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基于Temporal rule的忆阻神经网络电路 预览
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作者 黄成龙 郝栋栋 方粮 《计算机工程与科学》 CSCD 北大核心 2019年第3期409-416,共8页
忆阻器是一种动态特性的电阻,其阻值可以根据外场的变化而变化,并且在外场撤掉后能够保持原来的阻值,具有类似于生物神经突触连接强度的特性,可以用来存储突触权值。在此基础上,为了实现基于Temporal rule对IRIS数据集识别学习的功能,... 忆阻器是一种动态特性的电阻,其阻值可以根据外场的变化而变化,并且在外场撤掉后能够保持原来的阻值,具有类似于生物神经突触连接强度的特性,可以用来存储突触权值。在此基础上,为了实现基于Temporal rule对IRIS数据集识别学习的功能,建立了以桥式忆阻器为突触的神经网络SPICE仿真电路。采用单个脉冲的编码方式,脉冲的时刻代表着数据信息,该神经网络电路由48个脉冲输入端口、144个突触、3个输出端口组成。基于Temporal rule学习规则对突触的权值修改,通过仿真该神经网络电路对IRIS数据集的分类正确率最高能达到93.33%,表明了此神经系统结构设计在类脑脉冲神经网络中的可用性。 展开更多
关键词 TEMPORAL RULE 神经网络电路 桥式突触
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忆阻神经网络图像处理综述 预览
2
作者 高宏宇 黄文丽 +2 位作者 董宏丽 李佳慧 吴宇墨 《吉林大学学报:信息科学版》 CAS 2019年第2期127-133,共7页
忆阻神经网络能有效改善传统神经网络电路复杂、不易集成以及能耗大等不足。概述了忆阻器与忆阻神经网络,以及目前忆阻神经网络在图像处理方面的应用。基于忆阻特性,实现神经网络突触的动态可变,使忆阻神经网络比传统神经网络在图像处... 忆阻神经网络能有效改善传统神经网络电路复杂、不易集成以及能耗大等不足。概述了忆阻器与忆阻神经网络,以及目前忆阻神经网络在图像处理方面的应用。基于忆阻特性,实现神经网络突触的动态可变,使忆阻神经网络比传统神经网络在图像处理领域具备更多优势且应用范围更广。同时,展望了忆阻神经网络未来发展前景。 展开更多
关键词 神经网络 图像处理
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基于STDP规则的忆阻神经网络 预览
3
作者 李丰泽 《信息记录材料》 2019年第1期60-62,共3页
1971年蔡少棠教授推测到忆阻器的存在,到2008年惠普实验室成功制造出人类第一个忆阻器,这期间人们对于忆阻器的理论建立越来越完备,而忆阻器本身所具有的特性是其他几种基本电路元器件所不能够比拟的,因此人们对于忆阻器的研究愈发的深... 1971年蔡少棠教授推测到忆阻器的存在,到2008年惠普实验室成功制造出人类第一个忆阻器,这期间人们对于忆阻器的理论建立越来越完备,而忆阻器本身所具有的特性是其他几种基本电路元器件所不能够比拟的,因此人们对于忆阻器的研究愈发的深入。而本文则也对其进行了一定的研究,通过研究忆阻器的基本理论和性质,结合惠普忆阻器的物理模型和数学建模,分析得出忆阻器在当今社会的应用领域及基于STDP规则忆阻图像存储,最后提出展望。 展开更多
关键词 惠普 电路元 图像存储
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基于忆阻器的滤波器设计 预览
4
作者 马智浩 李策 孙荟 《电子制作》 2019年第6期11-12,5共3页
