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铜基硫族化合物热电材料
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作者 魏天然 覃玉婷 +6 位作者 邓婷婷 宋庆峰 江彬彬 刘睿恒 仇鹏飞 史迅 陈立东 《中国科学:材料科学(英文版)》 CSCD 2019年第1期8-24,共17页
铜基硫族化合物因其高性能、可调的输运性质、高丰度和低毒性,被认为是很有前景的新型热电材料,引起了研究者的广泛关注.本文总结了近年来铜基热电材料的研究进展,包括类金刚石结构材料、声子液体二元及多元化合物等.本文首先总体介绍... 铜基硫族化合物因其高性能、可调的输运性质、高丰度和低毒性,被认为是很有前景的新型热电材料,引起了研究者的广泛关注.本文总结了近年来铜基热电材料的研究进展,包括类金刚石结构材料、声子液体二元及多元化合物等.本文首先总体介绍了两套亚晶格的基本特征及其对热学、电学性质的影响:一方面,复杂晶体结构和无序、甚至液态化的亚晶格导致极低的热导率;另一方面,刚性亚晶格构成电荷传输通道,保证了较高的电学性能.然后,本文针对特定的几类材料体系,详细介绍了其典型结构特征与"结构-性能"构效关系,以及掺杂、固溶、能带结构调控和纳米结构设计等多尺度优化手段.最后,本文从材料研发和器件研制的角度评述了铜基硫族化合物作为热电材料的应用前景及相关进展. 展开更多
关键词 硫族化合物 热电材料 铜基 电学性能 结构特征 输运性质 电学性质 晶体结构
高压下黄铜矿CuInS2的电子结构、弹性参数、热学和电学性质的第一性研究 预览
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作者 任一鸣 潘轩民 +2 位作者 胡永红 薛丽 胡正龙 《华中师范大学学报:自然科学版》 CAS CSCD 北大核心 2019年第3期345-351,共7页
采用第一性原理方法,研究了高压下黄铜矿半导体CuInS2的电子结构、弹性参数、热学和电学性质.研究结果表明CuInS2是直接能隙半导体,其能隙值随着压强的增大而增大,能隙随压强变化的一阶系数值为54.31 meV/GPa;其弹性参数满足高压下的机... 采用第一性原理方法,研究了高压下黄铜矿半导体CuInS2的电子结构、弹性参数、热学和电学性质.研究结果表明CuInS2是直接能隙半导体,其能隙值随着压强的增大而增大,能隙随压强变化的一阶系数值为54.31 meV/GPa;其弹性参数满足高压下的机械稳定性的条件,并且材料的韧性随着压强的增加而增强.基于弹性参数计算了体系的德拜温度和最小热导率,德拜温度随着压强的增大而逐渐减小,而最小热导率随着压强的增加而增大.通过对塞贝克系数和功率因子比弛豫时间的研究,发现增加压强和调节载流子的浓度可以改善CuInS2的电学性能. 展开更多
关键词 高压 弹性参数 热学性质 电学性质 第一性原理
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单晶体各向异性实验验证 预览
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作者 汪路斌 李红莲 《中小学实验与装备》 2019年第4期36-37,共2页
人教版物理选修3教材“固体”一节中,安排了均匀的石蜡涂层在云母片、玻璃片上熔化后分别呈现椭圆形和圆形的实验,证明了单晶体导热性能的各向异性。该实验采用将缝衣针烧热,然后用针尖接触蜡层背面的方法。针尖提供的热量有限,在实际... 人教版物理选修3教材“固体”一节中,安排了均匀的石蜡涂层在云母片、玻璃片上熔化后分别呈现椭圆形和圆形的实验,证明了单晶体导热性能的各向异性。该实验采用将缝衣针烧热,然后用针尖接触蜡层背面的方法。针尖提供的热量有限,在实际操作中有一定难度。改进的方法有:用电阻丝穿过云母片接在电源上以持续供热或在电烙铁上缠上铜丝通电持续加热。笔者对导热性实验稍作改动,去掉了电烙铁上缠绕的铜丝,并且用双解石的双折射现象验证了单晶体光学性质各向异性,用方铅矿各个方向电阻率不同验证了单晶体电学性质各向异性,多角度证明了晶体的各向异性。 展开更多
关键词 各向异性 单晶体 实验 验证 导热性能 双折射现象 光学性质 电学性质
