期刊文献+
共找到1,341篇文章
< 1 2 68 >
每页显示 20 50 100
喷墨打印金属氧化物异质结晶体管 预览
1
作者 杨文宇 张国成 +1 位作者 崔宇 陈惠鹏 《发光学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2019年第4期497-503,共7页
通过用喷墨打印制备的ZnO/IGZO异质结代替单层半导体沟道克服了氧化物缺陷导致的电子传输限制。ZnO/IGZO异质结晶体管表现出带状电子传输,迁移率比单层IGZO或ZnOTFT分别增大了约9倍和19倍,达到6.42cm^2/(V·s)。开关比分别增大了2个... 通过用喷墨打印制备的ZnO/IGZO异质结代替单层半导体沟道克服了氧化物缺陷导致的电子传输限制。ZnO/IGZO异质结晶体管表现出带状电子传输,迁移率比单层IGZO或ZnOTFT分别增大了约9倍和19倍,达到6.42cm^2/(V·s)。开关比分别增大了2个和4个数量级,达到1.8×10^8。性能的显著改善源自于IGZO和ZnO异质界面间由于导带的大偏移量而形成的二维电子气。 展开更多
关键词 金属氧化物半导体 喷墨打印 异质结 二维电子气
在线阅读 下载PDF
多脉冲雷击下ZnO压敏电阻失效特性研究 预览
2
作者 吕东波 张春龙 《黑龙江气象》 2019年第3期35-36,共2页
1引言压敏电阻是一种以氧化锌(ZnO)为主要成分的金属氧化物半导体非线性电阻,由于其具有非线性特性好、通流容量大、常态泄漏电流小等优点,被广泛应用于雷电防护[1-3]。压敏电阻在遭受雷击后,其静态参数和外观均可能发生不同程度的损坏... 1引言压敏电阻是一种以氧化锌(ZnO)为主要成分的金属氧化物半导体非线性电阻,由于其具有非线性特性好、通流容量大、常态泄漏电流小等优点,被广泛应用于雷电防护[1-3]。压敏电阻在遭受雷击后,其静态参数和外观均可能发生不同程度的损坏,通过实验室模拟真实雷电环境中氧化锌压敏电阻的工作状态,研究氧化性压敏电阻在雷电冲击下的破坏机理,对氧化锌压敏电阻的防雷性能和安全性能的改进尤为重要。 展开更多
关键词 氧化锌压敏电阻 非线性电阻 通流容量 雷电冲击 泄漏电流 ZNO压敏电阻 金属氧化物半导体 雷电防护
在线阅读 下载PDF
Ordered porous metal oxide semiconductors for gas sensing
3
作者 Xinran Zhou Xiaowei Cheng +4 位作者 Yongheng Zhu Ahmed A. Elzatahry Abdulaziz Alghamdi Yonghui Deng Dongyuan Zhao 《中国化学快报:英文版》 SCIE CAS CSCD 2018年第3期405-416,共12页
在察觉到材料的各种各样的气体之中,金属氧化物半导体作为抵抗类型传感器显示出大潜力。有明确的中央毛孔或宏毛孔的订的多孔的结构的金属氧化物半导体化学上经由软模板的方法和 nanocasting 策略综合了为与气体的分子交往与庞大的活... 在察觉到材料的各种各样的气体之中,金属氧化物半导体作为抵抗类型传感器显示出大潜力。有明确的中央毛孔或宏毛孔的订的多孔的结构的金属氧化物半导体化学上经由软模板的方法和 nanocasting 策略综合了为与气体的分子交往与庞大的活跃地点有高孔,高度互连的毛孔隧道和高表面区域。这些特征启用他们在煤气的察觉到的好性能包括高敏感,快反应和恢复,好选择。这评论与合成方法的焦点关于多孔的金属氧化物给一篇全面摘要,为察觉到改进表演的气体组织相关性质,以及修正策略。 展开更多
关键词 金属氧化物半导体 多孔 煤气 半导体化学 合成方法 传感器 软模板 毛孔
Closed-form breakdown voltage/specific on-resistance model using charge superposition technique for vertical power double-diffused metal–oxide–semiconductor device with high-κ insulator
4
作者 陈雪 汪志刚 +1 位作者 王喜 James B Kuo 《中国物理B:英文版》 SCIE EI CAS CSCD 2018年第4期529-535,共7页
关键词 金属氧化物半导体 半导体设备 故障电压 垂直力 绝缘体 重叠技术 使用费用 VDMOS
溶液法制备金属氧化物薄膜晶体管的研究进展
5
作者 吴宝仔 廖荣 刘玉荣 《半导体技术》 CSCD 北大核心 2018年第5期321-334,380共15页
金属氧化物薄膜晶体管(MOTFT)因具有迁移率高、可见光透明、工艺简单、可低温制备等优势,在高性能平板显示、可穿戴柔性电子、集成传感器等领域具有广阔的应用前景。主要回顾了溶液法制备MOTFT的研究进展。首先介绍了溶液法制备MOTFT... 金属氧化物薄膜晶体管(MOTFT)因具有迁移率高、可见光透明、工艺简单、可低温制备等优势,在高性能平板显示、可穿戴柔性电子、集成传感器等领域具有广阔的应用前景。主要回顾了溶液法制备MOTFT的研究进展。首先介绍了溶液法制备MOTFT相对于其他方法的优势,如工艺简单、制作成本低、易掺杂;然后阐述了浸涂法、喷雾法、旋涂法、印刷法加工工艺的特点及优缺点,比较了不同溶液加工工艺所制备MOTFT的电学性能;最后指出了目前溶液法制备MOTFT存在的问题,并从有源层材料与结构、栅介质层材料与界面、退火与预处理3个方面详细地讨论了溶液法制备的优化方法。 展开更多
