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力电多场鼓包法测定PZT铁电薄膜的横向压电系数 预览
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作者 何元东 孙长振 +5 位作者 毛卫国 毛贻齐 张宏龙 陈彦飞 裴永茂 方岱宁 《材料导报》 CSCD 北大核心 2017年第15期139-144,共6页
为表征Pb(Zr_(0.52)Ti_(0.48))O_3(PZT)薄膜的横向压电性能,以纯力场鼓包测试模型和铁电薄膜材料压电方程为基础,推导了PZT铁电薄膜的力电耦合鼓包本构模型。采用溶胶-凝胶法制备了PZT铁电薄膜,并通过化学腐蚀法获得PZT薄膜鼓... 为表征Pb(Zr_(0.52)Ti_(0.48))O_3(PZT)薄膜的横向压电性能,以纯力场鼓包测试模型和铁电薄膜材料压电方程为基础,推导了PZT铁电薄膜的力电耦合鼓包本构模型。采用溶胶-凝胶法制备了PZT铁电薄膜,并通过化学腐蚀法获得PZT薄膜鼓包样品。在外加电压为0~14V的条件下进行鼓包测试。结果表明,在纯力场作用下,PZT薄膜的弹性模量和残余应力分别为91.9GPa和36.2MPa;随着电压从2V变化到14V,PZT薄膜的横向压电系数d31从-28.9pm/V变化到-45.8pm/V。本工作所发展的力电耦合鼓包测试技术及力电耦合鼓包本构模型为评价铁电薄膜材料的横向压电性能提供了一种有效的分析方法。 展开更多
关键词 横向压电系数 鼓包测试 力电耦合本构 钛酸薄膜
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钽镁酸钡缓冲层对锆钛酸铅铁电薄膜性能的影响 被引量:1
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作者 梁雄毅 吴智 +2 位作者 秦霞 周静 祁琰媛 《硅酸盐学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2015年第11期1555-1560,共6页
采用溶胶–凝胶工艺在Pt/Ti/Si O2/Si基片上,通过引入钽镁酸钡[Ba(Mg1/3Ta2/3)O3,BMT]缓冲层,制备了锆钛酸铅[Pb(Zr0.52Ti0.48)O3,PZT]铁电薄膜。研究了BMT缓冲层对PZT铁电薄膜结晶和性能的影响。结果表明:引入BMT缓冲层利于PZT薄... 采用溶胶–凝胶工艺在Pt/Ti/Si O2/Si基片上,通过引入钽镁酸钡[Ba(Mg1/3Ta2/3)O3,BMT]缓冲层,制备了锆钛酸铅[Pb(Zr0.52Ti0.48)O3,PZT]铁电薄膜。研究了BMT缓冲层对PZT铁电薄膜结晶和性能的影响。结果表明:引入BMT缓冲层利于PZT薄膜的生长;PZT薄膜具有钙钛矿结构,且没有裂纹、结晶良好、致密性好;缓冲层的厚度对PZT铁电薄膜的微观结构和铁电性能有重要影响。随BMT缓冲层厚度增加,PZT晶粒增大,介电损耗tanδ逐渐减少,介电常数εr和剩余极化强度Pr先增大后减少,矫顽场Ec先减少后增大。当BMT缓冲层厚约为10 nm时,PZT薄膜具有最优的铁电性能:εr=1 850,Pr=20.2μC/cm2,Ec=43.9 k V/mm。这与BMT与PZT具有相似的晶格常数、较小的晶格失配度和相近的禁带宽度有关。 展开更多
关键词 钛酸薄膜 钽镁酸钡 缓冲层 溶胶–凝胶法 铁电性能
锆钛酸铅薄膜的生长与表征 预览
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作者 张翊 潘峰 +2 位作者 包达群 王建艳 郭航 《光学精密工程》 EI CAS CSCD 北大核心 2013年第11期2893-2899,共7页
