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数据驱动的晶圆图缺陷模式识别方法 预览
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作者 杨振良 汪俊亮 +1 位作者 张洁 蒋小康 《中国机械工程》 CAS CSCD 北大核心 2019年第2期230-236,共7页
针对晶圆生产过程中晶圆图数据角度与维度多样性和数量不平衡的特点,提出了基于对抗生成网络的晶圆图缺陷模式识别方法。设计了Radon变换,实现了数据多角度的统一;采用重采样机制实现数据多维度的缩放,得到了标准晶圆缺陷数据。提出了... 针对晶圆生产过程中晶圆图数据角度与维度多样性和数量不平衡的特点,提出了基于对抗生成网络的晶圆图缺陷模式识别方法。设计了Radon变换,实现了数据多角度的统一;采用重采样机制实现数据多维度的缩放,得到了标准晶圆缺陷数据。提出了基于对抗生成网络的晶圆缺陷分类方法,利用生成机制平衡各缺陷模式的样本数量,以提升缺陷模式识别精度。试验结果表明,该方法可大幅提升少类样本的识别精度,且在整体识别率上远优于支持向量机和Adaboost算法。 展开更多
关键词 半导体制造 缺陷 模式识别 数据驱动 对抗生成网络
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空调整流桥的工作可靠性研究——以A厂家15A/800V整流桥售后失效为例 预览
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作者 解伟 赵冰清 +2 位作者 李文涛 王小龙 王海波 《河南科技》 2018年第32期38-40,共3页
针对家电用整流桥在生产过程及用户使用一段时间后出现短路失效的问题,本文从整流桥失效机理、器件选型设计、结构工艺设计、生产过程管控、检测方式可靠性等方面进行分析。通过对器件的EOS模拟、X光解析、开封观察、空调整机波形测试... 针对家电用整流桥在生产过程及用户使用一段时间后出现短路失效的问题,本文从整流桥失效机理、器件选型设计、结构工艺设计、生产过程管控、检测方式可靠性等方面进行分析。通过对器件的EOS模拟、X光解析、开封观察、空调整机波形测试、不良现象复现等手段,找出整流桥晶圆本身存在的缺陷,并从器件本身质量提升着手,结合检测方式的创新与完善,对整流桥可靠性进行全面系统的提升。 展开更多
关键词 整流桥 EOS 缺陷 高温反偏
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基于混合模型与流形调节的晶圆表面缺陷识别 预览
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作者 卢笑蕾 余建波 《计算机集成制造系统》 CSCD 北大核心 2018年第2期302-308,共7页
为了探测和识别半导体晶圆生产线上的晶圆表面缺陷,及时诊断出半导体晶圆制造过程的故障源,提出一套晶圆表面缺陷检测与识别系统。该系统首先采用层次聚类法将晶圆表面的局部缺陷划分为缺陷簇,并提出一种基于轮廓系数标准的最优缺陷簇... 为了探测和识别半导体晶圆生产线上的晶圆表面缺陷,及时诊断出半导体晶圆制造过程的故障源,提出一套晶圆表面缺陷检测与识别系统。该系统首先采用层次聚类法将晶圆表面的局部缺陷划分为缺陷簇,并提出一种基于轮廓系数标准的最优缺陷簇数目判定方法,提升了缺陷簇识别性能。针对晶圆表面常见的线形、曲线形和椭球形缺陷模式,该系统充分考虑数据在空间子流形上的分布,采用基于流形调节的局部连续高斯模型(LCGMM),同时加入主曲线模型,实现了对晶圆表面局部缺陷模式分布的统计描述建模。在完成初始建模识别的基础上,进一步提出集成LCGMM和主曲线模型的混合模型,对晶圆表面所有的缺陷模式进行建模识别,以提高缺陷模式识别的准确性。通过仿真案例和工业案例的实验结果,证明了该系统的有效性与实用性。 展开更多
关键词 半导体制造 缺陷 流形调节 混合模型 模式识别 故障诊断
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基于局部与非局部线性判别分析和高斯混合模型动态集成的晶圆表面缺陷探测与识别 预览 被引量:8
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作者 余建波 卢笑蕾 宗卫周 《自动化学报》 EI CSCD 北大核心 2016年第1期47-59,共13页
在复杂的半导体制造过程中,晶圆生产经过薄膜沉积、蚀刻、抛光等多项复杂的工序,制造过程中的异常波动都可能导致晶圆缺陷产生.晶圆表面的缺陷模式通常反映了半导体制造过程的各种异常问题,生产线上通过探测和识别晶圆表面缺陷,可及时... 在复杂的半导体制造过程中,晶圆生产经过薄膜沉积、蚀刻、抛光等多项复杂的工序,制造过程中的异常波动都可能导致晶圆缺陷产生.晶圆表面的缺陷模式通常反映了半导体制造过程的各种异常问题,生产线上通过探测和识别晶圆表面缺陷,可及时判断制造过程故障源并进行在线调整,降低晶圆成品率损失.本文提出了基于一种流形学习算法与高斯混合模型动态集成的晶圆表面缺陷在线探测与识别模型.首先该模型开发了一种新型流形学习算法—局部与非局部线性判别分析法(Local and nonlocal linear discriminant analysis,LNLDA),通过融合数据局部/非局部信息以及局部/非局部惩罚信息,有效地提取高维晶圆特征数据的内在流形结构信息,以最大化数据不同簇样本的低维映射距离,保持特征数据中相同簇的低维几何结构.针对线上晶圆缺陷产生的随机性和复杂性,该模型对每种晶圆缺陷模式构建相应的高斯混合模型(Gaussian mixture model,GMM),提出了基于高斯混合模型动态集成的晶圆缺陷在线探测与识别方法.本文提出的模型成功地应用到实际半导体制造过程的晶圆表面缺陷在线探测与识别,在WM-811K晶圆数据库的实验结果验证了该模型的有效性与实用性. 展开更多
