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基于万用表测试晶体三极管好坏的方法及步骤 预览
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作者 江天亮 《电子测试》 2019年第11期100-101,64共3页
晶体三极管好坏的判断是三极管基极、集电极、发射极和管型判断的前提和基础,利用PN结正向偏置电阻小,反向偏置电阻大的特性和三极管的放大原理判断管型、基极、集电极、发射极,比较电流放大系数β及穿透电流ICEO大小。
关键词 万用表 三极管 PN 流程图
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一种新分析切入点在晶体三极管教学中的应用 预览
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作者 赵瑞娟 刘士军 尹春雷 《电气电子教学学报》 2019年第2期69-72,共4页
晶体三极管是电子技术课程中的基础元器件,也是教学的重点内容。本文针对三极管原理传统教学方法的缺陷,提出一种新分析切入点,从PN结的偏置状态入手由二极管原理进行过渡逐步展开三极管原理的分析,同时采用类比法使得三极管原理讲解变... 晶体三极管是电子技术课程中的基础元器件,也是教学的重点内容。本文针对三极管原理传统教学方法的缺陷,提出一种新分析切入点,从PN结的偏置状态入手由二极管原理进行过渡逐步展开三极管原理的分析,同时采用类比法使得三极管原理讲解变得浅显易懂生动形象,在三极管的教学中收到了良好效果。 展开更多
关键词 晶体三极管 PN 少数载流子
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Origin软件在PN结伏安特性实验数据处理中的应用 预览
3
作者 祁玲敏 韩太坤 +3 位作者 贺言 方运良 邓锂强 申惠娟 《物理通报》 2019年第6期90-93,共4页
利用Origin软件的绘图、非线性拟合、线性拟合、异常数据剔除和OriginC编程等功能处理PN结伏安特性实验数据,最终得到较准确的玻尔兹曼常数.通过Origin软件在数据处理中的应用研究,为PN结伏安特性实验提供了一种提高精确度的数据处理方... 利用Origin软件的绘图、非线性拟合、线性拟合、异常数据剔除和OriginC编程等功能处理PN结伏安特性实验数据,最终得到较准确的玻尔兹曼常数.通过Origin软件在数据处理中的应用研究,为PN结伏安特性实验提供了一种提高精确度的数据处理方法,体现了Origin软件操作简单灵活、结果直观准确的特点,展现了Origin软件强大的函数拟合和数据分析功能. 展开更多
关键词 ORIGIN软件 非线性拟合 线性拟合 异常数据剔除 PN
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半导体器件物理与工艺的TCAD综合性实验设计 预览
4
作者 陈卉 师向群 +1 位作者 胡云峰 文毅 《科技创新与应用》 2019年第6期20-23,27共5页
半导体器件物理与工艺课程主要让学生掌握半导体基本理论,器件基本结构、物理原理、特性及主要工艺技术对器件性能的影响。为了简化课程教学难度,提高教学质量,引入TCAD综合性实验设计。基础实验设计部分不仅能让学生更形象、直观的看... 半导体器件物理与工艺课程主要让学生掌握半导体基本理论,器件基本结构、物理原理、特性及主要工艺技术对器件性能的影响。为了简化课程教学难度,提高教学质量,引入TCAD综合性实验设计。基础实验设计部分不仅能让学生更形象、直观的看到器件形貌、获取器件各参数,而且可以结合课程相关理论知识分析半导体工艺条件及器件结构参数对器件性能的影响,促进知识的转移、转化。创新性实验设计部分,学生根据已有的器件模型,自主设计其它性能器件,激发学生的学习兴趣,培养学生综合设计及创新能力。 展开更多
关键词 Athena工艺仿真器 Atlas器件仿真器 实际生产 PN
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PN结特性在二极管、三极管教学中的仿真应用 预览
