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SiC器件在雷达电源中的应用
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作者 卢胜利 熊才伟 漆岳 《现代雷达》 CSCD 北大核心 2019年第12期75-79,共5页
现代雷达的发展迫切需要电源提升功率密度和效率。基于第三代半导体碳化硅(SiC)材料的功率器件在耐压等级、高频工作、高温性能等方面有较大优势。文中详细阐述了SiC器件的特性和各类型SiC功率器件的发展现状,分析了SiC功率器件在雷达... 现代雷达的发展迫切需要电源提升功率密度和效率。基于第三代半导体碳化硅(SiC)材料的功率器件在耐压等级、高频工作、高温性能等方面有较大优势。文中详细阐述了SiC器件的特性和各类型SiC功率器件的发展现状,分析了SiC功率器件在雷达电源中的应用方向,并基于SiC金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)设计了阵面电源样机,完成了高开关频率性能测试。实验结果表明:SiC MOSFET的高频工作能降低系统损耗,并提升电源功率密度。 展开更多
关键词 碳化硅金属氧化物半导体场效应晶体管 开关频率 电源 全桥
TI两款电源产品再为行业树立新基准 预览
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作者 单祥茹 《中国电子商情:基础电子》 2016年第7期19-20,共2页
德州仪器(TI)在电源设计方面拥有30多年的专业经验,现有的电源产品已经超过2.5万个。近日,TI再次推出两款极具创新性的新产品,其中,SWIFT TPS548D22降压转换器在5mm×7mm的空间内输送高达40A的持续负载电流,是行业内输出电... 德州仪器(TI)在电源设计方面拥有30多年的专业经验,现有的电源产品已经超过2.5万个。近日,TI再次推出两款极具创新性的新产品,其中,SWIFT TPS548D22降压转换器在5mm×7mm的空间内输送高达40A的持续负载电流,是行业内输出电流最高的单相降压转换器;另一款TPS54A20 SWIFT同步DC/DC转换器,以超小尺寸实现12V、10A、10MHz的最高功率密度。两款产品的性能参数均为所在行业树立了新基准。 展开更多
关键词 降压转换器 SWIFT 基准电压 TI 电源产品 功率密度 电源设计 开关频率 开关电容电路 感测
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Cypress S6BP401A汽车ADAS平台电源管理方案 预览
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《世界电子元器件》 2016年第1期7-9,共3页
<正>S6BP401A是一款电源管理IC,由具有内置式开关FET的方形降压2.1MHz DC/DC转换器、双低压差稳压器(LDO)和数字窗口化看门狗定时器组成。S6BP401A内置有开关FET,实现了高功率转换效率和高达2.4MHz的高开关频率。内部FET能够处理... <正>S6BP401A是一款电源管理IC,由具有内置式开关FET的方形降压2.1MHz DC/DC转换器、双低压差稳压器(LDO)和数字窗口化看门狗定时器组成。S6BP401A内置有开关FET,实现了高功率转换效率和高达2.4MHz的高开关频率。内部FET能够处理高达3A的负载。由于S6BP401A采用电流模式架构,所以它具有快速的负载瞬态响应。内置式输出电压设置电阻和补偿电路降低了BOM成本和元件面积。 展开更多
关键词 ADAS 开关频率 低压差 补偿电路 电流模式 稳压器 功率转换效率 CYPRESS 看门狗定时器 输出电压
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用芯驱动世界,用心助力中国——纪录上海PCIM2016英飞凌媒体见面会和深圳2016英飞凌IGBT技术研讨会 预览
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《变频器世界》 2016年第7期19-20,共2页
英飞凌是全球领先的半导体公司,1999年英飞凌从西门子集团独立出来,公司和中国的渊源也因此与西门子集团一脉相承,在英飞凌17年的历史中,通过自身先进的半导体技术为中国各领域提供了强力的支持,同时中国市场也为英飞凌提供了一个广阔... 英飞凌是全球领先的半导体公司,1999年英飞凌从西门子集团独立出来,公司和中国的渊源也因此与西门子集团一脉相承,在英飞凌17年的历史中,通过自身先进的半导体技术为中国各领域提供了强力的支持,同时中国市场也为英飞凌提供了一个广阔的舞台,对英飞凌的发展贡献良多。 展开更多
关键词 英飞凌 IGBT技术 PCIM2016 中国制造 半导体技术 智能制造 制造强国 功率半导体 开关频率 硅器件
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ST LED5000:850kHz固定开关频率3A LED驱动方案 预览
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《世界电子元器件》 2015年第2期9-10,共2页
