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在人工拓扑超导体磁通涡旋中寻找Majorana零能模 预览
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作者 李耀义 贾金锋 《物理学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2019年第13期1-14,共14页
寻找具有拓扑序的新物质态是目前一个非常活跃和令人激动的研究领域.与拓扑绝缘体类似,在超导体中也存在着拓扑非平庸的超导态,它与传统的超导体在拓扑性上是不等价的,这种具有非平庸拓扑序的超导体被称为拓扑超导体.拓扑超导体在体内... 寻找具有拓扑序的新物质态是目前一个非常活跃和令人激动的研究领域.与拓扑绝缘体类似,在超导体中也存在着拓扑非平庸的超导态,它与传统的超导体在拓扑性上是不等价的,这种具有非平庸拓扑序的超导体被称为拓扑超导体.拓扑超导体在体内具有非零的超导能隙,而在表面有无能隙的表面态.理论预言在拓扑超导体中能够实现具有非Abelian统计特性的Majorana费米子.Majorana费米子可以用来构建拓扑量子比特,在拓扑量子计算方面有重大的科研和应用前景.拓扑绝缘体的出现催生出了许多人工拓扑超导体材料.本专题将主要介绍在拓扑绝缘体/超导体异质结中探测Majorana费米子的一系列实验工作.通过对拓扑超导体的研究,人们对超导电性有了全新的认识,有可能找到实现Majorana费米子新奇量子物理性质的方法. 展开更多
关键词 超导近邻效应 超导薄膜及低维结构 涡旋 穿
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应变Si NMOSFET总剂量效应 预览
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作者 廖晨光 郝敏如 《电子科技》 2018年第9期1-3,17共4页
文中主要通过模拟仿真了γ射线辐照对单轴应变Si 纳米NMOSFET器件电学特性的影响。仿真分析了不同辐照剂量、结构参数以及物理参数等对阈值电压、隧穿栅电流以及热载流子栅电流的影响。结果表明:在总剂量辐照下,阈值电压随着源/漏结... 文中主要通过模拟仿真了γ射线辐照对单轴应变Si 纳米NMOSFET器件电学特性的影响。仿真分析了不同辐照剂量、结构参数以及物理参数等对阈值电压、隧穿栅电流以及热载流子栅电流的影响。结果表明:在总剂量辐照下,阈值电压随着源/漏结深的增加以及沟道长度的减小而减小,隧穿栅电流随着栅氧化层厚度的增大及栅介电常数的减小而增大,热载流子栅电流随着沟道中掺杂浓度的减小以及栅电压的增大而增大。同时,模拟仿真了器件沟道中应力和载流子的分布。 展开更多
关键词 总剂量 阈值电压 穿 热载流子 栅电流
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有机光电倍增探测器研究进展 被引量:1
3
作者 高秀云 张叶 +4 位作者 崔艳霞 刘艳珍 李国辉 石林林 郝玉英 《激光与光电子学进展》 CSCD 北大核心 2018年第7期1-19,共19页
外量子效率远远超过100%的有机光电倍增探测器近年来受到了研究者们的广泛关注。首先介绍有机光电倍增探测器的基本结构及其光电倍增机理。有机光电倍增探测器由于其活性层的材料特性不同,可分为小分子基及聚合物基两种类型。针对这两... 外量子效率远远超过100%的有机光电倍增探测器近年来受到了研究者们的广泛关注。首先介绍有机光电倍增探测器的基本结构及其光电倍增机理。有机光电倍增探测器由于其活性层的材料特性不同,可分为小分子基及聚合物基两种类型。针对这两种不同类型的有机光电倍增探测器的研究进展进行综述,详细说明研究者们在改善有机光电倍增探测器量子效率、暗电流、响应速度、光谱性能等方面取得的重要进展。简单介绍了研究者们针对有机光电倍增探测器的工作机理提出的一些不同解释。总结全文并展望了有机光电倍增探测器的发展前景。 展开更多
关键词 光学器件 有机光电探测器 光电倍增 量子效率 穿
一维单势垒结构中的电子隧穿寿命 预览
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作者 李惠 贾晓卫 《山东师范大学学报:自然科学版》 CAS 2018年第1期88-93,共6页
运用投影格林函数方法(PGF)研究一维单势垒结构中的电子隧穿时间这一古老而基础的问题.将PGF近似方法运用到一维单势垒结构,简单方便的计算了单势垒结构的电子隧穿寿命,讨论了一维单势垒结构中隧穿寿命对势垒厚度以及势阱宽度的依... 运用投影格林函数方法(PGF)研究一维单势垒结构中的电子隧穿时间这一古老而基础的问题.将PGF近似方法运用到一维单势垒结构,简单方便的计算了单势垒结构的电子隧穿寿命,讨论了一维单势垒结构中隧穿寿命对势垒厚度以及势阱宽度的依赖关系. 展开更多
关键词 单势垒 穿 势垒厚度
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创新绿色现代化:隧穿环境库兹涅兹曲线 预览 被引量:2
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作者 唐啸 胡鞍钢 《中国人口资源与环境》 CSSCI CSCD 北大核心 2018年第5期1-7,共7页
