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退火温度和溅射时间对磁控溅射法制备Mg2Si薄膜的影响
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作者 陈茜 马新宇 +2 位作者 廖杨芳 肖清泉 谢泉 《低温物理学报》 CAS 北大核心 2019年第2期129-134,共6页
采用磁控溅射法和原位退火工艺在钠钙玻璃衬底上制备Mg2Si薄膜.首先在钠钙玻璃衬底上交替溅射沉积两层Si、Mg薄膜,冷却至室温后原位退火4h,制备出一系列Mg2Si薄膜样品.通过X射线衍射仪(XRD)、扫描电子显微镜(SEM)对所得薄膜样品的晶体... 采用磁控溅射法和原位退火工艺在钠钙玻璃衬底上制备Mg2Si薄膜.首先在钠钙玻璃衬底上交替溅射沉积两层Si、Mg薄膜,冷却至室温后原位退火4h,制备出一系列Mg2Si薄膜样品.通过X射线衍射仪(XRD)、扫描电子显微镜(SEM)对所得薄膜样品的晶体结构和表面形貌进行表征,讨论了退火温度和溅射Si/Mg/Si/Mg时间对制备Mg2Si薄膜的影响.结果表明,采用磁控溅射法在钠钙玻璃衬底上交替溅射两层Si、Mg薄膜,通过原位退火方式成功制备出单一相的Mg2Si薄膜,溅射Si/Mg/Si/Mg的时间为12.5/9/12.5/9min,退火温度为550℃时,制备的Mg2Si薄膜结晶度最好,连续性和致密性最强.这对后续Mg2Si薄膜器件的设计与制备提供了重要的参考. 展开更多
关键词 磁控溅射 原位退火 交替溅射 退火温度 溅射时间
原位退火温度对Mg2Si薄膜结构及方块电阻的影响
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作者 马新宇 陈茜 +4 位作者 廖杨芳 肖清泉 陈庆 姚紫祎 谢泉 《低温物理学报》 CSCD 北大核心 2017年第5期16-20,共5页
采用磁控溅射法和原位退火工艺在钠钙玻璃衬底上制备Mg2Si半导体薄膜.首先在钠钙玻璃衬底上依次溅射一定厚度的Si、Mg薄膜,冷却至室温后原位退火4h,在400600℃退火温度下制备出一系列Mg2Si薄膜样品.采用X射线衍射仪(XRD)、扫描电子显... 采用磁控溅射法和原位退火工艺在钠钙玻璃衬底上制备Mg2Si半导体薄膜.首先在钠钙玻璃衬底上依次溅射一定厚度的Si、Mg薄膜,冷却至室温后原位退火4h,在400600℃退火温度下制备出一系列Mg2Si薄膜样品.采用X射线衍射仪(XRD)、扫描电子显微镜(SEM)对Mg2Si薄膜样品的晶体结构和表面形貌进行表征,利用四探针测试仪测试薄膜样品的方块电阻,讨论了原位退火温度对Mg2Si薄膜结构、表面形貌及电学性能的影响.结果表明,采用原位退火方式成功在钠钙玻璃衬底上制备出单一相的Mg2Si薄膜,退火温度为550℃时,结晶度最好,连续性和致密性最强,方块电阻最小.这对后续Mg2Si薄膜器件的设计与制备提供了重要的参考. 展开更多
关键词 磁控溅射 原位退火 Mg2Si薄膜 退火温度 方块电阻
单靶溅射制备铜锌锡硫薄膜及原位退火研究 预览
3
作者 赵其琛 郝瑞亭 +5 位作者 刘思佳 刘欣星 常发冉 杨敏 陆熠磊 王书荣 《物理学报》 CSCD 北大核心 2017年第22期250-256,共7页
采用衬底加热溅射铜锌锡硫(CZTS)四元化合物单靶制备CZTS薄膜,并研究原位退火对制备薄膜的影响.结果表明:在溅射结束后快速升温并保持一段时间,所得到的样品相比于未原位退火的CZTS薄膜结晶质量更好,且表面更平整致密;原位退火后的C... 采用衬底加热溅射铜锌锡硫(CZTS)四元化合物单靶制备CZTS薄膜,并研究原位退火对制备薄膜的影响.结果表明:在溅射结束后快速升温并保持一段时间,所得到的样品相比于未原位退火的CZTS薄膜结晶质量更好,且表面更平整致密;原位退火后的CZTS薄膜太阳电池性能参数也相应地有所提升,其开路电压(V_(OC))为575 mV,短路电流密度(J_(SC))为8.32 mA/cm~2,光电转换效率达到1.82%. 展开更多
关键词 铜锌锡硫 磁控溅射 原位退火 太阳电池
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Fe掺杂In2O3薄膜的结构及磁性研究 预览
4
作者 王利荣 《河北民族师范学院学报》 2014年第2期38-40,共3页
