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“多塔”3D-SIC的量子粒子群测试调度方法 预览
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作者 崔小乐 王文明 +1 位作者 缪旻 金玉丰 《计算机辅助设计与图形学学报》 EI CSCD 北大核心 2017年第1期196-210,共15页
针对“多塔”结构的3D堆叠集成电路(3D-SIC)测试耗时很长的问题,提出一种基于量子粒子群优化的测试调度方法,以缩短测试时间.首先,构造初始粒子群用以表示初始可行解,产生具有量子行为的新粒子,并更新粒子群;然后进行粒子群的迭代进化... 针对“多塔”结构的3D堆叠集成电路(3D-SIC)测试耗时很长的问题,提出一种基于量子粒子群优化的测试调度方法,以缩短测试时间.首先,构造初始粒子群用以表示初始可行解,产生具有量子行为的新粒子,并更新粒子群;然后进行粒子群的迭代进化以获取全局最优解.最小化“终堆”测试时间和集成过程总测试的调度结果均表明,该方法可显著地缩短测试时间;当复杂晶片集成在3D-SIC底层时,“终堆”测试时间较短,而集成过程的总测试时间较长. 展开更多
关键词 “多塔” 3D-SIC 量子粒子群优化 测试调度 “部分堆” “终堆”
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基于硅通孔绑定后三维芯片测试调度优化方案 预览
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作者 聂牧 梁华国 +3 位作者 卞景昌 倪天明 徐秀敏 黄正峰 《计算机工程与科学》 CSCD 北大核心 2017年第3期458-463,共6页
三维芯片(3D-SIC)通过硅通孔TSV技术实现电路的垂直互连,有效提高了系统集成度和整体性能。由于三维芯片测试中,用于测试的引脚数和TSV数目以及测试时功耗的限制都对测试时间有很大的影响,拟提出一种装箱问题思想的测试方案,针对每层... 三维芯片(3D-SIC)通过硅通孔TSV技术实现电路的垂直互连,有效提高了系统集成度和整体性能。由于三维芯片测试中,用于测试的引脚数和TSV数目以及测试时功耗的限制都对测试时间有很大的影响,拟提出一种装箱问题思想的测试方案,针对每层只有一个晶片的“单塔”结构和每层有多个晶片的“多塔”结构进行测试调度优化。该优化方案在控制测试引脚数、测试TSV数目与测试功耗的同时,能有效缩短测试时间。实验结果表明,与同类方案相比,在多种限制条件和不同结构中,都有着显著的优化结果。其中“单塔”最高优化45.28%的测试时间,“多塔”最高优化了27.78%的测试时间。 展开更多
关键词 三维芯片 装箱问题 测试调度 “多塔”
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溶胶-凝胶法在3D-SiC陶瓷表面制备纳米MgO薄膜 预览
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作者 喻亮 马娅娜 +1 位作者 茹红强 岳新艳 《东北大学学报:自然科学版》 EI CAS CSCD 北大核心 2010年第8期1121-1125,共5页
以Mg(NO3)2.6H2O为原料,无水乙醇为溶剂,胶棉液为表面活性剂,利用溶胶-凝胶法制备了MgO溶胶,并利用浸渍提拉法在三维网络-碳化硅(3D-SiC)陶瓷骨架表面涂覆MgO溶胶,经煅烧制得纳米MgO薄膜.利用X射线衍射仪(XRD)和扫描电子显微镜(... 以Mg(NO3)2.6H2O为原料,无水乙醇为溶剂,胶棉液为表面活性剂,利用溶胶-凝胶法制备了MgO溶胶,并利用浸渍提拉法在三维网络-碳化硅(3D-SiC)陶瓷骨架表面涂覆MgO溶胶,经煅烧制得纳米MgO薄膜.利用X射线衍射仪(XRD)和扫描电子显微镜(SEM)分析了薄膜的物相和显微结构.结果表明,利用浸渍提拉法在HF溶液浸蚀后的3D-SiC骨架表面涂覆质量比m(Mg(NO3)2.6H2O)∶m(胶棉液)=1.0的MgO溶胶后,在80℃干燥10 min,再升至480℃干燥10 min,最后800℃煅烧1 h,可制备出致密平整,厚度为0.8~1.0μm的纳米MgO薄膜.薄膜与骨架结合良好,MgO晶粒平均粒径约为500 nm. 展开更多