绿色现代化的核心目的是实现“人与自然和谐共生的现代化”,核心方向是为当代人提供生态产品和服务,为后代人提供生态财富,为全球提供生态安全。创新绿色现代化的关键路径是实现“隧穿环境库兹涅兹曲线”,即在相对较低的发展水平条... 绿色现代化的核心目的是实现“人与自然和谐共生的现代化”,核心方向是为当代人提供生态产品和服务,为后代人提供生态财富,为全球提供生态安全。创新绿色现代化的关键路径是实现“隧穿环境库兹涅兹曲线”,即在相对较低的发展水平条件下,实现能源资源消耗增长、环境污染损失增长等生态赤字与经济社会发展速度脱钩。当前中国正在进入经济增速放缓的窗口机遇期,地区环境问题的差异凸显期,人民对环境质量的高度敏感期,生态治理能力的转型变革期,全球生态安全的更大贡献期。在生态文明建设的新时期,中国应当树立保护生态环境就是保护生产力,就是发展生产力的新发展观,充分认识从单一治理向全面治理转型的必要性和美丽中国建设的长期性、艰巨性和全局性,进一步实现决策的科学性、视野的长远性和政策的连续性,进而全面调动不同发展主体的积极性。美丽中国目标可以分为三个阶段:2020年实现生态环境质量总体改善,全面超额完成国家“十三五”规划资源环境约束性指标;2035年生态环境根本好转,中国进入绿色创新、生态投资、生态盈余新时代,形成人与自然和谐发展绿色现代化新格局;2050年进入高度发达的生态文明时期,天蓝、地绿、水清的优美生态环境成为常态,开创人与自然和谐共生新境界,建成美丽的社会主义现代化生态强国。为此,未来创新绿色现代化的战略举措应当包括:重点问题与系统保护相结合,环保建设与经济发展相结合,生态投资与生态保护相结合,行政管理与市场工具相结合,绩效评价和激励约束相结合,反向约束与正向激励相结合。 展开更多
关键词 绿色现代化 穿 环境库兹涅兹曲线 美丽中国 十九大
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Tunneling field effect transistors based on in-plane and vertical layered phosphorus heterostructures
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作者 冯申艳 张巧璇 +2 位作者 杨洁 雷鸣 屈贺如歌 《中国物理B:英文版》 SCIE EI CAS CSCD 2017年第9期421-427,共7页
通道域效果晶体管(TFET ) 尽最大努力基于二维的材料正在答应竞争者到传统的金属氧化物半导体域效果晶体管,主要由于潜在的应用设备。这里,我们基于二种不同集成类型调查 TFET:在里面飞机和垂直 heterostructures 创作了二种有点(由 ... 通道域效果晶体管(TFET ) 尽最大努力基于二维的材料正在答应竞争者到传统的金属氧化物半导体域效果晶体管,主要由于潜在的应用设备。这里,我们基于二种不同集成类型调查 TFET:在里面飞机和垂直 heterostructures 创作了二种有点(由 ab initio 量的 -P 和 -P) 搬运模拟。NDR 效果在在里面飞机和垂直 heterostructures 被观察了,并且当内在的区域长度在零附近时,效果与最高的 peak-to-valley 比率(PVR ) 变得重要。与在里面飞机 TFET 相比基于 -P 和 -P, 有 ~ 的更高的开/关水流比率的更好的性能 10 <sup>6</sup> 和 ~ 的一个更陡峭的次于最低限度的秋千(SS ) 23 mV/dec 在垂直 TFET 被完成。在 NDR 效果,开/关水流比率和 SS 的如此的差别在在里面飞机和垂直 heterostructures 被归因于 -P 和 -P 层的不同相互作用性质。 展开更多
关键词 金属氧化物半导体场效应晶体管 平面器件 异质结构 垂直 层状 穿 功率器件
Accurate Structure Parameters for Tunneling Ionization Rates of Gas-Phase Linear Molecules
7
作者 赵松峰 栗建科 +2 位作者 王国利 李鹏程 周效信 《理论物理通讯:英文版》 SCIE CAS CSCD 2017年第3期289-300,共12页
在 Tong 等的分子的 Ammosov-Delone-Krainov (MO-ADK ) 模型。[Phys。加快。一 66 (2002 ) 033402 ] ,电离率取决于结构参数分子电子从哪个被移开轨道。我们系统地决定并且公布精确结构参数最高占据了分子轨道(人) 为由解决时间无关的... 在 Tong 等的分子的 Ammosov-Delone-Krainov (MO-ADK ) 模型。[Phys。加快。一 66 (2002 ) 033402 ] ,电离率取决于结构参数分子电子从哪个被移开轨道。我们系统地决定并且公布精确结构参数最高占据了分子轨道(人) 为由解决时间无关的 Schr 的 123 个煤气阶段的线性分子 ? 有用修改 Leeuwen-Baerends (磅) 模型数字地被构造的 B 花键函数和分子的潜力的 dinger 方程。 展开更多
关键词 线性分子 结构参数 气相分子 电离率 穿 分子轨道 B样条函数 数值模拟
一种新型GaAs基无漏结隧穿场效应晶体管 预览 被引量:2
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作者 骆东旭 李尊朝 +2 位作者 关云鹤 张也非 孟庆之 《西安交通大学学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2016年第2期68-72,123共6页
