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CO2活化对聚硅氧烷裂解SiC衍生炭孔结构的影响 预览
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作者 段力群 马青松 +4 位作者 马林建 董璐 王波 代晓青 张波 《新型炭材料》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2019年第4期367-372,共6页
经聚硅氧烷裂解转化得到碳化硅粉体,然后对其进行氯化处理得到炭,再通过CO2活化处理得到具有高比表面积(1316.8~1929.0m^2·g^-1)的微孔炭(SiC-DC)材料。研究了CO2活化温度、时间对SiC衍生多孔炭结构的影响。采用氮气吸附法、X-ray... 经聚硅氧烷裂解转化得到碳化硅粉体,然后对其进行氯化处理得到炭,再通过CO2活化处理得到具有高比表面积(1316.8~1929.0m^2·g^-1)的微孔炭(SiC-DC)材料。研究了CO2活化温度、时间对SiC衍生多孔炭结构的影响。采用氮气吸附法、X-ray衍射光谱(XRD)、扫描电镜(SEM)及透射电镜(TEM)等技术对SiC-DC样品微观结构随活化温度、时间演变进行表征分析。结果表明,CO2活化处理可以有效调控SiC-DC的孔结构,而对其结晶性影响很小,且活化处理后样品保持着SiC粉体或未活化SiC-DC样品的原有形态和微观结构(如石墨带)。对于已活化SiC-DC样品,比表面积(SSA)、总孔容(Vtot)及微孔孔容都随活化温度、时间增加而增加,但同时活化产率逐渐降低。相比未活化样品,SiC-DC在950℃条件下活化处理2h后,SSA和Vtot值分别增加了46.5%、86.4%,主要原因是经活化处理,微孔孔容明显增加。 展开更多
关键词 聚硅氧烷 碳化硅 碳化硅衍生碳 孔结构 CO2活化
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Mn2CuCe0.2-SiC整体式催化剂的制备、表征及其催化降解VOCs的中试应用 预览
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作者 黎雯 邓杰帆 +1 位作者 吴刚 何觉聪 《硅酸盐通报》 CAS 北大核心 2019年第5期1631-1638,共8页
利用蜂窝碳化硅为催化剂载体,采用浸渍法制备了Mn2CuCe0.2-SiC整体式催化剂。通过扫描电镜(SEM)、X射线能谱(EDS)、X射线衍射(XRD)和X射线光电子能谱(XPS)对催化剂的表面结构和组成进行了表征分析,并初步研究了在中试条件下整体式催化剂... 利用蜂窝碳化硅为催化剂载体,采用浸渍法制备了Mn2CuCe0.2-SiC整体式催化剂。通过扫描电镜(SEM)、X射线能谱(EDS)、X射线衍射(XRD)和X射线光电子能谱(XPS)对催化剂的表面结构和组成进行了表征分析,并初步研究了在中试条件下整体式催化剂对VOCs的催化降解效果。研究表明,通过浸渍法制备的Mn2CuCe0.2-SiC整体式催化剂主要活性成份为Cu1.5Mn1.5O4、CeO2、CuO和Mn3O4;用于催化降解浓度在15~80ppm范围内的甲苯,VOCs转化率为90%时的反应温度T90为300℃。 展开更多
关键词 碳化硅 整体式催化剂 VOCS 中试应用
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SiC器件单粒子效应敏感性分析 预览
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作者 于庆奎 曹爽 +7 位作者 张洪伟 梅博 孙毅 王贺 李晓亮 吕贺 李鹏伟 唐民 《原子能科学技术》 EI CAS CSCD 北大核心 2019年第10期2114-2119,共6页