【正】ST公司的LED5000是850k Hz固定开关频率单片降压DC/DC转换控制器,驱动电流可高达3A,PWM LED亮度调光,输入电压5.5V~48V,±3%输出电流精度。主要用于高亮度LED驱动、街灯照明、信号标志牌和通用照明等应用。200mV典型RSENSE压... 【正】ST公司的LED5000是850k Hz固定开关频率单片降压DC/DC转换控制器,驱动电流可高达3A,PWM LED亮度调光,输入电压5.5V~48V,±3%输出电流精度。主要用于高亮度LED驱动、街灯照明、信号标志牌和通用照明等应用。200mV典型RSENSE压降可以提高效率。得益于高开关频率及其与陶瓷输出电容器的兼容性,使整个器件达到较小化。该设备完全防止过热、过流、输出短路。LED5000为HSOP8封装。 展开更多
关键词 固定开关频率 LED驱动 驱动方案 开关频率 通用照明 转换控制器 调光 电流消耗 压降 驱动电流
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基于新型分离输出拓扑结构的SiC-MOSFET功率模块应用 预览
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作者 林成栋 潘三博 +1 位作者 陈道杰 房亚军 《上海电机学院学报》 2015年第1期24-28,共5页
高频化和高功率密度化是电力电子装置发展的趋势,其中最核心的技术就是电力电子器件的高频化。随着应用中开关频率的进一步提高,SiC金属氧化物半导体场效应晶体管(SiCMOSFET)的体二极管正在成为瓶颈。SiC-MOSFET体二极管相对于SiC肖... 高频化和高功率密度化是电力电子装置发展的趋势,其中最核心的技术就是电力电子器件的高频化。随着应用中开关频率的进一步提高,SiC金属氧化物半导体场效应晶体管(SiCMOSFET)的体二极管正在成为瓶颈。SiC-MOSFET体二极管相对于SiC肖特基二极管,仍然偏大。介绍了一种新型的分离输出拓扑结构,在开关状态下,屏蔽体二极管的导通,降低反向恢复电流,从而降低SiC-MOSFET的开通损耗,同时抑制桥臂直通的风险。使用安捷伦功率器件分析仪B1505A对M34x功率模块进行了性能和效率测试,用VincotechISE软件对典型光伏逆变器的效率进行仿真分析。 展开更多
关键词 碳化硅金属氧化物半导体场效应晶体管(SiC-MOSFET) 逆变器 开关频率 寄生电感
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具电缆压降补偿功能的5V、2.5A USB、35V输入降压型稳压器
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作者 郑畅 《半导体信息》 2014年第5期23-24,共2页
【正】凌力尔特公司(Linear Technology Corporation)推出35 V输入降压型开关稳压器(具有60 V瞬态电压保护能力)LT3697,该器件专为给5 V USB应用供电而设计。LT3679可在2.5 A为一个远端USB端口提供精准的5 V调节,其采用了可编程电缆压... 【正】凌力尔特公司(Linear Technology Corporation)推出35 V输入降压型开关稳压器(具有60 V瞬态电压保护能力)LT3697,该器件专为给5 V USB应用供电而设计。LT3679可在2.5 A为一个远端USB端口提供精准的5 V调节,其采用了可编程电缆压降补偿以准确地校正一根长连接电缆的电压降,这与负 展开更多
关键词 降压型 USB 开关稳压器 压降 凌力尔特 瞬态电压 补偿功能 保护能力 开关频率 最大输出电流
一种先进交流变频电动机驱动电路的设计 预览
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作者 李春卉 王爱荣 侍才洪 《军事交通学院学报》 2014年第2期51-55,共5页
根据美科斯叉车集团公司开发新产品的要求,结合电动叉车低电压大电流的控制特点,以功率MOSFET为核心,设计了一种高开关频率下的自举推挽电路和门极快速放电回路。实验结果表明,控制系统波形质量好、推挽电路阻抗小、驱动能力强,减... 根据美科斯叉车集团公司开发新产品的要求,结合电动叉车低电压大电流的控制特点,以功率MOSFET为核心,设计了一种高开关频率下的自举推挽电路和门极快速放电回路。实验结果表明,控制系统波形质量好、推挽电路阻抗小、驱动能力强,减小了门极驱动损耗,增强了MOSFET抗干扰能力,具有良好的调速性能和较宽的调速范围。 展开更多
关键词 MOSFET 交流驱动 低电压大电流 开关频率
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eGaN FET步入商用阶段
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作者 吴琪乐 《半导体信息》 2012年第2期8-9,共2页
【正】eGaN FET两个最大的性能优势是可提供比MOSFET更高的效率和小得多的外形尺寸(通常D-PAK封装的MOSFET尺寸为65平方毫米,而采用超小型LGA封装的eGaN FET面积只有5.76平方毫米,缩小十几倍之多)。其它的性能优势包括:可很容易地与栅... 【正】eGaN FET两个最大的性能优势是可提供比MOSFET更高的效率和小得多的外形尺寸(通常D-PAK封装的MOSFET尺寸为65平方毫米,而采用超小型LGA封装的eGaN FET面积只有5.76平方毫米,缩小十几倍之多)。其它的性能优势包括:可很容易地与栅极驱动器集成、更高的功率密度、开 展开更多