近年来,我国电子领域的快速发展,使越来越多的电子元件被应用于各个领域中,从而大大推动了各个领域的发展。忆阻器便是众多电子元件中的一种,与电阻元件有所不同的是,忆阻器具有记忆功能,正是这一特性,使忆阻器能够有效应用于滤波器设计... 近年来,我国电子领域的快速发展,使越来越多的电子元件被应用于各个领域中,从而大大推动了各个领域的发展。忆阻器便是众多电子元件中的一种,与电阻元件有所不同的是,忆阻器具有记忆功能,正是这一特性,使忆阻器能够有效应用于滤波器设计中,从而实现对滤波电路中截止频率的有效调节。鉴于此,本文便对基于忆阻器的滤波器设计进行深入的研究,以期能够为我国在滤波器设计水平上的进一步提高做出贡献。 展开更多
关键词 滤波
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具有滞回特性RTD开关单元的分析研究与设计 预览
5
作者 潘文剑 林弥 吕伟锋 《杭州电子科技大学学报:自然科学版》 2019年第1期13-17,共5页
负阻器件共振隧道二极管RTD和局部有源的忆阻器两者均在I-V特性上具有微分负阻NDR特性且具有多种阻态。根据该特性,研究并设计了基于RTD的开关单元电路,仿真结果显示:该单元电路具有与忆阻器部分相似的滞回特性、阈值电压以及高低阻态... 负阻器件共振隧道二极管RTD和局部有源的忆阻器两者均在I-V特性上具有微分负阻NDR特性且具有多种阻态。根据该特性,研究并设计了基于RTD的开关单元电路,仿真结果显示:该单元电路具有与忆阻器部分相似的滞回特性、阈值电压以及高低阻态特征。分析了RTD的MOS-NDR网络中MOS管的沟道宽长比W/L参数变化对RTD开关单元滞回特性的影响。设计的RTD开关单元与忆阻器特性上具有相似性,可应用于门限忆阻器适用的逻辑电路、存储器、神经网络和RTD与忆阻器相结合的研究设计中。 展开更多
关键词 微分负 RTD 滞回特性曲线
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基于忆阻器的非易失逻辑研究前沿
6
作者 徐丽莹 杨玉超 黄如 《中国基础科学》 2019年第2期1-11,27,F0003共13页
非易失逻辑作为一种极具发展前景的非冯计算架构,能够实现单元层面的计算、存储功能融合,缓解传统计算架构中由于数据频繁搬运带来的性能和能耗问题。忆阻器具有操作速度快、可微缩性强、循环寿命长、与CMOS工艺兼容等特点,在实现非易... 非易失逻辑作为一种极具发展前景的非冯计算架构,能够实现单元层面的计算、存储功能融合,缓解传统计算架构中由于数据频繁搬运带来的性能和能耗问题。忆阻器具有操作速度快、可微缩性强、循环寿命长、与CMOS工艺兼容等特点,在实现非易失逻辑运算时有着不可比拟的优势。本文综述了利用忆阻器实现非易失逻辑运算的研究现状与前沿,对现有方法进行归纳、总结,从器件、阵列两个层面评估了影响逻辑运算性能的因素和优化方案,并对基于忆阻器非易失逻辑实现存算一体系统的发展趋势进行了总结和展望。 展开更多
关键词 非易失逻辑 非冯计算架构 存算一体
文氏桥电路实验的改进 预览
7
作者 吴先明 《科技视界》 2019年第14期66-67,共2页
文氏桥电路实验是一个经典的模拟电路实验。本文对文氏桥电路进行了改进,并采用Multisim软件对其进行了电路仿真,当电路接线性电阻时,该电路能产生正弦波信号,当电路接忆阻器时,该电路产生一种新的非正弦信号。它既可完成模拟电路实验,... 文氏桥电路实验是一个经典的模拟电路实验。本文对文氏桥电路进行了改进,并采用Multisim软件对其进行了电路仿真,当电路接线性电阻时,该电路能产生正弦波信号,当电路接忆阻器时,该电路产生一种新的非正弦信号。它既可完成模拟电路实验,又可探索新的物理现象。 展开更多
关键词 文氏电路 MULTISIM仿真软件
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一种基于忆阻器的可重构逻辑电路
8
作者 付迅 彭菊红 杨维明 《微电子学与计算机》 北大核心 2019年第8期14-18,共5页
