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磁控溅镀法制备Al掺杂ZnO薄膜的特性分析
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作者 孙彦清 娄本浊 黄朝军 《原子与分子物理学报》 CAS 北大核心 2019年第3期485-490,共6页
以射频磁控溅镀法在柔性聚碳酸酯基板上成长Al掺杂ZnO薄膜,利用XRD、AES、霍尔效应测试仪及单色分光计测量分析Al靶功率对薄膜光电特性的影响.XRD分析表明所有薄膜的衍射峰皆以(002)面为主,Al靶功率为25 W时(002)面衍射峰强度最大,此时... 以射频磁控溅镀法在柔性聚碳酸酯基板上成长Al掺杂ZnO薄膜,利用XRD、AES、霍尔效应测试仪及单色分光计测量分析Al靶功率对薄膜光电特性的影响.XRD分析表明所有薄膜的衍射峰皆以(002)面为主,Al靶功率为25 W时(002)面衍射峰强度最大,此时薄膜结晶性最佳;AES分析表明随着Al靶功率的增大,Al含量由0 at.%增至18.01 at.%,Zn含量则由72.51 at.%降至38.39 at.%,而O含量没有太大变化,这说明Al可以取代ZnO中Zn的位置;霍尔效应测量表明Al靶功率为25 W时电阻率最小,约为7.75×10^-4Ω·cm,而载子浓度及其迁移率则达到最大,分别约为9.35×10^20 cm^-3与8.64 cm^2/(V·s);分光计测量表明薄膜在可见光区的平均透射率可约达90%以上,说明本研究制备的Al掺杂ZnO薄膜是具有高透射率的透明导电薄膜. 展开更多
关键词 透明导电薄膜 ZNO薄膜 AL掺杂 柔性基板 射频磁控溅镀 光电特性
Al掺杂TiO2基晶体材料电子结构及光学性质的理论研究 被引量:1
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作者 唐文翰 房慧 +4 位作者 李凡生 黄灿胜 余小英 郑鑫 王如志 《量子电子学报》 CAS CSCD 北大核心 2019年第1期116-122,共7页
采用密度泛函理论计算分析的方法系统研究了Al掺杂TiO2基晶体材料的电子结构和光学性质.结果表明,本征TiO2材料具有直接带隙型能带,其带隙宽度为2.438 eV,Al掺杂TiO2材料同样具有直接带隙型能带,其带隙宽度降低至2.329 eV.本征TiO2与Al... 采用密度泛函理论计算分析的方法系统研究了Al掺杂TiO2基晶体材料的电子结构和光学性质.结果表明,本征TiO2材料具有直接带隙型能带,其带隙宽度为2.438 eV,Al掺杂TiO2材料同样具有直接带隙型能带,其带隙宽度降低至2.329 eV.本征TiO2与Al掺杂的TiO2材料均含有五个子能带,但是Al掺杂TiO2材料子能带位置发生改变.Al掺杂在TiO2材料价带中引入大量新的能级,降低了费米能级上的态密度,Al掺杂为n型掺杂.对于Al掺杂TiO2材料来说,s态电子和p态电子主要在Al掺杂TiO2材料的带内跃迁过程起较大的作用.Al掺杂的TiO2材料最强的介电吸收峰在320 nm附近,Al掺杂拓展了TiO2材料的光吸收范围,其介电吸收能量范围向长波方向移动.本征TiO2及Al掺杂TiO2材料在1000 nm以下波长的折射率曲线相似.Al掺杂TiO2材料在500 nm以下的折射率较本征TiO2材料降低,而500 nm以上折射率较本征TiO2材料增大. 展开更多
关键词 光电子学 TIO2 AL掺杂 电子结构 光学性质
磁控溅射Cr/CrN/CrAlSiN复合涂层高温氧化行为研究 预览
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作者 张雪 常伟杰 +4 位作者 张豪 谢声亮 严臣 韩若祺 多树旺 《江西科技师范大学学报》 2019年第6期31-35,共5页
采用等离子增强磁控溅射(Plasma Enhanced Magnetron Sputtering,PEMS)技术通过改变Al靶功率成功制备了不同Al含量Cr/CrN/CrAlSiN多层纳米复合涂层。本实验先将试样在900℃下保温15 h后随炉冷却至室温,分别采用X射线衍射仪(XRD)、场发... 采用等离子增强磁控溅射(Plasma Enhanced Magnetron Sputtering,PEMS)技术通过改变Al靶功率成功制备了不同Al含量Cr/CrN/CrAlSiN多层纳米复合涂层。本实验先将试样在900℃下保温15 h后随炉冷却至室温,分别采用X射线衍射仪(XRD)、场发射电子扫描显微镜(FESEM)以及能量散射X射线能谱仪(EDS)分析了涂层氧化前后的晶体结构,表、截面形貌及化学元素种类、分布,另外使用原子力显微镜(AFM)表征了涂层的三维形貌与粗糙度。随着Al含量的增加,涂层晶粒尺寸、膜厚度及表面粗糙度均逐渐增大,晶粒沿着CrN(200)晶面呈现出择优取向。氧化后涂层表面形成了致密的Al2O3、SiO2及Cr2O3混合氧化物薄膜,可有效抑制氧的进一步扩散。多层涂层对基体具有良好的保护作用,且Al含量为15.18%时,纳米复合涂层的综合性能最佳。 展开更多