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闪锌矿结构ZnSe的光电性质和有效质量研究 预览
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作者 刘翠霞 坚增运 +1 位作者 王少刚 罗贤 《西安工业大学学报》 CAS 2019年第2期191-196,共6页
为了研究红外透光闪锌矿ZnSe晶体光学性质和电学性质的内在机理。通过第一性原理的密度泛函理论,借助超软平面波赝势,计算了ZnSe晶体的能带结构和态密度,分析了反射光谱、吸收光谱和介电常数。基于有效质量的近似理论,计算了价带顶端附... 为了研究红外透光闪锌矿ZnSe晶体光学性质和电学性质的内在机理。通过第一性原理的密度泛函理论,借助超软平面波赝势,计算了ZnSe晶体的能带结构和态密度,分析了反射光谱、吸收光谱和介电常数。基于有效质量的近似理论,计算了价带顶端附近电子的有效质量。研究结果表明:ZnSe晶体属于直接带隙半导体材料,反射峰的出现主要是因为Se原子的4p电子和Zn原子的3d态电子向导带跃迁,介电峰的分布与电子结构直接相关,介电峰主要是由于Zn的3d和Se的4p轨道价带向Zn的4s和Se的4s轨道导带的过渡。分析了价带顶端的电子有效质量,计算结果与文献资料基本一致,发现载流子的有效质量具有各向异性,ka方向的电子和空穴的有效质量均较小。从而挖掘了ZnSe晶体的光电性质与有效质量的内在本质,这些分析结果对ⅡⅥ族半导体光电子材料具有非常重要的参考价值。 展开更多
关键词 闪锌矿ZnSe晶体 光学性质 电学性质 有效质量
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基于第三代半导体氮化镓器件的应用教学改革 预览
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作者 刘新科 王佳乐 +1 位作者 陈勇 陈大柱 《广东化工》 CAS 2019年第4期178-179,共2页
如今,在半导体材料中,以氮化镓为代表的第三代半导体材料及器件的开发是新兴半导体产业的核心和基础。因此,让学生更好地学习与理解基于氮化镓材料应用教学课程对于推动电力电子产业发展和促进半导体行业的发展具有重要意义。本文推出... 如今,在半导体材料中,以氮化镓为代表的第三代半导体材料及器件的开发是新兴半导体产业的核心和基础。因此,让学生更好地学习与理解基于氮化镓材料应用教学课程对于推动电力电子产业发展和促进半导体行业的发展具有重要意义。本文推出了基于氮化镓材料应用教学改革,通过模拟仿真应用教学。以期教学能紧跟学科发展方向,通过理论学习结合实验操作,在实验中发现问题,调动学习积极性,培养动手能力,提高学生学习效率,改善教学质量。 展开更多
关键词 氮化镓 电学性质 实验教学
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调控低温氧化锡电学性质制备高效率钙钛矿太阳能电池
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作者 刘京 李楠 +3 位作者 董庆顺 李江伟 秦超 王立铎 《中国科学:材料科学(英文版)》 CSCD 2019年第2期173-180,共8页
本文中我们首次在低温(<100°C)SnO2溶胶-凝胶中通过掺杂Nb^5+调控SnO2电学性质,使SnO2与混合离子钙钛矿之间形成更匹配的能级.掺杂Nb5+后SnO2电子传输层导电率明显提升,导带位置下移更加接近混合离子钙钛矿导带,有效促进了电子... 本文中我们首次在低温(<100°C)SnO2溶胶-凝胶中通过掺杂Nb^5+调控SnO2电学性质,使SnO2与混合离子钙钛矿之间形成更匹配的能级.掺杂Nb5+后SnO2电子传输层导电率明显提升,导带位置下移更加接近混合离子钙钛矿导带,有效促进了电子由SnO2向钙钛矿层的注入,并加速了电子传输过程,二者的共同作用使非辐射复合几率降低,器件效率由18.06%提升至19.38%. Nb^5+掺杂SnO2为低温(<100°C)制备高效率钙钛矿太阳能电池提供了有效参考途径,有望进一步推动钙钛矿太阳能电池的产业化进程. 展开更多
关键词 太阳能电池 电学性质 钙钛矿 低温 制备 调控 掺杂SnO2 氧化锡
固相反应法快速制备FeSb2及其电学性质研究 预览