新一代航天器需要使用耐高压、功率损耗低的第3代半导体SiC器件,为了给器件选用和抗辐射设计提供依据,以SiCMOSFET和SiC二极管为对象,进行单粒子效应敏感性分析。重离子试验发现,在较低电压下,重离子会在SiC器件内部产生永久损伤,引起... 新一代航天器需要使用耐高压、功率损耗低的第3代半导体SiC器件,为了给器件选用和抗辐射设计提供依据,以SiCMOSFET和SiC二极管为对象,进行单粒子效应敏感性分析。重离子试验发现,在较低电压下,重离子会在SiC器件内部产生永久损伤,引起漏电流增加,甚至单粒子烧毁。SiCMOSFET和SiC二极管试验结果类似。试验结果表明SiC器件抗单粒子能力弱,与器件类型关系不大,与SiC材料有关。为了满足空间应用需求,有必要进一步开展SiC器件辐射效应机理、试验方法和器件加固技术等研究。 展开更多
关键词 碳化硅 空间 航天器 辐射效应 单粒子效应 单粒子烧毁
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SiC功率元器件市场动向及罗姆产品的战略规划 预览
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《世界电子元器件》 2019年第7期46-51,共6页
至今半导体产业发展历经了三个阶段,分别是20世纪50年代诞生的以硅(Si)为代表的第一代半导体材料,及以80年代诞生的砷化镓(GaAs)为代表的第二代半导体材料,和如今以氮化镓(GaN)和碳化硅(SiC)等宽禁带为代表的第三代半导体材料,且愈来愈... 至今半导体产业发展历经了三个阶段,分别是20世纪50年代诞生的以硅(Si)为代表的第一代半导体材料,及以80年代诞生的砷化镓(GaAs)为代表的第二代半导体材料,和如今以氮化镓(GaN)和碳化硅(SiC)等宽禁带为代表的第三代半导体材料,且愈来愈被受到高度的重视。以碳化硅(SiC)为例,凭借其禁带宽度大、击穿电场高、热导率大等特性,SiC器件备受期待,但成本相对较高也成为其发展的障碍。 展开更多
关键词 SIC 碳化硅 FRD 元器件 拖尾电流 SBD 市场动向 战略规划
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利用抛光废渣制造发泡陶瓷 预览
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作者 熊灿光 王慧 曾令可 《山东陶瓷》 CAS 2019年第3期3-8,共6页
陶瓷行业的快速发展带来了陶瓷废料污染问题。对如何合理综合利用陶瓷废料,很多人做了大量的研究。本文通过总结,得出一些有用的结论:(1)虽然抛光废渣的成分波动比较大,但只要建立标准分类陶瓷抛光废渣,并根据不同类型的抛光废渣设计不... 陶瓷行业的快速发展带来了陶瓷废料污染问题。对如何合理综合利用陶瓷废料,很多人做了大量的研究。本文通过总结,得出一些有用的结论:(1)虽然抛光废渣的成分波动比较大,但只要建立标准分类陶瓷抛光废渣,并根据不同类型的抛光废渣设计不同的配方,能使产品性能保持稳定。(2)SiC的粒度会影响发泡反应速率进而影响孔结构,因此,要做好对球磨后粒度的管控。(3)由于动力学原因,SiC的发泡反应开始温度为880℃。 展开更多
关键词 抛光废渣 发泡陶瓷 碳化硅
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要从“危”中看到“机”,争取战略主动 预览
6
作者 陈东琪 《中国报道》 2019年第7期29-31,共3页
在贸易战这个危局中,隐藏着有利于我国实现科技自立和高质量发展的重要机遇。贸易战对中美双方乃至整个世界都很危险,应当尽量避免。但在美国霸凌主义极限施压下,我们又不能怕,不能躲,只能依法合规反制,从贸易战的'危'中把握好&... 在贸易战这个危局中,隐藏着有利于我国实现科技自立和高质量发展的重要机遇。贸易战对中美双方乃至整个世界都很危险,应当尽量避免。但在美国霸凌主义极限施压下,我们又不能怕,不能躲,只能依法合规反制,从贸易战的'危'中把握好'机',最大限度地减少损失,争取战略主动。科技自立和高质量发展的重要机遇从辩证法角度看,在贸易战这个危局中,隐藏着有利于我国实现科技自立和高质量发展的重要机遇。 展开更多
关键词 研发投入 客户群 高端人才 反制措施 高质量发展 供应链 前沿性 操作系统 非球面 碳化硅 金融战
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含硅量子点的碳化硅薄膜制备工艺和微结构表征研究 预览
