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不同剂量氮离子注入对小麦生长发育及光合特性的影响 预览
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作者 郭明明 樊继伟 +7 位作者 陈凤 李强 孙中伟 王康君 张广旭 赵雪君 浦汉春 代丹丹 《北方农业学报》 2019年第1期18-23,共6页
以该地区主栽品种连麦7号和烟农19为试验材料,采用盆栽试验方法,研究不同剂量N+注入对2个小麦品种生长发育及旗叶光合特性的影响。结果表明:不同剂量N+注入,连麦7号和烟农19种子发芽率、苗高、株高、旗叶SPAD值及净光合速率等均呈下降趋... 以该地区主栽品种连麦7号和烟农19为试验材料,采用盆栽试验方法,研究不同剂量N+注入对2个小麦品种生长发育及旗叶光合特性的影响。结果表明:不同剂量N+注入,连麦7号和烟农19种子发芽率、苗高、株高、旗叶SPAD值及净光合速率等均呈下降趋势,且生育进程推迟;随着剂量的增加,N+注入对2个小麦品种的生长发育及光合特性的影响不断加大,其中N+注入对连麦7号的抑制作用要小于烟农19。而在灌浆后期,当N+注入剂量达到3×1016N+/cm2时,烟农19旗叶净光合速率显著降低;继续加大剂量到4×1016N+/cm2,连麦7号旗叶净光合速率开始显著下降。连麦7号对N+注入剂量的敏感度要小于烟农19。得出不同剂量N+注入会在一定程度上影响2个小麦品种的生长发育,进而影响高产的形成,且在品种间存在差异,其中连麦7号对于N+注入剂量的敏感度要小于烟农19。 展开更多
关键词 N+ 注入剂量 小麦 生长发育 光合特性
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Adenosine A2A receptor deficiency attenuates the somnogenic effect of prostaglandin D2 in mice
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作者 Bin-jia ZHANG Zhi-li HUANG +2 位作者 Jiang-fan CHEN Yoshihiro URADE Wei-min QU 《中国药理学报:英文版》 SCIE CAS CSCD 2017年第4期469-476,共8页
前列腺素 D <sub>2</sub>(PGD <sub>2</sub>) 是大多数之一有势力内长的睡觉支持物质。PGD <sub>2</sub> 激活 PGD <sub>2</sub> 受体(DPR ) 并且增加腺苷的细胞外的水平在野类型(WT )... 前列腺素 D <sub>2</sub>(PGD <sub>2</sub>) 是大多数之一有势力内长的睡觉支持物质。PGD <sub>2</sub> 激活 PGD <sub>2</sub> 受体(DPR ) 并且增加腺苷的细胞外的水平在野类型(WT ) 老鼠然而并非 DPR 大美人(击倒) 老鼠,建议 PGD <sub>2</sub>-induced 睡觉是 DPR 依赖的,并且腺苷可以是调停的发信号的分子 PGD <sub>2</sub> 的 somnogenic 效果。这研究的目的是决定腺苷的参与 <sub>2A</sub> 受体(<sub>2A</sub > R ) 在 PGD <sub>2</sub>-induced 睡觉。我们灌输了 PGD <sub>2</sub> 进 WT 和 <sub>2A</sub 的侧面的室 > 在为 6 h 的 20:00 和 2:00 之间的 R 击倒老鼠,和脑电图和 electromyograms 同时被记录。在 WT 老鼠, PGD <sub>2</sub> 注入 dose-dependently 增加了非快速的眼睛运动(非雷姆, NREM ) 睡觉,它是 139.1% , 145.0% 和 202.7% 象在 10, 20 和 50 pmol/min 的剂量的对待车辆的老鼠的一样大分别地。在 20 和 50 pmol/min 的剂量的 PGD <sub>2</sub> 注入也分别地在 WT 老鼠在 6-h PGD <sub>2</sub> 注入和 4-h dosing 以后时期期间增加了雷姆睡觉到 148.9% 和 166.7% 。在 <sub>2A</sub > R 击倒老鼠然而,而分别地,在 20 和 50 pmol/min 的更高的剂量在 6-h PGD <sub>2</sub>注入期间增加了 NREM 睡觉到117.5%和155.6%,在 10 pmol/min 的 PGD <sub>2</sub>注入没改变睡觉侧面但是没在dosing以后时期改变睡觉。而且,在 50 pmol/min 的 PGD <sub>2</sub> 注入显著地在两遗传型增加了事件数字,但是仅仅在 WT 老鼠提高了事件持续时间。结果证明在鼠标的 PGD <sub>2</sub>-induced 睡觉被两腺苷 A 调停 <sub>2A</sub >R 依赖、独立的系统。 展开更多
关键词 前列腺素D2 小鼠 腺苷 受体 基因敲除 注入剂量 DPR 信号分子
N/Ti/Al离子注入304不锈钢的耐磨性 预览 被引量:2
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作者 袁联雄 唐德文 +2 位作者 邹树梁 刘军 李朋雪 《表面技术》 CAS CSCD 北大核心 2015年第9期43-49,55共8页
