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国产双极工艺线性电路低剂量率辐照效应评估方法 预览
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作者 李鹏伟 吕贺 +3 位作者 张洪伟 孙明 刘凡 孙静 《航天器环境工程》 2019年第2期146-150,共5页
国产双极工艺元器件应用于航天型号存在低剂量率辐射损伤增强效应风险,需要对其开展低剂量率辐照试验评估。在0.01rad(Si)/s低剂量率辐照条件下,测试分析了不同工艺器件对不同偏置条件的敏感性差异;对比0.1rad(Si)/s辐照试验结果,分析... 国产双极工艺元器件应用于航天型号存在低剂量率辐射损伤增强效应风险,需要对其开展低剂量率辐照试验评估。在0.01rad(Si)/s低剂量率辐照条件下,测试分析了不同工艺器件对不同偏置条件的敏感性差异;对比0.1rad(Si)/s辐照试验结果,分析了器件的低剂量率辐射损伤增强效应特性,建立了辐射损伤增强因子和参数判据法相结合的评价标准;依据此标准讨论了各型号器件的低剂量率辐射增强敏感度以及抗电离总剂量辐射的能力。 展开更多
关键词 线性电路 低剂量率辐照 辐射损伤增强因子 抗辐射能力
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放射生物学与老年生物学交叉研究增强人类深空探索和太空移民的抗辐射能力 预览
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作者 管春晶(译) 贾向红(译) +1 位作者 李英贤(译) 宋锦萍(译校) 《载人航天信息》 2019年第2期19-35,共17页
尽管科学家已经付出很多努力为人类太空移民铺平道路,但是对于如何防护人体免受恶劣的宇宙辐射及当地环境辐射,以及与防护高传能线密度(high-LET)辐射所致有害生理效应相关的巨额花费,目前考虑甚少。在此,本文为制定路线图打下基础,目... 尽管科学家已经付出很多努力为人类太空移民铺平道路,但是对于如何防护人体免受恶劣的宇宙辐射及当地环境辐射,以及与防护高传能线密度(high-LET)辐射所致有害生理效应相关的巨额花费,目前考虑甚少。在此,本文为制定路线图打下基础,目的是增强人类深空探索和移民中抵抗辐射的能力。本文勾勒出未来人类辐射抗性的研究方向:包括上调内源性修复和辐射防护机制、通过转化外源DNA及工程DNA修复和辐射防护机制增强辐射抗性等可能的基因治疗、用强化的有机分子亚型取代有机分子、减缓人体新陈代谢活动同时保留认知功能的方法。最后给出了已知的辐射抗性与长寿之间的关系,并阐明了增强人体辐射抗性同时有可能延长太空探索者健康寿命。 展开更多
关键词 抗辐射能力 太空移民 放射生物学 人类 DNA修复 防护机制 辐射 老年
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澳大利亚墨尔本皇家理工大学开发可取代半导体的新型金属-空气晶体管具备抗辐射能力
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《半导体信息》 2018年第6期15-16,共2页
普遍预测,随着技术达到其物理极限,每两年单位面积内硅晶体管数量倍增将在2025年左右结束。澳大利亚墨尔本皇家理工大学(RMIT University)研究人员开发出金属基场发射空气沟道晶体管(ACT),可以在二十年内保持晶体管的继续倍增,研究成果... 普遍预测,随着技术达到其物理极限,每两年单位面积内硅晶体管数量倍增将在2025年左右结束。澳大利亚墨尔本皇家理工大学(RMIT University)研究人员开发出金属基场发射空气沟道晶体管(ACT),可以在二十年内保持晶体管的继续倍增,研究成果发表在Nano Letters。 展开更多
关键词 晶体管数量 澳大利亚 墨尔本 金属基 抗辐射能力 空气 开发 大学
第3代半导体材料突破:迫在眉睫 预览
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《新材料产业》 2017年第8期1-4,共4页
随着5G移动通讯技术、高压智能电网、高速轨道交通、新能源汽车、移动互联、海亮光存储、可见光通讯等市场巨大拉动,全球对以碳化硅(SiC)和氮化镓(GaN)为代表的具有带宽度大、击穿电场高、热导率大、电子饱和漂移速率高、抗辐射能... 随着5G移动通讯技术、高压智能电网、高速轨道交通、新能源汽车、移动互联、海亮光存储、可见光通讯等市场巨大拉动,全球对以碳化硅(SiC)和氮化镓(GaN)为代表的具有带宽度大、击穿电场高、热导率大、电子饱和漂移速率高、抗辐射能力强等特征的宽禁带半导体材料(亦称“第3代半导体材料”)活跃度日益提高,产业进入了快速发展阶段。 展开更多
关键词 宽禁带半导体材料 第3代 移动通讯技术 高速轨道交通 新能源汽车 抗辐射能力 智能电网 移动互联
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国外第3代半导体材料项目国家支持行动初探 预览
