质研究 认领
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作者 李昌磊 杨平 《人工晶体学报》 EI CAS 北大核心 2020年第4期618-623,共6页
通过采用密度泛函理论第一性原理计算,主要研究不同浓度下V掺杂TiO2的结构、能带、电导率、反射和吸收率的变化。建立本征TiO2和VxTi1-xO2(x=0.0625,0.125,0.1875)的掺杂模型,掺杂体系具有较高的电导率且具有N型半导体特征。通过BP神经... 通过采用密度泛函理论第一性原理计算,主要研究不同浓度下V掺杂TiO2的结构、能带、电导率、反射和吸收率的变化。建立本征TiO2和VxTi1-xO2(x=0.0625,0.125,0.1875)的掺杂模型,掺杂体系具有较高的电导率且具有N型半导体特征。通过BP神经网络对模型的能带结果进行训练,训练的模型数据结果发现掺杂后具有较高的电导率,禁带宽度明显降低。综合以上结果,在x=0.1875时实现最佳电导率和光学性能。 展开更多
关键词 第一性原理 光学性质 BP神经网络 TIO2
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单点缺陷氧化石墨烯电子结构与光学特性的第一性原理研究 认领
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作者 林启民 崔建功 +7 位作者 颜鑫 袁学光 陈小瑜 芦启超 罗彦彬 黄雪 张霞 任晓敏 《无机材料学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2020年第10期1117-1122,共6页
本研究采用基于密度泛函理论的第一性原理方法,在局域密度近似和广义梯度近似下,研究了单点缺陷下不同结构氧化石墨烯的电子结构和光学特性。研究结果表明:文中四种构型的氧化石墨烯为力学稳定结构,其中包含不饱和氧原子的氧化石墨烯结... 本研究采用基于密度泛函理论的第一性原理方法,在局域密度近似和广义梯度近似下,研究了单点缺陷下不同结构氧化石墨烯的电子结构和光学特性。研究结果表明:文中四种构型的氧化石墨烯为力学稳定结构,其中包含不饱和氧原子的氧化石墨烯结构在水裂解及制氢中具有重要应用潜力。能带及分波态密度计算结果表明,包含不饱和氧原子的构型为间接带隙半导体,其余构型均为直接带隙半导体,且掺杂类型和带隙值随结构不同而改变。氧化石墨烯的光学吸收表现为各向异性,且在垂直于平面方向上的吸收边蓝移到近紫外可见光区。包含sp3杂化形式的结构光学吸收系数比包含sp2杂化的结构高,说明碳氧双键和悬挂键的存在对吸收光谱有重要影响。 展开更多
关键词 第一性原理 氧化石墨烯 光学性质 能带 吸收系数
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高压下新型超硬Im2-CN2晶体的电子结构和光学性质 认领
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作者 董明慧 苑光明 +2 位作者 王学文 刘恩超 李志勇 《石河子大学学报:自然科学版》 CAS 北大核心 2020年第5期535-539,共5页
本文采用密度泛函理论研究高压下Im2-CN 2的电子结构和吸收系数、反射率、折射率、光导等光学性质,得出了以下点结论:随着压强的增大,Im2-CN 2的带隙宽度从0.13 eV增大到0.58 eV;Im2-CN 2的价带顶的电子态主要是由C-2 p态和N-2 p态贡献... 本文采用密度泛函理论研究高压下Im2-CN 2的电子结构和吸收系数、反射率、折射率、光导等光学性质,得出了以下点结论:随着压强的增大,Im2-CN 2的带隙宽度从0.13 eV增大到0.58 eV;Im2-CN 2的价带顶的电子态主要是由C-2 p态和N-2 p态贡献,导带底的电子态主要是由C-2 p态、N-2 p和N-2 s态贡献;随着压强的增大,Im2-CN 2介电常数、吸收系数、反射率、折射率、光导等都会发生蓝移,这与带隙宽度的变化规律一致。Im2-CN 2在紫外区有良好的吸收谱,最高达500000 cm-1,是潜在的紫外吸收材料;在可见光区折射率实部维持在2.7~3.2,可用于光导纤维涂层材料。 展开更多
关键词 光学性质 电子结构 Im2-CN 2晶体 第一性原理
