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压阻式小量程SOI压力敏感结构仿真分析 预览
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作者 揣荣岩 吕品 +1 位作者 杨宇新 张冰 《仪表技术与传感器》 CSCD 北大核心 2019年第2期14-17,共4页
针对小量程MEMS压力传感器存在提高灵敏度与降低非线性相互制约的问题,利用板壳理论对小量程压力敏感结构进行了仿真分析,给出了兼顾这两个相互制约技术指标的设计方法。基于SOI技术设计了小量程压力敏感结构,通过感压膜片断裂前与衬底... 针对小量程MEMS压力传感器存在提高灵敏度与降低非线性相互制约的问题,利用板壳理论对小量程压力敏感结构进行了仿真分析,给出了兼顾这两个相互制约技术指标的设计方法。基于SOI技术设计了小量程压力敏感结构,通过感压膜片断裂前与衬底适当接触可使其过载能力得到有效提高。仿真结果表明,所设计的量程为5kPa的压力敏感芯片,其过载压力达到1MPa,1mA恒流源供电条件下,满量程输出为43.2mV。 展开更多
关键词 压力敏感结构 小量程 灵敏度 非线性 过载 SOI技术
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