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测量高温熔体粘度的一种新方法 预览
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作者 陈美玲 丁立英 《大连铁道学院学报》 1991年第2期 99-100,共2页
<正> 目前,高温熔体的粘度测量有两种方法,一种是旋转法,一种是振动法。这两种方法均是测量扭转力矩,然后通过计算求得粘度。由于这两种方法测量的是反映在弹性元件上的扭转力矩,因而弹性元件的选择是关键。而弹性元件的使用范围... <正> 目前,高温熔体的粘度测量有两种方法,一种是旋转法,一种是振动法。这两种方法均是测量扭转力矩,然后通过计算求得粘度。由于这两种方法测量的是反映在弹性元件上的扭转力矩,因而弹性元件的选择是关键。而弹性元件的使用范围有限,且在高温下容易变形,因而影响测量精度,加之扭转力矩的测量比较困难,需要较复杂的光学系统,因而造价较高,限制了仪器的广泛使用。本文提出了采用电测法—即用直流电机的电枢电流测量流体粘度的一种新方法, 展开更多
关键词 熔体粘度 电测法 直流测量
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一种新的C02探空测量方法 被引量:4
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作者 冯林 胡顺星 +8 位作者 黄见 苑克娥 邵石生 徐之海 曹开法 孟祥谦 吕炜煜 于海利 张世国 《激光与光电子学进展》 CSCD 北大核心 2012年第10期88-93,共6页
介绍了一种新的COz探空测量方法。其原理是利用比尔一步格一朗伯定律,使用非分光红外法,通过选择合适的红外光源和红外探测器,设计了合理的电路,在定标的基础上将测量的光强转换成COz浓度,制作出可用于探空测量的实验装置。通过与E... 介绍了一种新的COz探空测量方法。其原理是利用比尔一步格一朗伯定律,使用非分光红外法,通过选择合适的红外光源和红外探测器,设计了合理的电路,在定标的基础上将测量的光强转换成COz浓度,制作出可用于探空测量的实验装置。通过与EC9820型COz分析仪的地面对比实验,结果表明,连续24h测量的误差范围在-10×10^-6~10×10^-4,平均误差为3.76×10^-4,验证了设计的可行性,基本满足了大气CO2探空的精度需求,为进一步研制CO2探空仪提供了参考。 展开更多
关键词 大气光学 CO2探空测量 比尔一步格一朗伯定律 非分光红外法
利用热电偶转换器的单片机温度测控系统 预览 被引量:12
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作者 刘洪恩 《仪表技术》 2005年第2期 29-30,共2页
介绍K型热电偶转换器MAX6675及其在单片机温度测控系统中的应用.与传统的测温系统相比,它具有外围电路简单、可靠性高、抗干扰性强等优点.
关键词 热电偶 转换器 单片机 外围电路
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GaAs/Si/AlAs异质结的带阶和GaAS生长温度的影响 预览
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作者 李永平 澜清 《半导体学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2003年第2期 168-172,共5页
用分子束外延(MBE)设备制备了GaAs/AlAs和GaAs/Si/AlAs异质结,通过XPS分别研究了异质结界面处Si层厚度为0.5ML和1ML对异质结带阶的调节,得到大调节量为0.2Ev;通过C-V法研究了异质结的GaAs层在不同温度下生长对0.5MlSi夹层的影响,... 用分子束外延(MBE)设备制备了GaAs/AlAs和GaAs/Si/AlAs异质结,通过XPS分别研究了异质结界面处Si层厚度为0.5ML和1ML对异质结带阶的调节,得到大调节量为0.2Ev;通过C-V法研究了异质结的GaAs层在不同温度下生长对0.5MlSi夹层的影响,得到Si夹层的空间分布随GaAs层生长温度的升高而扩散增强的温度效应,通过深能级瞬态谱(DLTLS)研究了在上述不同温度下生长的GaAs层的晶体质量。 展开更多
关键词 GaAs/Si/AlAs异质结 生长温度 Si夹层 XPS测量 DLTS测量 带阶调节 分子束外延
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微量样品的AMS^14C年代测量 预览
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作者 刘克新 汪建军 《质谱学报》 EI CAS CSCD 1998年第2期 1-4,共4页