关键词 CrAlSiN涂层 AL掺杂 抗高温氧化性能 氧化机制 磁控溅射
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Al掺杂对ZnO薄膜形貌和光学性能的影响 被引量:1
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作者 王航 师清奎 +3 位作者 李谦 顾永军 李丽华 黄金亮 《半导体光电》 CAS 北大核心 2019年第2期234-238,共5页
采用溶胶-凝胶旋涂法在FTO玻璃衬底上制备得到了不同Al掺杂浓度的ZnO薄膜(AZO)。利用XRD、FESEM、UV-vis和PL等测试手段对样品结构、形貌和光学性能进行了表征。结果表明,合成的AZO薄膜均为六方纤锌矿结构且峰强随掺杂浓度的升高而减弱... 采用溶胶-凝胶旋涂法在FTO玻璃衬底上制备得到了不同Al掺杂浓度的ZnO薄膜(AZO)。利用XRD、FESEM、UV-vis和PL等测试手段对样品结构、形貌和光学性能进行了表征。结果表明,合成的AZO薄膜均为六方纤锌矿结构且峰强随掺杂浓度的升高而减弱;同时,颗粒形貌由不规则向规则球形转变且尺寸逐渐减小;PL谱中的近紫外发射峰和晶格缺陷峰值随掺杂浓度的升高先增大后降低;由UV-vis吸收光谱可知,AZO薄膜在设定波长内的光吸收处于波动状态,且当Al掺杂浓度为3%时,光吸收强度最高,禁带宽度减小到3.12eV。 展开更多
关键词 ZNO薄膜 AL掺杂 溶胶-凝胶法 光学性能
锰酸锂包覆试验研究 预览
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作者 邓光矿 李华成 +2 位作者 杨英全 司徒露露 黄丽萍 《化学工程与技术》 2019年第6期444-455,共12页
本试验采用高温固相法经二次煅烧结合成锰酸锂。在烧结时间、烧结温度不变的情况下,通过对振实密度(TD)、粒度分布、pH值、电化学性能进行测试,探究不同Al掺杂量对锰酸锂材料性能的影响。试验研究表明,当Al掺杂量为0.8%,二次烧结温度为... 本试验采用高温固相法经二次煅烧结合成锰酸锂。在烧结时间、烧结温度不变的情况下,通过对振实密度(TD)、粒度分布、pH值、电化学性能进行测试,探究不同Al掺杂量对锰酸锂材料性能的影响。试验研究表明,当Al掺杂量为0.8%,二次烧结温度为700℃,烧结时间为10 h时,锰酸锂的性能达到最佳。此时,粒度D50为15.50微米,振实密度达到2.03 g/cm3,在3.0~4.4 V电压范围和0.2 C倍率的条件下,电池材料的初始容量为116.46 mAh/g,50次循环容量保持率为96.13%。本论文的试验研究结果对于锰酸锂材料的改性具有一定的参考意义。 展开更多
关键词 锰酸锂 AL掺杂 锂离子电池 电性能
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高k栅介质Al微掺杂HfO2电学特性研究 预览
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作者 李佳帅 刘倩倩 +1 位作者 张静 闫江 《北方工业大学学报》 2018年第5期58-63,共6页
随着纳米器件的进一步微缩,Hf基高k材料已无法满足其发展需求,需要引入新的高k材料.为了减小纳米器件的等效氧化层厚度(EOT),向HfO2中掺入Al元素,并分别在N2、O2氛围下,对其进行不同时间(15s、30s和60s)的后沉积退火(PDA)... 随着纳米器件的进一步微缩,Hf基高k材料已无法满足其发展需求,需要引入新的高k材料.为了减小纳米器件的等效氧化层厚度(EOT),向HfO2中掺入Al元素,并分别在N2、O2氛围下,对其进行不同时间(15s、30s和60s)的后沉积退火(PDA),退火温度为650℃.结果表明,随着退火时间的增加,O2中样品的EOT、栅极泄漏电流(Ig)以及平带电压(Vfb)均未出现明显变化,而N2中样品的EOT在退火时间为30s时急剧下降,h也有昕上升.最终,退火温度650℃,退火时间30s为最佳退火条件,此时EOT为0.88nm,满足14/16nm技术节点的要求. 展开更多