研究了如何利用溶胶凝胶法制备锆钛酸铅(Pb(Zrr,Ti1-x)O3,PZT)薄膜,并对该薄膜的进行了表征测试.根据分子式设计了溶液的成分及配比,配制溶液后旋涂于钛(Ti)及铂/钛(Pt/Ti)基底上.利用X射线衍射仪(XRD)和原子力显微镜(AFM)... 研究了如何利用溶胶凝胶法制备锆钛酸铅(Pb(Zrr,Ti1-x)O3,PZT)薄膜,并对该薄膜的进行了表征测试.根据分子式设计了溶液的成分及配比,配制溶液后旋涂于钛(Ti)及铂/钛(Pt/Ti)基底上.利用X射线衍射仪(XRD)和原子力显微镜(AFM)对不同热处理温度和不同退火温度的PZT薄膜的形貌、成分进行了表征测试.在此基础上,采用微机电系统(MEMS)工艺,开发了可用于测试PZT薄膜材料特性的工艺流程与测试样品.然后,利用标准铁电测试仪对不同热处理温度和不同退火温度的PZT薄膜的极化强度进行了铁电特性测试.结果表明,在400℃进行热处理,650℃进行退火的条件下制备出的PZT薄膜其成分和形貌比较好,铁电特性较优,能够应用于MEMS器件与纳米器件的制造中. 展开更多
关键词 钛酸薄膜 热处理 退火 铁电特性 溶胶凝胶法
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溶胶-凝胶法制备PZT薄膜及其物性特性分析 预览
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作者 唐立军 梁庭 《中北大学学报:自然科学版》 CAS 北大核心 2012年第5期595-597,共3页
以三水合乙酸铅、四正丁氧基锆和钛酸四丁酯为原料,并以乙酰丙酮为熬合剂,乙二醇甲醚为溶剂制备PZT溶胶;在Si-Pt基板上采用溶胶-凝胶法制备热释电薄膜.采用KW-4A型匀胶机,甩胶速度为4 500r/m,甩胶30s,在马弗炉中烧结温度为400℃,退火温... 以三水合乙酸铅、四正丁氧基锆和钛酸四丁酯为原料,并以乙酰丙酮为熬合剂,乙二醇甲醚为溶剂制备PZT溶胶;在Si-Pt基板上采用溶胶-凝胶法制备热释电薄膜.采用KW-4A型匀胶机,甩胶速度为4 500r/m,甩胶30s,在马弗炉中烧结温度为400℃,退火温度分别为600℃,650℃,700℃.使用AFM观察表面形貌,在拉曼光谱仪下观测拉曼峰.试验结果表明:在600℃,650℃,700℃退火时均形成拉曼峰,650℃退火时局部区域内薄膜材料的表面光滑而致密,700℃形成了三方、四方共存的钙钛矿相结构. 展开更多
关键词 钛酸薄膜 热释电 RAMAN 溶胶凝胶
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Improving the fatigue endurance of lead zirconate titanate thin films through PbO interfacial modification 预览
5
作者 LEI Rong REN Yanbo +4 位作者 QIAO Lijie GU Hongwei YUE Zhenxing XIE Dan CAO Jiangli 《稀有金属:英文版》 SCIE EI CAS CSCD 2011年第1期 68-71,共4页
通过一个化学答案的 electrode/ceramic 接口的修正的效果铅锆酸盐 titanate (PZT ) 的疲劳耐力上的导出免职的 PbO 缓冲区层薄电影被调查。谷物尺寸和 PZT 电影的表面粗糙通过 PbO 界面的修正增加了。而且,有 PbO 界面的修正的 PZT ... 通过一个化学答案的 electrode/ceramic 接口的修正的效果铅锆酸盐 titanate (PZT ) 的疲劳耐力上的导出免职的 PbO 缓冲区层薄电影被调查。谷物尺寸和 PZT 电影的表面粗糙通过 PbO 界面的修正增加了。而且,有 PbO 界面的修正的 PZT 电影有更好结晶的结构,没有明显的第二等的阶段被观察。当残余的极化和绝缘的常数被减少时,疲劳耐力被改进。基于结果,为疲劳耐力改进的机制被讨论。 展开更多
关键词 钛酸薄膜 界面改性 氧化 耐力 疲劳 化学溶液沉积 陶瓷薄膜 压电陶瓷
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基于锆钛酸铅薄膜的变形镜微致动器 预览 被引量:2
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作者 吴亚雷 刘爽 +3 位作者 刘芳 许晓慧 文莉 褚家如 《纳米技术与精密工程》 EI CAS CSCD 2008年第2期 142-145,共4页