5
作者 姜灿 刘宏章 陈圣江 《信息通信》 2018年第8期98-102,共5页
电路仿真分析是电子电路设计中重要的环节之一。通过Pspice软件对PN结伏安特性,二极管钳位电路及三极管共射极放大电路进行仿真分析,能够更充分、直观地理解器件特性及应用电路的功能。理论计算与仿真分析结果一致,表明该仿真具有较好... 电路仿真分析是电子电路设计中重要的环节之一。通过Pspice软件对PN结伏安特性,二极管钳位电路及三极管共射极放大电路进行仿真分析,能够更充分、直观地理解器件特性及应用电路的功能。理论计算与仿真分析结果一致,表明该仿真具有较好的实用性,同时对学习二极管、三极管器件特性及其工程应用有一定的指导作用。 展开更多
关键词 PN BJT Pspice输出特性曲线 载流子
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四探针薄层电阻测试仪的电路原理 预览
6
作者 李斌 《河南科技》 2018年第14期45-47,共3页
四探针薄层电阻测试仪具有量程选择方便、恒流源电流可调及数据读出迅速、稳定的特点。因此,本文结合半导体制程中扩散层薄层电阻测量的实际需要,介绍了四探针薄层电阻测试仪的测试原理和电路原理,以期为相关学者的研究提供参考。
关键词 薄层电阻 扩散层 PN
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离子入射PN结的电荷收集模拟 预览
7
作者 高丽娟 白彩艳 《晋中学院学报》 2018年第3期18-20,59共4页
本文基于器件仿真软件MEDICI,研究了离子入射带外延层的PN结的电荷收集过程.外延层耗尽之前,漏斗效应是最强的.在外延层准中性区的电势降很小;外延层耗尽之后,漏斗效应基本停止,耗尽区几乎承担了全部的电势,进一步了解了电荷收集各个阶... 本文基于器件仿真软件MEDICI,研究了离子入射带外延层的PN结的电荷收集过程.外延层耗尽之前,漏斗效应是最强的.在外延层准中性区的电势降很小;外延层耗尽之后,漏斗效应基本停止,耗尽区几乎承担了全部的电势,进一步了解了电荷收集各个阶段的特点,对器件的单粒子效应研究有重要的作用. 展开更多
关键词 重离子 MEDICI PN
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一维均匀掺杂突变PN结伽马剂量率辐射解析模型 预览
8
作者 赵珩尧 黄清华 +2 位作者 代刚 李顺 梁堃 《太赫兹科学与电子信息学报》 北大核心 2018年第3期541-546,共6页
研究硅基半导体集成电路最基本结构之一PN结的伽马剂量率辐射模型,阐明PN剂量率辐射模型的重要意义。根据半导体物理基本方程,推导计算出在剂量率辐射下一维均匀掺杂突变PN结光电流响应的解析解模型,根据解析解,在不同参数下用Mathemat... 研究硅基半导体集成电路最基本结构之一PN结的伽马剂量率辐射模型,阐明PN剂量率辐射模型的重要意义。根据半导体物理基本方程,推导计算出在剂量率辐射下一维均匀掺杂突变PN结光电流响应的解析解模型,根据解析解,在不同参数下用Mathematica作图观察,并与计算机辅助设计技术(TCAD)数值模拟仿真结果对比,验证解析解的正确性;最后基于解析解,通过分析剂量率、偏压、PN结几何尺寸、掺杂浓度、载流子扩散系数、少子寿命等参数对稳态光电流的影响,提出一个更方便工程计算的稳态光电流模型。 展开更多
关键词 PN 剂量率 光电流 解析解 计算机辅助设计技术 模型
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PN结型器件在交流小信号下的电容特性 预览 被引量:1
9
作者 王立英 冯列峰 《大学物理》 2018年第1期64-67,76共5页