在室温条件下采用直流磁控溅射方法并结合原位空气退火工艺,在普通玻璃基片上,制备了不同Fe掺杂量的In2O3薄膜。实验结果表明,退火氛围及Fe的掺杂量对In2O3薄膜的微结构、形貌及磁特性都有着很大的影响。空气中773K下退火30min的In2O... 在室温条件下采用直流磁控溅射方法并结合原位空气退火工艺,在普通玻璃基片上,制备了不同Fe掺杂量的In2O3薄膜。实验结果表明,退火氛围及Fe的掺杂量对In2O3薄膜的微结构、形貌及磁特性都有着很大的影响。空气中773K下退火30min的In2O3薄膜样品则结晶状态良好,不同Fe掺杂的In2O3薄膜样品均表现出室温铁磁性。 展开更多
关键词 磁控溅射 原位退火 In2O3薄膜
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Fe掺杂对TiO2薄膜材料晶体结构转变的影响 预览
5
作者 王青 张海峰 《河北师范大学学报:自然科学版》 CAS 北大核心 2011年第6期 594-597,共4页
应用直流磁控溅射方法并结合原位退火工艺,在普通玻璃基片上制备了不同Fe掺杂的TiO2薄膜,沉积过程中保持基底温度300℃.实验结果表明,退火氛围及Fe的掺杂量对TiO2薄膜的结晶状态、微结构及形貌都有很大影响.真空中500℃下退火0.5 h的Fe-... 应用直流磁控溅射方法并结合原位退火工艺,在普通玻璃基片上制备了不同Fe掺杂的TiO2薄膜,沉积过程中保持基底温度300℃.实验结果表明,退火氛围及Fe的掺杂量对TiO2薄膜的结晶状态、微结构及形貌都有很大影响.真空中500℃下退火0.5 h的Fe-TiO2薄膜样品表现为非晶态结构,而空气中500℃下退火0.5 h的该样品则结晶状态良好;随着Fe掺杂量的增加,TiO2薄膜样品逐渐由锐钛矿相向金红石相转变. 展开更多
关键词 磁控溅射 原位退火 Fe-TiO2薄膜
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原位退火对磁控溅射制备的ZnS薄膜微结构和发光性能的影响 预览 被引量:3
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作者 石刚 李亚军 +3 位作者 左少华 江锦春 胡古今 褚君浩 《红外与毫米波学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2011年第6期 507-510,共4页
采用射频磁控溅射技术在玻璃衬底上制备了系列ZnS薄膜,利用X射线衍射仪(XRD)、扫描电子显微镜(SEM)和荧光分光光度计研究了Ar气氛中300~500℃原位退火对薄膜微结构和发光性能的影响.结果表明,退火温度对ZnS薄膜的结晶性能和晶粒大... 采用射频磁控溅射技术在玻璃衬底上制备了系列ZnS薄膜,利用X射线衍射仪(XRD)、扫描电子显微镜(SEM)和荧光分光光度计研究了Ar气氛中300~500℃原位退火对薄膜微结构和发光性能的影响.结果表明,退火温度对ZnS薄膜的结晶性能和晶粒大小的影响不大,但会显著影响其发光特性.低温退火处理的薄膜的PL谱具有多个发光峰,而500℃退火的薄膜则表现为单一发光峰结构.PL谱的这种变化是由于退火引起ZnS薄膜中的缺陷种类和浓度变化所致. 展开更多
关键词 ZNS薄膜 原位退火 光致发光 磁控溅射
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分子束外延生长Hg1-xCdxTe材料原位退火研究 预览
7
作者 苏栓 李艳辉 +4 位作者 周旭昌 杨春章 谭英 高丽华 李全保 《红外技术》 CSCD 北大核心 2009年第1期 5-7,共3页
对分子束外延(MBE)生长了Hg1-xCdxTe薄膜材料进行原位退火研究。显微镜观察可知,原位退火可以得到光滑的材料表面,并可以降低材料的腐蚀坑密度(EPD)。霍尔测试结果表明,通过调整退火温度和汞束流可以明显地改善Hg1—xCdxTe材料... 对分子束外延(MBE)生长了Hg1-xCdxTe薄膜材料进行原位退火研究。显微镜观察可知,原位退火可以得到光滑的材料表面,并可以降低材料的腐蚀坑密度(EPD)。霍尔测试结果表明,通过调整退火温度和汞束流可以明显地改善Hg1—xCdxTe材料的电学性能。研究表明Hg1-xCdxTe材料的原位退火技术在改善材料的微观结构和电学性能方面有着重要的意义。 展开更多