微量样品的AMS^14C年代测量具有十分重要的意义,特别是对一些珍贵的考古样品或含碳量极少的地质样品尤其如此,近两年来,北京大学AMS研究小组对系统和测量方法进行了一系列的研究和改进工作,包括改进制样流程,提高离子源... 微量样品的AMS^14C年代测量具有十分重要的意义,特别是对一些珍贵的考古样品或含碳量极少的地质样品尤其如此,近两年来,北京大学AMS研究小组对系统和测量方法进行了一系列的研究和改进工作,包括改进制样流程,提高离子源样品利用率,优化整个束线的传输和改进数据获取与处理系统,已成功地测量了一系列小于100μg的微量样品。 展开更多
关键词 微量样品 AMS 年代测量 碳14 考古样 地质样
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对高密度脂蛋白胆固醇直接测定法的评价 预览 被引量:6
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作者 李清华 贺娟 《临床检验杂志》 CAS CSCD 北大核心 1998年第5期 269-273,共5页
为评价基于化学修饰和选择性抑制原理的两种高密度脂蛋白胆固醇的直接测定法的精密度,准确度和特异性,将定两种方法与我国检验学会推荐的磷钨酸-镁沉淀法作了比较,并以超速离心分离的纯HDL和LDL组分验证了对HDL-C测定的... 为评价基于化学修饰和选择性抑制原理的两种高密度脂蛋白胆固醇的直接测定法的精密度,准确度和特异性,将定两种方法与我国检验学会推荐的磷钨酸-镁沉淀法作了比较,并以超速离心分离的纯HDL和LDL组分验证了对HDL-C测定的特异性与准确性。 展开更多
关键词 高密度脂蛋白 胆固醇 直接测定法 血清
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氧化后退火技术对SiO2/4H-SiC界面态密度的影响
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作者 杨涛涛 韩军 +5 位作者 林文魁 曾春红 张璇 孙玉华 张宝顺 鞠涛 《半导体技术》 CSCD 北大核心 2018年第1期48-52,共5页
采用等离子体增强化学气相沉积(PECVD)低温处理和高温快速退火的技术,研究了退火条件对SiO2/4H-SiC界面态密度的影响。在n型4H-SiC外延片上高温干氧氧化50 nm厚的SiO2层并经N2原位退火,随后在PECVD炉中对样品进行350℃退火气氛为PH3,N... 采用等离子体增强化学气相沉积(PECVD)低温处理和高温快速退火的技术,研究了退火条件对SiO2/4H-SiC界面态密度的影响。在n型4H-SiC外延片上高温干氧氧化50 nm厚的SiO2层并经N2原位退火,随后在PECVD炉中对样品进行350℃退火气氛为PH3,N2O,H2和N2的后退火处理,之后进行高温快速退火,最后制备Al电极4H-SiC MOS电容。I-V和C-V测试结果表明,各样品的氧化层击穿场强均大于9 MV/cm,PH3处理可以降低界面有效负电荷和近界面氧化层陷阱电荷,但PH3处理样品的界面态密度比N2O处理的结果要高。经N2O氛围PECVD后退火样品在距离导带0.2和0.4 eV处的界面态密度分别约为1.7×10^12和4×10^11eV^-1·cm^-2,有望用于SiC MOSFET器件的栅氧处理。 展开更多
关键词 4H-SIC MOS电容 C-V测试 界面态密度 等离子体增强化学气相沉积(PECVD)
C-V法研究温度对GaN基蓝光二极管pn结的影响 预览
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作者 王春安 符斯列 +3 位作者 刘柳 丁罗城 李俊贤 鲍佳怡 《发光学报》 CSCD 北大核心 2018年第10期1417-1424,共8页
采用C-V法,根据C-2-V曲线和C-3-V曲线,并结合C-V幂律指数k,分析了T=25~-195℃温度范围内,温度变化对GaN基蓝光发光二极管pn结类型的影响。实验结果表明:当T为25℃和-50℃时,C-2-V呈明显的线性关系,同时幂律指数k为0.5,说明该温... 采用C-V法,根据C-2-V曲线和C-3-V曲线,并结合C-V幂律指数k,分析了T=25~-195℃温度范围内,温度变化对GaN基蓝光发光二极管pn结类型的影响。实验结果表明:当T为25℃和-50℃时,C-2-V呈明显的线性关系,同时幂律指数k为0.5,说明该温度范围内的pn结类型为严格的突变结;而温度降低至-100℃时,k值变为0.45,说明pn结类型开始发生变化;当温度继续降低至-150℃和-195℃时,幂律指数k分别为0.30和0.28,说明pn结类型已经发生了变化,变为非突变非缓变结。造成这一现象的原因是低温导致的载流子冻析效应,以及晶体的缺陷和界面态形成的局域空间电荷区在低温环境下,影响了pn结原来的空间电荷分布,并改变了pn结类型。 展开更多
关键词 GaN基蓝光二极管 pn结特性 电容-电压法 幂律关系
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C-V法测量GaN基蓝光LED的PN结特性 预览 被引量:2
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作者 符斯列 王春安 +2 位作者 蒋联娇 秦盈星 吴先球 《物理实验》 2017年第5期1-6,共6页