关键词 纳米MgO薄膜 溶胶-凝胶法 浸渍提拉法 三维网络碳化硅
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含有缺陷3C-SiC陶瓷拉伸性能的分子动力学模拟
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作者 马小强 徐喻琼 +3 位作者 苏华山 杜晓超 袁显宝 周建军 《原子与分子物理学报》 CAS 北大核心 2019年第4期688-695,共8页
SiC纤维增韧SiC基复合材料(SiCf/SiC)由于其优越的性能而成为新一代核能系统重要候选材料之一.材料中的缺陷会使材料的力学性能发生变化,本文运用分子动力学程序LAMMPS模拟计算了分别含有空位、微空洞和反位替代三种缺陷的3C-SiC结构体... SiC纤维增韧SiC基复合材料(SiCf/SiC)由于其优越的性能而成为新一代核能系统重要候选材料之一.材料中的缺陷会使材料的力学性能发生变化,本文运用分子动力学程序LAMMPS模拟计算了分别含有空位、微空洞和反位替代三种缺陷的3C-SiC结构体系沿[100]方向的拉伸变形过程,原子间相互作用采用Tersoff多体势描述.通过模拟得到不同缺陷体系的应力-应变曲线和拉伸过程中体系能量,通过分析应力-应变曲线,得到了不同缺陷体系的杨氏模量、断裂应变、拉伸强度随缺陷"浓度"的变化关系,最后分析了3C-SiC拉伸断裂机理.研究结果表明,空位和微空洞对杨氏模量、拉升强度的影响类似,都是随着缺陷"浓度"的增加而减小,反位替代缺陷使体系的杨氏模量随缺陷"浓度"的增加而增大. 展开更多
关键词 3C-SIC 分子动力学 单轴拉伸 力学性能 断裂机理
Fe催化硅藻土碳热还原反应制备3C-SiC及其机理
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作者 王军凯 张远卓 +3 位作者 李赛赛 葛胜涛 宋健波 张海军 《材料研究学报》 CSCD 北大核心 2018年第10期767-774,共8页
以工业硅藻土和液态酚醛树脂为原料,以硝酸铁为催化剂前驱体,采用催化碳热还原反应方法制备了3C-SiC粉体,采用XRD、SEM和TEM分析了产物的物相组成和显微结构,研究了反应温度、催化剂用量和保温时间对合成3C-SiC粉体的影响。结果表明:1... 以工业硅藻土和液态酚醛树脂为原料,以硝酸铁为催化剂前驱体,采用催化碳热还原反应方法制备了3C-SiC粉体,采用XRD、SEM和TEM分析了产物的物相组成和显微结构,研究了反应温度、催化剂用量和保温时间对合成3C-SiC粉体的影响。结果表明:1)当添加1.0%(质量分数)的Fe作催化剂在1400℃反应3 h后即可合成纯相的3C-SiC;相比之下,不使用催化剂时在相同条件下3C-SiC的产率只有15%;2)所合成的3C-SiC颗粒的粒径大部分为纳米级,少量为亚微米级;3)基于密度泛函理论的计算结果表明,催化剂Fe促进了Si-O键的断裂。 展开更多
关键词 无机陶瓷材料 3C-SIC 催化碳热还原反应 硅藻土 密度泛函理论
3C-SiC表面电子结构及光学性质的第一性原理计算 预览
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作者 范梦慧 岑伟富 +3 位作者 蔡勋明 廖杨芳 谢晶 谢泉 《人工晶体学报》 CSCD 北大核心 2018年第7期1346-1352,共7页
采用第一性原理对3C-SiC块体和3C-SiC(111)、(110)和(100)三个表面的电子结构和光学性质进行理论计算。计算结果表明:3C-SiC块体是带隙为1.44 eV的G-M间接带隙半导体,3C-SiC(111)表面是带隙为2.05 eV的M-G间接带隙半导体,3C-Si... 采用第一性原理对3C-SiC块体和3C-SiC(111)、(110)和(100)三个表面的电子结构和光学性质进行理论计算。计算结果表明:3C-SiC块体是带隙为1.44 eV的G-M间接带隙半导体,3C-SiC(111)表面是带隙为2.05 eV的M-G间接带隙半导体,3C-SiC(110)表面形成带隙值为0.87 eV的直接带隙半导体;3C-SiC(100)表面转变为导体。由光学性质分析得到,与3C-SiC块体比较,3C-SiC(100)、(110)、(111)表面的介电函数,吸收谱,反射谱,能量损失函数等均出现红移。 展开更多
