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光伏组件标态3A级IV移动检测平台研究 预览
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作者 刘立勇 郭钟亮 +3 位作者 朱青云 韩宏伟 姜志成 胡旭东 《重庆理工大学学报:自然科学》 CAS 北大核心 2019年第5期121-126,共6页
介绍了一种基于每灯100组苍蝇眼透镜的太阳光仿真器技术,研究车载移动式太阳能模拟器,实现了模拟器的辐照均匀性、辐照稳定性、光谱匹配度的3A等级;针对不同环境、气候条件设计了车载移动式恒温系统,建成光伏组件标态3A级IV移动检测平台... 介绍了一种基于每灯100组苍蝇眼透镜的太阳光仿真器技术,研究车载移动式太阳能模拟器,实现了模拟器的辐照均匀性、辐照稳定性、光谱匹配度的3A等级;针对不同环境、气候条件设计了车载移动式恒温系统,建成光伏组件标态3A级IV移动检测平台,可实现光伏电站现场标准条件下的太阳能组件I-V特性测试环境。 展开更多
关键词 标态 3A级 I-V特性 移动 光伏组件 检测平台
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不同基底上生长极薄MoS2的光电性能研究 预览
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作者 郑奇烨 彭英姿 吴小虎 《杭州电子科技大学学报:自然科学版》 2019年第2期77-81,共5页
采用化学气相沉积法在不同基底表面生长极薄MoS2薄膜并探究其光电性能。研究了暗场下不同基底对应的I-V特性曲线、极薄MoS2的光响应特性以及对于偏振光的反应特性。从I-V特性曲线可知:极薄MoS2与高掺Si基底形成了明显的异质结结构,在正... 采用化学气相沉积法在不同基底表面生长极薄MoS2薄膜并探究其光电性能。研究了暗场下不同基底对应的I-V特性曲线、极薄MoS2的光响应特性以及对于偏振光的反应特性。从I-V特性曲线可知:极薄MoS2与高掺Si基底形成了明显的异质结结构,在正负偏压下均呈现指数增长特性。此外,MoS2薄膜对于633 nm激光有明显的光响应,在不同偏振态的偏振光作用下,其电阻与静态电流呈现周期性变化,其变化周期约为π。 展开更多
关键词 MOS2 不同基底 异质结 I-V特性 偏振光
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4H-SiC探测器的γ辐照影响研究 预览
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作者 李正 吴健 +6 位作者 白忠雄 吴锟霖 范义奎 蒋勇 尹延朋 谢奇林 雷家荣 《强激光与粒子束》 EI CAS CSCD 北大核心 2019年第8期111-114,共4页
为研究4H-SiC探测器的抗γ辐照性能,使用40万Ci级的60Co源对4H-SiC探测器进行了数次辐照,累积辐照剂量最大为1MGy(Si),并在辐照后对4H-SiC的性能进行了测试。随着累积辐照剂量增加,4H-SiC探测器的正向电流增大,而反向电流恰好相反;根据4... 为研究4H-SiC探测器的抗γ辐照性能,使用40万Ci级的60Co源对4H-SiC探测器进行了数次辐照,累积辐照剂量最大为1MGy(Si),并在辐照后对4H-SiC的性能进行了测试。随着累积辐照剂量增加,4H-SiC探测器的正向电流增大,而反向电流恰好相反;根据4H-SiC探测器的正向I-V曲线可提取理想因子和肖特基势垒,理想因子从1.87增加到2.18,肖特基势垒从1.93V减小至1.69V;4H-SiC探测器对241Am源产生的α粒子进行探测时,探测器的电荷收集率从95.65%退化到93.55%,测得能谱的能量分辨率由1.81%退化到2.32%。4H-SiC探测器在受到1MGy(Si)的γ辐照后,与未受到辐照时相比,在探测能量为5.486MeV的α粒子时能量分辨率和电荷收集率仅退化了28.18%和2.2%,仍具备优良的探测性能。 展开更多
关键词 4H-SiC探测器 Γ辐照 I-V特性 α探测器
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结电容对不同光敏元尺寸InGaAs探测器I-V特性测试的影响 预览
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作者 贺香荣 李淘 +1 位作者 徐勤飞 杨波 《光电子》 2019年第1期6-12,共7页