GaN基发光二极管(LED)是典型的PN结型器件,本文以GaN-LED为例,系统阐述了PN结在交流小信号下的电容特性;首次区分、定义了‘电压区间’,并阐明了不同‘电压区间’对电容起贡献的机制.指出:小电压下,PN结电容主要由耗尽层电容贡献,随... GaN基发光二极管(LED)是典型的PN结型器件,本文以GaN-LED为例,系统阐述了PN结在交流小信号下的电容特性;首次区分、定义了‘电压区间’,并阐明了不同‘电压区间’对电容起贡献的机制.指出:小电压下,PN结电容主要由耗尽层电容贡献,随电压几乎不发生变化;过渡区,PN结电容主要由扩散电容贡献,随电压近e指数增加.这些特性与经典Shockley理论一致.大电压下,PN结电容变为负值.精确分析负电容特性后,总结出了负电容随电压和频率的精确变化关系式.负电容的实验结果难以被经典Shockley的扩散电容理论解释,但为Hess教授的《Advanced Theory of Semiconductor Devices》提供了有力的实验基础,将为半导体器件物理的发展起到推动作用. 展开更多
关键词 PN 负电容 发光二极管(LED) GaN
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万用表测定三极管3个电极的方法研究 预览
10
作者 张晓伟 阎国欣 《无线互联科技》 2018年第24期110-111,共2页
电子技术已广泛应用于国民生产的各个部门,国防和科学技术各个领域及人类社会生活的各个方面,半导体三极管是模拟电路的核心元件,应用十分广泛。文章研究了万用表测定三极管3个电极的方法。
关键词 半导体 PN 单向导电性
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氧化亚铜太阳能电池制备与光电性能分析 预览
11
作者 刘憬行 《科技创新与生产力》 2018年第11期66-67,71共3页
随着我国生态环保理念的不断强化,风能、太阳能、核能等清洁能源发展迅速,光伏产业因此也迅猛发展。但制备太阳能电池板的材料以高纯Si为主,制备成本较高,制备过程对环境污染太大。Cu2O作为一种优良的半导体光电材料,制备过程简单,污染... 随着我国生态环保理念的不断强化,风能、太阳能、核能等清洁能源发展迅速,光伏产业因此也迅猛发展。但制备太阳能电池板的材料以高纯Si为主,制备成本较高,制备过程对环境污染太大。Cu2O作为一种优良的半导体光电材料,制备过程简单,污染小,在太阳能电池以及光催化中的应用前景十分广阔,但由于受到各种条件的限制,目前尚不能进行大规模的应用。本文利用热氧化法制备Cu2O,分析Cu2O的光电转化性能,提出把Cu2O作为PN结材料整合进太阳能电池的思路。 展开更多
关键词 光伏效应 太阳能电池 PN CU2O
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C-V法研究温度对GaN基蓝光二极管pn结的影响 预览
12
作者 王春安 符斯列 +3 位作者 刘柳 丁罗城 李俊贤 鲍佳怡 《发光学报》 CSCD 北大核心 2018年第10期1417-1424,共8页
采用C-V法,根据C-2-V曲线和C-3-V曲线,并结合C-V幂律指数k,分析了T=25~-195℃温度范围内,温度变化对GaN基蓝光发光二极管pn结类型的影响。实验结果表明:当T为25℃和-50℃时,C-2-V呈明显的线性关系,同时幂律指数k为0.5,说明该温... 采用C-V法,根据C-2-V曲线和C-3-V曲线,并结合C-V幂律指数k,分析了T=25~-195℃温度范围内,温度变化对GaN基蓝光发光二极管pn结类型的影响。实验结果表明:当T为25℃和-50℃时,C-2-V呈明显的线性关系,同时幂律指数k为0.5,说明该温度范围内的pn结类型为严格的突变结;而温度降低至-100℃时,k值变为0.45,说明pn结类型开始发生变化;当温度继续降低至-150℃和-195℃时,幂律指数k分别为0.30和0.28,说明pn结类型已经发生了变化,变为非突变非缓变结。造成这一现象的原因是低温导致的载流子冻析效应,以及晶体的缺陷和界面态形成的局域空间电荷区在低温环境下,影响了pn结原来的空间电荷分布,并改变了pn结类型。 展开更多
关键词 GaN基蓝光二极管 pn结特性 电容-电压法 幂律关系
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Electromechanical Fields Near a Circular PN Junction Between Two Piezoelectric Semiconductors