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作者 江洪 刘义鹤 张晓丹 《新材料产业》 2017年第8期11-14,共4页
相比第1代与第2代半导体材料,第3代半导体材料是具有较大禁带宽度(禁带宽度〉2.2eV)的半导体材料。第3代半导体主要包括碳化硅(SiC)、氮化铝(AlN)、氮化镓(GaN)、金刚石、氧化锌(ZnO),其中,发展较为成熟的是SiC和GaN。第... 相比第1代与第2代半导体材料,第3代半导体材料是具有较大禁带宽度(禁带宽度〉2.2eV)的半导体材料。第3代半导体主要包括碳化硅(SiC)、氮化铝(AlN)、氮化镓(GaN)、金刚石、氧化锌(ZnO),其中,发展较为成熟的是SiC和GaN。第3代半导体材料在导热率、抗辐射能力、击穿电场、电子饱和速率等方面优势突出,因此更适用于高温、高频、抗辐射的场合。 展开更多
关键词 半导体材料 第3代 抗辐射能力 国外 禁带宽度 击穿电场 碳化硅 氮化铝
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基于状态分析的电子系统抗辐射性能评估方法 预览
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作者 韩峰 刘钰 王斌 《强激光与粒子束》 EI CAS CSCD 北大核心 2016年第8期110-116,共7页
建立了一种基于状态分析的电子系统抗辐射能力评估方法,该方法以电子系统中单元器件的辐射效应实验数据为基础,采用行为级电路仿真方法对电子系统功能状态进行分析,并应用蒙特卡罗方法模拟辐射损伤随机性对系统功能状态的影响,最终结合... 建立了一种基于状态分析的电子系统抗辐射能力评估方法,该方法以电子系统中单元器件的辐射效应实验数据为基础,采用行为级电路仿真方法对电子系统功能状态进行分析,并应用蒙特卡罗方法模拟辐射损伤随机性对系统功能状态的影响,最终结合系统功能阈值,给出系统功能的裕量及不确定度估计,进而对系统抗辐射能力进行评估。为了验证评估方法的可行性,应用该方法对某模数转换电子系统的抗γ总剂量能力进行了评估,并将评估结果与该电子系统的γ总剂量效应实验结果进行了对比。结果表明该评估方法能够定量给出系统功能在受到辐射损伤后的变化,评估方法给出结果与实验结果在变化趋势和评估结论上基本一致。 展开更多
关键词 电子系统 抗辐射能力 评估方法 蒙特卡罗方法 不确定度量化
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抗辐射能力量化设计方法 预览 被引量:2
7
作者 范如玉 《强激光与粒子束》 EI CAS CSCD 北大核心 2015年第9期1-8,共8页
抗辐射能力表现为系统技术性能对辐射损伤的敏感程度.抗辐射能力是设计、生产出来的.抗辐射量化设计能力是抗辐射加固技术发展水平的重要标志.根据QMU(性能阈值、裕量和不确定度)的思想,提出量化抗辐射设计,第一要优化系统总体设计,... 抗辐射能力表现为系统技术性能对辐射损伤的敏感程度.抗辐射能力是设计、生产出来的.抗辐射量化设计能力是抗辐射加固技术发展水平的重要标志.根据QMU(性能阈值、裕量和不确定度)的思想,提出量化抗辐射设计,第一要优化系统总体设计,为辐射损伤敏感的技术性能合理地分配裕量;第二要量化系统工作的辐射环境及其不确定度,量化在实际工作的辐射环境中,辐射损伤引起的系统及其器件和结构的技术性能变化和不确定度,综合优化抗辐射措施,确保技术性能变化及其不确定度被有效控制在分配的裕量范围内,最后量化加固设计效果,预测系统抗辐射能力. 展开更多
关键词 抗辐射能力 量化设计 量化方法
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第3代半导体材料在光电器件方面的发展和应用 预览 被引量:2
8
作者 王军喜 刘喆 +1 位作者 魏同波 王国宏 《新材料产业》 2014年第3期18-20,共3页
一.第3代半导体材料概述 第3代半导体材料是继第1代半导体材料和第2代半导体材料之后,近20年刚刚发展起来的新型宽禁带半导体材料。第3代半导体材料以氮化镓(GaN)、碳化硅(SiC)、氧化锌(ZnO)和氮化铝(AlN)等宽禁带化合物半... 一.第3代半导体材料概述 第3代半导体材料是继第1代半导体材料和第2代半导体材料之后,近20年刚刚发展起来的新型宽禁带半导体材料。第3代半导体材料以氮化镓(GaN)、碳化硅(SiC)、氧化锌(ZnO)和氮化铝(AlN)等宽禁带化合物半导体为代表,其具有高击穿电场、高热导率、高电子饱和速率及高抗辐射能力等特点,因而更适合于制作高温、高频、抗辐射及大功率器件,在光电子领域和微电子领域相比前2代半导体更具优势。 展开更多
关键词 宽禁带半导体材料 第3代 光电器件 抗辐射能力 微电子领域 应用 化合物半导体 大功率器件
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耐辐射球菌PprI蛋白质对人脐静脉血管内皮细胞的毒性及辐射细胞增殖作用
9
作者 吴伟 陈洁 +3 位作者 毕洁静 施怡 文玲 杨占山 《中华放射医学与防护杂志》 CAS CSCD 北大核心 2014年第2期107-109,共3页