关键词 3C-SIC 表面 电子结构 光学性质 第一性原理
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Influence of Triangle Structure Defect on the Carrier Lifetime of the 4H-SiC Ultra-Thick Epilayer
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作者 钮应喜 汤晓燕 +6 位作者 贾仁需 桑玲 胡继超 杨霏 吴军民 潘艳 张玉明 《中国物理快报:英文版》 SCIE CAS CSCD 2018年第7期77-80,共4页
关键词 4H-SIC 三角结构 搬运 3C-SIC 电子显微镜 光致发光 类型 TD
钴铝共掺3C-SiC电子结构和磁性的第一性原理计算
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作者 李鑫 范梦慧 +1 位作者 杨云飞 谢泉 《原子与分子物理学报》 北大核心 2018年第5期884-890,共7页
采用基于密度泛函理论的第一性原理计算方法,分别计算了不同Co原子比例单掺杂、Al原子单掺杂和Co-Al共掺杂3C-SiC的电子结构和磁性参数.结果表明:随着掺杂Co原子比例的增大,单个Co原子对体系总磁矩贡献的平均值反而减小.由电子态密度分... 采用基于密度泛函理论的第一性原理计算方法,分别计算了不同Co原子比例单掺杂、Al原子单掺杂和Co-Al共掺杂3C-SiC的电子结构和磁性参数.结果表明:随着掺杂Co原子比例的增大,单个Co原子对体系总磁矩贡献的平均值反而减小.由电子态密度分析掺杂3C-SiC体系中的磁性来源,主要是由Co-3d以及Co原子附近的C-2p电子轨道的自旋极化产生的.Al单掺3C-SiC时体系中每个原子的平均磁矩和体系总磁矩均为0,即Al单掺杂体系不具有磁性.而Co-Al共掺杂得到的体系总磁矩比单掺等量Co时要大约0.09μB,即Co-3d与Al-3p电子轨道发生轨道杂化,使得Co-Al共掺杂可以增大Co原子对体系总磁矩的贡献. 展开更多
关键词 第一性原理 3C-SIC 电子结构 磁性 共掺杂
利用侧向生长机制在偏向4H-SiC衬底上生长3C-SiC 预览
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作者 李斌 魏汝省 田牧 《电子工艺技术》 2017年第1期41-44,共4页
引入了一种采用升华外延法在偏向4H-SiC衬底上生长3C-SiC的方法,提出了3C-SiC薄膜的生长模型,通过控制实现原位立方相3C成核,再沿台阶流方向侧向扩展3C-SiC单晶区域。连续多批次生长1 mm厚高质量3C-SiC样品,证明了该生长工艺的稳定性及... 引入了一种采用升华外延法在偏向4H-SiC衬底上生长3C-SiC的方法,提出了3C-SiC薄膜的生长模型,通过控制实现原位立方相3C成核,再沿台阶流方向侧向扩展3C-SiC单晶区域。连续多批次生长1 mm厚高质量3C-SiC样品,证明了该生长工艺的稳定性及重复性,XRD摇摆曲线半高宽(FWHM)34″~48″,表明结晶质量非常好。低温光致发光谱同样显示高结晶质量,残余N浓度(1~2)×10^16 cm^-3。这种3C-SiC材料的生长理念可以用于均匀3C-SiC薄膜材料制备或者为3C-SiC体块单晶生长提供籽晶。 展开更多
关键词 3C-SiC薄膜 侧向生长 偏向4H-SiC衬底
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B、N单掺杂3C-SiC电子结构和光学性质的第一性原理研究 被引量:2
