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VVER型反应堆压力容器材料化学成分对辐照脆化的影响 预览
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作者 吴庆 《中国核电》 2019年第1期74-80,共7页
VVER型反应堆压力容器材料采用Cr-Mo-V耐热低合金钢。反应堆的中子辐照会导致压力容器材料的辐照脆化,引起材料微观组织的变化,降低其机械性能,并影响压力容器运行寿命和反应堆的安全。反应堆压力容器材料的辐照脆化机理分为强化机理和... VVER型反应堆压力容器材料采用Cr-Mo-V耐热低合金钢。反应堆的中子辐照会导致压力容器材料的辐照脆化,引起材料微观组织的变化,降低其机械性能,并影响压力容器运行寿命和反应堆的安全。反应堆压力容器材料的辐照脆化机理分为强化机理和非强化机理,在中子辐照下,材料内部形成辐照缺陷,铜、镍、锰、硅等元素在辐照下形成辐照诱发团簇,导致材料强化和硬化,磷元素及其他杂质元素在位错线、晶界或相界处形成偏析,导致晶界和相界强度降低。镍和锰之间、镍和铜之间、铜和磷之间存在辐照脆化协同效应。 展开更多
关键词 VVER RPV 辐照脆化 化学成分 脆化机理 辐照缺陷 辐照诱发沉淀
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钨中氘热脱附特性的定量研究
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作者 王维 张学希 +4 位作者 叶小球 陈长安 王鹏 周燕燕 高涛 《稀有金属材料与工程》 CSCD 北大核心 2018年第12期3735-3740,共6页
采用热脱附谱方法定量研究了多晶W经能量为100eV/D、注量为3.8×10^24D/m^2的D^+辐照作用后,不同升温速率下氘的热脱附特性。研究发现,氘的热脱附量在不同升温速率下均为10^22D/m^2量级,随着升温速率的增大,氘的热脱附峰峰位向高温... 采用热脱附谱方法定量研究了多晶W经能量为100eV/D、注量为3.8×10^24D/m^2的D^+辐照作用后,不同升温速率下氘的热脱附特性。研究发现,氘的热脱附量在不同升温速率下均为10^22D/m^2量级,随着升温速率的增大,氘的热脱附峰峰位向高温方向移动。多晶W中氘的热脱附行为符合一级反应特征,钨中空位是氘在钨中的主要俘获态,氘原子的热脱附能为1.04eV。 展开更多
关键词 热脱附 热脱附能 辐照缺陷 空位
150 keV电子辐照下直拉硅的缺陷演化及其电学性能 预览
3
作者 董磊 《哈尔滨师范大学自然科学学报》 CAS 2017年第5期45-48,共4页
研究150 keV电子辐照下直拉硅中的缺陷演化规律,探讨辐照缺陷对直拉硅电学性能的影响.结果表明,150 keV电子辐照在直拉硅中引入VnOm复合体,且随辐照注量的增大缺陷浓度升高.对于不同导电类型的直拉硅,P型硅的薄膜方块电阻和薄膜电阻率... 研究150 keV电子辐照下直拉硅中的缺陷演化规律,探讨辐照缺陷对直拉硅电学性能的影响.结果表明,150 keV电子辐照在直拉硅中引入VnOm复合体,且随辐照注量的增大缺陷浓度升高.对于不同导电类型的直拉硅,P型硅的薄膜方块电阻和薄膜电阻率随电子辐照注量的增大而增大并趋于饱和,而N型硅的薄膜方块电阻和薄膜电阻率随电子辐照注量的增大而减小并趋于饱和. 展开更多
关键词 电子辐照 直拉硅 辐照缺陷
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CLAM钢辐照效应的研究 预览
4
作者 司乃潮 万浩 +2 位作者 葛俊杰 倪凯 刘光磊 《江苏科技大学学报:自然科学版》 北大核心 2017年第4期405-412,共8页
中国低活化马氏体(CLAM)钢是一种用于聚变反应堆的候选结构材料,在其服役过程中,载能粒子辐照在CLAM钢中所造成的辐照效应及其机理研究是目前研究关注的热点.文中对辐照CLAM钢中的微观组织结构变化,如辐照引起的粗化和偏析;辐照缺陷,... 中国低活化马氏体(CLAM)钢是一种用于聚变反应堆的候选结构材料,在其服役过程中,载能粒子辐照在CLAM钢中所造成的辐照效应及其机理研究是目前研究关注的热点.文中对辐照CLAM钢中的微观组织结构变化,如辐照引起的粗化和偏析;辐照缺陷,如辐照产生的间隙团、空位团、空洞、气泡和位错结构等,以及性能变化,如辐照强化、辐照硬化、辐照肿胀等的研究进展进行了综述,并展望了今后辐照效应研究的方向. 展开更多