为解决现有忆阻器电路逻辑功能单一与结构简单之间的矛盾,论文设计了一种具有可重构功能的忆阻器逻辑电路.该电路利用忆阻器具有记忆电阻的特性,通过预置和逻辑运算两个操作步骤,可以实现大多数的逻辑操作.为了使该电路具备逻辑功能的... 为解决现有忆阻器电路逻辑功能单一与结构简单之间的矛盾,论文设计了一种具有可重构功能的忆阻器逻辑电路.该电路利用忆阻器具有记忆电阻的特性,通过预置和逻辑运算两个操作步骤,可以实现大多数的逻辑操作.为了使该电路具备逻辑功能的完备性,其他未实现的逻辑操作可以采用基于实质蕴涵和非逻辑的逻辑迭代运算来实现;并通过设计异步时序结构克服电路逻辑的误操作,增强电路稳定性.与其他已提出的基于忆阻器逻辑电路相比,此电路用较少的忆阻器与操作步骤去实现更多的逻辑功能.通过使用P-spice仿真,验证了逻辑电路的可行性. 展开更多
关键词 可重构 实质蕴涵 逻辑运算
磁通神经元模型的放电行为分析 预览
9
作者 于欢欢 张莉 +2 位作者 安新磊 路正玉 王文静 《河北师范大学学报:自然科学版》 CAS 2019年第1期37-44,共8页
神经系统由大量神经元组成,改进后的磁通神经元模型用来描述考虑电磁感应的神经元电活动的动力学行为.通过改变参数或选取适当的外加刺激电流以及电磁辐射下,检测到神经元电活动的多种放电模式.此外,对引入磁通量的神经元模型进行了动... 神经系统由大量神经元组成,改进后的磁通神经元模型用来描述考虑电磁感应的神经元电活动的动力学行为.通过改变参数或选取适当的外加刺激电流以及电磁辐射下,检测到神经元电活动的多种放电模式.此外,对引入磁通量的神经元模型进行了动力学分析,如Hopf分岔分析;通过相图和分岔图讨论了神经元的放电行为.结果表明,该模型可呈现多种放电模式(静息态、尖锋放电、簇放电)以及不同模式之间的转换. 展开更多
关键词 Hindmarsh-Rose神经元 HOPF分岔 簇放电 电磁辐射
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激光辐射对供体-受体型聚合物忆阻器性能的影响
10
作者 袁帅 董瑞新 +1 位作者 刘汝新 闫循领 《中国激光》 EI CAS CSCD 北大核心 2019年第5期343-348,共6页
利用异靛蓝、丙烯二氧噻吩、噻吩单元组成的供体-受体类型半导体聚合物IPDT构建了有机电子器件Al/IPDT/ITO,该器件具有明显的忆阻特性,开/关电压为8 V/-7.5 V,高低电阻比达到了10^2以上。研究了不同波长激光的照射对器件忆阻性能的影响... 利用异靛蓝、丙烯二氧噻吩、噻吩单元组成的供体-受体类型半导体聚合物IPDT构建了有机电子器件Al/IPDT/ITO,该器件具有明显的忆阻特性,开/关电压为8 V/-7.5 V,高低电阻比达到了10^2以上。研究了不同波长激光的照射对器件忆阻性能的影响,结果表明:波长为632 nm、功率为3 mW的激光对忆阻性能的影响显著;照射60 s后,器件电流的走向发生了反转,开/关电压降低到-2.2 V/1.3 V,高低电阻比提高到10^4,电流降低了一个量级,且电流-电压曲线的涨落减小,有效降低了器件的功耗;稳定性循环测试次数由未经激光照射时的2000提高到3500,提高了数据读取的准确性和稳定性。 展开更多
关键词 材料 供体-受体聚合物 激光调控
大功率忆阻器的实现方法及应用 预览
11
作者 陈艳峰 丘东元 +4 位作者 张波 袁昌海 谭斌冠 卢曰海 韦兆华 《电工电能新技术》 CSCD 北大核心 2019年第5期5-12,共8页
由于纳米尺度的忆阻器件不能直接用于电路研究,目前仍通过搭建等效电路的方法实现忆阻元件的功能。有别于采用模拟器件的忆阻器等效电路模型,本文提出了几种基于电力电子变换器的大功率忆阻器实现方法,这些方法的共同特点是电路模型的... 由于纳米尺度的忆阻器件不能直接用于电路研究,目前仍通过搭建等效电路的方法实现忆阻元件的功能。有别于采用模拟器件的忆阻器等效电路模型,本文提出了几种基于电力电子变换器的大功率忆阻器实现方法,这些方法的共同特点是电路模型的功率等级由功率半导体器件参数决定。接着,本文制作了一台磁控型忆阻器原理样机,仿真和实验结果证明该忆阻器电路模型具有功率调节范围大、忆阻特性易于调整等优点。最后,本文探讨了忆阻器在直流断路器等大功率场合的应用,为拓展忆阻器今后的应用提供了参考。 展开更多
关键词 电路模型 功率半导体 直流断路
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基于动态权衡的新型非易失存储器件体系结构研究综述 预览