目的研究N,Ti,Al离子注入对304不锈钢耐磨性的影响规律,为304不锈钢材料的改良提供参考。方法采用等离子注入技术,在不同剂量下对304不锈钢分别进行N,Ti,Al离子注入,对离子注入后的试样进行表面微观形貌观测、表面硬度测试、摩擦磨损性... 目的研究N,Ti,Al离子注入对304不锈钢耐磨性的影响规律,为304不锈钢材料的改良提供参考。方法采用等离子注入技术,在不同剂量下对304不锈钢分别进行N,Ti,Al离子注入,对离子注入后的试样进行表面微观形貌观测、表面硬度测试、摩擦磨损性能测试,并与304不锈钢基材进行对比。结果 304不锈钢经3种离子注入后,均能获得平整、致密,没有裂纹,具有一定光洁度的表面组织,但是注入剂量增大会引起表面起泡现象,形成多孔形貌,光洁度降低。此外,3种离子注入均能提高304不锈钢的表面硬度,且高剂量注入试样的硬度比低剂量注入试样更高,相较而言,N离子注入使表面硬度的提高更明显。相比未注入基材,注N与注Ti表面层的摩擦系数均变小,注Al表面层的摩擦系数反而变大,但磨损量都明显降低。高剂量注N、注Al试样的耐磨性均高于低剂量注入试样,而高剂量注Ti试样的耐磨性低于低剂量注入试样,但仍好于注N、注Al试样。结论在相同实验条件与注入工艺下,N离子注入对表面硬度提高最显著(剂量为5.0×1017ions/cm2),约提高41%;Ti离子注入对耐磨性提高最显著(剂量为3.0×1017ions/cm2),约提高6倍。 展开更多
关键词 304不锈钢 离子注入 注入剂量 表面硬度 摩擦系数 磨损量 耐磨性
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Boron implanted emitter for n-type silicon solar cell
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作者 梁鹏 韩培德 +1 位作者 范玉洁 邢宇鹏 《中国物理B:英文版》 SCIE EI CAS CSCD 2015年第3期447-452,共6页
The effects of ion doses on the properties of boron implanted Si for n-type solar cell application were investigated with doses ranging from 5×1014cm-2to 2×1015cm-2and a subsequent two-step annealing process... The effects of ion doses on the properties of boron implanted Si for n-type solar cell application were investigated with doses ranging from 5×1014cm-2to 2×1015cm-2and a subsequent two-step annealing process in a tube furnace.With the help of the TCAD process simulation tool, knowledge on diffusion kinetics of dopants and damage evolution was obtained by fitting SIMS measured boron profiles. Due to insufficient elimination of the residual damage, the implanted emitter was found to have a higher saturation current density(J0e) and a poorer crystallographic quality. Consistent with this observation, V oc, J sc, and the efficiency of the all-implanted p+–n–n+solar cells followed a decreasing trend with an increase of the implantation dose. The obtained maximum efficiency was 19.59% at a low dose of 5×1014cm-2. The main efficiency loss under high doses came not only from increased recombination of carriers in the space charge region revealed by double-diode parameters of dark I–V curves, but also from the degraded minority carrier diffusion length in the emitter and base evidenced by IQE data. These experimental results indicated that clusters and dislocation loops had appeared at high implantation doses, which acted as effective recombination centers for photogenerated carriers. 展开更多