关键词 CLAM钢 显微组织 辐照缺陷 辐照效应
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Study on irradiation-induced defects in GaAs/AIGaAs core-shell nanowires via photoluminescence technique
5
作者 谭立英 黎发军 +2 位作者 谢小龙 周彦平 马晶 《中国物理B:英文版》 SCIE EI CAS CSCD 2017年第8期328-332,共5页
为了获得物理卓见进放射,在 nanowires (NW ) 上完成,时间决定光致发光(TRPL ) 技术被用来调查搬运人在在有从厘米到厘米的 fluences 的 1 兆电子伏质子照耀前后的 GaAs/AlGaAs 核心壳 NW 的动态行为。这被发现降级光谱山峰紧张和少... 为了获得物理卓见进放射,在 nanowires (NW ) 上完成,时间决定光致发光(TRPL ) 技术被用来调查搬运人在在有从厘米到厘米的 fluences 的 1 兆电子伏质子照耀前后的 GaAs/AlGaAs 核心壳 NW 的动态行为。这被发现降级光谱山峰紧张和少数搬运人一生与照耀导致的排水量缺点有关仔细对照耀 fluence 显示出类似的趋势,它是。我们也发现质子导致照耀的缺点作为 Shockley-Read-Hall (SRH ) 再结合中心套住表现自由搬运人。最后,缺点集中能通过测量少数搬运人一生被估计。 展开更多
关键词 GAAS/ALGAAS 辐照缺陷 发光技术 纳米线 少数载流子寿命 光致 核壳 时间分辨光谱
Photoluminescence Analysis of Injection-Enhanced Annealing of Electron Irradiation-Induced Defects in GaAs Middle Cells for Triple-Junction Solar Cells
6
作者 郑勇 易天成 +2 位作者 肖鹏飞 唐娟 王荣 《中国物理快报:英文版》 SCIE CAS CSCD 2016年第5期67-70,共4页
Photoluminescence measurements are carried out to investigate the injection-enhanced annealing behavior of electron radiation-induced defects in a GaAs middle cell for GaInP/GaAs/Ge triple-junction solar cells which a... Photoluminescence measurements are carried out to investigate the injection-enhanced annealing behavior of electron radiation-induced defects in a GaAs middle cell for GaInP/GaAs/Ge triple-junction solar cells which are irradiated by 1.8 MeV with a fluence of 1 ×10~(15) cm~(-2).Minority-carrier injection under forward bias is observed to enhance the defect annealing in the GaAs middle cell,and the removal rate of the defect is determined with photoluminescence radiative efficiency recovery.Furthermore,the injection-enhanced defect removal rates obey a simple Arrhenius law.Therefore,the annealing activation energy is acquired and is equal to 0.58 eV.Finally,in comparison of the annealing activation energies,the E5 defect is identified as a primary non-radiative recombination center. 展开更多