关键词 薄膜晶体管 金属氧化物半导体 溶液法 电学性能 优化方法
High-performance sub-10-nm monolayer black phosphorene tunneling transistors
6
作者 Hong Li Jun Tie +8 位作者 Jingzhen Li Meng Ye Han Zhang Xiuying Zhang Yuanyuan Pan Yangyang Wang Ruge Quhe Feng Pan Jing Lu 《纳米研究:英文版》 SCIE EI CAS CSCD 2018年第5期2658-2668,共11页
关键词 晶体管 单层 通道 金属氧化物半导体 INITIO 延期时间 设备 路线图
Enhanced radiation-induced narrow channel effects in 0.13-μm PDSOI nMOSFETs with shallow trench isolation
7
作者 张梦映 胡志远 +2 位作者 毕大炜 戴丽华 张正选 《中国物理B:英文版》 SCIE EI CAS CSCD 2018年第2期619-624,共6页
关键词 放射 隧道 狭窄 金属氧化物半导体 NMOSFET 浅沟 阀值电压 TCAD
X-RAY对MOSFET性能影响的研究 预览
8
作者 顾盛光 程杨 王友彬 《中国集成电路》 2018年第6期69-71,83共4页
X-RAY作为一种常见的检测手段,在半导体行业的产品检测中已经应用得越来越广泛,给从业者在判别电子元器件、电子组件、LED元件等内部的裂纹、异物的缺陷,BGA、线路板等内部位移的分析以及空焊、虚焊等焊接缺陷等方面提供了简单、快捷而... X-RAY作为一种常见的检测手段,在半导体行业的产品检测中已经应用得越来越广泛,给从业者在判别电子元器件、电子组件、LED元件等内部的裂纹、异物的缺陷,BGA、线路板等内部位移的分析以及空焊、虚焊等焊接缺陷等方面提供了简单、快捷而又方便的帮助。但是我们常常忽视了x-r ay在检测产品的过程中,同样会对半导体产品的性能产生一定的影响。作者通过对部分金属氧化物半导体(MOSFET)产品的失效分析及大量试验,证实了高剂量的X-RAY会对MOSFET的阈值电压产生严重影响,并由此针对工厂的现有检测操作给出了相应的操作规则。 展开更多
关键词 X-RAY 金属氧化物半导体 阈值电压
在线阅读 下载PDF
Silicon nanowire ratioed inverters on bendable substrates
9
作者 Jeongje Moon Yoonjoong Kim +2 位作者 Doohyeok Lim Kyeungmin Im Sangsig Kim 《纳米研究:英文版》 SCIE EI CAS CSCD 2018年第5期2586-2591,共6页
关键词 可弯曲 金属氧化物半导体 RAIL-TO-RAIL 底层 制作设备 电压控制 疲劳性质
Fabrication of 4H-SiC n-channel IGBTs with ultra high blocking voltage
10
作者 Xiaolei Yang Yonghong Tao +2 位作者 Tongtong Yang Runhua Huang Bai Song 《半导体学报:英文版》 EI CAS CSCD 2018年第3期57-59,共3页
关键词 4H-SIC 高电压 IGBT 隧道 金属氧化物半导体 制造 退火过程 电流密度
金属氧化物半导体气敏传感器的温度补偿技术 预览
11
作者 何永勃 张文杰 董玉珊 《机床与液压》 北大核心 2018年第6期43-46,共4页
为了解决金属氧化物半导体气敏传感器易受外界环境温度影响而产生输出漂移的问题,提出了一种基于温度负反馈的补偿方法。通过构造适当的热敏电阻,设计了可调式开关稳压电路,为传感器提供加热电压,保证敏感材料较稳定的工作条件。通过TGS... 为了解决金属氧化物半导体气敏传感器易受外界环境温度影响而产生输出漂移的问题,提出了一种基于温度负反馈的补偿方法。通过构造适当的热敏电阻,设计了可调式开关稳压电路,为传感器提供加热电压,保证敏感材料较稳定的工作条件。通过TGS2610气敏传感器的对比实验,探测误差可由原来的-40%,+70%降低到±10。 展开更多
关键词 气敏传感器 金属氧化物半导体 温度负反馈 温度补偿 热敏电阻 可调开关稳压电路
在线阅读 下载PDF
Effect of depositing PCBM on perovskite-based metal–oxide–semiconductor field effect transistors
12