关键词 硅太阳能电池 硼分析 n型 少数载流子 入射 注入剂量 退火工艺 扩散长度
Effects of a carbon implant on thermal stability of Ni0.95(Pt0.05)Si
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作者 冯帅 赵利川 +4 位作者 张青竹 杨鹏鹏 唐兆云 闫江 吴次南 《半导体学报:英文版》 EI CAS CSCD 2015年第6期25-28,共4页
The effects of a carbon implant on thermal stability of Ni0:95(Pt0:05/Si films are investigated by implanting carbon of different doses into Si substrates before silicidation with two steps of rapid thermal annealing.... The effects of a carbon implant on thermal stability of Ni0:95(Pt0:05/Si films are investigated by implanting carbon of different doses into Si substrates before silicidation with two steps of rapid thermal annealing.Compared with the Ni0:95(Pt0:05/Si films without carbon implanting, the thermal stability of Ni0:95(Pt0:05/Si films with two carbon implant doses are improved 100 ℃(1 1015 cm 2/ and 150 ℃(3 1015 cm 2/, respectively.Through sheet resistance measurement, X-ray diffraction and scanning electron microscopy, we conclude that carbon atoms precipitated at Ni(Pt0:05/Si grain boundaries and Ni0:95(Pt0:05/Si/Si interface account for the improved thermal stability of Ni0:95(Pt0:05/Si films. Furthermore, the presence of C in Ni0:95(Pt0:05/Si films changes the preferred orientation of polycrystalline Ni Si which will benefit the practical application of this material. 展开更多
关键词 热稳定性 硅化镍 植入物 含碳 扫描电子显微镜 注入剂量 快速热退火 硅薄膜
Backside optimization for improving avalanche breakdown behavior of 4.5 kV IGBT
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作者 田晓丽 陆江 +3 位作者 滕渊 张文亮 卢烁今 朱阳军 《半导体学报:英文版》 EI CAS CSCD 2015年第3期85-87,共3页
The static avalanche breakdown behavior of 4.5 kV high-voltage IGBT is studied by theory analysis and experiment. The avalanche breakdown behaviors of the 4.5 kV IGBTs with different backside structures are investigat... The static avalanche breakdown behavior of 4.5 kV high-voltage IGBT is studied by theory analysis and experiment. The avalanche breakdown behaviors of the 4.5 kV IGBTs with different backside structures are investigated and compared by using the curve tracer. The results show that the snap back behavior of the breakdown waveform is related to the bipolar PNP gain, which leads to the deterioration of the breakdown voltage. There are two ways to optimize the backside structure, one is increasing the implant dose of the N C buffer layer, the other is decreasing the implant dose of the P C collector layer. It is found that the optimized structure is effective in suppressing the snap back behavior and improving the breakdown characteristic of high voltage IGBT. 展开更多