针对隧穿场效应晶体管开态电流较低的问题,提出了一种新型GaAs基无漏结隧穿场效应晶体管结构,并对其性能进行了研究。在该结构中,沟道和漏区采用具有相同掺杂浓度的N型InGaAs材料,实现沟道/漏区无结化,简化了制造工艺;同时为了提高开态... 针对隧穿场效应晶体管开态电流较低的问题,提出了一种新型GaAs基无漏结隧穿场效应晶体管结构,并对其性能进行了研究。在该结构中,沟道和漏区采用具有相同掺杂浓度的N型InGaAs材料,实现沟道/漏区无结化,简化了制造工艺;同时为了提高开态隧穿电流,源区采用不同于沟道的P型GaAsSb材料,实现异质源区/沟道结构。该结构能有效增大关态隧穿势垒宽度,降低泄漏电流,同时增加开态带带隧穿概率,提升开态电流,从而获得低亚阈值斜率和高开关比。仿真结果表明,在0.4V工作电压下,该新型GaAs基无漏结隧穿场效应晶体管的开态电流为3.66mA,关态电流为4.35×10^-13 A,开关电流比高达10^10,平均亚阈值斜率为27mV/dec,漏致势垒降低效应值为126。 展开更多
关键词 穿 场效应晶体管 平均亚阈值斜率 穿势垒
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Modeling of trap-assisted tunneling on performance of charge trapping memory with consideration of trap position and energy level
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作者 伦志远 李云 +3 位作者 赵凯 杜刚 刘晓彦 王漪 《中国物理B:英文版》 SCIE EI CAS CSCD 2016年第8期447-451,共5页
In this work, the trap-assisted tunneling(TAT) mechanism is modeled as a two-step physical process for charge trapping memory(CTM). The influence of the TAT mechanism on CTM performance is investigated in consideratio... In this work, the trap-assisted tunneling(TAT) mechanism is modeled as a two-step physical process for charge trapping memory(CTM). The influence of the TAT mechanism on CTM performance is investigated in consideration of various trap positions and energy levels. For the simulated CTM structure, simulation results indicate that the positions of oxide traps related to the maximum TAT current contribution shift towards the substrate interface and charge storage layer interface during time evolutions in programming and retention operations, respectively. Lower programming voltage and retention operations under higher temperature are found to be more sensitive to tunneling oxide degradation. 展开更多
关键词 氧化层陷阱 相关位置 界面电荷 穿 性能 存储器 建模 俘获
单负材料异质结中电磁波的传播特性研究 预览 被引量:1
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作者 杨飞 冯团辉 《电子元件与材料》 CAS CSCD 2016年第4期54-57,共4页
利用在共面波导传输线上加载电容电感实现了单负材料,对由电单负材料和磁单负材料组成的异质结中电磁波的传播特性进行了研究。结果表明:由于电磁波能够在由两种单负材料组成的异质结中发生隧穿,利用基于共面波导传输线的单负材料异质... 利用在共面波导传输线上加载电容电感实现了单负材料,对由电单负材料和磁单负材料组成的异质结中电磁波的传播特性进行了研究。结果表明:由于电磁波能够在由两种单负材料组成的异质结中发生隧穿,利用基于共面波导传输线的单负材料异质结则可以实现具有亚波长特性的谐振腔,并且加载电容电感周期性的破坏对异质结中电磁波隧穿现象的发生及隧穿频率没有影响。 展开更多
关键词 电单负材料 磁单负材料 异质结 穿 亚波长 谐振腔
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单层石墨烯多势垒结构中的输运及能谱特性
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作者 罗媛 杨翠红 +1 位作者 李庆芳 蒋建军 《兰州大学学报:自然科学版》 CAS CSCD 北大核心 2016年第3期417-421,428共6页
利用传递矩阵的方法研究了单层石墨烯中势垒个数N=1、3、5、7、9、11时,等高方形势垒和对称的阶跃势垒结构中电子的隧穿几率和电导.通过周期性势垒中的能带结构对载流子隧穿特性进行分析.结果表明,在多势垒结构中,仍存在Klein隧穿效应.... 利用传递矩阵的方法研究了单层石墨烯中势垒个数N=1、3、5、7、9、11时,等高方形势垒和对称的阶跃势垒结构中电子的隧穿几率和电导.通过周期性势垒中的能带结构对载流子隧穿特性进行分析.结果表明,在多势垒结构中,仍存在Klein隧穿效应.单层石墨烯的隧穿几率和电导依赖于势垒高度、势垒宽度、入射能量和入射角度,还受到势垒形状的影响.能带结构中显示有能级分布的区域表明势垒和势阱间载流子状态匹配,出现隧穿共振,在载流子隧穿谱中对应地体现.相应的在多势垒结构中,可以通过调节势垒结构参数来控制单层石墨烯的电导. 展开更多