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作者 秦丙克 籍永华 +2 位作者 白志玲 黄润 张金柱 《硅酸盐通报》 CAS 北大核心 2019年第5期1438-1441,共4页
采用高温固相反应法,在773~923K的温度范围内考察了FeSb2的生成规律。制备出的样品进行了XRD和SEM分析,并对样品的电阻率和Seebeck系数进行了测试分析,结果表明:在温度883K保温3h的制备条件下,可以合成单相的多晶体化合物FeSb2。制备出... 采用高温固相反应法,在773~923K的温度范围内考察了FeSb2的生成规律。制备出的样品进行了XRD和SEM分析,并对样品的电阻率和Seebeck系数进行了测试分析,结果表明:在温度883K保温3h的制备条件下,可以合成单相的多晶体化合物FeSb2。制备出的样品内部存在不均匀的微米级孔洞。样品在测试温度为511.63K时获得最大的Seebeck系数36.34μV/k,在453.72K时获得最大功率因子188.68μW/(m·K^2)。 展开更多
关键词 热电材料 FeSb2 微观结构 电学性质
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FeTe2化合物快速制备及电学输运性能
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作者 秦丙克 籍永华 +3 位作者 宿太超 白志玲 黄润 张金柱 《稀有金属材料与工程》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2019年第3期931-935,共5页
利用真空高温烧结的方法,在803.15~923.15K的温度范围内快速合成了单相的合金化合物FeTe2。在制备温度为863.15K时,考查了不同保温时间对制备单相样品FeTe2的影响规律。制备出的样品进行了XRD和SEM分析,并在室温下对样品进行了电阻率和S... 利用真空高温烧结的方法,在803.15~923.15K的温度范围内快速合成了单相的合金化合物FeTe2。在制备温度为863.15K时,考查了不同保温时间对制备单相样品FeTe2的影响规律。制备出的样品进行了XRD和SEM分析,并在室温下对样品进行了电阻率和Seebeck系数的测试分析。结果表明:在803.15~923.15K的温度范围内,采用高温烧结反应能够快速制备出单相的多晶体化合物FeTe2;制备出样品内部均匀存在许多微米级的孔洞。经室温电学性质测试,样品在制备温度为863.15K保温时间60min时获得最大Seebeck系数88.21μV/K。当制备温度为803.15K,保温时间30min时,获得最小电阻率为7.86mΩ·cm。样品在制备温度923.15K,保温30min时,获得最大功率因子53.82μW/(m·K^2)和最大ZT值为0.0076。 展开更多
关键词 热电材料 FeTe2 微观形貌 电学性质
SnxSi1-xO2缓冲层对F-SnO2薄膜光电性能的改善 预览
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作者 金运姜 候英兰 +3 位作者 蔡振胜 汪世界 汪玉波 郑艺钦 《建筑玻璃与工业玻璃》 2019年第5期9-11,8共4页
利用化学气相沉积,在玻璃衬底上生长了SnO2掺氟(FTO)薄膜。X射线衍射测试(XRD)显示所得的FTO薄膜具有四方相结构。通过掺氟可以提高SnO2的电学性质,但掺氟同时也会影响SnO2薄膜的晶体质量,进而导致光学性质的损失。在这项研究工作中,在... 利用化学气相沉积,在玻璃衬底上生长了SnO2掺氟(FTO)薄膜。X射线衍射测试(XRD)显示所得的FTO薄膜具有四方相结构。通过掺氟可以提高SnO2的电学性质,但掺氟同时也会影响SnO2薄膜的晶体质量,进而导致光学性质的损失。在这项研究工作中,在生长FTO薄膜时我们引入了SnxSi1-xO2缓冲层,并研究其对FTO薄膜光电性质的影响,发现通过引入SnxSi1-xO2缓冲层,可以较大程度降低FTO薄膜表面粗糙度,并同时保持较好的电学性质。 展开更多
关键词 SNO2薄膜 缓冲层 光电性能 化学气相沉积 电学性质 FTO X射线衍射 表面粗糙度