耐辐射球菌(Deinococcus radiodurans)是迄今为止地球上发现抗辐射能力最强的生物之一[1-2].这种超强抗辐射能力主要被归结为3个方面的机制:保护、耐受和修复[3].而耐辐射球菌中的PprI蛋白在抗辐射损伤中起着十分重要的作用.研究表明... 耐辐射球菌(Deinococcus radiodurans)是迄今为止地球上发现抗辐射能力最强的生物之一[1-2].这种超强抗辐射能力主要被归结为3个方面的机制:保护、耐受和修复[3].而耐辐射球菌中的PprI蛋白在抗辐射损伤中起着十分重要的作用.研究表明,PprI蛋白具有抗辐射损伤药物开发的潜在应用价值.但目前对于PprI原核蛋白的毒性少见报道.本研究探讨了PprI蛋白对体外细胞增殖和毒性的影响,旨在为该蛋白进一步用于临床提供细胞学研究资料. 展开更多
关键词 抗辐射能力 人脐静脉血管内皮细胞 蛋白质 细胞增殖作用 毒性 球菌 抗辐射损伤 体外细胞增殖
Fullerene Derivatives, Preparation, Identification and Use 预览
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作者 Eva Zemanova Karel Kloud Eva Kostakova 《材料科学与工程:中英文B版》 2013年第6期331-345,共15页
关键词 富勒烯衍生物 制备 鉴定 抗辐射性能 抗辐射能力 自由基机理 纳米复合材料 TG-DTA
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第三代半导体或将引发又一次照明革命 预览
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《新材料产业》 2013年第12期7-8,共2页
事件:继硅(si)引导的第一代半导体和砷化镓(GaAs)引导的第二代半导体后,以碳化硅(SiC)、氮化镓(GaN)、氧化锌(ZnO)、金刚石、氮化铝(AlN)为代表的第三代半导体材料闪亮登场并已逐步发展壮大。与第一、二代半导体材料相比... 事件:继硅(si)引导的第一代半导体和砷化镓(GaAs)引导的第二代半导体后,以碳化硅(SiC)、氮化镓(GaN)、氧化锌(ZnO)、金刚石、氮化铝(AlN)为代表的第三代半导体材料闪亮登场并已逐步发展壮大。与第一、二代半导体材料相比,第三代半导体材料具有更宽的禁带宽度,高的击穿电场、高的热导率、高的电子饱和速率和更高的抗辐射能力,因而更适合制作高温、高频、抗辐射及大功率器件。此外,第三代半导体材料由于具有发光效率高、频率高等特点,因而在一些蓝、绿、紫光的发光二极管、半导体激光器等方面有着广泛的应用。从目前第三代半导体材料和器件的研究来看,较为成熟的是碳化硅SiC和GaN半导体材料,而Zn0、金刚石和A1N等宽禁带半导体材料的研究尚属起步阶段。 展开更多
关键词 第三代半导体材料 宽禁带半导体材料 抗辐射能力 大功率器件 照明 引发 半导体激光器 发光二极管
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预防辐射全攻略
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《晚晴》 2011年第4期54-55,共2页
七种食物预防核辐射研究表明,防范核辐射,除了避免与核辐射的"亲密接触"外,一定的饮食摄入对抗辐射有着非常重要的作用。1黑芝麻中医认为黑芝麻益肾,多吃可增强身体免疫功能。
关键词 维生素 微量元素 辐射 抗辐射能力 番茄红素 无机盐 山西省 造血功能 氨基酸 食物
Research on single event transient pulse quenching effect in 90 nm CMOS technology 被引量:1
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作者 QIN JunRui CHEN ShuMing LIU BiWei CHEN JianJun LIANG Bin LIU Zheng 《中国科学:技术科学英文版》 SCIE EI CAS 2011年第11期 3064-3069,共6页
自从单个事件,短暂脉搏熄灭能减少 SET (单个事件短暂) pulsewidths 有效地,被动设备收集的费用应该被最大化以便最小化宣传集合。从布局和电路设计的观点, SET pulsewidths 能被最小化布局间距和信号繁殖延期极大地禁止,它在变硬... 自从单个事件,短暂脉搏熄灭能减少 SET (单个事件短暂) pulsewidths 有效地,被动设备收集的费用应该被最大化以便最小化宣传集合。从布局和电路设计的观点, SET pulsewidths 能被最小化布局间距和信号繁殖延期极大地禁止,它在变硬放射的 IC (集成电路) 设计上打开新灯。研究证明繁殖的 SET pulsewidths 不在到事件粒子的 LET (线性精力转移) 的直接比例,当 SET/SEU (弄翻的单个事件) 为变硬放射的设计发生时,因此,定义 LET 阀值应该被注意。当让时,反放射的能力遇见需求高,但是当让时,一些软错误可以发生是低的。因此,放射实验应该集中于评估表明最糟的反应到电路的 LET。 展开更多