关键词 AL掺杂 Hf0栅介质 退火时间 高k EOT
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Al掺杂对Fe2Si电子结构和磁学特性的影响 预览 被引量:2
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作者 李瑞杰 杨吟野 +2 位作者 岑伟富 吕林 谢泉 《磁性材料及器件》 CAS 2018年第2期5-9,共5页
采用第一性原理的贋势平面波方法,计算了无掺杂和Al掺杂Fe2Si体系的电子结构和磁学特性,并分析了Al掺杂对Fe2Si体系电磁特性的影响。计算结果表明,未掺杂和Al掺杂Fe2Si体系为半金属铁磁体,自旋向上的能带结构穿过费米面表现为金属特性,... 采用第一性原理的贋势平面波方法,计算了无掺杂和Al掺杂Fe2Si体系的电子结构和磁学特性,并分析了Al掺杂对Fe2Si体系电磁特性的影响。计算结果表明,未掺杂和Al掺杂Fe2Si体系为半金属铁磁体,自旋向上的能带结构穿过费米面表现为金属特性,未掺杂Fe2Si体系自旋向下的能带表现为间接带隙半导体特性,带隙值为0.464eV;Al掺杂Fe2Si体系自旋向下的能带表现为Z间的直接带隙半导体特性,带隙值为0.541eV。Al掺杂使各原子磁矩和Fe2Si体系的总磁矩均减小,体系的带隙值增加,相应的半金属隙也增加,并且使得体系自旋向下部分由间接带隙变为直接带隙半导体。Fe2Si体系的半金属性和磁性主要来源于Fe-3d电子之间的d-d交换,Si-3p电子与Fe-3d电子之间的p-d杂化。综上所述,掺杂是调控半金属铁磁体Fe2Si电磁特性的有效手段。 展开更多
关键词 Fe2Si体系 AL掺杂 电子结构 磁学特性 第一性原理
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Al替代Nb对α-BZN介质材料介电性能的影响研究
8
作者 张东 《中国陶瓷》 CSCD 北大核心 2018年第12期31-34,共4页
Al^3+替代B位Nb5+对α-BZN电介质材料烧结特性、相结构和介电性能的影响。研究表明:当Al^3+掺杂量x≤0.2时,样品的相结构与基体结构一致;在1 MHz下,介电常数随x的增加而逐渐增大,介电损耗随x的增加略减小后增大;在-195~150℃,其介电常... Al^3+替代B位Nb5+对α-BZN电介质材料烧结特性、相结构和介电性能的影响。研究表明:当Al^3+掺杂量x≤0.2时,样品的相结构与基体结构一致;在1 MHz下,介电常数随x的增加而逐渐增大,介电损耗随x的增加略减小后增大;在-195~150℃,其介电常数存在明显的介电弛豫现象,在1 MHZ下的峰值温度依次为:-98.8℃、-101.4℃、-99.6℃、-93℃。 展开更多
关键词 铋锌铌基陶瓷 AL掺杂 介电弛豫
激光辐照固态Al膜制备p型重掺杂4H-SiC
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作者 胡莉婷 季凌飞 +1 位作者 吴燕 林真源 《中国激光》 CSCD 北大核心 2018年第6期98-105,共8页
通过激光辐照固态Al膜,制备了一种p型重掺杂4H-SiC,分析了Al膜厚度、激光脉冲个数对掺杂结果的影响,验证了不同工艺参数对p型掺杂层表面电学性能的调控作用。结果表明,当Al膜厚度为120nm,脉冲个数为50时,掺杂试样的最大载流子浓度为6.61... 通过激光辐照固态Al膜,制备了一种p型重掺杂4H-SiC,分析了Al膜厚度、激光脉冲个数对掺杂结果的影响,验证了不同工艺参数对p型掺杂层表面电学性能的调控作用。结果表明,当Al膜厚度为120nm,脉冲个数为50时,掺杂试样的最大载流子浓度为6.613×10^17 cm^-3,最小体电阻率为17.36Ω·cm,掺杂浓度(粒子数浓度)可达6.6×10^19 cm^-3。4H-SiC的Al掺杂改性机理为:在紫外激光作用下,Si—C键断裂,Al原子替代Si原子形成p型掺杂层。 展开更多
关键词 薄膜 半绝缘4H-SiC AL掺杂 准分子激光
Al:ZnO的电子性质、光学性质及电性质的理论研究 预览
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作者 张飞鹏 杜亚冰 +6 位作者 房慧 李凡生 余小英 王新练 王朝勇 张光磊 张忻 《河南城建学院学报》 CAS 2018年第1期86-92,共7页