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作者 文国知 《武汉轻工大学学报》 2019年第3期46-50,62共6页
采用等离子体增强化学气相沉积法制备了氢化非晶富硅碳化硅薄膜。通过在高温750℃,900℃,1050℃,和1200℃进行热退火处理,薄膜样品晶化出硅量子点。利用傅立叶红外光谱仪(FTIR)对样品化学键进行了分析。利用X射线衍射(XRD)和拉曼散射光... 采用等离子体增强化学气相沉积法制备了氢化非晶富硅碳化硅薄膜。通过在高温750℃,900℃,1050℃,和1200℃进行热退火处理,薄膜样品晶化出硅量子点。利用傅立叶红外光谱仪(FTIR)对样品化学键进行了分析。利用X射线衍射(XRD)和拉曼散射光谱仪(LabRAM)对样品微结构随温度的演化进行了表征。利用高分辨透射电镜(HRTEM)和选区电子衍射(SAED)对1050℃退火样品微结构进行了表征。研究发现,在退火温度低于900℃时,薄膜以非晶织构存在。当退火温度从900℃增加到1050℃时,硅(Si)原子从非晶Si1-xCx织构析出,形成硅量子点。硅量子点的平均尺寸从3.1nm增加到4.0nm。 展开更多
关键词 量子点 碳化硅 微结构 化学气相沉积
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基于蒙特卡罗方法的4H-SiC(0001)面聚并台阶形貌演化机理 预览
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作者 李源 石爱红 +1 位作者 陈国玉 顾秉栋 《物理学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2019年第7期268-275,共8页
针对SiC外延生长中微观原子动力学过程,建立了一个三维蒙特卡罗模型来研究偏向■或■方向4H-SiC(0001)邻晶面上台阶形貌演化过程,并且利用Burton-Cabera-Frank理论分析了其形成机理.在蒙特卡罗模型中,首先建立了一个计算4H-SiC晶体生长... 针对SiC外延生长中微观原子动力学过程,建立了一个三维蒙特卡罗模型来研究偏向■或■方向4H-SiC(0001)邻晶面上台阶形貌演化过程,并且利用Burton-Cabera-Frank理论分析了其形成机理.在蒙特卡罗模型中,首先建立了一个计算4H-SiC晶体生长过程的晶格网格,用来确定Si原子和C原子晶格坐标以及联系它们之间的化学键;其次,考虑了原子在台阶面上的吸附、扩散,原子在台阶边上的附着、分离以及传输等过程;最后,为了更加详细地捕捉微观原子在晶体表面的动力学过程信息,该模型把Si原子和C原子分别对待,同时还考虑了能量势垒对吸附原子影响.模拟结果表明:在偏向■方向的4H-SiC(0001)邻晶面,有一个晶胞高度的聚并台阶形貌形成,而对于偏向■方向的邻晶面,出现了半个晶胞高度的聚并台阶形貌,该模拟结果与实验中观察到的结果相符合.最后,利用Burton-Cabera-Frank理论对聚并台阶形貌演化机理进行了讨论. 展开更多
关键词 碳化硅 聚并台阶 蒙特卡罗 晶体生长
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基于负载匹配的三相交错并联LLC谐振变换器变模式控制策略
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作者 冯兴田 万满满 +2 位作者 马文忠 邵康 陶媛媛 《电力自动化设备》 EI CSCD 北大核心 2019年第6期47-53,共7页
针对三相交错并联LLC谐振变换器的负载工况,提出一种基于负载匹配的变模式控制策略。当工作在额定负载时,采用脉冲频率调制(PFM)控制方法使其发挥最大效率;当工作在轻载时,设计对称脉宽调制(PWM)控制策略,利用电压增益曲线中负载独立点... 针对三相交错并联LLC谐振变换器的负载工况,提出一种基于负载匹配的变模式控制策略。当工作在额定负载时,采用脉冲频率调制(PFM)控制方法使其发挥最大效率;当工作在轻载时,设计对称脉宽调制(PWM)控制策略,利用电压增益曲线中负载独立点的特性设计开关频率,既实现了软开关,也限制了开关频率的增大。深入研究对称PWM控制下的工作原理与增益特性,进一步对变换器的线性控制区和非线性控制区展开分析。当工作在极轻载与空载状态时,采用Burst控制方法实现对输出电压的有效控制。此外,对不同控制策略之间切换点的选择进行了详细分析与优化设计,准确可靠地实现了变模式控制。最后,基于碳化硅器件研制变换器实验样机,验证对变换器进行性能分析和变模式控制策略的正确性与合理性。 展开更多