关键词 瞬态脉冲 淬火效果 单事件 CMOS技术 抗辐射能力 电路设计 纳米 传播延迟
贴片场效应管介绍(二)
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作者 朴慧京 《家电检修技术》 2011年第8期41-42,共2页
表1所示为贴片场效应管主要性能指标。 图4所示为常用贴片场效应管内部电路结构图。 目前,贴片场效应管由于具有输入阻抗大、噪声低、功耗低、热稳定性能好和抗辐射能力强等显著特点,在放大、有源网络等领域得到了广泛应用。
关键词 场效应管 贴片 抗辐射能力 热稳定性能 性能指标 内部电路 输入阻 有源网络
电源系统抗伽玛总剂量辐射能力评估方法 预览 被引量:2
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作者 范如玉 韩峰 郭红霞 《强激光与粒子束》 EI CAS CSCD 北大核心 2011年第2期 536-540,共5页
为了评估某电源系统抗伽玛总剂量辐射能力,研究了评估电子系统抗伽玛总剂量辐射能力的QMU方法。为获得应用QMU方法所需的输入量,提出了以蒙特卡罗方法和SPICE电路模拟相结合的分析方法,用以确定受伽玛辐照后系统性能参数的裕量及不确定... 为了评估某电源系统抗伽玛总剂量辐射能力,研究了评估电子系统抗伽玛总剂量辐射能力的QMU方法。为获得应用QMU方法所需的输入量,提出了以蒙特卡罗方法和SPICE电路模拟相结合的分析方法,用以确定受伽玛辐照后系统性能参数的裕量及不确定度。应用QMU方法对电源系统抗伽玛总剂量能力进行了评估,将评估结果和实验结果进行了比较,验证了方法的可行性。 展开更多
关键词 电子系统 抗辐射能力 评估方法 QMU方法 蒙特卡罗方法
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喝茶有益预防核辐射 预览
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作者 伴夏 《茶:健康天地》 2011年第5期42-43,共2页
【正】自日本地震以来,核电安全事故逐步恶化,日本核泄漏事件影响到周边国家国民健康。如何预防核辐射造成的损伤?大家都在关心有什么办法预防辐射?其实很多好的办法就在我们日常生活中间,比如喝茶。茶作为日常饮料,对预防辐射损伤,提... 【正】自日本地震以来,核电安全事故逐步恶化,日本核泄漏事件影响到周边国家国民健康。如何预防核辐射造成的损伤?大家都在关心有什么办法预防辐射?其实很多好的办法就在我们日常生活中间,比如喝茶。茶作为日常饮料,对预防辐射损伤,提高人体抗辐射能力,增进人体健康等都是有益的。 展开更多
关键词 人体健康 核泄漏事件 抗辐射能力 国民健康 茶多酚类化合物 核电安全 日本地震 提取物 追踪调查
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Improvements on radiation-hardened performance of static induction transistor 被引量:2
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作者 WANG YongShun LUO XianLiang +4 位作者 LI HaiRong WANG ZiTing WU Rong ZHANG CaiZhen LI SiYuan 《中国科学:信息科学(英文版)》 SCIE EI 2010年第5期1089-1096,共8页
The radiation-hardened performances of static induction transistor (SIT) have been studied in depth in this paper. The effects of radiation of electron beam on the I-V characteristics, carrier distribution and potenti... The radiation-hardened performances of static induction transistor (SIT) have been studied in depth in this paper. The effects of radiation of electron beam on the I-V characteristics, carrier distribution and potential distribution in the channel of SIT have been represented. A large number of electron-hole pairs are generated in the depletion region of reversely biased gate-channel PN junction. The radiation-generated electrons drift towards the drain region at high positive