应用第一原理方法研究了n型A1:ZnO块体材料的几何结构、能带、态密度分布、电子分布、光学性质和电性质。分析结果表明:ZnO晶胞略有收缩,晶胞0,b,C轴均减小;掺杂ZnO块体材料导带和价带之间具有0.85eV的直接带隙,能隙宽度减小;... 应用第一原理方法研究了n型A1:ZnO块体材料的几何结构、能带、态密度分布、电子分布、光学性质和电性质。分析结果表明:ZnO晶胞略有收缩,晶胞0,b,C轴均减小;掺杂ZnO块体材料导带和价带之间具有0.85eV的直接带隙,能隙宽度减小;态密度分布在费米能级附近大大增加,这些状态主要由Als、Alp、Zns、Ov构成,且Zns、Als、Alp和Op之间存在着强偶合相互作用,其中Zns态、Als态和Alp态电子对导带贡献最大,A1:ZnO块体材料呈现宽的吸收范围和高的吸收率。A1:ZnO块材的Zns-Als-Op电子之间的转移构成电子迁移,Als电子参与导电;其价带有效质量相对较大,导带有效质量相对较小。 展开更多
关键词 ZnO块体材料 AL掺杂 电子结构 光学性能 电性质
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Al掺杂浓度对氧化锌纳米棒结构和光学性能的影响 预览
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作者 王玉新 崔潇文 +5 位作者 藏谷丹 张巍 宋勇 李真 王磊 赵帅 《功能材料》 CSCD 北大核心 2018年第1期1001-1004,共4页
采用水热合成法以15min的溅射时间,0.7Pa的溅射压强制备的ZnO种子层玻璃片为衬底,制备出具有较好光致发光性能的Al掺杂ZnO纳米棒。采用X射线衍射仪(XRD)、扫描电子显微镜(SEM)和光致发光谱(PL)谱表征了样品的晶体结构、表面形貌... 采用水热合成法以15min的溅射时间,0.7Pa的溅射压强制备的ZnO种子层玻璃片为衬底,制备出具有较好光致发光性能的Al掺杂ZnO纳米棒。采用X射线衍射仪(XRD)、扫描电子显微镜(SEM)和光致发光谱(PL)谱表征了样品的晶体结构、表面形貌和光致发光性能。结果表明,不同的Al掺杂浓度对于ZnO纳米棒产生了一定的影响,适当的Al掺杂使ZnO纳米棒的c轴择优取向更好,改善了ZnO的近紫外发光和蓝色发光特性。其结晶质量随着Al掺杂量的增加而降低,而且纳米棒的顶端在逐渐变细。随着Al(3+)浓度的增加,纳米棒的光学性能先变好后变差,在Zn(2+)与Al(3+)的浓度比为1∶0.02时,纳米棒的光学性能效果最佳,紫外发光峰强度最大,并且出现了蓝移。 展开更多
关键词 AL掺杂 ZNO纳米棒 水热法 光学特性 光致发光谱
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Al掺杂ZnO多晶的热电输运性质研究 预览
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作者 刘丹丹 宋世金 +2 位作者 张雪峰 谈文鹏 虞澜 《人工晶体学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2017年第2期329-333,共5页
采用固相反应法制备了六方纤锌矿结构Zn_(1-x)Al_xO(0≤x≤0.03)系列多晶,探究了Al掺杂对ZnO多晶的微观形貌和热电输运性质的影响。结果表明,Al掺杂促使ZnO晶粒长大联结,晶界减少,x〉0.003时出现在晶界分布的ZnAl_2O_4尖晶石相。掺... 采用固相反应法制备了六方纤锌矿结构Zn_(1-x)Al_xO(0≤x≤0.03)系列多晶,探究了Al掺杂对ZnO多晶的微观形貌和热电输运性质的影响。结果表明,Al掺杂促使ZnO晶粒长大联结,晶界减少,x〉0.003时出现在晶界分布的ZnAl_2O_4尖晶石相。掺杂后样品由ZnO的半导体行为转变为电阻率显著下降的金属行为,且x=0.003有最小的室温电阻率~1.7 mΩ·cm,主要由于掺杂使样品载流子浓度和迁移率显著提高,x=0.003时载流子浓度和迁移率为最高,分别为1.05×10^21cm^-3和20 cm^2/V·s;300~900 K下掺杂样品热电势的绝对值和功率因子均随温度升高而增大,x=0.003时有最大的室温功率因子~0.4 m W/m·K^2。综合得到ZnO中Al掺杂的饱和固溶度x≈0.003。 展开更多