关键词 辐照缺陷 退火行为 电子辐射 太阳电池 发光分析 光致 辐照诱导 GAAS
空间带电粒子辐照下GaAs太阳电池的辐照损伤效应 预览
7
作者 盛延辉 《哈尔滨师范大学自然科学学报》 2015年第4期82-85,共4页
从空间带电粒子辐照下GaAs太阳电池电学性能退化规律、载流子输运规律和辐照缺陷演化规律三个方面论述空间太阳电池的辐照损伤效应和物理机制,分析结果表明,太阳电池电学参数退化模型和载流子输运模型是揭示空间太阳电池辐照损伤物理机... 从空间带电粒子辐照下GaAs太阳电池电学性能退化规律、载流子输运规律和辐照缺陷演化规律三个方面论述空间太阳电池的辐照损伤效应和物理机制,分析结果表明,太阳电池电学参数退化模型和载流子输运模型是揭示空间太阳电池辐照损伤物理机制的两个关键.由此,构建空间太阳电池辐照损伤机理的物理模型和理论体系. 展开更多
关键词 GAAS太阳电池 辐照损伤效应 载流子输运 辐照缺陷
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电子辐照对直拉硅单晶电学参数的影响 被引量:3
8
作者 蔡莉莉 冯翠菊 陈贵锋 《稀有金属》 EI CAS CSCD 北大核心 2013年第1期82-86,共5页
对N型[111]晶向直拉硅样品进行电子辐照,然后在不同温度下进行常规热处理,对比研究了不同辐照剂量的样品少子寿命和电阻率随退火温度的变化。结果表明:直拉硅单晶样品经电子辐照后电阻率增加,少子寿命下降,辐照剂量越高电阻率增加... 对N型[111]晶向直拉硅样品进行电子辐照,然后在不同温度下进行常规热处理,对比研究了不同辐照剂量的样品少子寿命和电阻率随退火温度的变化。结果表明:直拉硅单晶样品经电子辐照后电阻率增加,少子寿命下降,辐照剂量越高电阻率增加的越多,少子寿命下降越明显。对辐照样品进行不同温度热处理发现热处理温度低于600℃,少子寿命基本处于稳定值,当退火温度达到650℃时,辐照样品的电阻率与少子寿命均恢复至辐照前的初始值,表明在该温度下辐照引入的缺陷基本消除,因此晶体的导电能力逐渐恢复。而经750℃热处理后,辐照样品的少子寿命和电阻率分别出现一个低谷,辐照剂量越高电阻率和少子寿命值在该温度下下降幅度越大,而且随着热处理时间的延长,辐照样品电阻率不断下降,通过问隙氧含量的测量也初步证明电阻率的下降与间隙氧原子的偏聚有关,该温度下电阻率的下降与辐照相关联。 展开更多
关键词 电子辐照 少子寿命 辐照缺陷 电阻率
退火对电子辐照氮化镓光电性能的影响 预览 被引量:5
9
作者 梁李敏 解新建 +2 位作者 郝秋艳 田园 刘彩池 《人工晶体学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2012年第6期1524-1527,共4页
本文对10 MeV电子辐照的GaN进行了不同温度的热退火处理。用光致发光谱和霍尔测量了样品的光电性能随退火温度的变化。实验结果表明:黄光带强度、电子浓度和电子迁移率随退火温度呈非线性变化。在200~600℃退火范围内,黄光带、电子浓... 本文对10 MeV电子辐照的GaN进行了不同温度的热退火处理。用光致发光谱和霍尔测量了样品的光电性能随退火温度的变化。实验结果表明:黄光带强度、电子浓度和电子迁移率随退火温度呈非线性变化。在200~600℃退火范围内,黄光带、电子浓度和电子迁移率的变化是由于辐照Ga空位与O施主杂质的结合和断裂引起的。800℃退火后黄光带、电子浓度和电子迁移率的变化与电子辐照引入的N空位有关。 展开更多
关键词 GAN 辐照缺陷 黄光带 电子浓度
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低温热处理对电子辐照直拉硅中V-O缺陷的影响 被引量:1
10
作者 蔡莉莉 陈贵锋 +2 位作者 张辉 郝秋艳 薛晶晶 《硅酸盐学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2011年第5期859-862,共4页
采用能量为1.5 MeV、辐照温度为100℃、辐照剂量为1.8×1018 e/cm2电子辐照直拉单晶硅;然后对电子辐照样品进行不同温度和时间的低温(200~600℃)热处理。通过辐照样品的Fourier变换红外光谱研究了热处理后样品中的空位–氧相关... 采用能量为1.5 MeV、辐照温度为100℃、辐照剂量为1.8×1018 e/cm2电子辐照直拉单晶硅;然后对电子辐照样品进行不同温度和时间的低温(200~600℃)热处理。通过辐照样品的Fourier变换红外光谱研究了热处理后样品中的空位–氧相关缺陷的转化情况。结果表明:未经热处理的电子辐照的硅样品中出现了空位–双氧复合体(VO2)缺陷的889 cm–1吸收峰,这是由于辐照温度较高所致。经低温热处理后,在氧含量较低的辐照样品中的VO和VO2缺陷会相互转化,而氧含量较高的样品中VO、VO2吸收峰强度几乎不变。VO2和空位–三氧复合体(VO3)缺陷在450℃热处理30 min后呈现出一定的稳定性。 展开更多