作者 栾苏珍 汪钰成 +1 位作者 刘银涛 贾仁需 《中国物理B:英文版》 SCIE EI CAS CSCD 2018年第4期391-395,共5页
关键词 金属氧化物半导体 晶体管 MOSFET 光致发光 X光衍射 X光检查 磁滞现象 XRD
交期长达16周以上MOSFET再传涨价5%~10%
13
《半导体信息》 2018年第1期32-33,共2页
1月30日,台湾媒体报道称,金属氧化物半导体场效晶体管(MOSFET)供不应求,在Vishay已通知涨价、IDM大厂也传出将跟进调涨价格,如今传已有业者再度调涨2月报价,其中PC类涨5%至10%,
关键词 MOSFET 金属氧化物半导体 供不应求 晶体管
Flexible ultraviolet photodetectors based on ZnO–SnO_2 heterojunction nanowire arrays
14
作者 Zheng Lou Xiaoli Yang +1 位作者 Haoran Chen Zhongzhu Liang 《半导体学报:英文版》 EI CAS CSCD 2018年第2期33-38,共6页
关键词 紫外光电探测器 ZNO 金属氧化物半导体 光电子设备 异质 程序综合 稳定性 性质
Low Specific On-Resistance SOI LDMOS with Non-Depleted Embedded P-Island and Dual Trench Gate
15
作者 范杰 孙胜明 +1 位作者 王海珠 邹永刚 《中国物理快报:英文版》 SCIE CAS CSCD 2018年第3期110-113,共4页
关键词 LDMOS SOI 嵌入 金属氧化物半导体 RON 故障电压 隧道结 sp
Transition metal oxides as hole-transporting materials in organic semiconductor and hybrid perovskite based solar cells
16
作者 Pingli Qin Qin He +3 位作者 Dan Ouyang Guojia Fang Wallace C.H. Choy Gang Li 《中国科学:化学英文版》 SCIE EI CAS CSCD 2017年第4期472-489,共18页
Organic polymer solar cells(OSCs) and organic-inorganic hybrid perovskite solar cells(PSCs) have achieved notable progress over the past several years.A central topic in these fields is exploring electronically effici... Organic polymer solar cells(OSCs) and organic-inorganic hybrid perovskite solar cells(PSCs) have achieved notable progress over the past several years.A central topic in these fields is exploring electronically efficient,stable and effective hole-transporting layer(HTL) materials.The goal is to enhance hole-collection ability,reduce charge recombination,increase built-in voltage,and hence improve the performance as well as the device stability.Transition metal oxides(TMOs) semiconductors such as NiO_x,CuO_x,CrO_x,MoO_x,WO_3,and V_2O_5,have been widely used as HTLs in OSCs.These TMOs are naturally adopted into PSC as HTLs and shows their importance.There are similarities,and also differences in applying TMOs in these two types of main solution processed solar cells.This concise review is on the recent developments of transition metal oxide HTL in OSCs and PSCs.The paper starts from the discussion of the cation valence and electronic structure of the transition metal oxide materials,followed by analyzing the structure-property relationships of these HTLs,which we attempt to give a systematic introduction about the influences of their cation valence,electronic structure,work function and film property on device performance. 展开更多