关键词 LLC谐振变换器 软开关 对称PWM 变模式控制 碳化硅
锌酸盐体系锌纳米碳化硅复合电沉积工艺条件的优化 预览
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作者 林雲松 邓型深 +1 位作者 何永加 姜吉琼 《电镀与涂饰》 CAS CSCD 北大核心 2019年第7期297-300,共4页
通过单因素试验对锌酸盐体系Zn-纳米SiC复合电沉积的工艺条件进行优化,得到最优配方和工艺条件为:氧化锌30g/L,氢氧化钠180g/L,硫脲4g/L,香草醛2.8g/L,三乙烯四胺4g/L,99%甲醛1mL/L,纳米SiC(粒径约40 nm)0.15g/L,温度25℃,电流密度4.0A/... 通过单因素试验对锌酸盐体系Zn-纳米SiC复合电沉积的工艺条件进行优化,得到最优配方和工艺条件为:氧化锌30g/L,氢氧化钠180g/L,硫脲4g/L,香草醛2.8g/L,三乙烯四胺4g/L,99%甲醛1mL/L,纳米SiC(粒径约40 nm)0.15g/L,温度25℃,电流密度4.0A/dm^2,搅拌速率250r/min,时间15 min。在该条件下所得Zn-纳米SiC复合镀层厚度为6.58μm,硅的质量分数为0.24%,表面平整、均匀,耐蚀性优于纯锌镀层。 展开更多
关键词 碳化硅 复合电镀 锌酸盐 耐蚀性 表面形貌
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高能球磨法制备含Al-C的纳米Si-C粉末的低温致密化研究 预览
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作者 张武(编译) 杨杨(校) 《耐火与石灰》 2019年第1期53-58,共6页
研究了通过高能球磨制备含Al-C的纳米Si-C粉末。该粉末是由超细β-SiC微晶(约5nm)和非晶Si-C基质组成。在合成粉末中,TEM-EDS分析显示Al的分布相对均匀(d50:170nm)。在压力为20MPa、温度为1650℃的条件下,经30min烧结后,含有6.5%添加剂... 研究了通过高能球磨制备含Al-C的纳米Si-C粉末。该粉末是由超细β-SiC微晶(约5nm)和非晶Si-C基质组成。在合成粉末中,TEM-EDS分析显示Al的分布相对均匀(d50:170nm)。在压力为20MPa、温度为1650℃的条件下,经30min烧结后,含有6.5%添加剂的SiC的相对密度为98.1%。当添加剂含量降低至3.3%时,SiC可以在1800℃下致密化。Si-C粉末中的Al含量会随着烧结温度而改变,例如在1650℃下烧结,Al含量从4.11%变为2.6%,该值远高于溶解度极限(在1800℃时为0.26%),这是由于Al在粉末中均匀分布及其低烧结温度。铝在晶界处偏析,而通过TEM分析未发现液相形成,表明晶界扩散是主要的致密化机制。烧结试样的机械性能类似于具有相同化学组分的、含有大量烧结添加剂的SiC-Al4SiC4体系(5.6%/13%),也类似于使用更高的压力(20MPa/60MPa)和烧结温度(1650℃/1800℃)获得的烧结试样。 展开更多
关键词 机械合金化 碳化硅 放电等离子烧结(SPS) 非晶质
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悠悠岁月,漫漫瓷路
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作者 江莞 《世界科学》 2019年第2期31-33,共3页
在中华文明灿烂的历史长河中,陶瓷无疑是中华民族最具有代表性的成就之一。拥有5 000年悠久历史文化的中国,早在欧洲掌握制瓷技术之前1 000多年,就已经能制造出非常精美的瓷器。传统意义上的陶瓷,是指以天然黏土和各种矿物为主要原料.