关键词 Zn1-xAlxO多晶 AL掺杂 热电输运 饱和固溶度
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Al掺杂半导体Mg2Si薄膜的制备及电学性质 被引量:2
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作者 王善兰 廖杨芳 +4 位作者 房迪 吴宏仙 肖清泉 袁正兵 谢泉 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2017年第1期50-54,共5页
采用磁控溅射方法和热处理工艺在Si衬底上制备了不同Al质量分数的Mg_2Si薄膜,研究了不同Al质量分数对Mg_2Si薄膜结构及其电学性质的影响。通过X射线衍射仪(XRD)、扫描电子显微镜(SEM)和四探针测试仪对Al掺杂Mg_2Si薄膜的晶体结构、... 采用磁控溅射方法和热处理工艺在Si衬底上制备了不同Al质量分数的Mg_2Si薄膜,研究了不同Al质量分数对Mg_2Si薄膜结构及其电学性质的影响。通过X射线衍射仪(XRD)、扫描电子显微镜(SEM)和四探针测试仪对Al掺杂Mg_2Si薄膜的晶体结构、表面形貌和电学性质进行表征和分析。结果表明:采用磁控溅射技术在Si衬底上成功制备了不同Al质量分数的Mg_2Si薄膜,样品表面表现出良好的连续性,在Mg_2Si(220)面具有择优生长性。随着质量分数的增加,结晶度先增加后降低,晶粒尺寸减小,且在Al质量分数为1.58%时结晶度最好。此外,样品电阻率也随着Al质量分数的增加逐渐降低,表明Al掺杂后的Mg_2Si薄膜具有更好的导电性,这对采用Mg_2Si薄膜研制半导体器件有着重要的意义。 展开更多
关键词 磁控溅射法 AL掺杂 Mg2Si薄膜 电阻率 晶体结构
磁控溅射制备Al掺杂氮化铜薄膜研究 预览
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作者 袁作彬 左安友 李兴鳌 《功能材料》 CSCD 北大核心 2017年第5期5180-5184,共5页
利用磁控共溅射方法在玻璃基底上制备出了Al掺杂Cu_3N薄膜,研究了其晶体结构、表面形貌、光学特性和电学特性。XRD结果表明Al掺杂没有引起峰位的明显变化,说明Al替代了Cu的位置或者进入晶界处,并且随掺杂含量升高,结晶度降低;扫描电子... 利用磁控共溅射方法在玻璃基底上制备出了Al掺杂Cu_3N薄膜,研究了其晶体结构、表面形貌、光学特性和电学特性。XRD结果表明Al掺杂没有引起峰位的明显变化,说明Al替代了Cu的位置或者进入晶界处,并且随掺杂含量升高,结晶度降低;扫描电子显微镜图像表明Al掺杂之后使得氮化铜晶粒形状变得不规则,晶界变得模糊,说明Al掺杂会抑制氮化铜晶体的生长;通过光学透射谱计算得到光学带隙,Al掺杂降低了氮化铜薄膜的光学带隙,并随着掺杂含量的增加而逐渐减小,实现了Al掺杂氮化铜薄膜光学带隙的连续可调,带隙减小源于Al外层电子的局域态进入氮化铜的带隙间,增加了中间态。同时四探针的测试也表明掺杂之后电阻率变小。 展开更多
关键词 氮化铜 薄膜 AL掺杂 光学特性 电学特性
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Al-DLC薄膜结构及其在水介质下摩擦学性能研究 预览 被引量:2
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作者 韩熙 郑建云 +2 位作者 张帅拓 刘金玉 郝俊英 《摩擦学学报》 CSCD 北大核心 2017年第3期310-317,共8页
采用磁控溅射技术,以Al为溅射靶材,甲烷为溅射气体,在不同射频功率下制备了一系列Al含量不同的类金刚石碳基薄膜(AL-DLC).分析了Al含量对薄膜成分、结构及机械性能的影响,并探讨了其在空气和水介质下的摩擦磨损行为.结果表明:Al掺杂... 采用磁控溅射技术,以Al为溅射靶材,甲烷为溅射气体,在不同射频功率下制备了一系列Al含量不同的类金刚石碳基薄膜(AL-DLC).分析了Al含量对薄膜成分、结构及机械性能的影响,并探讨了其在空气和水介质下的摩擦磨损行为.结果表明:Al掺杂使得薄膜中sp3-C的生长受到抑制,sp2-C增加,表面吸附水分子能力变强,在水介质摩擦过程中的剪切阻力变小,从而使得摩擦磨损减小.通过调整射频功率可以对薄膜中Al含量进行调控,在最优Al含量时,Al-DLC在空气和水介质中均具有优异的摩擦学性能. 展开更多
关键词 类金刚石薄膜 AL掺杂 sp3结构 水介质