关键词 石墨烯 多势垒 穿
Gate-Voltage-Induced Magnetization Reversal and Tunneling Anisotropic Magnetoresistance in a Single Molecular Magnet with Temperature Gradient
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作者 李淑静 张玉颖 +1 位作者 徐卫平 聂一行 《中国物理快报:英文版》 SCIE CAS CSCD 2016年第6期116-120,共5页
We study the control of gate voltage over the magnetization of a single-molecule magnet(SMM) weakly coupled to a ferromagnetic and a normal metal electrode in the presence of the temperature gradient between two elect... We study the control of gate voltage over the magnetization of a single-molecule magnet(SMM) weakly coupled to a ferromagnetic and a normal metal electrode in the presence of the temperature gradient between two electrodes.It is demonstrated that the SMM's magnetization can change periodically with periodic gate voltage due to the driving of the temperature gradient.Under an appropriate matching of the electrode polarization,the temperature difference and the pulse width of gate voltage,the SMM's magnetization can be completely reversed in a period of gate voltage.The corresponding flipping time can be controlled by the system parameters.In addition,we also investigate the tunneling anisotropic magnetoresistance(TAMR) of the device in the steady state when the ferromagnetic electrode is noncollinear with the easy axis of the SMM,and show the jump characteristic of the TAMR. 展开更多
关键词 各向异性磁电阻 单分子磁体 栅极电压 磁化强度 温度梯度 周期性变化 穿 反转
太赫兹量子级联激光器注入区结构研究 被引量:1
13
作者 王健 牛晨亮 +4 位作者 王建峰 师巨亮 韩颖 夏英杰 孙保瑞 《微纳电子技术》 CAS 北大核心 2015年第2期80-84,97共6页
主要研究了THz量子级联激光器注入区结构的隧穿特性。通过量子力学方程设计出透射率最大的注入区结构。模拟结果表明,周期间势垒宽度为4.7 nm时,注入区的透射率最大。对于含有此注入区的QCL结构,模拟了在不同偏压下,电子波函数的空间分... 主要研究了THz量子级联激光器注入区结构的隧穿特性。通过量子力学方程设计出透射率最大的注入区结构。模拟结果表明,周期间势垒宽度为4.7 nm时,注入区的透射率最大。对于含有此注入区的QCL结构,模拟了在不同偏压下,电子波函数的空间分布和能级位置,进而模拟出该模型的隧穿点。计算结果表明,当每个周期两端的外加偏压为45 mV时达到THz工作点,同时满足周期间的电子隧穿条件。之后通过器件工艺,把外延片制作成实验样品。电流电压(I-V)测试曲线表明,在周期间偏压为50 mV时发生隧穿,这和理论计算的周期偏压为45 mV十分接近。 展开更多
关键词 太赫兹量子级联激光器(THz QCL) 穿 透射率 波函数 能级
Optimal Performance Analysis of a Three-Terminal Thermoelectric Refrigerator with Ideal Tunneling Quantum Dots *
14
作者 苏豪 施志成 何济洲 《中国物理快报:英文版》 SCIE CAS CSCD 2015年第10期17-21,共5页
关键词 热电制冷机 双量子点 性能分析 三端 理想 数值计算方法 冷却速度 穿
Nonlinear tunneling through a strong rectangular barrier