关键词 陶瓷材料 放电等离子体烧结 压电陶瓷 碳化硅 超声速飞行器 微波烧结 化学稳定性 高硬度 蜂窝陶瓷 汽车尾气排放 非氧化物 热压烧结 悠悠岁月
非平衡分子动力学法模拟计算SiC材料的热导率 预览
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作者 毛亦尘 熊扬恒 岳亚楠 《济南大学学报:自然科学版》 CAS 北大核心 2019年第1期15-21,共7页
为了探究更高效的碳化硅(SiC)材料热导率的模拟方法,应用逆非平衡分子动力学(rNEMD)法及传统非平衡分子动力学(NEMD)法对β晶型SiC(β-SiC)材料的热导率进行模拟计算和对比;2种方法的模拟过程均先建立横截面尺度小而轴向尺度大的棒状模... 为了探究更高效的碳化硅(SiC)材料热导率的模拟方法,应用逆非平衡分子动力学(rNEMD)法及传统非平衡分子动力学(NEMD)法对β晶型SiC(β-SiC)材料的热导率进行模拟计算和对比;2种方法的模拟过程均先建立横截面尺度小而轴向尺度大的棒状模型,采用周期性边界条件、应用修正嵌入原子法(MEAM)势函数,先后进行正则系综(NVT)的弛豫和微正则系综(NVE)内的动态沿轴向生成温度梯度的过程,分别利用傅里叶定律模拟计算得到SiC材料的热导率。结果表明:2种方法的计算结果均出现热导率随生成温度梯度的材料轴向尺度增加而增大的有限尺度效应,应用倒数拟合的外推法可以计算模拟体系沿轴向为无穷大时的宏观体相β-SiC材料的热导率;rNEMD法具有较高的计算效率,更适合热导率的模拟计算。 展开更多
关键词 非平衡分子动力学 碳化硅 热导率 有限尺度效应 外推法
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基于片内热管理应用的碳化硅深孔刻蚀研究 预览
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作者 黄语恒 郭怀新 +1 位作者 孔月婵 陈堂胜 《电子元件与材料》 CAS CSCD 北大核心 2019年第9期99-104,共6页
针对传统SiC衬底GaN器件高功率密度工作时的热积累问题,开展基于芯片内部嵌入高热导率材料的GaN器件芯片级热管理技术研究。在实现工艺兼容性的基础上,采用反应离子刻蚀技术对GaN器件有源区下端的SiC衬底进行深孔刻蚀工艺研究,系统地分... 针对传统SiC衬底GaN器件高功率密度工作时的热积累问题,开展基于芯片内部嵌入高热导率材料的GaN器件芯片级热管理技术研究。在实现工艺兼容性的基础上,采用反应离子刻蚀技术对GaN器件有源区下端的SiC衬底进行深孔刻蚀工艺研究,系统地分析了刻蚀气体、射频功率及腔室压强等工艺参数对刻蚀速率的影响,并结合能谱对刻蚀表面的质量和损伤进行分析。实验发现射频功率仅能影响刻蚀速率,而刻蚀气体和压强不仅影响其刻蚀速率,还影响其刻蚀表面质量。最终提出了一种基于反应离子刻蚀技术的SiC深孔刻蚀方法,对器件热管理和SiC深孔刻蚀技术具有重要的指导意义。 展开更多
关键词 热管理 碳化硅 反应离子刻蚀 深孔刻蚀 表面损伤
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4H-SiC材料干法刻蚀工艺的研究 预览
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作者 许龙来 钟志亲 《电子科技》 2019年第2期1-3,8共4页
鉴于SiC材料具有很强的稳定性以及湿法刻蚀的种种缺点,目前主要使用干法刻蚀来刻蚀SiC材料。但是干法刻蚀后样品表面的粗糙度对器件的性能有一定的影响。针对这一问题,采用电感耦合等离子体-反应离子刻蚀技术,对SiC材料进行SF6/O2混合... 鉴于SiC材料具有很强的稳定性以及湿法刻蚀的种种缺点,目前主要使用干法刻蚀来刻蚀SiC材料。但是干法刻蚀后样品表面的粗糙度对器件的性能有一定的影响。针对这一问题,采用电感耦合等离子体-反应离子刻蚀技术,对SiC材料进行SF6/O2混合气体和SF6/CF4/O2混合气体的刻蚀,并且探究了压强、ICP功率和混合气体比例对样品表面粗糙度的影响。实验结果表明使用SF6/O2混合气体刻蚀后,样品的表面平整度较好。在一定RIE功率条件下,当ICP功率为700W、压强为20mT和SF6/O2为50/40sccm时,样品表面的粗糙度最小。 展开更多