以锆钛酸铅(PZT)薄膜作为驱动材料,制备了变形镜的微致动器阵列.使用有限元软件对致动器进行了模拟仿真,得到了驱动器上电极尺寸、Si弹性层厚度等参数对致动器性能的影响,获得了最优化的致动器结构.以钙钛矿相的镍酸镧(LNO)作... 以锆钛酸铅(PZT)薄膜作为驱动材料,制备了变形镜的微致动器阵列.使用有限元软件对致动器进行了模拟仿真,得到了驱动器上电极尺寸、Si弹性层厚度等参数对致动器性能的影响,获得了最优化的致动器结构.以钙钛矿相的镍酸镧(LNO)作为PZT薄膜在Pt衬底上生长的缓冲层,增强了PZT薄膜的(100)取向,减小了PZT薄膜的内部应力,提高了致动器的驱动性能.最终制备出的1μm厚PZT薄膜驱动的变形镜微致动器,在10V直流电压的激励下,具有2.0μm的变形量.以PZT薄膜作为驱动材料制备的变形镜微致动器阵列,对变形镜致动器的微型化和系统集成度的提高具有重要意义. 展开更多
关键词 变形镜 微致动器 钛酸薄膜 镍酸镧
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铁电薄膜退火方法的研究 预览 被引量:1
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作者 田雪雁 徐征 《功能材料》 EI CAS CSCD 北大核心 2007年第A02期 807-808,共2页
以锆钛酸铅薄膜(PZT)为例,分析了国内外铁电薄膜退火的各种方法。针对解决铁电薄膜基底高温生长工艺与硅集成电路承受温度较低的不兼容及器件性质劣化的难题,分别对普通炉子退火、快速热退火及激光退火进行了详细的分析比较。激光... 以锆钛酸铅薄膜(PZT)为例,分析了国内外铁电薄膜退火的各种方法。针对解决铁电薄膜基底高温生长工艺与硅集成电路承受温度较低的不兼容及器件性质劣化的难题,分别对普通炉子退火、快速热退火及激光退火进行了详细的分析比较。激光低温退火技术有望成功地在未来应用PZT铁电薄膜制作组件时,增加其制备工艺设计的弹性和可行性。 展开更多
关键词 钛酸薄膜 普通退火 快速退火 激光退火
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Pb用量对锆钛酸铅薄膜微观结构和铁电性能的影响 预览 被引量:3
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作者 赵素玲 官建国 +1 位作者 张联盟 王龙海 《硅酸盐学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2006年第6期 703-707,共5页
在Pt/Ti/SiO2/Si基片上,通过多次匀胶旋涂-预热处理工艺制备了PbTiO3(PT)无机薄层夹心的锆钛酸铅(1ead zirconate titanate,PZT)薄膜,然后经650℃退火处理得到了所需的具有钙钛矿结构的PZT铁电薄膜。用X射线衍射、原子力显微... 在Pt/Ti/SiO2/Si基片上,通过多次匀胶旋涂-预热处理工艺制备了PbTiO3(PT)无机薄层夹心的锆钛酸铅(1ead zirconate titanate,PZT)薄膜,然后经650℃退火处理得到了所需的具有钙钛矿结构的PZT铁电薄膜。用X射线衍射、原子力显微镜表征了PZT铁电薄膜微观结构,并测试铁电性能。结果表明:制备PT层时的Pb用量对得到的PZT铁电薄膜的微观结构和铁电性能有重要影响。当Pb过量15%(摩尔分数)左右时,得到的PZT铁电薄膜不仅晶界清晰,晶粒尺寸分布均匀,具有纯钙钛矿结构,而且铁电性能优异,剩余极化强度Pr=21μC/cm^2,矫顽场Ec=37kV/cm。 展开更多
关键词 钛酸薄膜 铁电薄膜 微观结构 铁电性能
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陶瓷专利 预览
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《中国陶瓷工业》 CAS 2006年第4期 54-56,共3页