关键词 单晶硅 电子辐照 空位–双氧复合体 辐照缺陷
闪烁晶体碘化铯在紫外光和X射线激发下的发光特性 预览 被引量:1
11
作者 吴正龙 王金梅 +2 位作者 王亚芳 陈鸾 杨百瑞 《发光学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2010年第6期 831-835,共5页
室温下掺铊碘化铯(CsI∶Tl)晶体的吸收谱在230320 nm范围内有3个特征峰:310 nm(4 eV)、270nm(4.6 eV)和245 nm(5.1 eV)。采用这3种不同激发能量(对应不同激发机制)的近紫外(UV)光激发得到的荧光(PL)光谱相同。这些PL谱... 室温下掺铊碘化铯(CsI∶Tl)晶体的吸收谱在230320 nm范围内有3个特征峰:310 nm(4 eV)、270nm(4.6 eV)和245 nm(5.1 eV)。采用这3种不同激发能量(对应不同激发机制)的近紫外(UV)光激发得到的荧光(PL)光谱相同。这些PL谱与钨(W)靶X射线激发的辐照致荧光(RL)谱也类似。经分峰计算,PL和RL均含有4种熟知的3.1 eV(400 nm)、2.55 eV(486 nm)、2.25 eV(550 nm)和2.1 eV(590 nm)发光组分,但RL中2.1 eV组分高于PL,同时2.55 eV组分又低于PL。分析认为,这一差异来自于X射线对晶体的辐照损伤Tl+Va+、Tl0Va+,相关的2.1 eV吸收峰与2.55 eV发光带重叠。结果表明:X射线比紫外光更易产生损伤从而影响晶体CsI∶Tl的发光特性。 展开更多
关键词 闪烁晶体 掺铊碘化铯晶体 辐照缺陷 辐照致荧光
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快中子辐照硅中双空位的退火行为研究 预览
12
作者 杨帅 邓晓冉 +2 位作者 徐建萍 陈贵锋 闫文博 《硅酸盐通报》 CAS CSCD 北大核心 2010年第4期779-783,共5页
本文利用傅立叶变换红外光谱技术(FTIR)及正电子湮没谱技术(PAS)对快中子辐照硅中的双空位(V2)的退火行为作了详细研究.研究发现区熔硅中双空位在250 ℃热处理会通过相互连接形成链状而在红外光谱中消失,提高退火温度到350~450 ... 本文利用傅立叶变换红外光谱技术(FTIR)及正电子湮没谱技术(PAS)对快中子辐照硅中的双空位(V2)的退火行为作了详细研究.研究发现区熔硅中双空位在250 ℃热处理会通过相互连接形成链状而在红外光谱中消失,提高退火温度到350~450 ℃,它们将进一步结合形成具有三维结构的四空位型缺陷;而在直拉硅中双空位主要通过捕获间隙氧或A中心(VO)形成V3O复合体而消失. 展开更多
关键词 辐照缺陷 双空位 FTIR
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中子辐照6H-SiC晶体中的钉扎效应 预览 被引量:2
13
作者 阮永丰 马鹏飞 +4 位作者 贾敏 李文润 张宇晖 张守超 王丹丽 《人工晶体学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2009年第6期 1309-1312,1319,共5页
分别对两种不同的6H-SiC晶体进行了总通量为5.74×10^18n.cm^-2、8.2×10^18n.cm^-2和1.72×10^19n.cm^-2的不同剂量的中子辐照,利用X射线衍射等手段观测了中子辐照引起的晶体内部损伤。结果表明:两种样品在不同的中子通... 分别对两种不同的6H-SiC晶体进行了总通量为5.74×10^18n.cm^-2、8.2×10^18n.cm^-2和1.72×10^19n.cm^-2的不同剂量的中子辐照,利用X射线衍射等手段观测了中子辐照引起的晶体内部损伤。结果表明:两种样品在不同的中子通量辐照下,消除部分原始缺陷的、纯度较高的样品辐照后的内部损伤明显小于纯度较低、内部原始缺陷较多的样品。样品的辐照损伤不仅取决于中子辐照剂量,还取决于其辐照时的成分和结构。晶体的结构缺陷和杂质,作为一种"钉扎",在辐照过程中作用极大,它们导致了晶体的长程缺陷(如位错)的大幅度增加。 展开更多