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作者 杨云飞 张晋敏 +1 位作者 范梦慧 李鑫 《原子与分子物理学报》 北大核心 2017年第6期1187-1192,共6页
采用第一性原理的密度泛函理论赝势平面波方法,计算了未掺杂与B、N单掺杂3C-SiC的电子结构和光学性质.结果表明:掺杂改变了3C-SiC费米面附近的电子结构;B掺杂使得禁带宽度减小,价带顶上移,费米能级进入价带,形成p型半导体;N掺杂使得禁... 采用第一性原理的密度泛函理论赝势平面波方法,计算了未掺杂与B、N单掺杂3C-SiC的电子结构和光学性质.结果表明:掺杂改变了3C-SiC费米面附近的电子结构;B掺杂使得禁带宽度减小,价带顶上移,费米能级进入价带,形成p型半导体;N掺杂使得禁带宽度减小,导带底下移,费米能级进入导带,形成n型半导体.B、N掺杂均提高了3C-SiC在低能区的折射率、消光系数和吸收系数,增强了对红外光谱的吸收. 展开更多
关键词 3C-SIC 掺杂 电子结构 光学性质 第一性原理
微悬臂梁弯曲法测量3C-SiC薄膜断裂强度
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作者 路远 董培涛 吴学忠 《纳米技术与精密工程》 CAS CSCD 北大核心 2017年第2期87-92,共6页
针对恶劣环境下MEMS对高强度材料的需求,采用化学气相沉积(CVD)外延生长3C-SiC薄膜.利用微力学操纵系统,对3C-SiC微悬臂梁进行了弯曲实验.利用厚板结构的有限元仿真和威布尔统计,得到3C-SiC薄膜断裂强度.结果表明:不同尺寸3C-SiC微... 针对恶劣环境下MEMS对高强度材料的需求,采用化学气相沉积(CVD)外延生长3C-SiC薄膜.利用微力学操纵系统,对3C-SiC微悬臂梁进行了弯曲实验.利用厚板结构的有限元仿真和威布尔统计,得到3C-SiC薄膜断裂强度.结果表明:不同尺寸3C-SiC微悬臂梁威布尔特征强度为1 852.15 MPa、2 554.56 MPa、2 598.39 MPa、2 911.64 MPa,威布尔模数分别为9.547、11.541、18.909、20.733.断裂强度随微悬臂梁宽度增加而减小,威布尔模数也减小,分析认为:结构尺寸越大的微悬臂梁,含有的生长缺陷(如孔洞、裂纹等)越多,造成其断裂强度越低. 展开更多
关键词 3C-SiC薄膜 微悬臂梁 弯曲实验 威布尔统计 断裂强度
Si基(100)取向3C-SiC单晶薄膜生长工艺技术研究 预览 被引量:1
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作者 毛开礼 王英民 +1 位作者 李斌 赵高扬 《电子工艺技术》 2017年第3期128-130,151共4页
为了改善3C-SiC单晶薄膜结晶质连SiC单晶薄膜微观结构与碳化工艺是3C-SiC/Si异质外延研究的关键。研究了碳化工艺、3C-SiC薄膜外延生长温度、x(C)/x(Si)气相摩尔比等对于Si基3C-SiC薄膜表面质量和结晶质量的影响,获得(100)单晶Si... 为了改善3C-SiC单晶薄膜结晶质连SiC单晶薄膜微观结构与碳化工艺是3C-SiC/Si异质外延研究的关键。研究了碳化工艺、3C-SiC薄膜外延生长温度、x(C)/x(Si)气相摩尔比等对于Si基3C-SiC薄膜表面质量和结晶质量的影响,获得(100)单晶Si衬底生长高质量3C-SiC薄膜工艺。通过光学显微镜、XRD射线2θ-ω、XRD摇摆曲线等分析Si基3C-SiC薄膜表面质量和单晶特性。研究表明,在x(C)/x(Si)气相摩尔比为1.6时,采用"两步碳化工艺"在1 385℃生长1 h获得的3C-SiC薄膜为类单晶薄膜,3C-SiC薄膜(200)衍射峰的摇摆曲线半峰宽约为0.19°。 展开更多
关键词 Si单晶衬底 3C-SiC单晶薄膜 修正的两步碳化工艺
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Al2O3修饰3D-SiC/Al复合材料的制备与性能 预览
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作者 张大川 汪冬梅 +1 位作者 郑治祥 吴玉程 《功能材料》 CSCD 北大核心 2017年第5期5211-5215,共5页