I-V特性是光伏探测器最重要的表征手段之一。用电压扫描方式对光敏元尺寸为Φ 5 mm的InGaAs探测器进行I-V测试时,在负压方向电流出现了震荡现象。分析认为采样时电压处在变化中,变化的电压会引起积累在P-N结空间电荷和扩散区电荷的改变... I-V特性是光伏探测器最重要的表征手段之一。用电压扫描方式对光敏元尺寸为Φ 5 mm的InGaAs探测器进行I-V测试时,在负压方向电流出现了震荡现象。分析认为采样时电压处在变化中,变化的电压会引起积累在P-N结空间电荷和扩散区电荷的改变,形成P-N结电容效应而导致。本文通过测试不同光敏元尺寸探测器的零偏电阻、暗电流和电容,讨论了光敏元尺寸对InGaAs探测器I-V特性测试的影响。结果表明:随着光敏元尺寸增大,探测器的零偏电阻减小,暗电流增大,电容增大。并分析了InGaAs探测器的P-N结电容效应及其对I-V特性测试的影响,当零偏压结电容C >10?8f @2 kHz时,I-V特性曲线在负压方向电流出现了震荡现象,测试过程中可通过限流设置或从正偏压至反偏压测试两种方式避免电流振荡现象,实现大光敏元Φ 5 mm InGaAs探测器I-V特性测试。 展开更多
关键词 结电容效应 光伏探测器 INGAAS探测器 I-V特性
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标准太阳能电池片的筛选方法
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作者 李庆武 杨欣然 《计量技术》 2019年第8期21-24,共4页
根据承担国家科技支撑课题"太阳电池计量标准及量值溯源传递关键技术研究"课题内容建立校准装置、研制标准太阳电池样品,研究校准方法,为标准电池的校准提供溯源途径.本文重点介绍了课题中标准太阳能筛选方法.
关键词 标准太阳能电池 筛选实验 I-V特性
SAM结构雪崩光电二极管的工艺仿真与特性研究
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作者 彭永达 贾新亮 +4 位作者 王超 王龙 陈玉辉 汪章紫璇 谢海情 《电子技术(上海)》 2018年第5期16-18,共3页
利用SILVACO软件的两个组件ATHENA和ATLAS对SAM结构雪崩光电二极管分别进行工艺仿真和特性研究。利用ATHENA模块得到器件的掺杂浓度分布和掺杂区域隔离。利用ATLAS模块对ATHENA得到器件结构进行雪崩击穿电压和有无光照时的电流电压特性... 利用SILVACO软件的两个组件ATHENA和ATLAS对SAM结构雪崩光电二极管分别进行工艺仿真和特性研究。利用ATHENA模块得到器件的掺杂浓度分布和掺杂区域隔离。利用ATLAS模块对ATHENA得到器件结构进行雪崩击穿电压和有无光照时的电流电压特性进行软件模拟。在合理掺杂浓度时该雪崩光电二极管的击穿电压约为6.2V。 展开更多
关键词 雪崩光电二极管 SAM结构 工艺仿真 I-V特性
基于泰勒函数的太阳电池通用模型研究
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作者 邓士锋 张臻 +1 位作者 吴军 全鹏 《太阳能学报》 CSCD 北大核心 2018年第10期2851-2855,共5页
基于太阳电池等效模型,运用泰勒公式进行降幂求解,使太阳电池工作电流和工作电压之间的关系呈显性函数。在标准测试条件下,对太阳电池和组件进行建模仿真,将仿真结果与实测结果进行对比,最大工作点基本与厂家提供的参数重合,偏差... 基于太阳电池等效模型,运用泰勒公式进行降幂求解,使太阳电池工作电流和工作电压之间的关系呈显性函数。在标准测试条件下,对太阳电池和组件进行建模仿真,将仿真结果与实测结果进行对比,最大工作点基本与厂家提供的参数重合,偏差度在2%以内,结果验证了模型的有效性和可行性。在此基础上建立太阳电池、组件和适用于任意遮不均匀光照和温度分布情况下光伏阵列的通用模型。 展开更多
关键词 泰勒函数 太阳电池建模 不均匀光照 I-V特性
导电SrTiO3上脉冲激光沉积非晶HfO2薄膜的漏电机理分析 预览
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作者 周瑶 何鹏 +2 位作者 幸代鹏 曾慧中 张万里 《电子元件与材料》 CAS CSCD 北大核心 2018年第8期30-35,共6页