应用C-V法研究了GaN基蓝光LED的PN结特性.通过变温的C-V曲线、相应的C-2-V曲线和C-3-V曲线判断GaN基PN结的结类型,计算杂质浓度分布和PN结接触电势差,并分析了温度变化对PN结特性的影响.该实验不仅能加深学生对二极管PN结及C-V法应用的... 应用C-V法研究了GaN基蓝光LED的PN结特性.通过变温的C-V曲线、相应的C-2-V曲线和C-3-V曲线判断GaN基PN结的结类型,计算杂质浓度分布和PN结接触电势差,并分析了温度变化对PN结特性的影响.该实验不仅能加深学生对二极管PN结及C-V法应用的认识和理解,还可以让学生了解GaN新型半导体材料的相关知识. 展开更多
关键词 C-V法 GaN基蓝光二极管 PN结特性 杂质浓度分布
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Origin软件在“电容-电压法测半导体杂质浓度分布”实验中的应用 预览 被引量:1
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作者 丁格曼 张军朋 《大学物理实验》 2016年第2期90-93,共4页
基于电容-电压法(简称C-V法)来测量半导体杂质浓度分布,简单快速且不破坏样品。为更快速、精确求得半导体杂质浓度分布,利用Origin软件绘出样品的C-V曲线、1/C~2-V曲线的线性拟合,快速求出杂质浓度、自建场及绘制相应的杂质浓度分布... 基于电容-电压法(简称C-V法)来测量半导体杂质浓度分布,简单快速且不破坏样品。为更快速、精确求得半导体杂质浓度分布,利用Origin软件绘出样品的C-V曲线、1/C~2-V曲线的线性拟合,快速求出杂质浓度、自建场及绘制相应的杂质浓度分布曲线。 展开更多
关键词 C-V测量法 ORIGIN 杂质浓度分布 PN结
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微波退火对高k/金属栅中缺陷的修复
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作者 陈玫瑰 许鹏 +1 位作者 潘建峰 吴东平 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2014年第6期428-433,共6页
研究了微波退火(MWA)对高k/金属栅中缺陷的修复作用。在频率为1和100 kHz下,对所有Mo/HfO2/Si(100)金属-绝缘体-半导体(MIS)结构样品进行C-V特性测试。通过在频率为100 kHz下测量的C—V特性曲线提取出平带电压与电压滞回窗口... 研究了微波退火(MWA)对高k/金属栅中缺陷的修复作用。在频率为1和100 kHz下,对所有Mo/HfO2/Si(100)金属-绝缘体-半导体(MIS)结构样品进行C-V特性测试。通过在频率为100 kHz下测量的C—V特性曲线提取出平带电压与电压滞回窗口,从而估算出高忌/金属栅中固定电荷密度和电荷陷阱密度,并用Terman方法计算出快界面态密度。通过研究在频率为1 kHz下测量的C-V特性曲线扭结,定性描述高南/金属栅中的慢界面态密度。结果表明,微波退火后,固定电荷、电荷陷阱、快界面态和慢界面态得到一定程度的修复。此外,和快速热退火相比,在相似的热预算下,微波退火可修复高后/金属栅中更多的固定电荷、慢界面态和电荷陷阱。但对于快界面态的修复,微波退火没有明显的优势。 展开更多
关键词 高k/金属栅 微波退火 缺陷修复 C-V测试 MoHfO2Si
光度测试C-γ测试系统中灯下点光强的问题和探索
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作者 高欢忠 陈献亚 刘磊 《中国照明电器》 2014年第9期32-36,共5页
对灯具光度测试过程中碰到的部分灯具配光曲线灯下点光强不一致的问题,从两个方面进行分析:灯具(或光源)工作稳定性以及分布光度计设备机械校准误差。同时,尝试1种比较简单的验证方法来排查灯下点光强不一致的原因,并应用于某LEDP... 对灯具光度测试过程中碰到的部分灯具配光曲线灯下点光强不一致的问题,从两个方面进行分析:灯具(或光源)工作稳定性以及分布光度计设备机械校准误差。同时,尝试1种比较简单的验证方法来排查灯下点光强不一致的原因,并应用于某LEDPAR38灯作了相关实验分析。 展开更多
关键词 C-γ测试坐标系 灯下点光强 发光稳定性
对N型外延预处理方法的研究 预览
13
作者 张佳磊 《科技视界》 2012年第25期196-198,共3页
外延层电阻率是外延片的重要特征参数之一,如何准确地测量外延层的电阻率,以满足半导体器件研制的要求,是检验人员关注的一项重要的课题。对目前N型测试片大都是用电容电压法来测试,但实践中经常出现曲线斜的问题,通过做了大量的实验,... 外延层电阻率是外延片的重要特征参数之一,如何准确地测量外延层的电阻率,以满足半导体器件研制的要求,是检验人员关注的一项重要的课题。对目前N型测试片大都是用电容电压法来测试,但实践中经常出现曲线斜的问题,通过做了大量的实验,得出了一种较好的预处理N型外延片的方法,达到了对电阻率的有效监控。 展开更多