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作者 张秀荣 李卫东 《中国物理B:英文版》 SCIE EI CAS CSCD 2015年第7期136-140,共5页
Nonlinear tunneling is investigated by analytically solving the one-dimensional Gross–Pitaevskii equation(GPE)with a strong rectangular potential barrier. With the help of analytical solutions of the GPE, which can b... Nonlinear tunneling is investigated by analytically solving the one-dimensional Gross–Pitaevskii equation(GPE)with a strong rectangular potential barrier. With the help of analytical solutions of the GPE, which can be reduced to the solution of the linear case, we find that only the supersonic solution in the downstream has a linear counterpart. A critical nonlinearity is explored as an up limit, above which no nonlinear tunneling solution exists. Furthermore, the density solution of the critical nonlinearity as a function of the position has a step-like structure. 展开更多
关键词 非线性 GROSS-PITAEVSKII方程 穿 势垒 矩形 解析求解 解析解 阶梯状
Analytical current model of tunneling field-effect transistor considering the impacts of both gate and drain voltages on tunneling
16
作者 WANG Chao WU ChunLei WANG JiaXin HUANG QianQian HUANG Ru 《中国科学:信息科学(英文版)》 SCIE EI CSCD 2015年第2期170-177,共8页
In this paper, a closed-form current model for bulk tunneling field-effect transistor(TFET) is put forward. Based on the operation mechanism, the channel surface potential φsf which involves the impact of both the ga... In this paper, a closed-form current model for bulk tunneling field-effect transistor(TFET) is put forward. Based on the operation mechanism, the channel surface potential φsf which involves the impact of both the gate and the drain voltages is established for the first time. In addition, a new calculation method for the dynamic tunneling width, which is the critical parameter for the TFET modeling, is derived from the surface potential. The surface-potential-based current model is established which is in a good agreement with TCAD simulation results. 展开更多
关键词 场效应晶体管 栅极电压 模型 穿 表面电位 CAD模拟 电流模式 操作机构
Theoretical approach to the study of vibrational effects on strong field ionization of molecules with alignment-dependent tunneling ionization rates
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作者 张美霞 闫冰 +4 位作者 杨玉军 罗嗣佐 朱瑞晗 杨雪 丁大军 《中国物理B:英文版》 SCIE EI CAS CSCD 2015年第9期187-191,共5页