关键词 雪崩击穿 IGBT 行为 优化 背面 注入剂量 面结构 击穿电压
DOE技术在低电压CMOS晶体管中的质量控制 预览 被引量:1
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作者 张霞 袁陈晨 +2 位作者 郑祺 徐士美 童庆强 《电子器件》 CAS 北大核心 2014年第6期1043-1048,共6页
采用DOE(Design of Experiment)试验方法进行了CMOS晶体管工艺流片的分卡操作,研究18个样品的Vt区注入Dvt、N场注入DNF、TEMP注入DP这3种注入剂量变化的情形下阈值电压Vtn和Vtp的调控优化值。通过最大跨导法测试阈值电压Vtn和Vtp,考查... 采用DOE(Design of Experiment)试验方法进行了CMOS晶体管工艺流片的分卡操作,研究18个样品的Vt区注入Dvt、N场注入DNF、TEMP注入DP这3种注入剂量变化的情形下阈值电压Vtn和Vtp的调控优化值。通过最大跨导法测试阈值电压Vtn和Vtp,考查3种注入剂量对Vtn和Vtp的影响趋势,发现Dvt和DNF直接决定Vtn,Dvt和DP直接决定Vtp。结果表明,Vtn为0.082 V-0.600 V,关系式为Vtn=0.15791Dvt+0.12320DNF+0.11433;Vtp为0.0535 V-0.6300 V,关系式为V2tp=-0.03077D2vt-0.01688D2P+0.71899。 展开更多
关键词 CMOS晶体管 阈值电压 DOE 注入剂量
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超声引导下大剂量无水乙醇灌洗治疗肝囊肿的护理体会 预览
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作者 徐建琴 毛建强 《浙江医学》 CAS 2013年第13期1305-1306,共2页
肝囊肿是一种常见病,好发于老年人。囊肿较小时可无任何症状,当囊肿继续增大压迫周围器官或出现并发症时可出现临床表现,需及时治疗。超声引导下无水乙醇灌洗治疗肝囊肿因具有微创、安全、并发症少等优点,已广泛应用于临床。但传统... 肝囊肿是一种常见病,好发于老年人。囊肿较小时可无任何症状,当囊肿继续增大压迫周围器官或出现并发症时可出现临床表现,需及时治疗。超声引导下无水乙醇灌洗治疗肝囊肿因具有微创、安全、并发症少等优点,已广泛应用于临床。但传统方法因注入剂量小,囊肿内无水乙醇浓度相对不足,导致少部分患者出现疗效不佳和复发现象。近年来,我院对肝囊肿患者采用超声引导下大剂量无水乙醇灌洗治疗,均取得满意效果,现将护理体会报道如下。 展开更多
关键词 灌洗治疗 无水乙醇 超声引导 肝囊肿 剂量 护理 临床表现 注入剂量
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硅探测器加工中的离子注入工艺设计与控制
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作者 唐海林 罗剑波 +1 位作者 张莉 谭刚 《微纳电子技术》 CAS 北大核心 2012年第12期824-828,共5页
应用离子注入工艺可制备获得线性电流大、窗口死层薄的硅pin辐射探测器。首先简要介绍了离子注入工艺形成pn结的原理,重点根据技术要求进行了离子注入工艺设计和计算,分别得到了注入能量为40keV和注入剂量为4x10^14/cm^2的两个重要... 应用离子注入工艺可制备获得线性电流大、窗口死层薄的硅pin辐射探测器。首先简要介绍了离子注入工艺形成pn结的原理,重点根据技术要求进行了离子注入工艺设计和计算,分别得到了注入能量为40keV和注入剂量为4x10^14/cm^2的两个重要控制参数。同时分析了在离子注入工艺中存在的影响因素和相应处理方法,对生产具有良好的指导作用。采用所设计的工艺参数制备获得的硅pin辐射探测器各项技术指标均满足要求,验证了离子注入工艺设计与参数控制的有效性。 展开更多
关键词 离子注入 硅pin辐射探测器 PN结 注入能量 注入剂量 死层
利用等离子体注入枣树接穗的诱变技术初探 预览 被引量:4
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作者 郝学金 王丽娜 +1 位作者 闫六英 陈红玉 《山西农业科学》 2012年第9期930-932,939共4页
试验以山西省传统的枣树(骏枣和壶瓶枣)接穗为主要研究对象,利用氮、氩等离子体进行注入处理,并用常规的嫁接方法进行嫁接、调查,经过4 a的试验,结果表明,只要采用合适的样品处理方法和适当的注入剂量,枣树接穗是可以利用等离子体注... 试验以山西省传统的枣树(骏枣和壶瓶枣)接穗为主要研究对象,利用氮、氩等离子体进行注入处理,并用常规的嫁接方法进行嫁接、调查,经过4 a的试验,结果表明,只要采用合适的样品处理方法和适当的注入剂量,枣树接穗是可以利用等离子体注入法进行诱变处理的;试验确定了利用氮、氩离子处理枣树接穗的最适注入剂量为6×1016/cm2~8×1016/cm2、最适注入速率为10 mA×28 kV。 展开更多