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基于硅纳米线的场效应晶体管电学性质仿真 预览
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作者 许明坤 毛雷鸣 +1 位作者 叶松 陈宇 《电子世界》 2018年第17期52-53,共2页
半导体硅材料是微电子、光电子领域的基础材料,而半导体硅纳米线具有优良的光电性质和成熟的制备技术。多年以来,人们对硅纳米线的制备及相关器件应用进行了大量而卓有成效的研究,取得了丰富的研究成果。研究结果发现,半导体硅纳米线在... 半导体硅材料是微电子、光电子领域的基础材料,而半导体硅纳米线具有优良的光电性质和成熟的制备技术。多年以来,人们对硅纳米线的制备及相关器件应用进行了大量而卓有成效的研究,取得了丰富的研究成果。研究结果发现,半导体硅纳米线在电子器件[1-2]、光电器件[3-4]、生物及化学传感器[5]、能量储存及转换等器件[6]方面都有非常广泛的应用前景。而基于半导体硅纳米线的光电器件、电子器件、传感器件应用是以硅纳米线的电学性质为基础的,因此硅纳米线的电学特性是其中关键因素。而硅纳米线的电学特性取决于纳米线制备过程中产生的内部和表面缺陷,因此需要精确控制纳米线的生长条件以期望获得高结晶质量的硅纳米线结构。本文利用Comsol Multiphysics对硅纳米线的电学性质及基于硅纳米线的场效应晶体管的电学特性进行了仿真模拟。并对其进行了详细分析。 展开更多
关键词 场效应晶体管 硅纳米线 电学性质 仿真模拟 半导体硅材料 化学传感器 器件应用 电学特性
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蒙脱石层间阳离子对其结构与性质影响的密度泛函理论研究 预览
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作者 李慎敏 张晶晶 +1 位作者 王洪磊 尹静梅 《辽宁师范大学学报:自然科学版》 CAS 2018年第2期63-70,共8页
采用密度泛函理论研究层间碱金属(Li+,Na+,K+)和碱土金属(Mg(2+),Ca(2+),Ba(2+))阳离子变化对蒙脱石晶体结构、电学性质和光学性质的影响.研究发现:这种影响不仅与层间阳离子的大小有关,还受层间阳离子价态的影响.层... 采用密度泛函理论研究层间碱金属(Li+,Na+,K+)和碱土金属(Mg(2+),Ca(2+),Ba(2+))阳离子变化对蒙脱石晶体结构、电学性质和光学性质的影响.研究发现:这种影响不仅与层间阳离子的大小有关,还受层间阳离子价态的影响.层间阳离子的引入对蒙脱石的晶格角度影响较小,而对蒙脱石的晶格矢量c影响较大.随着层间阳离子半径增大,蒙脱石层间距随之增大;对于同价态的层间阳离子,随着层间阳离子半径增大,蒙脱石的四面体层变厚、而八面体层变薄.此外,层间阳离子对于蒙脱石电学性质和光学性质的影响主要由其价态决定,当层间阳离子价态越高时,蒙脱石的绝缘性越差,同时其对可见光越敏感. 展开更多
关键词 密度泛函理论 蒙脱石 层间阳离子 电学性质 光学性质
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有机单晶掺杂机制及其电致发光器件应用新突破
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作者 谢国华 《科学通报》 CSCD 北大核心 2018年第33期3391-3392,共2页
掺杂技术作为半导体工业中的一项关键技术,被广泛用于调控半导体材料的光学和电学性质,从而深刻影响半导体微电子与光电子器件的性能[1~4].尤其在有机半导体光电子领域,非晶态有机半导体薄膜的"光学"和"电学"掺杂... 掺杂技术作为半导体工业中的一项关键技术,被广泛用于调控半导体材料的光学和电学性质,从而深刻影响半导体微电子与光电子器件的性能[1~4].尤其在有机半导体光电子领域,非晶态有机半导体薄膜的"光学"和"电学"掺杂,已经成为提高器件光电和电光转换效率的重要技术手段,因其简单有效而获得了广泛的研究和应用。 展开更多
关键词 掺杂机制 器件应用 电致发光 有机半导体薄膜 半导体工业 单晶 掺杂技术 电学性质
全文增补中
WO3纳米颗粒修饰ZnO纳米管的光催化性能 预览