The tunneling ionization rates of vibrationally excited N2 molecules at the ground electronic state are calculated using molecular orbital Ammosov–Delone–Krainov theory considering R-dependence. The results show tha... The tunneling ionization rates of vibrationally excited N2 molecules at the ground electronic state are calculated using molecular orbital Ammosov–Delone–Krainov theory considering R-dependence. The results show that molecular alignment significantly affects the ionization rate, as the rate is mainly determined by the electron density distribution of the highest occupied molecular orbital. The present work indicates that the ratios of alignment-dependent rates of different vibrational levels to that of the vibrational ground level increase for the aligned N2 at the angle θ = 0?, and suggests that the alignment-dependent tunneling ionization rates can be used as a diagnostics for the influence of vibrational excitation on the strong field ionization of molecules. 展开更多
关键词 分子轨道 分子取向 振动效应 电离率 穿 振动激发态 电子密度分布 N2分子
平面石墨烯纳米带隧穿场效应管理论设计 预览
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作者 赵磊 吕亚威 +3 位作者 常胜 王豪 黄启俊 何进 《固体电子学研究与进展》 CAS CSCD 北大核心 2015年第3期227-230 240,共5页
不同于传统的立体结构隧穿器件,本文给出了一种新型平面石墨烯纳米带隧穿场效应管的理论设计。基于石墨烯纳米带几何宽度调控禁带宽度的思想,构建"双十字形"石墨烯纳米带超晶格作为沟道,设计了石墨烯纳米带超晶格场效应管。... 不同于传统的立体结构隧穿器件,本文给出了一种新型平面石墨烯纳米带隧穿场效应管的理论设计。基于石墨烯纳米带几何宽度调控禁带宽度的思想,构建"双十字形"石墨烯纳米带超晶格作为沟道,设计了石墨烯纳米带超晶格场效应管。从能带结构和传输谱上给出了该器件负微分电阻特性的理论解释,并由器件的输出特性得到了验证。在此基础上对器件的隧穿工作机理做出了探讨。该场效应管在一个器件上实现了多个负微分电阻区域,可应用于多值逻辑电路设计。 展开更多
关键词 石墨烯纳米带 场效应管 穿 能带结构
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Solid-state resonant tunneling thermoelectric refrigeration in the cylindrical double-barrier nanostructure
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作者 Liu Nian Luo Xiao-Guang Zhang Mao-Lian 《中国物理B:英文版》 SCIE EI CAS CSCD 2014年第8期285-288,共4页
关键词 圆柱形 热电致冷 固态 结构物 穿 谐振 纳米 屏障
ZnO纳米棒/MEH-PPV异质结的复合电致隧穿发光 预览
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作者 杨一帆 赵谡玲 高松 《光谱学与光谱分析》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2013年第11期2895-2899,共5页
利用低温水热法生长的ZnO纳米棒(ZnO--NRs),和P型有机半导体材料聚[2-甲氧基-5-(2-乙基己氧基)-1,4-苯撑乙烯撑](MEH-PPV)复合制备了结构为“ITO/ZnO晶种/ZnO--NRs/MEH-PPV/A1”的发光器件。测试结果发现,该器件具有非常... 利用低温水热法生长的ZnO纳米棒(ZnO--NRs),和P型有机半导体材料聚[2-甲氧基-5-(2-乙基己氧基)-1,4-苯撑乙烯撑](MEH-PPV)复合制备了结构为“ITO/ZnO晶种/ZnO--NRs/MEH-PPV/A1”的发光器件。测试结果发现,该器件具有非常好的二极管整流特性。对ZnO~NRs/MEH-PPV异质结施加超过17V的反向偏压时,可同时获得两种半导体材料的发光,且ZnO近紫外光(380nm)发射强度远大于MEH-PPV的红橙光强度,发光功率随着反向偏压的增加迅速增强,然而施加正向偏压时未探测到发光。该器件的发光机理不同于其他文献报道的正偏压发光,而属于反偏压发光器件,其发光机理归因于有机无机复合异质结的界面特殊性和zno-NRs的纳米尺寸效应,反偏压下器件实现的是载流子隧穿发光,而正偏压时载流子以表面态的无辐射复合及漏电流方式消耗。 展开更多
关键词 ZNO纳米棒 有机无机复合 电致发光 穿
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