关键词 过渡金属氧化物 空穴传输材料 太阳能电池 钙钛矿型 有机半导体 价电子结构 金属氧化物半导体 有机-无机杂化
Comparative study of electrical characteristics for n-type 4H-SiC planar and trench MOS capacitors annealed in ambient NO
17
作者 申占伟 张峰 +8 位作者 Sima Dimitrijev 韩吉胜 闫果果 温正欣 赵万顺 王雷 刘兴昉 孙国胜 曾一平 《中国物理B:英文版》 SCIE EI CAS CSCD 2017年第10期404-410,共7页
The interface properties and electrical characteristics of the n-type 4H-SiC planar and trench metal–oxide–semiconductor(MOS) capacitors are investigated by measuring the capacitance voltage and current voltage. The... The interface properties and electrical characteristics of the n-type 4H-SiC planar and trench metal–oxide–semiconductor(MOS) capacitors are investigated by measuring the capacitance voltage and current voltage. The flat-band voltage and interface state density are evaluated by the quasi-static method. It is not effective on further improving the interface properties annealing at 1250℃ in NO ambient for above 1 h due to the increasing interface shallow and fast states.These shallow states reduce the effective positive fixed charge density in the oxide. For the vertical MOS capacitors on the(1120) and(1100) faces, the interface state density can be reduced by approximately one order of magnitude, in comparison to the result of the planar MOS capacitors on the(0001) face under the same NO annealing condition. In addition, it is found that Fowler–Nordheim tunneling current occurs at an oxide electric field of 7 MV/cm for the planar MOS device.However, Poole–Frenkel conduction current occurs at a lower electric field of 4 MV/cm for the trench MOS capacitor. This is due to the local field crowded at the trench corner severely causing the electrons to be early captured at or emitted from the SiO_2/Si C interface. These results provide a reference for an in-depth understanding of the mobility-limiting factors and long term reliability of the trench and planar SiO_2/Si C interfaces. 展开更多
关键词 MOS电容器 4H-SIC 平面界面 退火气氛 沟道 n型 金属氧化物半导体 电特性