关键词 半导体器件 硅外延片 电容电压法 电阻率
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基于线阵CCD的尺寸测量研究 预览
14
作者 张俊敏 尹斌 《电子设计工程》 2012年第4期 84-86,共3页
在当今国内工业中对尺寸的测量大多还是采用千分尺等落后的接触式的方法,不但效率不高而且精确度不高。文中讨论了线阵CCD用于尺寸测量的非常有效的非接触检测技术。本测量系统是以89C2051、TCDl206UD和ICL7135等芯片构成的,完成了由... 在当今国内工业中对尺寸的测量大多还是采用千分尺等落后的接触式的方法,不但效率不高而且精确度不高。文中讨论了线阵CCD用于尺寸测量的非常有效的非接触检测技术。本测量系统是以89C2051、TCDl206UD和ICL7135等芯片构成的,完成了由照明、成像、数据处理到显示等过程。本设计具有稳定可靠、测量精度高等特点,适用与各种高灵敏、高精度的检测。此外,本系统包括了LED显示,不仅价格便宜,而且测量结果方便可见。增加了本设计的实用性。 展开更多
关键词 TCD1206UD 89C2051 尺寸测量 驱动
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罗兰C定时接收系统时延的一种测量方法 预览
15
作者 车爱霞 王玉林 +1 位作者 刘长虹 季丹 《宇航计测技术》 CSCD 2012年第1期 13-16,共4页
分析了罗兰C时号发射、传递和接收各环节信号的变化过程,得出了环形接收天线和杆接收天线两种情况下接收系统时延的表达式,介绍了一种精确测量罗兰C定时接收系统时延的方法,给出了一组实测结果及其分析。
关键词 罗兰C 定时接收系统 时延 测量
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Er2O3栅介质积累端电容频率色散效应的研究 预览
16
作者 姚博 方泽波 +2 位作者 朱燕艳 陈圣 李海蓉 《功能材料》 EI CAS CSCD 北大核心 2011年第11期 2085-2088,共4页
采用分子束外延(MBE)方法在Si(001)衬底上生长了Er2O3薄膜。高分辨率透射电子显微镜(HRTEM)测试显示Er2O3薄膜保持了在衬底上完好的外延,样品为均匀的单晶结构。将单晶Er2O3薄膜制备成MOS结构并对其做电容-电压(C-V)测试时,发... 采用分子束外延(MBE)方法在Si(001)衬底上生长了Er2O3薄膜。高分辨率透射电子显微镜(HRTEM)测试显示Er2O3薄膜保持了在衬底上完好的外延,样品为均匀的单晶结构。将单晶Er2O3薄膜制备成MOS结构并对其做电容-电压(C-V)测试时,发现样品在高频时积累端电容出现了很大程度的频率色散现象。为了解释这种现象,提出了样品中存在缺氧层的结构模型。对该模型等效电路阻抗表达式推导得到了电容-频率方程,并将此方程与实验数据进行拟合,得到的图形、变量参数表明,未完全氧化的插入层是高频MOS C-V测试出现频率色散现象的主要原因。因此认为要消除Er2O3栅介质积累端的频率色散效应,需要尽量减少或避免缺氧层的形成。 展开更多
关键词 Er2O3 高频C-V测试 高K栅介质 频率色散
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6H-SiC氧化层中Na离子的C-V测试研究 被引量:1
17
作者 牟维兵 龚敏 曹群 《微电子学》 CAS CSCD 北大核心 2010年第5期762-764,共3页
半导体热氧化过程中,不可避免会沾污Na离子,造成MOS电容的C-V曲线平带电压漂移。在1 200℃下热氧化,生成SiC/SiO2界面,进而制作MOS电容。采用高电压偏置,在高温度条件下作用于MOS电容;利用Keithley590C-V分析仪,测量其C-V曲线。计算出... 半导体热氧化过程中,不可避免会沾污Na离子,造成MOS电容的C-V曲线平带电压漂移。在1 200℃下热氧化,生成SiC/SiO2界面,进而制作MOS电容。采用高电压偏置,在高温度条件下作用于MOS电容;利用Keithley590C-V分析仪,测量其C-V曲线。计算出氧化层Na离子密度为2.26×1012/cm2,高温负高压偏置不能完全恢复MOS电容的C-V特性,且高压偏置处理后的MOS电容在积累区的电容值减小,与Si材料MOS的情况不同。主要原因是SiC氧化层和界面质量较差,在高温和高压下弱键断裂、固定电荷重新分布。 展开更多
关键词 6H-SIC Na离子 MOS电容 C-V测试
Hydriding/dehydriding properties of Mg-Ni-based ternary alloys synthesized by mechanical grinding 预览
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作者 陈玉安 杨丽玲 +2 位作者 林嘉靖 程绩 潘复生 《中国有色金属学报:英文版》 SCIE EI CAS CSCD 2010年第B07期 624-629,共6页