关键词 平方毫米 功率密度 栅极驱动 通信电源 eGaN FET 开关频率 音频功放 以太网供电 晶圆制造 集中度
罗姆开始量产全球首款全SiC功率模块
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作者 郑冬冬 《半导体信息》 2012年第2期12-13,共2页
【正】罗姆从2012年3月开始量产在晶体管和二极管中都采用SiC的"全SiC"功率模块。据该公司介绍,全SiC功率模块的量产尚属"全球首次"。此次量产的全SiC功率模块的额定电压为1200 V,额定电流为100 A。分别
关键词 功率模块 SiC 罗姆 首款 额定电流 功率元件 额定电压 开关频率 中都 电力损耗
Yole:2012年功率半导体市场200亿美元
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作者 郑冬冬 《半导体信息》 2012年第4期39-40,共2页
【正】市调机构YoleDeveloppement指出,包括分立式半导体、模组和IC在内的功率元件市场规模预估2012年将达到200亿美元。这些产品可满足新兴的混合动力车应用,以及从太阳能逆变器到照明、加热器等多种应用,产品范围从几伏特到数千伏特... 【正】市调机构YoleDeveloppement指出,包括分立式半导体、模组和IC在内的功率元件市场规模预估2012年将达到200亿美元。这些产品可满足新兴的混合动力车应用,以及从太阳能逆变器到照明、加热器等多种应用,产品范围从几伏特到数千伏特都包含在内。Yole的分析师认为,中高压市场中的IGBT产值约为16亿美元。超接面(Superjunction)MOSFET正在朝更高开关频率的方向发展,预估2012年市场 展开更多
关键词 功率半导体 Yole 开关频率 功率元件 千伏特 分立式 太阳能逆变器 产品范围 市调 模组
IR推出可靠的超高速1200 V IGBT
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作者 马莉雅 《半导体信息》 2011年第5期21-22,共2页
【正】全球功率半导体和管理方案领导厂商国际整流器公司(International Rectifier,简称IR)近日推出针对感应加热、不间断电源(UPS)太阳能和焊接应用而
关键词 不间断电源 功率半导体 感应加热 IR V IGBT 国际整流器 开关频率 封装器件 反向偏压 销售副总裁
一种高精度的自激式多路输出稳压开关电源的设计 预览 被引量:3
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作者 张伟 曾成 张静 《通信电源技术》 2010年第4期 46-48,76,共4页
提出了一种高精度的自激式多路输出稳压开关电源,较以往多路输出开关电源,所用元件极少,其中自激控制部分仅用11个常用元件实现,但是其输出电源精度却很高。而且只需稍做修改,就可将电路中±9V转换为±12V,±15V,其中主回... 提出了一种高精度的自激式多路输出稳压开关电源,较以往多路输出开关电源,所用元件极少,其中自激控制部分仅用11个常用元件实现,但是其输出电源精度却很高。而且只需稍做修改,就可将电路中±9V转换为±12V,±15V,其中主回路稍作修改也可改为3.3V/4A精确输出。此电源电路简单,适用范围广。 展开更多
关键词 电源拓扑 自激式开关电源 开关频率 占空比
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5W至200W多相升压型DC/DC转换器:效率达96%的200W升压型DC/DC控制器
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《EDN CHINA 电子设计技术》 2005年第5期 90-91,共2页
利用10V栅极驱动电压(Vcc≥10V)和4A峰值驱动电流。LT3782能够通过驱动工业等级或标准MOSFET来提供高输出功率:LT3782是一款电流模式两相升压型DC/DC控制器,并具有高开关频率(每相高选500kHz).从而降低了对系统滤波电容和电感的要求。
关键词 DC/DC转换器 驱动电压 转换效率 电流模式 开关频率
第一套全部采用国产PDS高频阀的烯烃装置顺利开车 预览
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《化肥设计》 CAS 2016年第6期56-56,共1页
浙江卫星石化聚丙烯装置于2016年10月4号顺利开车,苏州安特威阀门有限公司所供27台高频球阀,最高开关频率达160万次/a,均运行稳定可靠,无一台出现故障,这是国内同类型装置第一次在整个项目上使用国产化高频球阀,打破了国外企业的垄断,PD... 浙江卫星石化聚丙烯装置于2016年10月4号顺利开车,苏州安特威阀门有限公司所供27台高频球阀,最高开关频率达160万次/a,均运行稳定可靠,无一台出现故障,这是国内同类型装置第一次在整个项目上使用国产化高频球阀,打破了国外企业的垄断,PDS高频阀国产化时代已经来临。长期以来,由于利润高、技术难度高(最高开关频率160万次/a、三相流、超细粉料、粘接性物料)等原因, 展开更多