利用脉冲激光沉积技术在SrTiO3表面导电层上方制备非晶HfO2栅介质薄膜,通过磁控溅射技术在非晶HfO2栅介质薄膜上方制备直径为100μm的圆形Pt电极,研究了变温条件下Pt/HfO2/SrTiO3的漏电流I-V特性,分析了非晶HfO2栅介质层的漏电机制,如... 利用脉冲激光沉积技术在SrTiO3表面导电层上方制备非晶HfO2栅介质薄膜,通过磁控溅射技术在非晶HfO2栅介质薄膜上方制备直径为100μm的圆形Pt电极,研究了变温条件下Pt/HfO2/SrTiO3的漏电流I-V特性,分析了非晶HfO2栅介质层的漏电机制,如空间电荷限制电流机制、Fowler-Nordheim导电机制、Pool-Frenkel发射机制、肖特基发射机制。研究结果表明在低压段(<0.18V)为欧姆导电;在高压段(>0.5V)为Pool-Frenkel发射机制。 展开更多
关键词 脉冲激光沉积 非晶薄膜 SrTiO3表面导电层 HFO2栅介质 I-V特性 漏电机制
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太阳能电池I-V特性检测技术研究
9
作者 于婷 葛久志 +1 位作者 汪岩峰 魏鼎 《计量技术》 2018年第10期31-34,共4页
介绍了一款嵌入式手持触屏型太阳能电池I-y特性测试仪的设计。该测试仪选用ARM920体系芯片S3C2440,具有高性能、低功耗、高集成度的优点。选择合适的太阳模拟光源,可用于太阳电池单体和组件的I-V特性测试,获得太阳电池开路电压、短... 介绍了一款嵌入式手持触屏型太阳能电池I-y特性测试仪的设计。该测试仪选用ARM920体系芯片S3C2440,具有高性能、低功耗、高集成度的优点。选择合适的太阳模拟光源,可用于太阳电池单体和组件的I-V特性测试,获得太阳电池开路电压、短路电流、输出功率和电池效率等特征参数。 展开更多
关键词 太阳能电池 I-V特性 检测
GaAs平面掺杂势垒二极管
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作者 张宇 车相辉 +4 位作者 于浩 宁吉丰 杨中月 杨实 陈宏泰 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2017年第1期27-31,共5页
二极管是定向检波器的重要组件,提高定向检波器的检波灵敏度,需要降低二极管的开启电压。而平面掺杂势垒(PDB)二极管具有极低的势垒高度,适合制作定向检波器。设计了GaAs平面掺杂势垒二极管的材料结构,并采用金属有机化合物气相淀积(... 二极管是定向检波器的重要组件,提高定向检波器的检波灵敏度,需要降低二极管的开启电压。而平面掺杂势垒(PDB)二极管具有极低的势垒高度,适合制作定向检波器。设计了GaAs平面掺杂势垒二极管的材料结构,并采用金属有机化合物气相淀积(MOCVD)方法对其进行外延生长。对PDB二极管的物理模型进行了理论分析。通过模拟计算和实验分析了本征层厚度和p层的面电荷密度对PDB二极管I-V特性的影响。通过实验设计优化了材料结构参数,测试了其I-V特性,使PDB二极管的开启电压降低到了0.06 V,将此样品应用到定向检波器中测得检波灵敏度为20~25 mV/mW。 展开更多
关键词 平面掺杂势垒(PDB)二极管 金属有机化合物气相淀积(MOCVD) 开启电压 I-V特性 定向检波器 检波灵敏度
基于碘化铅X射线探测器的信号处理研究 预览
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作者 赵地 朱兴华 +2 位作者 孙辉 杨定宇 李小辉 《核电子学与探测技术》 北大核心 2017年第5期553-558,共6页
采用闭管物理气相输运法制备出PbI2晶体,研制了PbI2X射线探测器,对探测器的I-t等特性进行了表征,并设计了基于PbI2探测器的单通道信号处理电路,主要涵盖前端放大、中央控制处理以及显示报警等几个模块。重点分析了探测器经放大电路后,... 采用闭管物理气相输运法制备出PbI2晶体,研制了PbI2X射线探测器,对探测器的I-t等特性进行了表征,并设计了基于PbI2探测器的单通道信号处理电路,主要涵盖前端放大、中央控制处理以及显示报警等几个模块。重点分析了探测器经放大电路后,输出电压与X射线间的特性关系,并由此建立灰度矩阵模型。实验结果表明,PbI2X射线探测器的线性响应良好,与X射线属于线性对应关系;灰度值与输出电压值也有良好的线性关系,从而证明了PbI2探测器应用于辐射检测领域的可行性,并为PbI2X射线探测器的数字化成像提供了有效的参考依据。 展开更多
关键词 PbI2晶体 X射线探测器 信号处理 I-V特性 灰度模型
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太阳电池电势诱导衰减效应表面复合速度机理 预览