纳米晶氧化铒一氧化锡粉体材料及其制备方法和用途;一种低温烧结多元多相复合微波介质陶瓷及其制备方法;高性能锆钛酸铅薄膜的制备方法;陶瓷炉底辊辊套材料及其用该材料制作陶瓷炉底辊辊套的方法;一种陶瓷浆料快速可控固化胶态成型... 纳米晶氧化铒一氧化锡粉体材料及其制备方法和用途;一种低温烧结多元多相复合微波介质陶瓷及其制备方法;高性能锆钛酸铅薄膜的制备方法;陶瓷炉底辊辊套材料及其用该材料制作陶瓷炉底辊辊套的方法;一种陶瓷浆料快速可控固化胶态成型方法及装置;用于陶瓷钎焊的陶瓷颗粒增强复合钎料;陶瓷多层基板的制造方法和未烧成的复合叠层体; 展开更多
关键词 微波介质陶瓷 专利 制备方法 粉体材料 钛酸薄膜 陶瓷颗粒增强 多相复合 低温烧结
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RF溅射法制备PZT铁电薄膜及其表征 预览 被引量:4
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作者 李海燕 张之圣 +3 位作者 胡明 樊攀峰 王秀宇 刘志刚 《压电与声光》 CSCD 北大核心 2006年第3期 325-327,共3页
采用对靶溅射法在SiO2/Si基板上沉积Pt/Ti底电极。用射频(RF)溅射法在Pt/Ti/SiO2/Si基板上制备了厚度约800nm的PZT薄膜。XRD分析表明,Ar气氛中沉积,700℃下快速退火(RTA)20min所得的PZT薄膜具有钙钛矿结构;SEM、AFM分析表... 采用对靶溅射法在SiO2/Si基板上沉积Pt/Ti底电极。用射频(RF)溅射法在Pt/Ti/SiO2/Si基板上制备了厚度约800nm的PZT薄膜。XRD分析表明,Ar气氛中沉积,700℃下快速退火(RTA)20min所得的PZT薄膜具有钙钛矿结构;SEM、AFM分析表明,该条件下所得薄膜的表面由平均粒径约219nm的晶粒组成,较为均匀、致密。在1kHz的测试频率下,PZT薄膜的介电常数为327.6,从电滞回线上可以得出,该PZT薄膜的矫顽场强为50kV/cm,剩余极化强度和自发极化强度分别为10μC/cm^2、13μC/cm^2。 展开更多
关键词 钛酸薄膜 射频溅射 钙钛矿结构 电滞回线
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射频磁控溅射制备PZT铁电薄膜的工艺研究 预览 被引量:3
11
作者 毕振兴 张之圣 +2 位作者 胡明 樊攀峰 刘志刚 《硅酸盐通报》 CAS CSCD 北大核心 2005年第4期 6-9,共4页
在SiO2/Si基片上采用直流对靶溅射技术制备出Pt/Ti底电极;应用射频磁控溅射方法,利用快速热处理(RTA)工艺,制备出了具有良好铁电性能的Pb(Zr0.52Ti0.48)O3铁电薄膜.将样品进行10min快速热退火处理,退火温度700℃.测试分析表明:薄膜厚度... 在SiO2/Si基片上采用直流对靶溅射技术制备出Pt/Ti底电极;应用射频磁控溅射方法,利用快速热处理(RTA)工艺,制备出了具有良好铁电性能的Pb(Zr0.52Ti0.48)O3铁电薄膜.将样品进行10min快速热退火处理,退火温度700℃.测试分析表明:薄膜厚度比较均匀、表面基本平整、没有裂纹和孔洞、致密性好、薄膜样品的矫顽场强(Ec)为28.6kV/cm,剩余极化强度(Pr)为18.7μC/cm2,自发极化强度(Ps)为37.5μC/cm2,是制备铁电薄膜存储器的优选材料. 展开更多
关键词 PZT 直流对靶溅射 射频磁控溅射 钛酸薄膜 钙钛矿相 电滞回线 射频磁控溅射方法 PZT铁电薄膜 溅射制备 工艺研究
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溅射PZT薄膜微驱动器的工艺研究 预览 被引量:2
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作者 邱成军 孟丽娜 +1 位作者 刘红梅 曹茂盛 《传感器技术》 CSCD 北大核心 2004年第9期 26-28,共3页
采用磁控溅射法制备的具有PZT结构驱动薄膜,结合微机械电子(MEMS)工艺制作以PZT薄膜为驱动的无阀型微驱动器.探讨了PZT薄膜微驱动器的制备工艺方法,解决了制备工艺中存在的关键问题.