关键词 开关频率 聚丙烯装置 球阀 三相流 粘接性 细粉料 PDS 开关
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Transphorm GaN HEMT新一代功率器件的介绍 预览
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作者 孙国伟 《世界电子元器件》 2015年第9期37-,共1页
<正>传统硅材料在开关电源系统上已经发展了几十年,就目前来讲硅材料的发展空间很有限了,GaN材料在LED以及RF上面被世人了解,不过目前已经发展进入了功率器件的应用领域因为GaN适合高频高压的场合。作为下一代功率器件,GaN HEMT... <正>传统硅材料在开关电源系统上已经发展了几十年,就目前来讲硅材料的发展空间很有限了,GaN材料在LED以及RF上面被世人了解,不过目前已经发展进入了功率器件的应用领域因为GaN适合高频高压的场合。作为下一代功率器件,GaN HEMT已经做好了替代Si MOSFET的一切准备,其强劲的性能主要表现在超好的技术参数RDSON、QG、QRR等一系列影响到功率器 展开更多
关键词 开关电源系统 应用领域 技术参数 导通损耗 开关频率 开关速度 十年 氮化镓 开关 驱动回路
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OptiMOS^TM 300V提高硬开关应用的效率,支持新型设计 预览
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《电子设计工程》 2015年第12期77-77,共1页
英飞凌科技股份公司(FSE:IFX/OTCQX:IFNNY)推出OptiM OSTM 300 V,壮大中压MOSFET产品阵容,树立功率场效应管市场新标准。300 V OptiM OSTM的发布有助于英飞凌进一步巩固其在通信电源、不间断电源(UPS)、电机控制、工业电源、和DC... 英飞凌科技股份公司(FSE:IFX/OTCQX:IFNNY)推出OptiM OSTM 300 V,壮大中压MOSFET产品阵容,树立功率场效应管市场新标准。300 V OptiM OSTM的发布有助于英飞凌进一步巩固其在通信电源、不间断电源(UPS)、电机控制、工业电源、和DC/AC逆变器等领域的市场领导地位。新推出的OptiM OS 300 V有助于提高功率密度,降低系统成本,并提供更高的可靠性。而对于最终用户,这意味着节省能源成本。譬如,在AC/DC变换器的硬开关应用中,OptiM OS 300 V可以将电能损耗降低50%。 展开更多
关键词 英飞凌科技 开关频率 产品阵容 开关 OPTIMOS TM 市场领导地位 功率密度 不间断电源 通信电源
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Intersil为二合一变形本、超极本和平板电脑推出高效节电方案 预览
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作者 王莹 《电子产品世界》 2015年第11期77-77,共1页
不久前,Intersil公司推出用于二合一变形本、超极本和平板电脑的新的节电解决方案:ISL95852高度集成电源管理IC(PMIC)和ISL95521电池充电器。两款器件均满足英特尔的IMVP8规范,可支持其最新“Skylake”第6代英特尔酷睿处理器。ISL95... 不久前,Intersil公司推出用于二合一变形本、超极本和平板电脑的新的节电解决方案:ISL95852高度集成电源管理IC(PMIC)和ISL95521电池充电器。两款器件均满足英特尔的IMVP8规范,可支持其最新“Skylake”第6代英特尔酷睿处理器。ISL95852和ISL95521采用Intersil拥有专利的R3? 展开更多
关键词 平板电脑 INTERSIL 电池充电器 酷睿 集成电源 电池续航时间 开关频率 调制技术 轻负载 电路板空间
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ST碳化硅肖特基二极管直接提高马达控制器能效
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作者 吴琪乐 《半导体信息》 2011年第5期25-25,共1页
【正】马达控制器和电源开关使用的普通硅二极管因为无法立即关断而导致电源能效损失1%,意法半导体(ST)最近率先推出可在开关操作中降低能耗的碳化硅(SiC)二极管。STPSC806D和STPSC1006D碳化硅肖特基二极管可用于马达控制器,全
关键词 肖特基二极管 ST 意法半导体 电源开关 马达控制 开关操作 硅二极管 开关频率 系统电源 硅器件
恩智浦推出全新Si基解决方案
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作者 江兴 《半导体信息》 2008年第1期22-22,共1页
关键词 恩智浦 SI基 开关频率 分立器件 工艺技术 超低噪声 运行频率 接收效果 性能需求
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