13
作者 Yixun Luo Ruoran Cheng +2 位作者 Chunli Zhang Weiqiu Chen Jiashi Yang 《固体力学学报:英文版》 SCIE EI CSCD 2018年第2期127-140,共14页
关键词 半导体 压电 机电 连接 圆形 物理参数 现象学 线性化
结深对65nm体硅CMOS晶体管单粒子瞬态脉冲的影响 预览
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作者 刘蓉容 池雅庆 窦强 《计算机工程与科学》 CSCD 北大核心 2017年第12期2176-2184,共9页
使用TCAD模拟工具,分析了纳米工艺下N’-N结、P+-P结和PN结深度的变化对PMOS以及NMOS单粒子瞬态(SET)脉冲宽度的影响,并考虑了电压温度变化下结深对晶体管单粒子瞬态的影响程度。结果表明,N’-N结的变化对PMOS晶体管单粒子瞬态脉... 使用TCAD模拟工具,分析了纳米工艺下N’-N结、P+-P结和PN结深度的变化对PMOS以及NMOS单粒子瞬态(SET)脉冲宽度的影响,并考虑了电压温度变化下结深对晶体管单粒子瞬态的影响程度。结果表明,N’-N结的变化对PMOS晶体管单粒子瞬态脉冲宽度的影响最为显著。同时,还分析出N’N、P’-P结在不同电压下的差异性较为明显,PN结在不同温度下的差异性较为显著。 展开更多
关键词 N’-N结 P’-P结 PN 单粒子瞬态 PMOS NMOS 脉冲宽度
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LED热学特性研究及应用实验仪 预览 被引量:1
15
作者 陈乾 戴玉蓉 +1 位作者 孙贵宁 杨蕾 《物理实验》 2017年第7期39-42,共4页
研制了功率型LED热学特性研究及应用实验仪,控温范围为室温~120°C,控温精度为0.5°C,分辨率为0.1°C,设有过载报警功能.通过脉冲电流法准确测量LED结温,并在此基础上研究温度对功率型LED发光效率的影响以及器件热阻等热学... 研制了功率型LED热学特性研究及应用实验仪,控温范围为室温~120°C,控温精度为0.5°C,分辨率为0.1°C,设有过载报警功能.通过脉冲电流法准确测量LED结温,并在此基础上研究温度对功率型LED发光效率的影响以及器件热阻等热学特性. 展开更多
关键词 发光二极管 PN 结温 照度 热阻
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大功率LED结温与器件表面温度关系的研究 预览 被引量:1
16
作者 朱简约 李乐天 陈乾 《物理与工程》 2017年第3期18-21,共4页
本文利用东南大学自主研发的LED热学特性实验仪,通过脉冲电流法对常见的大功率白光LED灯珠的结温和器件表面温度进行了测量,深入研究了LED灯在升温和降温过程中温度的变化规律,并给出了结温和表面温度的定量关系。一方面,该工作对... 本文利用东南大学自主研发的LED热学特性实验仪,通过脉冲电流法对常见的大功率白光LED灯珠的结温和器件表面温度进行了测量,深入研究了LED灯在升温和降温过程中温度的变化规律,并给出了结温和表面温度的定量关系。一方面,该工作对工程技术领域中的相关研究有一定的实际意义;另一方面,该课题实验内容能帮助学生理解与PN结和LED相关的物理概念和基本原理,使他们体会到物理与现代工程技术的密切联系,从而激发学生对实验物理的兴趣。 展开更多
关键词 发光二极管 PN 结温 表面温度 脉冲电流法
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电磁脉冲参数对二极管击穿特性的影响分析 预览
17
作者 冯雪 陈凯亚 +1 位作者 叶志红 廖成 《信息技术》 2017年第1期9-11,共3页