关键词 钛酸薄膜 微驱动器 微机械加工
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退火温度对PZT薄膜电容器性能的影响 预览 被引量:1
13
作者 蒋力立 唐新桂 丁爱丽 《电子元件与材料》 CAS CSCD 北大核心 2002年第4期 3-5,共3页
通过简单的溶胶–凝胶法和快速热处理工艺,获得了在Pt/Ti/SiO2/Si基片上生长良好的PZT薄膜.制膜工艺简单,不需要回流和高温去结晶水,即可获得(111)择优取向的PZT薄膜.PZT薄膜经快速热处理在550~650℃退火,薄膜致密和平滑,均具有良好的... 通过简单的溶胶–凝胶法和快速热处理工艺,获得了在Pt/Ti/SiO2/Si基片上生长良好的PZT薄膜.制膜工艺简单,不需要回流和高温去结晶水,即可获得(111)择优取向的PZT薄膜.PZT薄膜经快速热处理在550~650℃退火,薄膜致密和平滑,均具有良好的铁电和介电特性,其最佳退火温度为600℃. 展开更多
关键词 钛酸薄膜 溶胶-凝胶法 退火温度 铁电特性 介电特性
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在ITO玻璃衬底上制备锆钛酸铅铁电薄膜 预览 被引量:4
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作者 阎鹏勋 谢亮 《硅酸盐学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2000年第5期 407-411,共5页
利用射频反应性溅射沉积技术在掺的Sn的In2O3导电透明膜衬底上制备了钙钛矿型Pb(Zr,Ti)O3(PZT)铁电薄膜。研究了沉积参量与热处理工艺对铁电薄膜结构和性能的影响。运用X射线衍射、X射线光电子能谱和扫描电镜... 利用射频反应性溅射沉积技术在掺的Sn的In2O3导电透明膜衬底上制备了钙钛矿型Pb(Zr,Ti)O3(PZT)铁电薄膜。研究了沉积参量与热处理工艺对铁电薄膜结构和性能的影响。运用X射线衍射、X射线光电子能谱和扫描电镜等技术,分析了薄膜的晶体结构、表面形貌和表面元素化学状态。测量了不同处理条件下薄膜的铁电性能。结果表明:在掺Sn的In2O3导电透明膜衬底上可以得到表面无裂纹,化学计量比符合要求的PZ 展开更多
关键词 钛酸薄膜 氧化铟 溅射沉积 ITO 铁电薄膜
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锆钛酸铅(PZT)薄膜的自发极化与压电响应 预览 被引量:2
15
作者 程晋荣 徐东 《材料研究学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2000年第4期 397-400,共4页
用溶胶-凝胶法在Pt/Ti/SiO2/Si(100)基片上制备了近等原子比的压电PZT薄膜,在准同型相界附近的PZT薄膜的应变机制是受极化控制的压电效应,内电场导致薄膜的自发极化定向,使薄膜未经极化就具有明显的压电响应。
关键词 压电薄膜 溶胶-凝胶 钛酸薄膜 自发极化
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用改进的sol—gel法制备锆钛酸铅薄膜及其物相转化的研究 被引量:2
16
作者 孟样建 程建功 《物理学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2000年第4期 811-815,共5页
利用改进的sol-gel法,在Pt/Ti/SiO2/Si衬底上制备了PbZr0.5Ti0.5O3(PVT50/50)薄膜,采用了一种新的方法,从同一前驱体溶液行到了厚度各异的单一退火层,研究了薄膜的结构和性质随单层退... 利用改进的sol-gel法,在Pt/Ti/SiO2/Si衬底上制备了PbZr0.5Ti0.5O3(PVT50/50)薄膜,采用了一种新的方法,从同一前驱体溶液行到了厚度各异的单一退火层,研究了薄膜的结构和性质随单层退火厚度的改变而发生的变化,发现随着单一退火层度的降低,薄膜(111)取向的程度增大,同时薄膜的剩余极化和介电常量也逐渐增高,当单一退火层厚度降低到约为40nm时,可行到高度(111)择 展开更多
关键词 SOL-GEL法 钛酸薄膜 物相转化
MOD制备的PZT薄膜的相结构发展和成分分析 预览 被引量:1
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作者 包定华 吴小清 《无机材料学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 1999年第1期 119-126,共8页