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作者 李亚文 布玉珍 +2 位作者 刘倩 张霞 徐君莉 《催化学报》 CSCD 北大核心 2018年第1期54-62,共9页
二甲四氯钠(MCPA-Na)是一种广泛用于牧场和果园的除草剂,但由于其生物降解性极低,已成为地下水和浅水中的主要污染物.研究发现,半导体可以有效地辅助降解转化危险化学品.ZnO纳米管因其中空结构和较大的比表面积,而在光催化降解有机物方... 二甲四氯钠(MCPA-Na)是一种广泛用于牧场和果园的除草剂,但由于其生物降解性极低,已成为地下水和浅水中的主要污染物.研究发现,半导体可以有效地辅助降解转化危险化学品.ZnO纳米管因其中空结构和较大的比表面积,而在光催化降解有机物方面备受关注.但是,ZnO只能吸收紫外光,如果将其与窄带隙半导体进行复合,可以有效降低带隙,增强其在可见光区域的光吸收,表现出更好的光催化性能.WO3是一种具有稳定物理化学性质及耐光腐蚀窄带隙半导体.采用WO3修饰ZnO纳米管,能扩展ZnO吸收光的范围以及提高ZnO纳米管的耐光腐蚀性能.本文首先通过电化学合成的方法制备了ZnO纳米管,然后按照不同的W/Zn摩尔比将(NH4)6H2W12O40·XH2O滴加在纳米管表面,并在450°C下退火2h制得ZnO-WO3纳米管阵列.研究了不同WO3含量的ZnO-WO3纳米管光催化降解MCPA-Na性能,并且通过X射线光电子能谱(XPS)、傅里叶红外光谱仪(FTIR)、紫外可见光谱(UV-Vis)和光致发光光谱(PL)等手段研究了复合WO3纳米颗粒后ZnO纳米管半导体光催化性能提高的原因.XPS结果表明,W元素在ZnO-WO3纳米管阵列中以W6+的形式存在.FTIR结果表明,复合WO3后的ZnO-WO3复合半导体上比纯ZnO纳米管表面具有更多的OH?基团.由于OH?可以捕获光生空穴,并转化为具有反应活性的OH自由基,因此复合WO3能在一定程度上提高ZnO纳米管的光催化活性.UV-Vis结果表明,WO3的复合使得光谱发生明显红移,但随着WO3含量的增加,ZnO-WO3的吸光度明显增加.另外,PL结果表明,适当的复合WO3可以抑制光生电子-空穴的复合.这是因为W6+和晶格氧的相互作用产生了较高不饱和键和表面缺陷,而表面缺陷可以作为光生载流子的陷阱,促进了光生电子和空穴的分离,因而光催化性能提高.在模拟太阳光下研究了不同WO3含量的ZnO纳米管对光催化降解MCPA-Na溶液的性能.发现W/Zn摩尔比为3%的ZnO 展开更多
关键词 氧化锌纳米管 三氧化钨 光催化降解 电沉积 电学性质
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溅射气体流量比对磷掺杂ZnO电学性质的影响 预览 被引量:2
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作者 解玉鹏 王显德 +1 位作者 张楠楠 蔚金 《大学物理实验》 2018年第5期75-78,共4页
采用磁控溅射方法在石英衬底上制备ZnO薄膜,研究溅射气体流量比对薄膜性能的影响,利用XRD对薄膜结构进行表征,SEM表征薄膜的表面形貌,讨论了溅射气体流量比对薄膜电学性质的影响。结果表明,当Ar/O2为1/0.05时,得到p型ZnO:P,... 采用磁控溅射方法在石英衬底上制备ZnO薄膜,研究溅射气体流量比对薄膜性能的影响,利用XRD对薄膜结构进行表征,SEM表征薄膜的表面形貌,讨论了溅射气体流量比对薄膜电学性质的影响。结果表明,当Ar/O2为1/0.05时,得到p型ZnO:P,其电阻率为59.80Ωcm,迁移率为0.49cm^2/Vs,空穴载流子浓度为2.33×10^17cm^-3。 展开更多
关键词 磁控溅射 ZNO薄膜 P型 电学性质
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运用第一性原理研究氧化锌电阻阀片中氧空位与掺杂条件下ZnO晶体电学性质
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作者 李亚莎 黄太焕 +2 位作者 章小彬 徐程 刘志鹏 《原子与分子物理学报》 北大核心 2018年第6期1069-1074,共6页