关键词 半导体制造 缺陷 模式识别 流形学习 高斯混合模型
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晶圆表面缺陷模式的在线探测与自适应识别研究 预览 被引量:3
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作者 吴斌 卢笑蕾 余建波 《计算机工程与应用》 CSCD 北大核心 2016年第17期261-265,270共6页
晶圆表面的缺陷通常反映了半导体制造过程存在的异常问题,通过探测与识别晶圆表面缺陷模式,可及时诊断故障源并进行在线调整。提出了一种晶圆表面缺陷模式的在线探测与自适应识别模型。首先该模型对晶圆表面的缺陷模式进行特征提取,... 晶圆表面的缺陷通常反映了半导体制造过程存在的异常问题,通过探测与识别晶圆表面缺陷模式,可及时诊断故障源并进行在线调整。提出了一种晶圆表面缺陷模式的在线探测与自适应识别模型。首先该模型对晶圆表面的缺陷模式进行特征提取,基于特征集对每种晶圆模式构建相应的隐马尔科夫模型(HiddenMarkovModel,HMM),并提出基于HMM动态集成的晶圆缺陷在线探测与识别方法。提出的模型成功应用于WM-811K数据库的晶圆缺陷检测与识别中,实验结果充分证明了该模型的有效性与实用性。 展开更多
关键词 半导体制造 缺陷 模式识别 隐马尔科夫模型
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晶圆缺陷数据的建模与仿真 预览
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作者 李涛 王志琼 《甘肃科学学报》 2018年第6期130-139,共10页
以晶圆缺陷数据为例,提出针对空间离散数据的层级IGMRF模型。为了研究晶圆数据的空间分布和空间结构对空间信息的影响,建立了一阶IGMRF模型和二阶IGMRF模型,同时引入了3种空间距离。利用贝叶斯推断结合层级模型中参数的先验分布推导模... 以晶圆缺陷数据为例,提出针对空间离散数据的层级IGMRF模型。为了研究晶圆数据的空间分布和空间结构对空间信息的影响,建立了一阶IGMRF模型和二阶IGMRF模型,同时引入了3种空间距离。利用贝叶斯推断结合层级模型中参数的先验分布推导模型参数的后验分布。通过MCMC算法循环迭代生成目标参数的后验分布值。借助DIC指标,说明层级IGMRF模型能够很好的模拟晶圆缺陷数据的分布特征。而且针对晶圆缺陷数据分布的稀疏程度,可以调整模型从而得到更好的拟合效果。 展开更多
关键词 缺陷数据 IGMRF模型 MCMC算法 分布特征
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晶圆表面微米级缺陷检测 预览 被引量:1
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作者 戴敬 肖朋 +1 位作者 杨志家 马继开 《计算机工程与设计》 北大核心 2015年第6期1671-1675,F0003共6页
为降低晶圆缺陷对半导体制造的影响,在基于改进的多重中值滤波算法的基础上,以差影法为基本原理,采用归一化互相关的模版匹配方法实现晶圆表面缺陷检测。改进的多重中值滤波算法有效实现噪声点与非噪声点的分辨,归一化模版匹配算法... 为降低晶圆缺陷对半导体制造的影响,在基于改进的多重中值滤波算法的基础上,以差影法为基本原理,采用归一化互相关的模版匹配方法实现晶圆表面缺陷检测。改进的多重中值滤波算法有效实现噪声点与非噪声点的分辨,归一化模版匹配算法对光照具有很好的鲁棒性。对大量的晶粒进行实验,实验结果表明,该方法可有效检测出晶圆表面的缺陷,精度达到15μm左右,所提检测算法在实际的应用中可代替人工,快速、准确地实现晶圆的缺陷检测。 展开更多
关键词 缺陷检测 差影 双模版匹配 多重中值滤波 鲁棒性
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晶圆表面缺陷在线检测研究 预览 被引量:1
8
作者 林佳 王海明 +2 位作者 于乃功 孙彬 郝靖 《计算机测量与控制》 2018年第5期14-16,20共4页
针对准确与实时检测晶圆表面缺陷的需求,提出了一种基于主成分分析(Principal Component Analysis,PCA)和贝叶斯概率模型(Bayesian Probability Model,BPM)的在线检测算法;首先,改进双边滤波方法以消除晶圆表面图像中的噪声和突出... 针对准确与实时检测晶圆表面缺陷的需求,提出了一种基于主成分分析(Principal Component Analysis,PCA)和贝叶斯概率模型(Bayesian Probability Model,BPM)的在线检测算法;首先,改进双边滤波方法以消除晶圆表面图像中的噪声和突出晶圆缺陷的模式特征;然后,提取晶圆表面缺陷的Hu不变矩、方向梯度直方图(Histogram of Oriented Gradients,HOG)和尺度不变特征变换特征(Scale Invariant Feature Transform,SIFT);接着,采用PCA方法对特征进行降维;最后,在离线建模阶段构建正常晶圆表面模式和各种缺陷模式的BPMs;在在线检测阶段采用胜者全取(Winner-take-all,WTA)法判断缺陷的模式和构建新缺陷模式的BPMs;提出算法在WM-811K晶圆数据库中得到了87.2%的检测准确率;单副图像的平均检测时间为40.5ms;实验结果表明,提出算法具有较高的检测准确性与实时性,可以实际应用到集成电路制造产线的晶圆表面缺陷在线检测中。 展开更多
关键词 集成电路制造 表面缺陷检测 表面特征 主成分分析 贝叶斯概率模型
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