12
作者 张明喆 张法 刘志勇 《计算机研究与发展》 EI CSCD 北大核心 2019年第4期677-691,共15页
作为现有存储器的潜在替代技术,新型非易失存储器受到了来自学术界和工业界越来越多的关注.目前,制约新型非易失存储器广泛应用的主要问题包括写延迟长、写操作动态功耗高、写寿命有限等.针对这些问题,传统的解决方法是利用计算机体系... 作为现有存储器的潜在替代技术,新型非易失存储器受到了来自学术界和工业界越来越多的关注.目前,制约新型非易失存储器广泛应用的主要问题包括写延迟长、写操作动态功耗高、写寿命有限等.针对这些问题,传统的解决方法是利用计算机体系结构的方法,通过增加层或者调度的方式加以避免或隐藏.但是,这类解决方案往往存在软硬件开销大、无法同时针对不同问题进行优化等问题.近年来,随着对新型非易失存储材料研究的深入,一系列器件自身所包含的动态权衡特性被陆续发现,这也为体系结构研究提供了新的机遇.基于这些器件自身的动态权衡特性,研究人员提出了一系列新的动态非易失存储器优化方案.与传统的优化方案相比,这类新型方案具有额外硬件开销小、可同时针对多个目标进行优化等优点.首先对非易失存储器存在的问题及传统的优化方案进行了概括;然后对非易失存储器件中3个重要的动态权衡关系进行了介绍;在此基础上,对近年来出现的一系列基于非易失存储器动态权衡特性的体系结构优化方案进行梳理;最后,对此类研究的特点进行了总结,并对未来的发展方向进行了展望. 展开更多
关键词 非易失存储 相变存储 自旋转移力矩存储 动态权衡
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基于二维材料MXene的仿神经突触忆阻器的制备和长/短时程突触可塑性的实现 预览
13
作者 陈义豪 徐威 +11 位作者 王钰琪 万相 李岳峰 梁定康 陆立群 刘鑫伟 连晓娟 胡二涛 郭宇锋 许剑光 童祎 肖建 《物理学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2019年第9期245-250,共6页
兼具长时程可塑性与短时程可塑性的电子突触被认为是类脑计算系统的重要基础.将一种新型二维材料MXene应用到忆阻器中,制备了基于Cu/MXene/SiO2/W的仿神经突触忆阻器.结果表明, Cu/MXene/SiO2/W忆阻器成功实现了稳定的双极性模拟阻态切... 兼具长时程可塑性与短时程可塑性的电子突触被认为是类脑计算系统的重要基础.将一种新型二维材料MXene应用到忆阻器中,制备了基于Cu/MXene/SiO2/W的仿神经突触忆阻器.结果表明, Cu/MXene/SiO2/W忆阻器成功实现了稳定的双极性模拟阻态切换,同时成功模拟了生物突触短时程可塑性的双脉冲易化功能和长时程可塑性的长期增强/抑制行为,其中双脉冲易化的易化指数与脉冲间隔时间相关. Cu/MXene/SiO2/W忆阻器的突触仿生特性,归功于MXene辅助的Cu离子电导丝形成与破灭的类突触响应机理.由于Cu/MXene/SiO2/W忆阻器兼具长时程可塑性与短时程可塑性,其在突触仿生电子学和类脑智能领域将会具有巨大的应用前景. 展开更多
关键词 MXene 离子扩散 突触可塑性
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基于驱动-响应和耦合同步算法的忆阻混沌系统同步分析 预览
14
作者 杨飞飞 罗春风 +1 位作者 牟俊 曹颖鸿 《大连工业大学学报》 CAS 北大核心 2019年第3期229-234,共6页
针对忆阻器反馈的Lorenz超混沌系统和最简并行忆阻器混沌系统采用驱动-响应和耦合同步算法进行同步特性分析,应用李雅谱诺夫指数谱和分岔图分析了忆阻混沌系统的动力学特性,并对驱动-响应和耦合同步算法进行了比较。实验结果表明,忆阻... 针对忆阻器反馈的Lorenz超混沌系统和最简并行忆阻器混沌系统采用驱动-响应和耦合同步算法进行同步特性分析,应用李雅谱诺夫指数谱和分岔图分析了忆阻混沌系统的动力学特性,并对驱动-响应和耦合同步算法进行了比较。实验结果表明,忆阻器混沌系统不但有更加复杂的动力学特性,而且可用驱动-响应和耦合同步算法达到同步,并且耦合同步算法比驱动-响应算法更具有实际应用价值。因此,此研究为忆阻器混沌系统应用于密码学、信息安全和保密通信等领域提供相关理论依据。 展开更多