关键词 碳化硅 电感耦合等离子体-反应离子刻蚀 粗糙度 压强 功率 SF6/O2
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2018年中国光伏技术发展报告(3) 预览
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作者 《太阳能》 2019年第6期19-23,共5页
1.3.4.2金刚线切割发展的技术趋势1)大切速。传统砂浆钢线切割是通过高速运动的钢线带动掺在切割液中的碳化硅游离颗粒磨刻硅棒,切割形成硅片,通常切速仅有0.4mm/min。金刚线切割是在钢线表面利用电镀或树脂层固定金刚石颗粒,切割过程... 1.3.4.2金刚线切割发展的技术趋势1)大切速。传统砂浆钢线切割是通过高速运动的钢线带动掺在切割液中的碳化硅游离颗粒磨刻硅棒,切割形成硅片,通常切速仅有0.4mm/min。金刚线切割是在钢线表面利用电镀或树脂层固定金刚石颗粒,切割过程中金刚石运动速度与钢线速度一致,切割能力有大幅提升,因而可采用1.0mm/min甚至1.2mm/min以上的大切速,切割效率可大幅提升2~3倍以上。以8英寸硅棒为例,传统砂浆钢线切割一刀需要约10h,而金刚线切割只需3h,2017年新开发的国产专用金刚线切割机(如无锡上机和大连连城)只需2h甚至1.5h即可,使设备折旧和人工成本大幅下降。 展开更多
关键词 光伏技术 金刚石颗粒 线切割机 中国 碳化硅 高速运动 运动速度 切割能力
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反应温度对纳米SiC纤维制备的影响
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作者 姜卓钰 杨金华 +4 位作者 焦春荣 吕晓旭 齐哲 周怡然 焦健 《中国陶瓷》 CAS CSCD 北大核心 2019年第3期29-34,共6页
采用化学气相反应法在碳纤维织物表面生长纳米SiC纤维,通过对不同温度下制备纳米SiC纤维的微观形貌及产量等进行分析,优化出较为合适的工艺温度。结果表明,当采用Micro-Si/Nano-SiO2混合粉作为反应原料时,反应温度低于1410℃时不利于纳... 采用化学气相反应法在碳纤维织物表面生长纳米SiC纤维,通过对不同温度下制备纳米SiC纤维的微观形貌及产量等进行分析,优化出较为合适的工艺温度。结果表明,当采用Micro-Si/Nano-SiO2混合粉作为反应原料时,反应温度低于1410℃时不利于纳米SiC纤维的大量生成,反应温度为1420℃时制备出的纳米SiC纤维具有较好的均匀性,所制备纳米纤维直径约为140~320 nm,制备纳米SiC纤维后碳纤维织物的净增重率接近6%,反应温度为1460℃时,由于反应温度过高导致出现了较高密度的层错堆垛,制备的纳米纤维出现明显的弯曲甚至打结现象。 展开更多
关键词 陶瓷基复合材料 纳米SiC纤维 化学气相反应 碳化硅
碳化硅超声-电化学机械抛光试验研究 预览
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作者 翟文杰 翟权 《哈尔滨工业大学学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2019年第1期16-21,共6页