用Al_2O_3作为界面修饰剂,通过反应烧结,在SiC颗粒之间形成莫来石界面,制备SiC预制件,采用无压熔渗法制备3D-SiC/Al互穿式连续结构复合材料。基于正交实验研究了Al_2O_3添加量、预制件烧结时间、熔渗温度和熔渗时间对3D-SiC/Al复合材料... 用Al_2O_3作为界面修饰剂,通过反应烧结,在SiC颗粒之间形成莫来石界面,制备SiC预制件,采用无压熔渗法制备3D-SiC/Al互穿式连续结构复合材料。基于正交实验研究了Al_2O_3添加量、预制件烧结时间、熔渗温度和熔渗时间对3D-SiC/Al复合材料抗弯强度和热导率的影响。实验结果表明,Al_2O_3添加量对复合材料抗弯强度和热导率影响显著,复合材料获得最大抗弯强度344 MPa和热导率165 W/(m·K)的制备工艺为:氧化铝添加量2.0%(原子分数),预制件烧结时间2h,熔渗温度950℃,熔渗时间1h。 展开更多
关键词 抗弯强度 无压熔渗 互穿式连续结构碳化硅铝复合材料 氧化铝修饰
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拉曼光谱在SiC单晶中的应用 预览
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作者 姜志艳 《数字技术与应用》 2017年第5期107-109,共3页
本文主要讲述拉曼光谱仪在碳化硅单晶的应用。拉曼光谱谱峰尖锐清晰,适合定性研究碳化硅单晶衬底的分子结构及组成,晶体的立体规整性,结晶与去向,晶体的表面及界面的结构。通过分析晶体的拉曼光谱,可以完善3C-SiC单晶薄膜结晶质量,进一... 本文主要讲述拉曼光谱仪在碳化硅单晶的应用。拉曼光谱谱峰尖锐清晰,适合定性研究碳化硅单晶衬底的分子结构及组成,晶体的立体规整性,结晶与去向,晶体的表面及界面的结构。通过分析晶体的拉曼光谱,可以完善3C-SiC单晶薄膜结晶质量,进一步修正碳化硅单晶生长工艺。 展开更多
关键词 Si单晶衬底 3C-SiC单晶薄膜 碳化工艺
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催化反应制备碳化硅纳米粉体的密度泛函理论计算及实验研究 预览 被引量:1
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作者 王军凯 韩磊 +3 位作者 黄亮 张海军 李俊怡 李赛赛 《高等学校化学学报》 CSCD 北大核心 2017年第9期1602-1610,共9页
以Si_(55),Si_(43)M_(12)和Si_(37)M_(18)(M=Fe,Co或Ni)团簇为模型,采用密度泛函理论(DFT)研究了Fe,Co及Ni纳米团簇催化硅粉转化为SiC的机理.计算结果表明,Fe,Co及Ni纳米催化剂先与Si形成合金,拉长并弱化Si—Si键的强度,... 以Si_(55),Si_(43)M_(12)和Si_(37)M_(18)(M=Fe,Co或Ni)团簇为模型,采用密度泛函理论(DFT)研究了Fe,Co及Ni纳米团簇催化硅粉转化为SiC的机理.计算结果表明,Fe,Co及Ni纳米催化剂先与Si形成合金,拉长并弱化Si—Si键的强度,起到活化Si粉的作用;合金的形成有利于C原子的吸附及Si原子和C原子间的反应;Fe的催化能力强于Co和Ni.在此基础上,以Si粉和酚醛树脂为原料,以Fe,Co及Ni硝酸盐为催化剂前驱体,通过微波加热反应制备了3C-SiC纳米粉体.研究了催化剂种类、反应温度、催化剂用量和反应时间等对制备3C-SiC纳米粉体的影响.结果表明,催化剂Fe,Co和Ni的加入均可显著降低3C-SiC的合成温度.当以2.0%(质量分数)的Fe为催化剂时,Si粉在1100℃下反应30 min后即可全部转化为3C-SiC纳米粉体;而在相同条件下,无催化剂时Si粉的完全转化温度为1250℃;Fe的催化效果优于Co和Ni,与DFT计算结果吻合. 展开更多
关键词 密度泛函理论 碳化硅纳米粉体 催化碳化反应 硅粉 酚醛树脂
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以石墨烯为碳源对SiC纳米颗粒的制备和表征