Direct measurement and analysis of total ionizing dose effect on 130 nm PD SOI SRAM cell static noise margin
18
作者 郑齐文 崔江维 +7 位作者 刘梦新 苏丹丹 周航 马腾 余学峰 陆妩 郭旗 赵发展 《中国物理B:英文版》 SCIE EI CAS CSCD 2017年第9期335-340,共6页
在这个工作, 130 nm 上的全部的电离剂量(TID ) 效果部分弄空(PD ) silicon-on-insulator (SOI ) 静电干扰随机存取记忆(静态存储器) 房间稳定性被测量。允许静态的噪音边缘(SNM ) 的直接测量的静态存储器房间测试结构被 gamma 光线明... 在这个工作, 130 nm 上的全部的电离剂量(TID ) 效果部分弄空(PD ) silicon-on-insulator (SOI ) 静电干扰随机存取记忆(静态存储器) 房间稳定性被测量。允许静态的噪音边缘(SNM ) 的直接测量的静态存储器房间测试结构被 gamma 光线明确地设计并且照耀。130 nm PD SOI 静态存储器房间的两数据方面 SNM 被 TID 减少,它与在一数据方面 SNM 被减少,另外的数据方面 SNM 被增加的旧一代设备获得的结论不同。而且,在不同供应电压下面的 SNM 的测量(V <sub > dd </sub>) 表明 SNM 对在更低的 V <sub 下面的 TID 更敏感 > dd </sub> 。在数据保留 V <sub 下面的 SNM 上的 TID 的影响 > dd </sub> 应该被测试,因为 V <sub > 在数据保留模式下面的静态存储器房间的 dd </sub> 比正常 V <sub 低 > dd </sub> 。在上述结果下面的机制被静态存储器房间晶体管的 IV 特征的测量分析。 展开更多
关键词 静态随机存取存储器 SRAM单元 直接测量 金属氧化物半导体 噪声容限 总剂量效应 纳米 测试结构
Fabrication of a novel MOS diode by indium incorporation control for microelectronic applications
19
作者 M.Benhaliliba C.E.Benouis +1 位作者 M.S.Aida A.Ayeshamariam 《半导体学报:英文版》 EI CAS CSCD 2017年第6期66-74,共9页
新奇 metal-oxide-semiconductor (瞬间) 上的电子参数的控制由做加入的铟的二极管被强调并且调查。电子参数障碍高度(BH ) ,系列电阻,和费用搬运人密度例如想象力因素,被提取从当前电压(I-V ) 并且电容电压(C-V ) 特征。基于 4% , ... 新奇 metal-oxide-semiconductor (瞬间) 上的电子参数的控制由做加入的铟的二极管被强调并且调查。电子参数障碍高度(BH ) ,系列电阻,和费用搬运人密度例如想象力因素,被提取从当前电压(I-V ) 并且电容电压(C-V ) 特征。基于 4% , 6% 和 8% 铟,做的锡氧化物大部分是的 MOS 二极管的性质学习了。Ag/SnO/nSi/Au 瞬间二极管被水花热分解线路制作,在 300 点 ????????????????????? 偓呓 ? 删吗?? 展开更多
关键词 微电子器件 参数控制 铟掺杂 MOS 二极管 金属氧化物半导体 制备 掺入
Experimental and simulation studies of single-event transient in partially depleted SOI MOSFET
20
作者 闫薇薇 高林春 +4 位作者 李晓静 赵发展 曾传滨 罗家俊 韩郑生 《中国物理B:英文版》 SCIE EI CAS CSCD 2017年第9期520-525,共6页
在这研究,我们调查单个事件短暂(集合) metal-oxide-semiconductor (瞬间) 设备由一项搏动的 laser.We 措施和分析导致了的部分弄空的 silicon-on-insulator (PDSOI ) 的特征排水管在晶片水平的短暂电流。结果显示身体排水管连接和它... 在这研究,我们调查单个事件短暂(集合) metal-oxide-semiconductor (瞬间) 设备由一项搏动的 laser.We 措施和分析导致了的部分弄空的 silicon-on-insulator (PDSOI ) 的特征排水管在晶片水平的短暂电流。结果显示身体排水管连接和它的附近是比在 PD-SOI 设备的另外的区域敏感的更多的集合。我们使用 ISE 3D 模拟工具当设备的不同区域被撞击时,分析 SET 反应。然后,我们详细在照耀以后在设备讨论短暂水流和静电的潜在的分发变化的特征。最后,我们分析寄生双极的连接晶体管(p-BJT ) 由执行激光测试和模拟的效果。 展开更多
关键词 MOSFET SOI器件 瞬态电流 单事件 模拟 金属氧化物半导体 实验 绝缘体上硅
上一页 1 2 68 下一页 到第
使用帮助 返回顶部 意见反馈