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作者 马逊 李明 +4 位作者 刘祖明 罗熙 王云峰 徐永锋 李国良 《农业工程学报》 CSCD 北大核心 2017年第18期157-164,共8页
电势诱导衰减(potential induced degradation,PID)效应是导致光伏组件输出效率下降的主要原因之一。为了研究PID太阳电池前表面非平衡载流子复合特性,该论文首先分析PID太阳电池表面能带及电场变化情况,利用连续性方程以及电流密度... 电势诱导衰减(potential induced degradation,PID)效应是导致光伏组件输出效率下降的主要原因之一。为了研究PID太阳电池前表面非平衡载流子复合特性,该论文首先分析PID太阳电池表面能带及电场变化情况,利用连续性方程以及电流密度方程建立PID太阳电池表面复合速度S_(pPID)与短波内量子效率(internal quantum efficiency,IQE(λ))之间的数学模型。其次,通过利用太阳电池常用计算模拟软件PC1D模拟在不同工艺条件下晶体硅太阳电池IQE(λ),并且采用所构建的数学模型计算PID效应太阳电池前表面复合速度S_(pPID),与未发生PID效应时前表面复合速度S_p以及I-V特性曲线进行对比。结果表明,利用短波IQE(λ)测量PID太阳电池前表面复合速度S_(pPID)时,波长选择范围在310~360 nm之间误差较小;当太阳电池发生PID效应,前表面复合速度增大,前表面杂质浓度低、钝化效果好的太阳电池输出I-V特性下降,对钝化效果差、表面掺杂浓度高的太阳电池输出I-V特性影响较小。论文的研究结果为制备抗PID效应组件提供理论基础。 展开更多
关键词 模型 波长 太阳能电池 PID 前表面复合速度 内量子效率 I-V特性
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GaAs基大功率激光器静电失效现象的研究 预览
13
作者 黄欣竹 崔碧峰 +4 位作者 郭伟玲 李莎 孔真真 房天啸 郝帅 《激光与红外》 CSCD 北大核心 2017年第6期698-702,共5页
为了判别大功率半导体激光器是否为静电损毁失效,对大功率半导体激光器进行了静电损毁机制的研究。通过测量和表征大功率半导体激光器静电损毁现象,为判别其失效提供有效判据。首先,对GaAs基980nm大功率半导体激光器(HPLD)分别施加... 为了判别大功率半导体激光器是否为静电损毁失效,对大功率半导体激光器进行了静电损毁机制的研究。通过测量和表征大功率半导体激光器静电损毁现象,为判别其失效提供有效判据。首先,对GaAs基980nm大功率半导体激光器(HPLD)分别施加了-200V,-600V,-800V,-1200V以及+5000V的静电打击(ESD),每次打击后,测量样品电学参数和光学参数。其次,对打击后的器件进行腐蚀并显微观察其打击后损伤现象。反相ESD后,半导体激光器I-V曲线有明显的软击穿现象,在反向4V电压下反向1200V静电打击后漏电为打击的5883854.92倍。正向5000V静电打击后器件没有明显的软击穿现象,且功率下降很小。在反向ESD后器件腐蚀金电极后表面有明显熔毁现象,正向静电打击后则没有此现象。通过正向静电打击和反向静电打击下器件反应的不同I-V特性和损伤表征,推测正向瞬时大电压大电流下,器件的I-V特性无明显变化,而反向大电压大电流打击会导致I-V曲线出现明显软击穿,功率下降和表面熔毁现象,为判别静电损毁提出了有效判据。 展开更多
关键词 大功率半导体激光器 静电 I-V特性 光输出功率
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石墨烯介电电泳组装及电学特性 预览 被引量:1
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作者 安立宝 李文 常春蕊 《材料工程》 CSCD 北大核心 2017年第12期88-92,共5页
将石墨烯有效地集成到微纳器件上实现组装是石墨烯得以应用的重要先决条件。采用介电电泳法对二维纳米材料石墨烯进行组装,研究介电电泳组装过程参数包括外加交变电压幅值、石墨烯悬浮液浓度和外加电场作用时间对组装的影响。结果表明... 将石墨烯有效地集成到微纳器件上实现组装是石墨烯得以应用的重要先决条件。采用介电电泳法对二维纳米材料石墨烯进行组装,研究介电电泳组装过程参数包括外加交变电压幅值、石墨烯悬浮液浓度和外加电场作用时间对组装的影响。结果表明:组装到电极之间的石墨烯数量随着上述组装参数值的增大而增加,其中石墨烯悬浮液浓度的影响最为显著。组装后石墨烯的特性曲线呈现良好的直线性,依据组装石墨烯数量的不同,电阻在数kn到数百kn之间,表明石墨烯与金属电极之间具有较高的接触电阻。采用局部焦耳热法可以有效地降低石墨烯的接触电阻,在电压幅值为3.6V时,降阻效果最优,电阻下降幅度为47.91%。 展开更多