关键词 SIC 中子辐照 辐照缺陷 钉扎
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电子辐照直拉硅退火后辐照施主行为的研究 预览
14
作者 蔡莉莉 冯翠菊 张金锋 《宁夏大学学报:自然科学版》 CAS 北大核心 2009年第2期 132-134,138,共4页
利用多种实验手段对电子辐照直拉硅退火过程中辐照缺陷的施主效应进行了研究,同时探讨了不同辐照剂量、初始氧含量以及预处理对辐照施主形成的影响.实验结果表明,电子辐照直拉硅后其电阻率迅速增加,低温退火即可恢复真实值;辐照施... 利用多种实验手段对电子辐照直拉硅退火过程中辐照缺陷的施主效应进行了研究,同时探讨了不同辐照剂量、初始氧含量以及预处理对辐照施主形成的影响.实验结果表明,电子辐照直拉硅后其电阻率迅速增加,低温退火即可恢复真实值;辐照施主是氧施主一缺陷的复合体,其激活温度在750℃左右,低温预处理有助于辐照施主的异质形核. 展开更多
关键词 电子辐照 辐照缺陷 施主浓度 电阻率
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电子辐照直拉硅V-O相关缺陷的红外研究 预览 被引量:2
15
作者 蔡莉莉 李海军 《稀有金属》 EI CAS CSCD 北大核心 2009年第2期 227-231,共5页
应用FTIR技术研究了1.5MeV不同剂量电子辐照直拉硅(CZ—Si)的V—O缺陷在不同温度热处理时的行为。发现随着辐照剂量的增加,间隙氧的吸收峰不断下降,而VO(830cm^-1)强度迅速增加,并且其退火温度随辐照剂量的增加而升高,伴随830c... 应用FTIR技术研究了1.5MeV不同剂量电子辐照直拉硅(CZ—Si)的V—O缺陷在不同温度热处理时的行为。发现随着辐照剂量的增加,间隙氧的吸收峰不断下降,而VO(830cm^-1)强度迅速增加,并且其退火温度随辐照剂量的增加而升高,伴随830cm^-1峰的出现,在860cm。处出现一弱的吸收峰,两者有着相似的退火行为。VO^0(830cm^-1)与样品中的初始间隙氧含量无关。400℃热处理,出现了889cm^1对应的复合体VO2,其形成主要在退火初期,该峰强度不随退火时间发生变化,但与初始氧含量有关。 展开更多
关键词 电子辐照 辐照缺陷 VO FTIR
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快中子辐照直拉硅中V2的退火研究 预览
16
作者 邓晓冉 杨帅 《天津工程师范学院学报》 2008年第3期 44-46,共3页
利用傅立叶红外吸收光谱(FTIR)和正电子湮没技术(PAS)对快中子辐照直拉硅中的双空位(V2)的退火行为进行了研究。实验表明,双空位主要通过捕获VO而消失,因V30与V2有相同的正电子寿命,因此,正电子湮没谱中V2成分比IR吸收谱中V2... 利用傅立叶红外吸收光谱(FTIR)和正电子湮没技术(PAS)对快中子辐照直拉硅中的双空位(V2)的退火行为进行了研究。实验表明,双空位主要通过捕获VO而消失,因V30与V2有相同的正电子寿命,因此,正电子湮没谱中V2成分比IR吸收谱中V2的消除温度提高大约100℃。 展开更多
关键词 快中子辐照 辐照缺陷 双空位 傅立叶红外吸收光谱(FTIR) 正电子湮没技术(PAS)
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热预处理对中子辐照直拉硅中热施主的影响 预览
17
作者 邓晓冉 杨帅 《半导体学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2007年第2期 200-203,共4页
对快中子辐照的直拉硅分别进行了650℃和120℃快速(RTP)预热处理.450℃下不同时间热处理激发热施主,通过四探针测量电阻率和载流子浓度的变化规律,应用傅里叶红外光谱(FTIR)测量间隙氧含量的变化.实验表明经650℃预热处理,使... 对快中子辐照的直拉硅分别进行了650℃和120℃快速(RTP)预热处理.450℃下不同时间热处理激发热施主,通过四探针测量电阻率和载流子浓度的变化规律,应用傅里叶红外光谱(FTIR)测量间隙氧含量的变化.实验表明经650℃预热处理,使辐照样品热施主的形成受到了抑制;Ar气氛RTP预处理条件下,随辐照剂量的增加热施主形成的总量会不断下降,N2气氛RTP预处理,使未辐照样品的热施主形成被抑制,气氛对辐照样品热施主的形成没有明显的影响。 展开更多