关键词 等离子 注入剂量 接穗 样品前处理 成活率
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Investigation of silicon on insulator fabricated by two-step O+ implantation
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作者 WEI Xing XUE ZhongYing +9 位作者 WU AiMin WANG Xiang LI XianYuan YE Fei CHEN Jie CHEN Meng ZHANG Box LIN ChengLu ZHANG Miao WANG Xi 《中国科学通报:英文版》 SCIE CAS 2011年第4期444-448,共5页
In this paper,we investigated the dose window of forming a continuous buried oxide(BOX) layer by single implantation at the implantation energy of 200 keV. Then,an improved two-step implantation process with second im... In this paper,we investigated the dose window of forming a continuous buried oxide(BOX) layer by single implantation at the implantation energy of 200 keV. Then,an improved two-step implantation process with second implantation dose of 3×1015 cm-2 was developed to fabricate high quality separation by implanted oxygen(SIMOX) silicon on insulator(SOI) wafers. Compared with traditional single implantation,the implantation dose is reduced by 18.2%. In addition,the thickness and uniformity of the BOX layers were evaluated by spectroscopic ellipsometry. Defect-free top Si as well as atomic-scale sharp top Si/buried oxide interfaces were observed by transmission electron microscopy,indicating a high crystal quality and a perfect structure of the SOI fabricated by two step implantation. The top Si/BOX interface morphology of the SOI wafers fabricated by single or two-step implantation was also investigated by atomic force microscopy. 展开更多
关键词 硅绝缘体 植入 电子显微镜观察 SOI晶片 制备 注入剂量 原子力显微镜 界面形态
Terahertz transmission properties of Cr ion implantation glass 被引量:2
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作者 苏红 周航 +3 位作者 王世兴 陈琼州 梁华伟 阮双琛 《中国光学快报:英文版》 SCIE EI CAS CSCD 2010年第4期425-427,共3页
<正>Cr ion implantations in glass with the different doses of D=1.493×10~(17) and 4.976×10~(17) ion/cm~2 are obtained by metal vapor vacuum arc(MEVVA).The effects of the different Cr ion implanted dose... <正>Cr ion implantations in glass with the different doses of D=1.493×10~(17) and 4.976×10~(17) ion/cm~2 are obtained by metal vapor vacuum arc(MEVVA).The effects of the different Cr ion implanted doses on terahertz(THz) transmission