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作者 唐侠侠 姚宝殿 郝惠莲 《现代化工》 CAS CSCD 北大核心 2016年第4期121-124,共4页
采用石墨烯和Si粉为原材料,利用气固法在无催化剂的条件下成功制备出耐高温、抗氧化、抗辐射的宽带隙半导体材料——Si C纳米颗粒,并研究不同的煅烧条件对实验样品的影响。实验样品经X射线衍射(XRD)、扫描电子显微镜(SEM)、透射电... 采用石墨烯和Si粉为原材料,利用气固法在无催化剂的条件下成功制备出耐高温、抗氧化、抗辐射的宽带隙半导体材料——Si C纳米颗粒,并研究不同的煅烧条件对实验样品的影响。实验样品经X射线衍射(XRD)、扫描电子显微镜(SEM)、透射电子显微镜(TEM)以及拉曼光谱(Raman)等手段进行分析表征测试。结果表明,在没有催化剂参与的情况下,将石墨烯和Si粉置于石墨坩埚中,并抽真空10^(-3)Pa条件下成功制备了3C-Si C和2H-Si C混合晶型的纳米颗粒。 展开更多
关键词 3C-SIC 2H-SiC 石墨烯 气固法
3C-SiC辐照诱发缺陷演化及温度效应分子动力学模拟 预览 被引量:2
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作者 马小强 袁大庆 +5 位作者 夏海鸿 范平 张乔丽 左(走翼) 艾尔肯·阿不列木 朱升云 《原子能科学技术》 EI CAS CSCD 北大核心 2016年第2期219-226,共8页
运用分子动力学方法,采用LAMMPS程序模拟了3C-SiC中的级联碰撞过程。研究了不同初始运动方向、不同能量下的PKA级联碰撞产生点缺陷的演化,结果表明,级联碰撞产生的空位数与PKA初始运动方向无关而与PKA能量之间呈线性关系。通过对级联碰... 运用分子动力学方法,采用LAMMPS程序模拟了3C-SiC中的级联碰撞过程。研究了不同初始运动方向、不同能量下的PKA级联碰撞产生点缺陷的演化,结果表明,级联碰撞产生的空位数与PKA初始运动方向无关而与PKA能量之间呈线性关系。通过对级联碰撞过程中热峰、损伤区域瞬态温度分布分析可看出,级联碰撞过程中会产生高温区域,且此区域大小随时间的变化与PKA能量无关。 展开更多
关键词 3C-SIC 分子动力学 级联碰撞 缺陷 温度效应
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强激光照射对3C-SiC晶体电子特性的影响 预览
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作者 邓发明 高涛 《化学研究与应用》 CAS CSCD 北大核心 2016年第5期681-687,共7页
运用赝势和密度泛函微扰理论的从头计算方法,对具有闪锌矿结构的3C-SiC 晶体在强激光照射下的电子特性进行了研究.发现3C-SiC 平衡晶格参数随电子温度Te 的升高在逐渐增大;当Te 在0eV - 1. 5eV 范围内增大时,价带顶和导带底向低能量方... 运用赝势和密度泛函微扰理论的从头计算方法,对具有闪锌矿结构的3C-SiC 晶体在强激光照射下的电子特性进行了研究.发现3C-SiC 平衡晶格参数随电子温度Te 的升高在逐渐增大;当Te 在0eV - 1. 5eV 范围内增大时,价带顶和导带底向低能量方向移动;当Te 〉1. 5eV 以后,价带顶和导带底向高能量方向移动;当Te在0eV -5eV 范围内时,带隙随电子温度升高也增大.Te 超过5. 1eV 后,价带顶穿越费米能级而导致金属性增强.在Te =0eV 和Te =8eV 处,计算了3C-SiC 晶体的总电子态密度和分波态密度;电子结构表明Te =0eV时,3C-SiC 是一个带有带隙为1. 31eV 的间接带隙半导体;在Te =8eV 时,带隙已经消失而呈现出金属特性,表明当电子温度升高时晶体的共价键变弱、金属键增强,晶体经历了一个熔化过渡到金属状态. 展开更多
关键词 3C-SIC 电子特性 激光照射 密度泛函微扰理论