关键词 中子辐照 热施主 直拉硅 辐照缺陷
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采用EPR谱和TEM对YSZ单晶辐照损伤的研究 预览
18
作者 祖小涛 封向东 +2 位作者 雷雨 朱莎 王鲁闵 《强激光与粒子束》 EI CAS CSCD 北大核心 2005年第12期 1909-1912,共4页
利用电子顺磁共振(EPR)谱和透射电子显微镜(TEM)研究了YSZ单晶的辐照效应.200keV的Xe和400keV的Cs离子注入[111]取向的YSZ单晶中,注量均为5×1016cm-2.EPR结果表明辐照产生了共振吸收位置g‖=1.989 和g⊥=1.869、对称轴为[111]的六... 利用电子顺磁共振(EPR)谱和透射电子显微镜(TEM)研究了YSZ单晶的辐照效应.200keV的Xe和400keV的Cs离子注入[111]取向的YSZ单晶中,注量均为5×1016cm-2.EPR结果表明辐照产生了共振吸收位置g‖=1.989 和g⊥=1.869、对称轴为[111]的六配位Zr3+顺磁缺陷.Cs辐照产生了比Xe离子辐照多约150倍的六配位Zr3+顺磁缺陷.两种样品的剖面电子显微分析表明没有发现非晶化转变,但是Cs离子辐照的样品在损伤集中区域产生了密度较高的缺陷.因此,EPR谱和电子显微观察均说明在相同离位损伤(约160dpa)的情况下,Cs离子辐照比Xe离子辐照产生了更多的缺陷.造成这一现象的原因是Cs离子是化学活性的而Xe离子却是惰性的. 展开更多
关键词 YSZ单晶 离子辐照 辐照缺陷 电子顺磁共振谱 透射电子显微镜
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单晶YSZ的Xe+辐照损伤的电子显微分析 预览 被引量:1
19
作者 向霞 祖小涛 +2 位作者 吴继红 朱莎 王鲁闵 《强激光与粒子束》 EI CAS CSCD 北大核心 2004年第1期 95-97,共3页
不同注量200keV Xe+ 注入YSZ单晶样品的电子显微分析结果表明,随着辐照注量的增加,缺陷簇的密度增大,在1×1015~1×1016 cm-2 Xe+注量,缺陷簇密度迅速增大,形成间隙型位错环;当Xe+注量增大到1×1017cm-2,缺陷簇密度的增加... 不同注量200keV Xe+ 注入YSZ单晶样品的电子显微分析结果表明,随着辐照注量的增加,缺陷簇的密度增大,在1×1015~1×1016 cm-2 Xe+注量,缺陷簇密度迅速增大,形成间隙型位错环;当Xe+注量增大到1×1017cm-2,缺陷簇密度的增加变得缓慢,并且有直径为2~4nm的Xe气泡析出.选区电子衍射花样表明YSZ样品没有产生非晶化转变.在Xe+辐照的离位率高达约350dpa的情况下,YSZ晶体没有非晶化,其原因主要是由于注入的Xe+以气泡形式析出. 展开更多
关键词 单晶YSZ Xe+辐照 透射电子显微镜 辐照缺陷
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质子与热循环协同效应对硅太阳电池电性能的影响 预览 被引量:1
20
作者 胡震宇 何世禹 杨德庄 《太阳能学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2004年第6期 799-803,共5页
通过空间环境地面模拟实验方法,研究了低能质子辐照及其与热循环效应协同作用下背场硅太阳电池电性能的变化.试验结果表明,在2×1013cm-2~2×1016cm-2辐照剂量范围内,能量为60~180keV质子辐照可使硅太阳电池的开路电压、短路... 通过空间环境地面模拟实验方法,研究了低能质子辐照及其与热循环效应协同作用下背场硅太阳电池电性能的变化.试验结果表明,在2×1013cm-2~2×1016cm-2辐照剂量范围内,能量为60~180keV质子辐照可使硅太阳电池的开路电压、短路电流和最大输出功率产生不同程度的衰退,衰退的程度随辐照能量和辐照剂量而变化.对150keV质子辐照后的硅太阳电池单体片进行200次和360次热循环实验,热循环温度范围取-120℃~+120℃.电池的电性能随着循环次数的增加有着不同程度的增幅,其增幅的程度与质子辐照剂量密切相关.通过DLTS测试结果表明,上述试验结果与辐照引入的深能级缺陷HI及其退火特性有关. 展开更多
关键词 硅太阳电池 低能质子辐照 热循环 电性能 辐照缺陷
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