potential, while generated holes flow into gate region biased to the lowest potential. With the accumulation of holes in gate region, the gate potential is boosted, resulting in a decrease in the height of potential barrier in channel, and an increase in drain current. I-V characteristics of SIT in the presence of radiation have been theoretically derived, and compared with experimental results. With the increase in thickness of epitaxial layer, the radiation-hardened capability of SIT is continuously improved until the optimum thickness of 26 μm is reached. The optimum matching relationship among geometric, material and technological parameters has been represented to acquire excellent radiation-hardened performances of SIT. 展开更多
关键词 静电感应晶体管 抗辐射性能 电子空穴对 抗辐射能力 辐射效应 反向偏置 势垒高度 匹配关系
微波合成掺铝羟基磷灰石及其对Co2+的吸附作用 被引量:1
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作者 谭盛恒 叶瑛 《矿物学报》 CAS CSCD 北大核心 2010年第S1期185-186,共2页
羟基磷灰石[Hap,Ca10(PO4)6(OH)2]因为其优越的离子交换能力、抗辐射能力以及化学和热学稳定性而被认为是合适的放射性核素存储材料(Guy等,2002)。前人研究表明,HAp对水溶液中的Co2+有一定的吸附能力(Stotzel等,2009;Ma等,2010),但吸... 羟基磷灰石[Hap,Ca10(PO4)6(OH)2]因为其优越的离子交换能力、抗辐射能力以及化学和热学稳定性而被认为是合适的放射性核素存储材料(Guy等,2002)。前人研究表明,HAp对水溶液中的Co2+有一定的吸附能力(Stotzel等,2009;Ma等,2010),但吸附量还有待提高。为了制备 展开更多
关键词 羟基磷灰石 吸附作用 吸附量 吸附比 抗辐射能力 吸附效果 放射性核素 吸附温度 吸附能力 离子交换能力
多吃胡萝卜可加强抗辐射能力 预览
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《求医问药》 2010年第3期 64-65,共2页
电磁辐射对人的影响虽普遍存在,却并不可怕。不同的人或同一人在不同年龄段对电磁辐射的承受能力是不一样的,即使在超标环境下,也不意味着所有的人都会得病,但对老人、儿童、孕妇或装有心脏起搏器的病人,对电磁辐射敏感的人及长期... 电磁辐射对人的影响虽普遍存在,却并不可怕。不同的人或同一人在不同年龄段对电磁辐射的承受能力是不一样的,即使在超标环境下,也不意味着所有的人都会得病,但对老人、儿童、孕妇或装有心脏起搏器的病人,对电磁辐射敏感的人及长期在超剂量电磁辐射环境中工作的人来说,应采取防患措施。 展开更多
关键词 抗辐射能力 胡萝卜 电磁辐射 辐射环境 心脏起搏器 承受能力 辐射敏感 意味着
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Actel:致力智能功率解决方案的开发
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作者 丛秋波 《EDN CHINA 电子设计技术》 2008年第1期 33-34,共2页
Actel公司由于采用了独特的反熔丝硅体系结构,早期反熔丝的FPGA已经在航天、航空、军用和工业控制等领域占据了重要的位置,其可靠性和安全性和抗辐射能力毋庸置疑。如今新一代的Flash架构的FPGA逐渐走向消费类市场,与其它厂家的FPGA... Actel公司由于采用了独特的反熔丝硅体系结构,早期反熔丝的FPGA已经在航天、航空、军用和工业控制等领域占据了重要的位置,其可靠性和安全性和抗辐射能力毋庸置疑。如今新一代的Flash架构的FPGA逐渐走向消费类市场,与其它厂家的FPGA相比,有着单芯片、低功耗、高安全性、高可靠性等优势。日前,Actel公司首席执行官兼总裁JohnEast接受《EDNChina》记者独家采访时表示, 展开更多
关键词 Actel公司 开发 功率 智能 FPGA 高可靠性 抗辐射能力 FLASH
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