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GaAs晶体的电子结构和光学性质的第一性原理研究 认领
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作者 熊明姚 罗玲 +1 位作者 张锐 苏欣 《伊犁师范学院学报:自然科学版》 2020年第1期23-27,共5页
基于密度泛函理论的第一性原理计算方法计算GaAs晶体的电子结构和光学性质,计算基组采用广义密度泛函(GGA)和赝势选取规范场赝势(NCP)对GaAs晶体进行理论计算研究.研究发现GaAs晶的带隙是1.019 eV,通过态密度图分析可知:价带顶主要由As... 基于密度泛函理论的第一性原理计算方法计算GaAs晶体的电子结构和光学性质,计算基组采用广义密度泛函(GGA)和赝势选取规范场赝势(NCP)对GaAs晶体进行理论计算研究.研究发现GaAs晶的带隙是1.019 eV,通过态密度图分析可知:价带顶主要由As的4s态组成,导带底由Ga的4s、4p和As的4s、4p态形成的杂化轨道共同构成,GaAs晶体是一种直接带隙晶体;为深入了解GaAs的光学性质,计算给出了折射率、介电函数,以及反射和吸收系数等光学性质的理论结果,从而探究电子结构和光学性质的内在联系. 展开更多
关键词 GAAS 第一性原理 电子结构 光学性质
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立方K2CsSb、K3Sb和Cs3Sb阴极材料的电子结构和光学性质 认领 被引量:1
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作者 康天佑 任玲 +5 位作者 张锴珉 金睦淳 王兴超 舒昭鑫 张益军 钱芸生 《光子学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2020年第1期197-204,共8页
针对K2CsSb光电阴极生长过程中可能存在的K3Sb、K2CsSb和Cs3Sb三种化合物,采用基于密度泛函理论的第一性原理计算方法,分别建立这三种锑化物阴极材料的立方结构体模型和(111)表面模型,获得了其电子结构与光学性质.对于体模型,计算得到... 针对K2CsSb光电阴极生长过程中可能存在的K3Sb、K2CsSb和Cs3Sb三种化合物,采用基于密度泛函理论的第一性原理计算方法,分别建立这三种锑化物阴极材料的立方结构体模型和(111)表面模型,获得了其电子结构与光学性质.对于体模型,计算得到了能带结构、态密度和光学性质,而对于表面模型,计算得到了功函数、光学性质和表面能.结果表明,三种锑化物阴极在中微子与闪烁体作用辐射能量范围(2.4~3.2eV)内,K2CsSb体材料的吸收系数和反射率与Cs3Sb、K3Sb体材料相近,而K2CsSb(111)表面的吸收系数和反射率低于其他两种阴极的(111)表面.此外,K3Sb的禁带宽度最小、功函数最大且表面能最大,Cs3Sb的表面能最小,其功函数与K2CsSb相近但禁带宽度比K2CsSb小,而K2CsSb禁带宽度最大,功函数和表面能都较小,因此K2CsSb阴极在蓝紫光波段适合作为一种稳定高效的光电发射材料. 展开更多
关键词 锑化物阴极 第一性原理 电子结构 光学性质
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电负性概念的新标度及其应用 认领
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作者 吴钰 《产业与科技论坛》 2020年第7期42-43,共2页
电负性是日常生活及化学材料科学领域中的一个极为重要的概念,但对其定义和表示一直模糊不清。电负性本身表示分子中原子吸引电子的能力,随着各学科之间相互交叉和渗透,其已经成为物理、化学和材料科学等领域具有广泛应用的重要参数,与... 电负性是日常生活及化学材料科学领域中的一个极为重要的概念,但对其定义和表示一直模糊不清。电负性本身表示分子中原子吸引电子的能力,随着各学科之间相互交叉和渗透,其已经成为物理、化学和材料科学等领域具有广泛应用的重要参数,与超导、电磁性和光学性质密切相关。本文综述了科学家对电负性近几十年来的研究进展,为人们理清电负性的微观本质提供了重要参考。 展开更多
关键词 电负性 价电子平均能量 电磁性 光学性质
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