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仿生虾蛄眼偏振特性结构研究(简讯) 预览
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作者 付跃刚 朱启凡 +3 位作者 张玉慧 杨博伟 刘智颖 胡源 《红外与激光工程》 EI CSCD 北大核心 2019年第8期1-4,共4页
虾蛄眼具有强大的视觉系统,具有多光谱和偏振探测能力。以虾蛄眼微绒毛阵列结构为基础,进行仿生研究。针对偏振探测中的能量利用率以及空间分辨率的问题,仿生虾蛄眼微绒毛阵列结构,研究了孔阵列光子晶体结构,实现偏振滤波与光谱滤波的集... 虾蛄眼具有强大的视觉系统,具有多光谱和偏振探测能力。以虾蛄眼微绒毛阵列结构为基础,进行仿生研究。针对偏振探测中的能量利用率以及空间分辨率的问题,仿生虾蛄眼微绒毛阵列结构,研究了孔阵列光子晶体结构,实现偏振滤波与光谱滤波的集成;根据虾蛄眼微绒毛具有光谱滤波及光信号吸收特性,以纳米线栅为仿生结构基础,实现偏振、光谱吸收特性的集成;依据虾蛄眼双向微绒毛阵列结构,以正交纳米线栅为仿生结构基础,实现单位像元的双向偏振吸收。 展开更多
关键词 虾蛄眼 微绒毛 纳米线 偏振
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消光比与探测器噪声对基于纳米线栅偏振成像系统偏振精度的影响 预览
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作者 王德江 孙翯 孙雪倩 《光学精密工程》 CSCD 北大核心 2018年第10期2371-2379,共9页
消光比和探测器噪声是决定纳米线栅偏振成像偏振精度的两个重要参数。为解决两参数在系统优化时的取值问题,本文建立了两参数与偏振噪声的数学模型,采用像元组接收光电子数作为衡量探测器噪声与系统偏振噪声的桥梁量化了两者关系。仿真... 消光比和探测器噪声是决定纳米线栅偏振成像偏振精度的两个重要参数。为解决两参数在系统优化时的取值问题,本文建立了两参数与偏振噪声的数学模型,采用像元组接收光电子数作为衡量探测器噪声与系统偏振噪声的桥梁量化了两者关系。仿真分析比较了两参数在入射光偏振态变化时对偏振噪声的作用。然后搭建消光比和曝光时间可调的偏振成像系统精度实验平台,验证该数学模型和仿真结果。仿真与实验共同表明,系统消光比大于20后,通过提高像元组接收的光电子数以抑制探测器噪声要比继续提升消光比对提高系统偏振精度的贡献大。 展开更多
关键词 偏振成像 偏振成像精度 纳米线 消光比
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像素刻划偏振相机的高精度像素级偏振非均匀性矫正 被引量:3
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作者 孙翯 王德江 +2 位作者 马天翔 徐文畅 姚园 《光学学报》 CSCD 北大核心 2017年第11期122-129,共8页
金属纳米线栅是像素刻划偏振相机的核心器件,线栅上刻划了与光电探测器像元一一对应的微偏振片阵列,该阵列具有较大的非均匀性,对成像质量有较大影响。基于此,根据纳米线栅的结构与偏振传输理论,建立纳米线栅像素级矢量传输矩阵的测量... 金属纳米线栅是像素刻划偏振相机的核心器件,线栅上刻划了与光电探测器像元一一对应的微偏振片阵列,该阵列具有较大的非均匀性,对成像质量有较大影响。基于此,根据纳米线栅的结构与偏振传输理论,建立纳米线栅像素级矢量传输矩阵的测量数学模型,并结合矩阵最小二乘法,推导出多次测量以拟合最优传输矩阵的方法,为偏振相机像素级非均匀性矫正提供了核心的矫正参数。然后,兼顾纳米线栅刻划方式,提出了高空间分辨率的矫正算法。通过矫正后,偏振相机非均匀性由原来的2.00%降低至0.26%。外景成像实验中,目标偏振度图像的信息熵由5.34提升至15.15。结果表明,所提算法可以有效矫正纳米线栅的非均匀性,提升了偏振图像质量。 展开更多
关键词 成像系统 偏振相机 偏振成像 偏振非均匀性 矢量传输测距测量 纳米线
周期性微偏振片阵列特性研究 预览
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作者 陈星 于淼 +2 位作者 曹亮 宋贵才 王作斌 《现代物理》 2019年第1期23-31,共9页
本文主要研究周期性微偏振片阵列的制备与偏振特性。首先采用电子束光刻技术制备周期性的铝纳米线栅阵列,其次利用聚焦离子束刻蚀技术制备不同深度的铝纳米线栅阵列。之后通过偏振光路测试系统表征铝纳米线栅阵列,讨论周期、深度对偏振... 本文主要研究周期性微偏振片阵列的制备与偏振特性。首先采用电子束光刻技术制备周期性的铝纳米线栅阵列,其次利用聚焦离子束刻蚀技术制备不同深度的铝纳米线栅阵列。之后通过偏振光路测试系统表征铝纳米线栅阵列,讨论周期、深度对偏振片偏振性能的影响。实验结果表明,在可见光谱中适当减小光栅的周期、增加光栅结构的深度均可以改善周期性微偏振片阵列的偏振性能。 展开更多
关键词 微偏振片 聚焦离子束刻蚀 电子束光刻 纳米线阵列 偏振性能
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纳米光子学材料与器件的研究进展 预览 被引量:1
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作者 张俊喜 张立德 《应用物理》 2011年第1期9-19,共11页
介绍了纳米光子学的研究范畴,综述了纳米光子学材料和器件的研究动态和热点,着重阐述了基于量子限域效应、光发射、表面等离子体激元和周期性结构纳米光子学材料和器件的研究进展。
关键词 纳米光子学 纳米光子学材料 纳米光子器件 量子限域效应 光发射 表面等离子体激元 光子晶体 纳米线偏振器
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自顶向下制备硅纳米线环栅MOSFET新工艺 预览
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作者 宋毅 徐秋霞 《微电子学》 CAS CSCD 北大核心 2010年第1期 74-79,共6页
准弹道输运特征的环栅纳米线MOSFET由于具备很强的栅控能力和抑制短沟道效应的能力,被认为是未来22nm技术节点以下半导体发展路线最有希望的候选者之一。采用传统CMOS工艺在SOI和体硅衬底上制备环栅纳米线MOSFET,解决了许多关键的技... 准弹道输运特征的环栅纳米线MOSFET由于具备很强的栅控能力和抑制短沟道效应的能力,被认为是未来22nm技术节点以下半导体发展路线最有希望的候选者之一。采用传统CMOS工艺在SOI和体硅衬底上制备环栅纳米线MOSFET,解决了许多关键的技术难点,获得了许多突破性进展。文章综述了目前各种新颖的自顶向下制备方法和各种工艺的优缺点,以及优化的方向。 展开更多
关键词 纳米线 场效应晶体管 自顶向下制备 SOI
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