关键词 混沌系统 驱动-响应同步算法 耦合同步算法
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一种基于忆阻特性的监督神经网络算法及电路设计 预览
15
作者 汤知日 朱若华 常胜 《电子技术应用》 2019年第4期19-22,28共5页
针对如何将忆阻器融入人工神经网络算法并进行硬件实现的问题,提出了一种在现场可编程逻辑门阵列(FPGA)平台上实现的基于忆阻特性的监督神经网络算法。该设计以忆阻器模块作为神经网络中的权值存储模块,构建误差反馈机制的监督学习。将... 针对如何将忆阻器融入人工神经网络算法并进行硬件实现的问题,提出了一种在现场可编程逻辑门阵列(FPGA)平台上实现的基于忆阻特性的监督神经网络算法。该设计以忆阻器模块作为神经网络中的权值存储模块,构建误差反馈机制的监督学习。将该忆阻神经网络电路应用于图像分类问题,并进行了资源占用和处理速度的优化。实验结果表明其分类结果良好,在Cyclone Ⅱ:EP2C70F896I8平台上,整体网络算法占用11 773个逻辑单元(LEs),训练耗时0. 33 ms,图像的测试耗时10μs。这一工作对忆阻器和神经网络的结合提出了一个有益的参考。 展开更多
关键词 监督神经网络 现场可编程逻辑门阵列 图像分类 资源占用 处理速度
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含忆阻器的并联混沌电路动力学分析 预览
16
作者 方淼 谢苗苗 方鸣 《安庆师范大学学报:自然科学版》 2019年第1期76-81,共6页
忆阻器在保密通信、图像加密中具有重要应用价值。本文提出一种有源压控忆阻器,将该忆阻器和电容、电感并联构成了一个基于忆阻器的并联混沌电路,建立了该系统的无量纲数学模型。采用基本动力学分析方法对系统进行分析,计算了该电路的Ly... 忆阻器在保密通信、图像加密中具有重要应用价值。本文提出一种有源压控忆阻器,将该忆阻器和电容、电感并联构成了一个基于忆阻器的并联混沌电路,建立了该系统的无量纲数学模型。采用基本动力学分析方法对系统进行分析,计算了该电路的Lyapunov指数和Lyapunov维数,通过数值仿真得出该系统的相轨图和Poincaré映射,分析了系统的平衡点稳定性,采用Lyapunov指数谱和分岔图等分析方法,研究了电路参数改变对系统动力学行为产生的影响。数值仿真和理论分析结果表明,该系统可以产生一类特殊的超混沌吸引子,并且随着电路参数的变化产生复杂的非线性动力学行为。 展开更多
关键词 并联混沌电路 动力学特性 LYAPUNOV指数
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电子材料 预览
17
《新材料产业》 2019年第3期81-83,共3页
美国研究人员在单层半导体上直接形成量子光源美国海军研究实验室(NRL)和空军研究实验室(AFRL)的科学家们已经开发出一种可以在单层半导体材料直接形成量子光源的方法。单光子发射器(SPEs)或量子发射器是新兴量子技术的关键组成部分,包... 美国研究人员在单层半导体上直接形成量子光源美国海军研究实验室(NRL)和空军研究实验室(AFRL)的科学家们已经开发出一种可以在单层半导体材料直接形成量子光源的方法。单光子发射器(SPEs)或量子发射器是新兴量子技术的关键组成部分,包括计算、安全通信、传感和计量。传统的发光二极管会同时发射出数十亿的光子,从而形成稳定的光子流。 展开更多
关键词 量子阱 柔性电子 氧化镓 ALGAN 电子材料 人工突触 发光二极管
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基于异靛蓝的供体-受体型共聚物忆阻器的构建及性能