为探究超硬脆碳化硅(SiC)材料的高效研抛方法,分别应用铸铁抛光盘、聚氨酯抛光盘、半固结磨粒抛光盘在自来水、KOH溶液、芬顿反应液3种研抛液中通过控制变量法对SiC进行了超声-电化学机械研抛试验,得到以试件材料去除率和表面质量为评... 为探究超硬脆碳化硅(SiC)材料的高效研抛方法,分别应用铸铁抛光盘、聚氨酯抛光盘、半固结磨粒抛光盘在自来水、KOH溶液、芬顿反应液3种研抛液中通过控制变量法对SiC进行了超声-电化学机械研抛试验,得到以试件材料去除率和表面质量为评价指标的优化抛光工艺参数.试验结果表明:使用铸铁抛光盘时材料去除率高,但表面质量差;使用半固结磨粒抛光盘时表面质量最好,但材料去除率低;芬顿反应液对提高试件的材料去除率效果最好;在试件与抛光盘之间的电压为+10V时,试件的材料去除率最高,比无电压时提高了55.1%;当试件保持环施加超声振动后,比无超声时材料去除率提高了91.7%,可见超声振动对SiC试件抛光起主要作用. 展开更多
关键词 碳化硅 超声 电场 机械抛光 材料去除率 表面粗糙度
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苏州市第三代半导体产业发展分析及对策建议 预览
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作者 刘中正 《价值工程》 2019年第28期134-136,共3页
苏州市第三代半导体产业发展布局较早,形成了较好的发展态势。本文从多个角度对苏州市第三代半导体产业发展现状进行深入研究,剖析产业存在的优势和不足,并分析了现阶段面临的机遇与挑战。结合国内产业政策和做法,针对性提出下一步发展... 苏州市第三代半导体产业发展布局较早,形成了较好的发展态势。本文从多个角度对苏州市第三代半导体产业发展现状进行深入研究,剖析产业存在的优势和不足,并分析了现阶段面临的机遇与挑战。结合国内产业政策和做法,针对性提出下一步发展的对策建议,以推动产业整体实现更高水平发展。 展开更多
关键词 第三代半导体 碳化硅 氮化镓 对策建议
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4H-SiC外延层中堆垛层错与衬底缺陷的关联性研究 预览
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作者 郭钰 彭同华 +2 位作者 刘春俊 杨占伟 蔡振立 《无机材料学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2019年第7期748-754,共7页
本研究探讨了同质外延生长的4H-SiC晶片表面堆垛层错(SF)的形貌特征和起因。依据表面缺陷检测设备KLA-Tencor CS920的光致发光(PL)通道和形貌通道的特点,将SF分为五类。其中I类SF在PL通道图中显示为梯形,在形貌图中不显示;II类SF在PL通... 本研究探讨了同质外延生长的4H-SiC晶片表面堆垛层错(SF)的形貌特征和起因。依据表面缺陷检测设备KLA-Tencor CS920的光致发光(PL)通道和形貌通道的特点,将SF分为五类。其中I类SF在PL通道图中显示为梯形,在形貌图中不显示;II类SF在PL通道图中显示为三角形,且与I类SF重合,在形貌图中显示为胡萝卜形貌。III-V类SF在PL通道图中均显示为三角形,在形貌图中分别显示为胡萝卜、无对应图像或三角形。研究结果表明,I类SF起源于衬底的基平面位错(BPD)连线,该连线平行于<1100>方向,在生长过程中沿着<112ˉ0>方向移动,形成基平面SF。II类和大部分的III-IV类SF起源于衬底的BPD,其中一个BPD在外延过程中首先转化为刃位错(TED),并在外延过程中延<0001>轴传播,其余BPD或由TED分解形成的不全位错(PDs)在(0001)面内传播形成三角形基平面SF。其余的III-V类SF起源于衬底的TED或其它。II-III类SF在形貌通道中显示为胡萝卜,而IV类SF不显示,主要区别在于外延过程中是否有垂直于(0001)面的棱镜面SF与表面相交。上述研究说明减少衬底的BPD,对减少外延层中的SF尤为重要。 展开更多
关键词 碳化硅 同质外延 位错 堆垛层错
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