The Mg-Ni-based ternary alloys Mg2-xTixNi(x=0,0.2,0.4)and Mg2Ni1-xZrx(x=0,0.2,0.4)were successfully synthesized by mechanical grinding.The phases in the alloys and the hydriding/dehydriding properties of the alloys we... The Mg-Ni-based ternary alloys Mg2-xTixNi(x=0,0.2,0.4)and Mg2Ni1-xZrx(x=0,0.2,0.4)were successfully synthesized by mechanical grinding.The phases in the alloys and the hydriding/dehydriding properties of the alloys were investigated.Mg2Ni and Mg are the main hydrogen absorption phases in the alloys by XRD analysis.Hydriding kinetics curves of the alloys indicate that the hydrogen absorption rate increases after partial substitution of Ti for Mg and Zr for Ni.According to the measurement of pressure-concentration-isotherms and Van't Hoff equation,the relationship between ln p(H2)and 1 000/T was established.It is found that while increasing the content of correspondingly substituted elements at the same temperature,the equilibrium pressure of dehydriding increases,the enthalpy change and the stability of the alloy hydride decrease. 展开更多
关键词 氢化动力学 合金性能 放氢性能 机械研磨 三元合金 合成 镍基 X射线衍射分析
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Frequency dispersion effect and parameters extraction method for novel HfO2 as gate dielectric
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作者 LIU HongXia KUANG QianWei +2 位作者 LUAN SuZhen ZHAO Aaron TALLAVARJULA Sai 《中国科学:信息科学(英文版)》 SCIE EI 2010年第4期878-884,共7页
有 ALCVD (原子层化学药品蒸汽免职) 种的 HfO2/SiO2/p-Si 的瞬间电容器的电的特征被调查。C-V 弄弯累积电容在高频率在频率分散上进行的表演。为有极端薄 HfO2/SiO2 门栈的瞬间电容器,不同制造过程和测量设备将引起寄生效果。这里,... 有 ALCVD (原子层化学药品蒸汽免职) 种的 HfO2/SiO2/p-Si 的瞬间电容器的电的特征被调查。C-V 弄弯累积电容在高频率在频率分散上进行的表演。为有极端薄 HfO2/SiO2 门栈的瞬间电容器,不同制造过程和测量设备将引起寄生效果。这里,能消除频率分散效果的一个相等的电路模型被建议。因为体积缺点和接口状态,在高频率的 C-V 特征曲线显示出一些失真。这份报纸讨论高频率瞬间 C-V 典型曲线的失真。处理方法的一个数据在乐队差距被预付并且连接陷井密度分发被介绍。由把理想的 C-V 曲线与试验性的 C-V 曲线作比较,瞬间电容器的典型电的参数被提取,包括在 SiO2/Si 接口的扁平乐队的电压,氧化物费用和接口陷井的密度的移动。 展开更多
关键词 频散效应 二氧化铪 提取方法 MOS电容器 HFO2/SIO2 界面陷阱密度 SIO2/SI 介电
陕西翠华山水湫池山崩遗迹形成年代 预览 被引量:2
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作者 吴成基 赵辉 +2 位作者 胡炜霞 高文义 李克伟 《山地学报》 CSCD 北大核心 2009年第3期 349-352,共4页
利用C14测年方法对陕西翠华山不同时期的山崩进行了绝对年龄的初步研究。C14测年数据与宏观野外地质地貌调查的结论吻合,证实了翠华山山崩景观形成为多期性的结论,同时与地震事件有一定的关系,为研究山崩成因提供了科学论据。
关键词 翠华山 山崩遗迹 C14测年
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