property are analyzed from THz time-domain spectroscopy.The results show that the more the Cr ion implanted dose in the micro-area implantation glasses,the larger the THz transmission except the larger absorption at 0.24 THz.This is an effect attributed to the coupling of plasmas on both the implantation and the implantation affected zones of the Cr ion implantation glass. 展开更多
关键词 传输特性 离子注入 铬离子 太赫兹 玻璃 离子植入 MEVVA源 注入剂量
浅谈敷料渗出试验对临床护理记录的意义 预览
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作者 姚建英 姚云英 《护理研究:上旬版》 2010年第S1期58-59,共2页
关键词 临床护理 伤口敷料 渗出量 最上层 剂量 渗出液 参照表 法常 注入剂量 最底层
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低能C^+注入对花生M3代抗旱性能影响的试验研究 预览 被引量:3
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作者 徐磊 杨培岭 +2 位作者 任树梅 张涛 韩玉国 《中国农业大学学报》 CAS CSCD 北大核心 2007年第4期 50-54,共5页
以农花5号花生为试材,研究4种注量的低能C^+对农花5号M3代抗旱性能的影响。通过田间小区试验对M3代主茎高、侧枝长、叶片失水率等指标进行观测,运用直接评价、间接综合评价以及聚类分析方法对M3代抗旱性能进行分析。结果显示:适宜剂... 以农花5号花生为试材,研究4种注量的低能C^+对农花5号M3代抗旱性能的影响。通过田间小区试验对M3代主茎高、侧枝长、叶片失水率等指标进行观测,运用直接评价、间接综合评价以及聚类分析方法对M3代抗旱性能进行分析。结果显示:适宜剂量的低能C^+注入能够明显改变花生M3代的抗旱能力,本试验中,C^+剂量为10^15cm^-2时,花生M3代的抗旱性显著强于对照;剂量10^12cm^-2,M3代的抗旱性略有增强;而10^11cm^-2和10^16cm^-2剂量条件下抗旱性与对照相比差异不大。因此,低能C^+注入可以改变花生品性,是获得优质种子资源的一种有效方法。 展开更多
关键词 花生 低能C^+ 注入剂量 抗旱性 直接和间接综合评价
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注入剂量对300℃下Mn^+注入p型GaN薄膜的结构和磁性影响 预览 被引量:1
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作者 石瑛 蒋昌忠 +1 位作者 付强 范湘军 《功能材料》 EI CAS CSCD 北大核心 2006年第9期 1429-1432,共4页
在(0001)面的蓝宝石衬底上用低压MOCVD法生长p型GaN外延层。对p型GaN薄膜用180keV的Mn^+离子注入进行磁性粒子掺杂,注入时GaN薄膜处于300℃,注入剂量分别为5.0×10^15、1.0×10^16和5.0×10^16cm^-2。对注入的样品... 在(0001)面的蓝宝石衬底上用低压MOCVD法生长p型GaN外延层。对p型GaN薄膜用180keV的Mn^+离子注入进行磁性粒子掺杂,注入时GaN薄膜处于300℃,注入剂量分别为5.0×10^15、1.0×10^16和5.0×10^16cm^-2。对注入的样品在N2气流中进行快速热退火处理,温度为850℃,时间为30s。用超导量子干涉仪(SQUID)对样品的磁性进行了分析,在5.0×10^15cm^-2的注入样品中发现了较强的铁磁性;而1.0×10^16和5.0×10^16cm^-2的Mn^+离子注入样品中铁磁响应有所减弱。结合用X射线衍射(XRD)和扫描电子显微镜(SEM)对在不同剂量下Mn^+注入GaN薄膜的结构、形貌和成分的分析,揭示了不同剂量磁性离子注入给GaN薄膜带来的结构、形貌和相应的铁磁性变化规律,发现只有适当的注入剂量(5.0×10^15cm^-2)才有利于在300℃下用180keV的Mn^+注入对p型GaN薄膜进行磁性离子掺杂。 展开更多
关键词 GAN 离子注入 注入剂量 铁磁性
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离子注入剂量的均匀性检测和校正 预览 被引量:7
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作者 王迪平 伍三忠 +2 位作者 孙雪平 孙勇 王玮琪 《微纳电子技术》 CAS 2005年第10期 484-486,共3页
介绍了离子注入机中注入剂量的均匀性检测和校正,着重阐述了均匀性的检测原理、均匀性计算公式、均匀性检测和校正流程及算法.
关键词 离子注入 注入剂量 均匀性
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离子注入剂量对工程塑料表面纳米硬度的影响 预览 被引量:1