为了比较Nb2O5、MnO2、MgO三种添加剂对氧化锌电阻阀片电学性能影响,在微观层面模拟Nb、Mn、Mg三种元素分别掺杂ZnO完整超晶胞和带有氧空位缺陷的ZnO超晶胞,并运用第一性原理分析掺杂晶胞的特性.本文计算了晶体结构、掺杂形成能、氧空... 为了比较Nb2O5、MnO2、MgO三种添加剂对氧化锌电阻阀片电学性能影响,在微观层面模拟Nb、Mn、Mg三种元素分别掺杂ZnO完整超晶胞和带有氧空位缺陷的ZnO超晶胞,并运用第一性原理分析掺杂晶胞的特性.本文计算了晶体结构、掺杂形成能、氧空位形成能、能带结构、态密度、载流子迁移率、电导率等.结果表明,掺入Nb原子的掺杂体系晶格体积最大,Mg掺杂体系的形成能最大,稳定性最弱,Nb掺杂氧空位形成能最低,更容易引入氧空位.Nb掺杂的ZnO超晶胞禁带宽度最小,氧空位缺陷增大掺杂晶体的禁带宽度.在相同掺杂浓度和同等条件下,Mn掺杂的晶体电导率最高. 展开更多
关键词 氧化锌电阻阀片 电学性质 第一性原理
La掺杂AgSnO2触头材料的电性能
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作者 赵彩甜 王景芹 +1 位作者 王海涛 蔡亚楠 《材料科学与工程学报》 CSCD 北大核心 2018年第3期392-398,共7页
由于Cd有毒性,AgSnO2触头材料逐渐取代了AgCdO成为新型触头材料,但由于AgSnO2触头材料中的SnO2近乎绝缘,使得触头材料的接触电阻增大,故改善SnO2的导电性是急需解决的重大难题。本文提出了一种简单的、低成本的La掺杂AgSnO2触头材料的... 由于Cd有毒性,AgSnO2触头材料逐渐取代了AgCdO成为新型触头材料,但由于AgSnO2触头材料中的SnO2近乎绝缘,使得触头材料的接触电阻增大,故改善SnO2的导电性是急需解决的重大难题。本文提出了一种简单的、低成本的La掺杂AgSnO2触头材料的设计方法。采用模拟计算的方法,利用第一性原理的密度泛函理论平面波超软赝势法,建立了SnO2以及不同比例La掺杂的SnO2超晶胞模型,在对其进行几何优化之后分别研究了La掺杂比为50%、25%、16.67%、12.5%、8.34%的SnO2材料的电子结构,并研究了其晶格参数、能带结构和态密度等。结果表明,掺杂后材料晶胞体积变大。La的5d轨道进入导带,使得导带底向低能端移动,禁带宽度变小。最终得出La掺杂比为16.67%时导电性最佳。最后进行了不同掺杂比下触头材料的电接触性能试验,得到了接触电阻和燃弧能量等电接触性能参数并验证了模拟结果。因此,本文的研究为触头材料的发展和应用提供了理论依据。 展开更多
关键词 La掺杂SnO2 第一性原理 电子结构 电学性质
上电极对镧镍共掺铁酸铋薄膜电学性质的影响 被引量:1
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作者 彭增伟 刘保亭 《硅酸盐学报》 CSCD 北大核心 2018年第7期972-977,共6页
采用溶胶?凝胶法在Pt(111)/Ti/SiO2/Si(001)基片上制备了La和Ni共掺的多晶Bi0.975La0.025Fe0.975Ni0.025O3(BLFNO)薄膜,分别以氧化铟锡(ITO)和Pt/Sr Ru O3(SRO)为上电极构建了ITO/BLFNO/Pt和SRO/BLFNO/Pt两种电容器。研究了... 采用溶胶?凝胶法在Pt(111)/Ti/SiO2/Si(001)基片上制备了La和Ni共掺的多晶Bi0.975La0.025Fe0.975Ni0.025O3(BLFNO)薄膜,分别以氧化铟锡(ITO)和Pt/Sr Ru O3(SRO)为上电极构建了ITO/BLFNO/Pt和SRO/BLFNO/Pt两种电容器。研究了两种上电极对BLFNO薄膜电学性质的影响。当测试电场为1 333 kV/cm时,ITO/BLFNO/Pt和SRO/BLFNO/Pt电容器的剩余极化强度分别为105和139μC/cm2。通过拟合两种电容器的电流密度,发现导电机理都为Poole-Frankel机制。当404 nm的紫光入射到两种电容器表面,电流密度都相应的增大。测试电场为250 kV/cm时,ITO/BLFNO/Pt电容器电流密度增长量为6.55×10?4 A/cm2;而SRO/BLFNO/Pt电容器的增长量为1.38×10?4 A/cm2。 展开更多
关键词 铁酸铋薄膜 镧镍共掺 上电极 电学性质