关键词 石墨烯 介电电泳 组装参数 I-V特性 接触电阻 局部焦耳热
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Enhanced Efficiency of Metamorphic Triple Junction Solar Cells for Space Applications
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作者 王笃祥 宋明辉 +5 位作者 毕京锋 陈文浚 李森林 刘冠洲 李明阳 吴超瑜 《中国物理快报:英文版》 SCIE CAS CSCD 2017年第6期126-130,共5页
Metamorphic In_(0.55)Ga_(0.45)P/In_(0.06)Ga_(0.94)As/Ge triple-junction(3J-MM) solar cells are grown on Ge(100) substrates via metal organic chemical vapor deposition. Epi-structural analyses such as high resolution x... Metamorphic In_(0.55)Ga_(0.45)P/In_(0.06)Ga_(0.94)As/Ge triple-junction(3J-MM) solar cells are grown on Ge(100) substrates via metal organic chemical vapor deposition. Epi-structural analyses such as high resolution x-ray diffraction, photoluminence, cathodoluminescence and HRTEM are employed and the results show that the high crystal quality of 3J-MM solar cells is obtained with low threading dislocation density of graded buffer(an average value of 6.8×10~4/cm~2). Benefitting from the optimized bandgap combination, under one sun, AMO spectrum,25℃ conditions, the conversion efficiency is achieved about 32%, 5% higher compared with the lattice-matched In_(0.49)Ga_(0.51)P/In_(0.01)Ga_(0.99)As/Ge triple junction(3J-LM) solar cell. Under 1-MeV electron irradiation test, the degradation of the EQE and Ⅰ-Ⅴ characteristics of 3 J-MM solar cells is at the same level as the 3J-LM solar cell.The end-of-life efficiency is ~27.1%. Therefore, the metamorphic triple-junction solar cell may be a promising candidate for next-generation space multi-junction solar cells. 展开更多
关键词 太阳能电池 空间应用 变质 化学气相沉积 X射线衍射法 HRTEM I-V特性 有机金属
光伏阵列建模与仿真 预览 被引量:1
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作者 钱思羊 《吉林电力》 2016年第1期26-28,共3页
基于光伏模块单指数模型,在Matlab仿真环境下,开发了光伏阵列通用仿真模型。利用该模型,模拟任意太阳辐射强度、环境温度、光伏模块参数、光伏阵列串并联方式组合下的光伏阵列I-V、P-V特性,并通过仿真验证了模型的有效性。