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作者 李佳丽 伞金福 +1 位作者 王禹 刘家浚 《中国表面工程》 CAS CSCD 2005年第3期 20-22,27,共4页
研究了离子注入剂量和剂量率对工程塑料表面纳米硬度提高效果的影响,分别将不同剂量的C离子注入尼龙6和PET以及Al离子注入PPO,并将不同剂量率的Al离子注入PET.纳米硬度测量显示:随着注入剂量和剂量率的增加,尼龙6、PET、PPO的纳米硬度升... 研究了离子注入剂量和剂量率对工程塑料表面纳米硬度提高效果的影响,分别将不同剂量的C离子注入尼龙6和PET以及Al离子注入PPO,并将不同剂量率的Al离子注入PET.纳米硬度测量显示:随着注入剂量和剂量率的增加,尼龙6、PET、PPO的纳米硬度升高;未注入以及低剂量和剂量率注入塑料的载荷-位移曲线呈现弹塑性变形特征,而高剂量和剂量率注入的呈现出弹性变形特征. 展开更多
关键词 工程塑料 离子注入 纳米硬度 注入剂量
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离子注入改性聚[2-甲氧基-5-(3’-甲基)丁氧基]对苯乙炔微观结构与性能 预览
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作者 李宝铭 吴洪才 +2 位作者 刘效增 高潮 孙建平 《真空科学与技术学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2005年第2期 120-122,126,共4页
采用低能氮正离子(N+)对π共轭高分子聚[2-甲氧基-5-(3'-甲基)丁氧基]对苯乙炔(MMB-PPV)薄膜进行离子注入改性,注入剂量为9.6×1016 ions/cm2,能量为30 keV.利用红外光谱、紫外-可见吸收光谱、X射线衍射、透射电镜及热失重等手... 采用低能氮正离子(N+)对π共轭高分子聚[2-甲氧基-5-(3'-甲基)丁氧基]对苯乙炔(MMB-PPV)薄膜进行离子注入改性,注入剂量为9.6×1016 ions/cm2,能量为30 keV.利用红外光谱、紫外-可见吸收光谱、X射线衍射、透射电镜及热失重等手段对离子注入改性MMB-PPV薄膜的微观结构及热学性能进行研究.红外光谱显示,注入后分子侧链烷氧取代基的C-H振动峰强度减弱,同时在3442、1622 cm-1等处出现了N-H键的振动峰;薄膜的紫外-可见吸收光谱向长波方向移动,且在可见光区范围内的吸收强度增加;离子注入使聚合物分子链排列更加规整,取向度明显增大,结晶性能大大改善;经过离子注入后,聚合物材料的初始分解温度由未注入时的245.64 ℃提高至280.52 ℃,分子的热稳定性能显著增强. 展开更多
关键词 离子注入 苯乙炔 丁氧基 甲氧基 结构与性能 改性 紫外-可见吸收光谱 甲基 π共轭高分子 红外光谱 X射线衍射 PPV薄膜 烷氧取代基 聚合物材料 热稳定性能 注入剂量 热学性能 微观结构 透射电镜 吸收强度 可见光区 结晶性能
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离子辐照产生的空位型缺陷对Si中B原子热扩散的影响 被引量:2
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作者 刘昌龙 吕依颖 尹立军 《高能物理与核物理》 EI CSCD 北大核心 2005年第11期1107-1111,共5页
使用二次离子质谱仪分析了附加的空位型缺陷对单晶Si中注入B原子热扩散的影响.Si中B原子是通过30keV B离子室温注入而引入的,注入剂量为2×1014cm-2.Si中附加的空位型缺陷通过两种方式产生:一是采用40或160keV He离子注入单晶Si到剂... 使用二次离子质谱仪分析了附加的空位型缺陷对单晶Si中注入B原子热扩散的影响.Si中B原子是通过30keV B离子室温注入而引入的,注入剂量为2×1014cm-2.Si中附加的空位型缺陷通过两种方式产生:一是采用40或160keV He离子注入单晶Si到剂量5×1016cm-2,并经800℃退火lh;二是采用0.5MeV F或O离子辐照单晶Si到剂量5×1015cm-2.结果显示,不同方式产生的附加的空位型缺陷均能抑制注入的B原子在随后热激活退火中发生瞬间增强扩散效应,并且抑制的效果依赖于离子的种类和离子的能量.结合透射电子显微镜和卢瑟福背散射分析结果对以上抑制效应进行了定性的讨论. 展开更多
关键词 单晶Si 空位型缺陷 B扩散 二次离子质谱仪 透射电子显微镜 离子辐照 热扩散 原子 注入剂量 卢瑟福背散射
用离子注入法对铝表面进行强化处理 预览
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作者 许素珍 车建春 《丹东纺专学报》 2004年第3期 18-20,共3页
本文通过采用离子注入技术对铝表面进行强化处理,研究了各种不同N+离子的注入剂量与表面硬度的关系,从而确定离子注入表面处理的最佳工艺条件,同时用金属物理的理论结合离子注入的物理过程对实验结果进行了初步探讨.
关键词 强化处理 铝表面 离子注入 离子注入技术 最佳工艺条件 N^+离子 表面处理 表面硬度 注入剂量 物理过程 金属物理
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