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作者 袁帅 董瑞新 +1 位作者 刘汝新 闫循领 《微纳电子技术》 北大核心 2019年第1期8-12,56共6页
由于供体-受体型聚合物具有较强的诱捕和释放电荷的能力,在忆阻器的研究方面具有很大的潜力。利用异靛蓝、丙烯二氧噻吩和噻吩合成了低带隙的供体-受体半导体聚合物(IPDT)(异靛蓝/噻吩/丙烯二氧噻吩的摩尔比率为x/1/1-x),构建了有机电... 由于供体-受体型聚合物具有较强的诱捕和释放电荷的能力,在忆阻器的研究方面具有很大的潜力。利用异靛蓝、丙烯二氧噻吩和噻吩合成了低带隙的供体-受体半导体聚合物(IPDT)(异靛蓝/噻吩/丙烯二氧噻吩的摩尔比率为x/1/1-x),构建了有机电子器件Al/IPDT/ITO,发现器件具有较稳定的忆阻特性。x=0.5时器件的开、关电压分别为8和-7.5 V,高低电阻比达到102,室温下的忍耐力循环测量超过2 000次。x=0.25时器件的开、关电压分别减小为2.2/-1.6 V,最大电流下降了5个量级。x=0.2时器件的开、关电压分别为1.9和-1.1 V,高低电阻比提高到103,最大电流仍为纳安量级。结果表明供体单元的占比越高,器件的开关电压越低,且较低的电流更有利于降低功耗。发现器件的忆阻特性是由聚合物材料内部电子通道的形成与断裂引起的。 展开更多
关键词 供体-受体 有机聚合物 异靛蓝 电子通道
基于忆阻器的混合CMOS乘法器设计 预览
19
作者 郑利京 王光义 张娜 《杭州电子科技大学学报:自然科学版》 2019年第2期1-5,共5页
忆阻器作为第4种基本电路元件,拥有不同于电阻、电容、电感的特质。为了研究忆阻器在数字电路中的应用,设计了一个基于忆阻器和传统的CMOS反相器的2×2乘法器。首先,建立基于忆阻器的基本逻辑门电路。然后,由基本逻辑门搭建乘法器... 忆阻器作为第4种基本电路元件,拥有不同于电阻、电容、电感的特质。为了研究忆阻器在数字电路中的应用,设计了一个基于忆阻器和传统的CMOS反相器的2×2乘法器。首先,建立基于忆阻器的基本逻辑门电路。然后,由基本逻辑门搭建乘法器。利用忆阻器的纳米级尺寸、低功耗、非易失性、开关速度快等优点,所设计的乘法器比传统的CMOS构建的乘法器尺寸更小,电路的功耗更低。 展开更多
关键词 CMOS 逻辑电路 乘法
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具有感觉记忆的忆阻器模型 预览
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作者 邵楠 张盛兵 邵舒渊 《物理学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2019年第1期317-324,共8页
人类记忆的形成包括感觉记忆、短期记忆、长期记忆三个阶段,类似的记忆形成过程在不同材料忆阻器的实验研究中有过多次报道.这类忆阻器的记忆形成过程存在有、无感觉记忆的两种情况,已报道的这类忆阻器的数学模型仅能够描述无感觉记忆... 人类记忆的形成包括感觉记忆、短期记忆、长期记忆三个阶段,类似的记忆形成过程在不同材料忆阻器的实验研究中有过多次报道.这类忆阻器的记忆形成过程存在有、无感觉记忆的两种情况,已报道的这类忆阻器的数学模型仅能够描述无感觉记忆的忆阻器.本文在已有模型的基础上,根据有感觉记忆的忆阻器的研究文献中所报道的实验现象,设计了具有感觉记忆的忆阻器模型.对所设计模型的仿真分析验证了该模型对于存在感觉记忆的这类忆阻器特性的描述能力:对忆阻器施加连续脉冲激励,在初始若干脉冲作用时忆阻器无明显的记忆形成,此时忆阻器处于感觉记忆阶段,后续的脉冲作用下忆阻器将逐渐形成短期、长期记忆,并且所施加脉冲的幅值越大、宽度越大、间隔越小,则感觉记忆阶段所经历的脉冲数量越少.模型状态变量的物理意义可用连通两电极的导电通道在外加电压作用下的形成与消失来给出解释. 展开更多
关键词 感觉记 短期记 长期记
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