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基于CVD方法生长在硅基底上立方碳化硅的拉曼散射研究(英文) 预览
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作者 陈帅 谢灯 +5 位作者 丘志仁 TIN Chin-che 王洪朝 梅霆 万玲玉 冯哲川 《光散射学报》 北大核心 2016年第2期125-130,共6页
立方碳化硅(3C-SiC)薄膜通过化学气相沉积(CVD)制备在Si(100)衬底上。本论文主要通过椭偏光谱仪(SE)和拉曼散射仪对3C-SiC薄膜的微观结构和光学性能进行进一步的研究。根据SE的分析获得3CSiC薄膜厚度;根据拉曼散射的分析:可从T... 立方碳化硅(3C-SiC)薄膜通过化学气相沉积(CVD)制备在Si(100)衬底上。本论文主要通过椭偏光谱仪(SE)和拉曼散射仪对3C-SiC薄膜的微观结构和光学性能进行进一步的研究。根据SE的分析获得3CSiC薄膜厚度;根据拉曼散射的分析:可从TO模式和LO模式的线形形状的拟合得到样品的相关长度和载流子浓度。结果表明:该碳化硅(3C-SiC)薄膜质量随膜厚度增加而得到提高,同时分析了外延层厚度对薄膜特性的影响。 展开更多
关键词 3C碳化硅 光谱椭偏仪 拉曼散射 厚度
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Assessment of neutron-irradiated 3C-SiC implanted at 800 ℃ 预览
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作者 J.A.A.Engelbrecht G.Deyzel +2 位作者 E.G.Minnaar W.E.Goosen I.J.Van Rooyen 《应用光学》 CAS CSCD 北大核心 2015年第6期937-941,共5页
The favourable physical properties of SiC make it a potential material for use as containment layer in new generation nuclear reactors.The material will thus be exposed to high temperatures and fluences from fission p... The favourable physical properties of SiC make it a potential material for use as containment layer in new generation nuclear reactors.The material will thus be exposed to high temperatures and fluences from fission products.The impact of increasing neutron fluence at constant irradiation temperature(800℃)on the properties of neutron-irradiated 3C-SiC was investigated,employing infrared reflectance spectroscopy and atomic force spectroscopy.A relation was found between the neutron fluence and the surface morphology of the irradiated 3CSiC.The varying surface morphology also affected the dielectric parameters of the SiC. 展开更多
关键词 3C-SIC NEUTRON-IRRADIATION INFRARED reflectance sp
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