关键词 分子束外延(MBE) 原位退火 HG1-XCDXTE 汞束流 电学性能
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原位退火对HVPE生长的GaN外延层光学性质和结构的影响 预览
8
作者 段铖宏 邱凯 +4 位作者 李新化 钟飞 尹志军 韩奇峰 王玉琦 《半导体学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2008年第3期 410-413,共4页
研究了原位退火对用氢化物外延方法在(0001)面蓝宝石衬底上生长的氮化镓(GaN)外延薄膜的结构和光学性能的影响.测试表明,氨气气氛下在生长温度进行的原位退火,明显提高了GaN外延膜的质量.x射线衍射(XRD)分析表明,随着原位退... 研究了原位退火对用氢化物外延方法在(0001)面蓝宝石衬底上生长的氮化镓(GaN)外延薄膜的结构和光学性能的影响.测试表明,氨气气氛下在生长温度进行的原位退火,明显提高了GaN外延膜的质量.x射线衍射(XRD)分析表明,随着原位退火时间的增加,(0002)面和(10T2)面摇摆曲线的半峰宽逐渐变窄.喇曼散射谱显示样品退火后E2(high)峰位向低频区移动;随着退火时问的延长,趋向于块状GaN的峰位.可见,原位退火使GaN外延膜中的双轴应力明显减少.光致发光的测试结果与XRD和喇曼散射谱的结论一致.表明原位退火能有效提高GaN外延膜的结构和光学性能. 展开更多
关键词 GAN 原位退火 氢化物气相外延
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RF反应磁控溅射纳米晶ZnO薄膜的XRD和XPS研究 预览
9
作者 刘黎明 杨培志 《微纳电子技术》 CAS 2007年第9期 897-899,共3页
采用RF反应磁控溅射沉积ZnO薄膜,沉积完成后对薄膜进行氧气氛下的原位退火处理。薄膜的结晶状况和化学成分分别采用XRD和XPS进行分析。结果表明,该薄膜为结晶性能良好的纳米晶薄膜,具有高度的C轴取向性。薄膜的主要成分为ZnO,不存... 采用RF反应磁控溅射沉积ZnO薄膜,沉积完成后对薄膜进行氧气氛下的原位退火处理。薄膜的结晶状况和化学成分分别采用XRD和XPS进行分析。结果表明,该薄膜为结晶性能良好的纳米晶薄膜,具有高度的C轴取向性。薄膜的主要成分为ZnO,不存在金属态Zn。采用文中的工艺方法可获得较高质量的纳米晶ZnO薄膜。 展开更多
关键词 纳米晶ZnO薄膜 RF反应磁控溅射 原位退火 X射线衍射 X射线光电能谱
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C/Co/C纳米颗粒膜的制备及特性 预览 被引量:2
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作者 孙会元 封顺珍 +1 位作者 聂向富 孙玉平 《材料研究学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2005年第2期 165-169,共5页
应用对靶磁控溅射法在玻璃基底上制备了类三明治结构C/Co/C纳米颗粒膜,并进行了原位退火.发现磁性层厚度对C/Co/C颗粒膜的微结构和磁特性有明显影响.在400℃退火的样品具有很好的六角密堆积结构,磁矩很好的排列在膜面内.随着磁性层Co层... 应用对靶磁控溅射法在玻璃基底上制备了类三明治结构C/Co/C纳米颗粒膜,并进行了原位退火.发现磁性层厚度对C/Co/C颗粒膜的微结构和磁特性有明显影响.在400℃退火的样品具有很好的六角密堆积结构,磁矩很好的排列在膜面内.随着磁性层Co层厚度的增加,矫顽力Hc先增大然后减小,粒径和磁畴簇略微增大,样品的表面粗糙度Ra也减小到了0.5 nm左右. 展开更多
关键词 无机非金属材料 纳米颗粒膜 磁控溅射 矫顽力 剩磁比 原位退火
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类三明治结构C/Co/C纳米颗粒膜微结构和磁特性的研究 预览
11
作者 封顺珍 孙会元 +2 位作者 于红云 高凤菊 贾连芝 《功能材料》 EI CAS CSCD 北大核心 2004年第z1期 645-647,650,共4页