二维材料研究现状及展望 被引量:1
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作者 梁涛 徐明生 《科学观察》 2018年第6期40-41,共2页
二维材料是一大类材料的统称,指的是在一个维度上材料尺寸减小到极限的原子层厚度,而在其他两个维度,材料尺寸相对较大。最典型也是最早实验证明的二维材料是石墨烯。2004年,K.S.Novoselov等人在Science杂志发表文章,报道了通过机械剥... 二维材料是一大类材料的统称,指的是在一个维度上材料尺寸减小到极限的原子层厚度,而在其他两个维度,材料尺寸相对较大。最典型也是最早实验证明的二维材料是石墨烯。2004年,K.S.Novoselov等人在Science杂志发表文章,报道了通过机械剥离的方法从高取向的裂解石墨中获得了石墨烯,且证明了其独特优异的电学性质。自此之后,以石墨烯为代表的二维材料获得了快速的发展,新的二维材料如雨后春笋般涌现。得益于其原子层厚度方向上的量子局限效应,这些二维材料展示出与其对应的三维结构截然不同的性质,因此受到了科学界和工业界的广泛关注。 展开更多
关键词 二维材料 展望 电学性质 厚度方向 石墨烯 三维结构 原子层 高取向
不同浓度Cu掺杂SnO2材料电学和力学性质的研究 预览
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作者 赵彩甜 王景芹 《材料科学与工艺》 CSCD 北大核心 2017年第6期34-39,共6页
为研究Cu掺入对SnO2性能的影响,本文采用密度泛函理论和平面波赝势法,建立了未掺杂SnO2和不同比例Cu掺杂的SnO2晶胞模型,对Sn(1-x)CuxO2(x=0、0.083、0.125、0.167、0.25、0.5)超晶胞体系进行优化计算、能量计算和弹性模量计算,得... 为研究Cu掺入对SnO2性能的影响,本文采用密度泛函理论和平面波赝势法,建立了未掺杂SnO2和不同比例Cu掺杂的SnO2晶胞模型,对Sn(1-x)CuxO2(x=0、0.083、0.125、0.167、0.25、0.5)超晶胞体系进行优化计算、能量计算和弹性模量计算,得到晶格常数、弹性模量、电荷分布、能带结构和态密度图.研究表明:掺杂能够使得材料的弹性模量大幅减小,对应的硬化函数值降低,易于材料加工;在电性质方面,掺杂后,材料均属于直接带隙半导体材料.当x〉0.25时,由于掺杂浓度过高使得晶格发生畸变,电性质与未掺杂情况类似;当x〈0.25时,随着掺杂浓度的降低,导带收缩加剧,局域性增强,禁带宽度变窄,使得电子从价带受激跃迁所需能量降低,故掺杂后材料表现出半金属性,导电性增强. 展开更多
关键词 Cu SNO2 第一性原理计算 力学性质 电学性质
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铝共掺杂调制ZnO∶Mn纳米棒阵列的磁学和电学特性 预览
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作者 吴兆丰 金成刚 +1 位作者 吴雪梅 诸葛兰剑 《功能材料》 CSCD 北大核心 2017年第7期7136-7139,7144共5页
采用磁控溅射方法制备了锰掺杂氧化锌和铝、锰共掺杂氧化锌纳米棒阵列并详细研究了它们的电学和磁学特性。微结构测试的结果表明,掺杂后的氧化锌纳米棒阵列保持了纤锌矿晶体结构,掺杂锰离子和铝离子占据了晶体中锌离子的位置实现了替位... 采用磁控溅射方法制备了锰掺杂氧化锌和铝、锰共掺杂氧化锌纳米棒阵列并详细研究了它们的电学和磁学特性。微结构测试的结果表明,掺杂后的氧化锌纳米棒阵列保持了纤锌矿晶体结构,掺杂锰离子和铝离子占据了晶体中锌离子的位置实现了替位式掺杂。磁学性质测试结果表明铝、锰共掺杂氧化锌纳米棒在室温下具有明显的铁磁性,饱和磁矩为0.33μB/Mn atom,是居里温度高于室温的一维稀磁半导体材料。电学性质测试结果表明铝的共掺杂可以使得锰掺杂氧化锌纳米棒的电阻率降低4个数量级,使得铝、锰共掺杂氧化锌纳米棒有可能在未来自旋电子器件中作为高效自旋注入元器件得到广泛应用。 展开更多
关键词 氧化锌纳米棒 铝、锰共掺杂 电学性质 磁学性质
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