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Crystallization behaviors of ultrathin Al-doped HfO2 amorphous films grown by atomic layer deposition
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作者 马雪丽 杨红 +6 位作者 项金娟 王晓磊 王文武 张建齐 殷华湘 朱慧珑 赵超 《中国物理B:英文版》 SCIE EI CAS CSCD 2017年第2期461-466,共6页
In this work, ultrathin pure HfO_2 and Al-doped HfO_2films(about 4-nm thick) are prepared by atomic layer deposition and the crystallinities of these films before and after annealing at temperatures ranging from 550℃... In this work, ultrathin pure HfO_2 and Al-doped HfO_2films(about 4-nm thick) are prepared by atomic layer deposition and the crystallinities of these films before and after annealing at temperatures ranging from 550℃ to 750℃ are analyzed by grazing incidence x-ray diffraction. The as-deposited pure HfO_2 and Al-doped HfO_2 films are both amorphous. After550-℃ annealing, a multiphase consisting of a few orthorhombic, monoclinic and tetragonal phases can be observed in the pure HfO_2 film while the Al-doped HfO_2 film remains amorphous. After annealing at 650℃ and above, a great number of HfO_2 tetragonal phases, a high-temperature phase with higher dielectric constant, can be stabilized in the Al-doped HfO_2 film. As a result, the dielectric constant is enhanced up to about 35. The physical mechanism of the phase transition behavior is discussed from the viewpoint of thermodynamics and kinetics. 展开更多
关键词 非晶薄膜 原子层沉积 AL掺杂 X射线衍射分析 介电常数 沉积薄膜 温度范围 正交晶系
Al掺杂对Ti3SiC2陶瓷制备和性能的影响 被引量:1
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作者 李智敏 张茂林 +3 位作者 闫养希 黄云霞 罗发 庞锦标 《稀有金属材料与工程》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2017年第2期468-472,共5页
采用热压烧结法制备了Al掺杂的Ti3SiC2陶瓷,通过X射线衍射仪、扫描电子显微镜、能谱仪、矢量网络分析仪等,分别对所制备的样品进行了表征和抗氧化性能、微波介电性能测试。结果表明:所制备的Al掺杂陶瓷具有相当高的Ti3SiC2质量分数,陶... 采用热压烧结法制备了Al掺杂的Ti3SiC2陶瓷,通过X射线衍射仪、扫描电子显微镜、能谱仪、矢量网络分析仪等,分别对所制备的样品进行了表征和抗氧化性能、微波介电性能测试。结果表明:所制备的Al掺杂陶瓷具有相当高的Ti3SiC2质量分数,陶瓷晶粒呈现明显的层状特征。相比于未掺杂样品,通过Al掺杂途径,可显著提高Ti3SiC2陶瓷1200℃高温下的抗氧化性能,并使Ti3SiC2陶瓷的介电常数实部ε'和虚部ε"值大幅度增加,其在8.2~12.4 GHz频率范围的均值分别为60.8和6.28。 展开更多