在室温下,用对靶磁控溅射法制备了系列类三明治结构C/Co/C颗粒膜.C靶和Co靶分别采用射频溅射和直流对靶溅射模式,并且随后进行了原位退火.用振动样品磁强计(VSM)和扫描探针显微镜(SPM)系统研究了C/Co/C颗粒膜的微结构和磁特性与磁性层... 在室温下,用对靶磁控溅射法制备了系列类三明治结构C/Co/C颗粒膜.C靶和Co靶分别采用射频溅射和直流对靶溅射模式,并且随后进行了原位退火.用振动样品磁强计(VSM)和扫描探针显微镜(SPM)系统研究了C/Co/C颗粒膜的微结构和磁特性与磁性层厚度、非磁性层厚度、退火温度的关系.X射线衍射(XRD)图样显示出退火400℃的样品具有很好的六角密堆积结构.扫描探针显微镜图样和δM曲线说明Co纳米颗粒嵌在非晶质的C母基内.振动样品磁强计测量表明磁矩很好的排列在膜面内,随着磁性层Co层厚度的增加,矫顽力(Hc)先增大然后减小.在Co层厚度为20nm,C层厚度为30nm,退火温度400℃时,矫顽力达到最大值,剩磁比(S)接近于1. 展开更多
关键词 纳米颗粒膜 磁控溅射 矫顽力 剩磁比 原位退火
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薄膜快速火焰沉积法原位后退火制备防雾纳米纤维SiO2和纳米SiO2-TiO2薄膜 预览
12
作者 周明敏 李坚 《中国现代医学杂志》 CAS CSCD 北大核心 2014年第9期26-31,共6页
目的在透明玻璃基板上通过直接火焰气溶胶沉积和原位退火快速合成水稳定性、透明防雾SiO2,TiO2,SiO2-TiO2涂层。方法联合使用火焰喷雾热分解反应器与基片支架合成和涂层沉积TiO2,SiO2-TiO2和SiO2纳米结构于7.5 cm×2.5 cm的玻璃基... 目的在透明玻璃基板上通过直接火焰气溶胶沉积和原位退火快速合成水稳定性、透明防雾SiO2,TiO2,SiO2-TiO2涂层。方法联合使用火焰喷雾热分解反应器与基片支架合成和涂层沉积TiO2,SiO2-TiO2和SiO2纳米结构于7.5 cm×2.5 cm的玻璃基板上。结果在无预处理的情况下在玻璃基板用包含硅前体的HMDSO或TEOS等FSP溶液制备了直径为10~15 nm和长度为数十至数百纳米长的SiO2纳米纤维或纳米线。结论该制备工艺可行性好,质量控制方法简便、可靠。 展开更多
关键词 快速火焰沉积法原位退火 二氧化硅纳米纤维 SiO2-TiO2纳米薄膜
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脉冲激光沉积法原位后退火生长MgB2薄膜的研究 预览 被引量:1
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作者 任国利 张撷秋 +2 位作者 聂瑞娟 王守证 王福仁 《北京大学学报:自然科学版》 EI CAS CSCD 北大核心 2005年第5期710-714,共5页
采用脉冲激光沉积的方法在Al2O3(0001)基片上先生成Mg-B混和薄膜,然后采用原位后退火的方法生成MgB2超导薄膜,采用磁测量(M-T)、X射线衍射、扫描电子显微镜技术分析了各种沉积及退火条件对MgB2超导薄膜表面形貌、晶体结构、超导电性的影... 采用脉冲激光沉积的方法在Al2O3(0001)基片上先生成Mg-B混和薄膜,然后采用原位后退火的方法生成MgB2超导薄膜,采用磁测量(M-T)、X射线衍射、扫描电子显微镜技术分析了各种沉积及退火条件对MgB2超导薄膜表面形貌、晶体结构、超导电性的影响.在沉积温度为200 ℃,退火时间5 min时,改变退火温度得到一组薄膜,研究退火温度对超导薄膜性质的影响,得到了转变温度-退火温度曲线.在退火温度为670 ℃、720 ℃时,得到了最高的临界转变温度Tc=33 K,X射线衍射结果表明此时的薄膜有c轴取向.同时比较了在200 ℃下沉积,在670 ℃下分别退火不同时间的薄膜的超导性质.还比较了分别在不同温度下沉积,然后在670 ℃下退火5 min的薄膜的超导性质.结果表明,沉积温度和退火温度、退火时间极大的影响了薄膜的各种性质. 展开更多
关键词 MGB2 超导薄膜 脉冲激光沉积 原位退火
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