为研究电磁脉冲作用下p-n-n+型二极管的击穿及损伤情况,文中结合Si基p-n-n+型二极管,采用漂移—扩散理论结合热流方程,建立了二极管的二维电热模型。仿真结果表明,电压信号的上升时间和幅值对二极管是否击穿有直接影响,上升时间越短... 为研究电磁脉冲作用下p-n-n+型二极管的击穿及损伤情况,文中结合Si基p-n-n+型二极管,采用漂移—扩散理论结合热流方程,建立了二极管的二维电热模型。仿真结果表明,电压信号的上升时间和幅值对二极管是否击穿有直接影响,上升时间越短、初始偏压越高,则二极管越容易击穿。损伤及烧毁阈值随电压幅度的增加而升高,随上升时间的增加而降低。 展开更多
关键词 二极管 PN 电磁脉冲 阈值
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基于真空铝预沉积工艺的高压晶闸管性能优化
18
作者 银登杰 贺振卿 +1 位作者 李勇 焦莎莎 《大功率变流技术》 2017年第6期38-41,47共5页
在高压晶闸管器件的硅片参数设计时,制造过程中不同扩散工艺形成PN结的平坦性是重点考虑的因素之一。为了获得更优良的高压快速晶闸管器件动静态特性,文章从制造工艺入手,首先探讨了真空铝预沉积和闭管铝扩散工艺形成PN结的平坦性差异,... 在高压晶闸管器件的硅片参数设计时,制造过程中不同扩散工艺形成PN结的平坦性是重点考虑的因素之一。为了获得更优良的高压快速晶闸管器件动静态特性,文章从制造工艺入手,首先探讨了真空铝预沉积和闭管铝扩散工艺形成PN结的平坦性差异,然后通过理论计算与Silvaco仿真验证,得出了同一硅片厚度下器件转折电压随结深的变化关系,并基于PN结平坦性的考虑设计了两种工艺条件下的最小化硅片厚度。试验结果表明,采用真空铝预沉积工艺及与之对应的最佳硅片参数所研制的器件性能优化明显。 展开更多
关键词 真空铝预沉积 闭管铝扩散 PN 硅片厚度 快速晶闸管
C-V法测量GaN基蓝光LED的PN结特性 预览 被引量:2
19
作者 符斯列 王春安 +2 位作者 蒋联娇 秦盈星 吴先球 《物理实验》 2017年第5期1-6,共6页
应用C-V法研究了GaN基蓝光LED的PN结特性.通过变温的C-V曲线、相应的C-2-V曲线和C-3-V曲线判断GaN基PN结的结类型,计算杂质浓度分布和PN结接触电势差,并分析了温度变化对PN结特性的影响.该实验不仅能加深学生对二极管PN结及C-V法应用的... 应用C-V法研究了GaN基蓝光LED的PN结特性.通过变温的C-V曲线、相应的C-2-V曲线和C-3-V曲线判断GaN基PN结的结类型,计算杂质浓度分布和PN结接触电势差,并分析了温度变化对PN结特性的影响.该实验不仅能加深学生对二极管PN结及C-V法应用的认识和理解,还可以让学生了解GaN新型半导体材料的相关知识. 展开更多
关键词 C-V法 GaN基蓝光二极管 PN结特性 杂质浓度分布
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飞秒激光脉冲数对P型HgCdTe激光打孔成结效果的影响 预览
20
作者 潘晨博 陈熙仁 +3 位作者 公民 戴晔 邵军 查访星 《红外与毫米波学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2016年第1期52-56,共5页
飞秒激光对p型Hg Cd Te打孔形成PN结.该实验基于1 k Hz低重复频率飞秒激光采用不同脉冲数在p型Hg Cd Te上打孔形成尺寸不同的微孔结构.实验发现脉冲数是影响成结效果的重要参数.激光诱导电流(LBIC)检测表明,随着脉冲数由单个增至10个... 飞秒激光对p型Hg Cd Te打孔形成PN结.该实验基于1 k Hz低重复频率飞秒激光采用不同脉冲数在p型Hg Cd Te上打孔形成尺寸不同的微孔结构.实验发现脉冲数是影响成结效果的重要参数.激光诱导电流(LBIC)检测表明,随着脉冲数由单个增至10个,微孔侧壁反型层宽度由13.5μm减小到10.5μm.当脉冲数增大至100个时,微孔LBIC信号曲线已严重偏离PN结所对应的正负峰对称线形,意味着结特性趋于失效.对LBIC曲线拟合表明,单脉冲打孔形成的PN结给出最大的载流子扩散长度,约为17μm,而10个脉冲对应的环孔PN结扩散长度则减小为12μm. 展开更多
关键词 碲镉汞 PN 激光束诱导电流 飞秒激光打孔
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