采用MOD工艺制备了PZT薄膜,利用XRD和TEM研究了焦绿石相向钙钛矿相的转变过程。制备在Pt/Ti/SiO2/Si衬底上的PZT薄膜,其XRD分析显示焦绿石相在600℃完全转变灾钙钛矿相;
关键词 钛酸薄膜 成分分析 相结构 MOD PZT薄膜
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PZT薄膜的MOD制备及形成机理研究 预览 被引量:6
18
作者 包定华 张良莹 《硅酸盐学报》 EI CAS CSCD 北大核心 1998年第5期 592-597,共6页
采用金属有机物热分解(MOD)工艺在Pt/Ti/SiO2/Si衬底上制备锆钛酸铅(PZT)薄膜。XRD分析显示薄结晶状态良好,无焦绿石相存在。AES测量表明:薄膜成分沿膜厚均匀分布,膜中无碳存在,表面不富含铅。分析了... 采用金属有机物热分解(MOD)工艺在Pt/Ti/SiO2/Si衬底上制备锆钛酸铅(PZT)薄膜。XRD分析显示薄结晶状态良好,无焦绿石相存在。AES测量表明:薄膜成分沿膜厚均匀分布,膜中无碳存在,表面不富含铅。分析了薄膜的形成机理,安性地解释了晶粒的生长过程。 展开更多
关键词 钛酸薄膜 热分解 MOD 铁电薄膜 PZT 陶瓷
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铌掺杂锆钛酸铅薄膜的制备及其用于微机电系统的机电特性 被引量:1
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作者 狄杰建 李明勇 +5 位作者 刘京京 周添 李欢 谭晓兰 宋维力 赵全亮 《硅酸盐学报》 CSCD 北大核心 2017年第7期990-994,共5页
采用溶胶-凝胶法在LaNiO3/Si衬底上制备了Nb0.02-Pb(Zr0.6Ti0.4)O3 (PNZT)薄膜及其驱动的微机电系统(MEMS)技术制作微悬臂梁器件,研究了PNZT薄膜及悬臂梁的机电特性。结果表明:该PNZT薄膜具有随机取向的钙钛矿相结构,铁电剩余... 采用溶胶-凝胶法在LaNiO3/Si衬底上制备了Nb0.02-Pb(Zr0.6Ti0.4)O3 (PNZT)薄膜及其驱动的微机电系统(MEMS)技术制作微悬臂梁器件,研究了PNZT薄膜及悬臂梁的机电特性。结果表明:该PNZT薄膜具有随机取向的钙钛矿相结构,铁电剩余极化强度和矫顽场分别约为20 C/cm2和27 kV/cm。通过压电响应力显微镜(PFM)和MEMS悬臂梁振动测试,计算得出PNZT薄膜的纵向压电系数d33和横向压电系数d31分别约为70 pm/V和90 pm/V,与已报道的外延生长PZT薄膜d33和d31值相当。同时MEMS悬臂梁在大气压下也表现出较小的机械损耗,一阶谐振时的机械品质因数Q值达到了122。表明该PNZT薄膜未来在高性能铁电和压电MEMS器件领域具有广泛的应用前景。 展开更多
关键词 铌掺杂钛酸薄膜 微机电系统 溶胶-凝胶法 机电特性
直接感光法制备锆钛酸铅镧薄膜图形及其性能 预览
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作者 张卫华 石春梅 +2 位作者 袁媛 赵高扬 盛淑月 《半导体学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2008年第6期 1189-1193,共5页
采用化学修饰溶胶凝胶工艺,以PVP为薄膜开裂抑制剂,以苯酰丙酮为化学修饰剂,利用其与金属盐形成的配位螯合物结构,合成了具有紫外光感应特性的锆钛酸铅镧(Pb0.91La0.09(Zr0.65Ti0.35)O3,PLZT)前驱溶胶;对单次提拉得到的凝胶薄膜进... 采用化学修饰溶胶凝胶工艺,以PVP为薄膜开裂抑制剂,以苯酰丙酮为化学修饰剂,利用其与金属盐形成的配位螯合物结构,合成了具有紫外光感应特性的锆钛酸铅镧(Pb0.91La0.09(Zr0.65Ti0.35)O3,PLZT)前驱溶胶;对单次提拉得到的凝胶薄膜进行直接感光法图形制备;通过后续热处理,在Pt/TiO2/SiO2/Si衬底上得到了具有钙钛矿结构的PLZT薄膜图形,其最终热处理后的膜厚约为260nm,剩余极化强度约为6.7μC/cm^2,矫顽场强约为77kV/cm,相对介电常数约为356,介电损耗约为0.02,漏电流密度小于10-2μA/cm^2,极化疲劳特性可达107以上. 展开更多
关键词 钛酸薄膜 溶胶凝胶 微细图形 感光性
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