关键词 太阳能电池 光伏阵列 MATLAB仿真 I-V特性 P-V特性
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飞秒激光微构造硅二极管Ⅰ-Ⅴ特性研究 预览 被引量:1
17
作者 李媛 赵利 《运城学院学报》 2016年第3期36-38,共3页
在一定条件下SF6气体氛围中,硅可在飞秒激光辐照区产生微米量级的尖峰结构。退火后用ALD在微构造硅表面上沉积50nm的Zn O:Al电极,背面镀上Al电极形成二极管,测试二极管的光吸收特性及I-V特性。研究表明微构造硅二极管在宽波段范围内有... 在一定条件下SF6气体氛围中,硅可在飞秒激光辐照区产生微米量级的尖峰结构。退火后用ALD在微构造硅表面上沉积50nm的Zn O:Al电极,背面镀上Al电极形成二极管,测试二极管的光吸收特性及I-V特性。研究表明微构造硅二极管在宽波段范围内有明显增强的光吸收。在整个测量范围(250nm到2500nm)可以达到0.85以上,并且光吸收随着尖峰高度的增加而增加。通过测量微构造硅二极管的I-V特性曲线,发现微构造硅二极管存在良好的整流特性,可以广泛应用在光电探测和太阳电池等领域。 展开更多
关键词 飞秒激光微构造硅 二极管 光吸收 I-V特性
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InAs/GaAs量子点中间带太阳电池的理论研究与优化
18
作者 潘保瑞 唐吉玉 +2 位作者 朱永安 何右青 陆旭兵 《半导体光电》 CAS 北大核心 2016年第2期161-164,169共5页
基于InAs/GaAs量子点中间带太阳电池(QD-IBSC)结构和载流子漂移扩散理论建立了计算电流密度与静电势的数学模型,从理论上分析了量子点中间带太阳电池的电压电流特性,定量讨论了量子点层厚度、温度以及n型掺杂对电压电流特性的影响。... 基于InAs/GaAs量子点中间带太阳电池(QD-IBSC)结构和载流子漂移扩散理论建立了计算电流密度与静电势的数学模型,从理论上分析了量子点中间带太阳电池的电压电流特性,定量讨论了量子点层厚度、温度以及n型掺杂对电压电流特性的影响。模拟结果表明:在i层厚度取400nm时转化效率达到最大值14.01%;温度会对量子点中间带太阳电池的电压电流特性产生影响,温度在300-350K范围内,开路电压Voc随温度的升高而明显减小,短路电流Jsc几乎不变;对i区进行n型掺杂会抑制量子点层发挥作用。 展开更多
关键词 太阳电池 INAS/GAAS量子点 漂移扩散 I-V特性 中间带太阳电池
测量I-V特性分析阻变存储器的导电机制 预览
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作者 谢伟 《大学物理实验》 2016年第4期21-22,28共3页
介绍了阻变存储器及其I-V特性的测试分析方法。通过测量三明治结构的阻变存储器的I-V特性,采用多种拟合方法,与导电机制原理对比,可以判断器件的导电机制,便于深入分析阻变机理。
关键词 电致阻变 I-V特性 导电机制
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Cu_2O氧气流量对ZnO-Cu_2O薄膜异质结特性的影响 预览
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作者 吕佩伟 翁卫祥 +1 位作者 施洋 马靖 《电子元件与材料》 CAS CSCD 2016年第4期25-28,共4页
利用磁控溅射法在BK-7玻璃基片上制备了ZnO-Cu_2O薄膜异质结。利用X射线衍射、分光光度计和范德堡方法分析了不同氧气流量对Cu_2O单层薄膜的结构、光学和电学性质的影响,并分析了不同氧气流量制备的Cu_2O对ZnO-Cu_2O异质结I-V特性的影... 利用磁控溅射法在BK-7玻璃基片上制备了ZnO-Cu_2O薄膜异质结。利用X射线衍射、分光光度计和范德堡方法分析了不同氧气流量对Cu_2O单层薄膜的结构、光学和电学性质的影响,并分析了不同氧气流量制备的Cu_2O对ZnO-Cu_2O异质结I-V特性的影响。研究结果表明:ZnO-Cu_2O薄膜异质结样品的I-V曲线具有二极管的整流特性,样品的正向阈值电压随着Cu_2O氧气流量的增加而增大。较大正向电流的样品(氧气流量为10.6 sccm)具有较小的串联电阻和泄露电阻,以及较大的载流子浓度。 展开更多
关键词 磁控溅射 氧化亚铜 氧气流量 薄膜 异质结 I-V特性
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