关键词 Ti3SiC2陶瓷 AL掺杂 热压烧结 抗氧化性能 微波介电性能
Al掺杂对ZnO纳米结构阵列的影响 预览
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作者 赵斌 唐立丹 王冰 《压电与声光》 CAS CSCD 北大核心 2017年第2期256-259,264共5页
采用脉冲电磁场辅助水热合成法制备了高比表面积、高能面暴露的ZnO纳米片阵列,通过场发射扫描电镜(FESEM)、X线衍射(XRD)及X线光电子能谱(XPS)等手段测试纳米结构阵列的性能。结果表明,经过Al掺杂后的ZnO纳米结构由棒状转变为六... 采用脉冲电磁场辅助水热合成法制备了高比表面积、高能面暴露的ZnO纳米片阵列,通过场发射扫描电镜(FESEM)、X线衍射(XRD)及X线光电子能谱(XPS)等手段测试纳米结构阵列的性能。结果表明,经过Al掺杂后的ZnO纳米结构由棒状转变为六边形的片状结构,当Al的摩尔分数为1%时,纳米片彼此交错,组织均匀,垂直于衬底,与传统纳米棒相比,纳米片具有更大的比表面积及更多暴露的高能晶面,并对纳米棒向纳米片的转变机理进行了详细的分析和探讨。 展开更多
关键词 ZNO AL掺杂 纳米片 纳米棒 水热合成
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前躯体预掺杂合成锰酸锂正极材料的研究 预览 被引量:1
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作者 王以存 张晓泉 +4 位作者 杨洋 王志鹏 鲁俊 陈思学 陈治强 《中国锰业》 2017年第3期122-125,共4页
采用电解金属锰悬浮液法制备铝掺杂四氧化三锰,并利用上述前躯体合成铝掺杂锰酸锂正极材料。采用X射线衍射(XRD)、扫描电子显微镜(SEM)、电感耦合等离子光谱发射仪(ICP)等手段对样品相组成、微观形貌以及理化指标进行表征,并考察... 采用电解金属锰悬浮液法制备铝掺杂四氧化三锰,并利用上述前躯体合成铝掺杂锰酸锂正极材料。采用X射线衍射(XRD)、扫描电子显微镜(SEM)、电感耦合等离子光谱发射仪(ICP)等手段对样品相组成、微观形貌以及理化指标进行表征,并考察了铝掺杂对合成锰酸锂材料电化学性能的影响。结果表明:对四氧化三锰进行铝掺杂能有效提高最终合成产物的电化学性能,在对四氧化三锰原料进行1%铝含量的掺杂后,以此为原料合成的锰酸锂正极材料0.2 C放电容量达到124.34 m A·h/g,高温55℃下循环100次,容量保持率为90.74%。 展开更多
关键词 正极材料 锰酸锂 四氧化三锰 AL掺杂
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ALD沉积Al掺杂TiO2光阳极对钙钛矿太阳能电池中电子传输层影响 预览
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作者 曲浩 刘文雅 +2 位作者 王东栋 张春梅 陈强 《北京印刷学院学报》 2017年第8期48-50,55共4页
本文采用热原子层沉积技术 (T-ALD) 在氟化透明导电玻璃(FTO)上制备不同Al掺杂比例的TiO2(ATO)应用于平面钙钛矿太阳能电池的电子传输层.结果表明, 当Al:TiO2掺杂浓度为1:100时, 器件能达到最高13.13%的效率, 而采用TiO2作为电... 本文采用热原子层沉积技术 (T-ALD) 在氟化透明导电玻璃(FTO)上制备不同Al掺杂比例的TiO2(ATO)应用于平面钙钛矿太阳能电池的电子传输层.结果表明, 当Al:TiO2掺杂浓度为1:100时, 器件能达到最高13.13%的效率, 而采用TiO2作为电子传输层的器件, 效率仅为10.43%. 通过荧光光谱(PL),x-ray 光电子能谱(x-ray photoelectron spectroscopy,XPS), 薄膜电阻(I-V)等对样品的分析, 我们认为Al掺杂TiO2作为电子传输层有效地降低了薄膜的电阻、 表面缺陷, 最终提高钙钛矿太阳能电池的光电特性. 展开更多
关键词 电子传输层 太阳能电池 TiO2 AL掺杂 沉积技术 钙钛矿 光阳极 ALD
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