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一种高电源抑制比带隙基准源
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作者 周志兴 来强涛 +4 位作者 姜宇 郭江飞 王成龙 陈腾 郭桂良 《微电子学与计算机》 北大核心 2019年第5期1-4,9共5页
介绍了一种高电源抑制比的带隙基准电路.本文采用改进的威尔逊电流镜结构和负反馈技术设计了一种新型的稳压电路,为带隙基准提供电源和偏置,实现了高电源抑制比.结果表明,在-40℃~150℃温度范围、3.5 V~6 V的电源电压范围内,该带隙基准... 介绍了一种高电源抑制比的带隙基准电路.本文采用改进的威尔逊电流镜结构和负反馈技术设计了一种新型的稳压电路,为带隙基准提供电源和偏置,实现了高电源抑制比.结果表明,在-40℃~150℃温度范围、3.5 V~6 V的电源电压范围内,该带隙基准的温度系数为15 ppm/℃.带隙基准源的电源抑制比在直流处和1 kHz处分别为-125 dB、-106 dB. 展开更多
关键词 带隙基准源 电源抑制比 稳压电路
低温度系数高电源抑制比宽频带带隙基准电压源的设计 预览 被引量:1
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作者 连天培 蒋品群 +2 位作者 宋树祥 蔡超波 庞中秋 《广西师范大学学报:自然科学版》 CAS 北大核心 2019年第1期125-132,共8页
本文设计了一款低温度系数高电源抑制比的带隙基准电压源。设计采用动态阈值MOS管(DTMOS)产生温度补偿电流,以降低温漂;输出部分采用一个简单的低通滤波器,以降低高频噪声,在较宽频带内提高电源抑制比。电路采用SMIC0.18μm标准CMOS工... 本文设计了一款低温度系数高电源抑制比的带隙基准电压源。设计采用动态阈值MOS管(DTMOS)产生温度补偿电流,以降低温漂;输出部分采用一个简单的低通滤波器,以降低高频噪声,在较宽频带内提高电源抑制比。电路采用SMIC0.18μm标准CMOS工艺实现,供电电源为1.8V,仿真结果表明:电路在-40~130℃温度范围内,温度系数为1.54×10^-6℃^-1,输出基准电压为1.154V,电源抑制比在10Hz处为-76dB,在100kHz处为-85dB,在15MHz处为-63dB。本基准源具有较好的综合性能,可为数模转换电路、模数转换电路、电源管理芯片等提供高精度的基准电压,具有较大的应用价值。 展开更多
关键词 带隙基准电压源 电源抑制比 温度系数 动态阈值MOS管
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一款高PSRR低温度系数的带隙基准电压源的设计 预览
3
作者 王洁夫 《电子制作》 2018年第1期75-76,64共3页
本文分析了带隙基准电路的基本结构和原理,并采用IBM 0.13μm的CMOS工艺设计了一款低温度系数高电源抑制比(PSRR)低温度系数的带隙基准电压源。其电路结构主要包括启动电路、运算放大器、基准源核心电路等。在10kHz处,PSRR可到达-75d ... 本文分析了带隙基准电路的基本结构和原理,并采用IBM 0.13μm的CMOS工艺设计了一款低温度系数高电源抑制比(PSRR)低温度系数的带隙基准电压源。其电路结构主要包括启动电路、运算放大器、基准源核心电路等。在10kHz处,PSRR可到达-75d B。-20~150μC温度范围内,输出电压范围为0.5494V±0.0004V,其平均温度系数约为 4 .4ppm/℃。 展开更多
关键词 基准电压源 PSRR 温度系数 噪声
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基于0.13μm SOI CMOS工艺的高性能LDO设计 预览
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作者 李雅淑 高超嵩 +1 位作者 孙向明 杨苹 《电子设计工程》 2018年第19期165-170,共6页
基于电子设备对电源管理芯片的需求,本文设计了一种输出电压2.8 V,最大负载电流为50mA的高性能低压差线性稳压器(low-dropout regulator,LDO)。该LDO采用调整管栅极驱动技术,改善了负载瞬态响应,同时利用片外电容的等效串联电阻(Equi... 基于电子设备对电源管理芯片的需求,本文设计了一种输出电压2.8 V,最大负载电流为50mA的高性能低压差线性稳压器(low-dropout regulator,LDO)。该LDO采用调整管栅极驱动技术,改善了负载瞬态响应,同时利用片外电容的等效串联电阻(Equivalent Series Resistance,ESR)补偿系统频率,保证了LDO的稳定性。在国产0.13μm Silicon-On-Insulation CMOS工艺上,实现了电路原理图和版图的设计,芯片面积(不包含PAD)为0.009 mm2。该LDO电路使用Cadence、Spectre等工具进行了仿真验证,仿真结果表明:输出电压为2.8 V,输出过冲小于8 mV,最大负载响应时间为2.1μs,相位裕度大于77°,低频时电源电压抑制比PSRR为-90 dB,负载调整率为53μV/mA,线性调整率为3.37 mV/V。 展开更多
关键词 低压差线性稳压器 SOI工艺 高稳定性 瞬态响应 电源抑制比
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一种低压差线性稳压器LDO高频段电源抑制比的测量方法 预览
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作者 阮颐 王甲 《集成电路应用》 2018年第10期15-17,共3页
随着便携式设备和物联网技术的飞速发展,系统对 LDO(低压差线性稳压器)提出了越来越高的要求,不仅要求低功耗、低压差,而且要求低噪声和高电源抑制比(PSRR).在射频和图像传感器的应用领域,PSRR 除了在传统的音频领域要有出色的性能... 随着便携式设备和物联网技术的飞速发展,系统对 LDO(低压差线性稳压器)提出了越来越高的要求,不仅要求低功耗、低压差,而且要求低噪声和高电源抑制比(PSRR).在射频和图像传感器的应用领域,PSRR 除了在传统的音频领域要有出色的性能,在高频段的表现也会直接影响到整个系统的性能.介绍-种新的测试方法,可以方便准确地衡量 LDO 在高频段的电源抑制能力. 展开更多
关键词 低压差线性稳压器 电源抑制比 高频段
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基于网络分析仪的LDOP SRR测量 预览 被引量:1
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作者 阮颐 王甲 宋清亮 《集成电路应用》 2018年第5期64-66,共3页
随着智能手机、平板电脑等便携式设备的日益普及,LDO(低压差线性稳压器)得到了飞速发展。便携式系统对LDO的效率、瞬态特性、噪声,特别是电源抑制能力提出了更高的要求。这是一种基于是德科技网络分析仪的测试方法,可以准确地测量LDO... 随着智能手机、平板电脑等便携式设备的日益普及,LDO(低压差线性稳压器)得到了飞速发展。便携式系统对LDO的效率、瞬态特性、噪声,特别是电源抑制能力提出了更高的要求。这是一种基于是德科技网络分析仪的测试方法,可以准确地测量LDO芯片高频段的电源抑制能力。 展开更多
关键词 低压差线性稳压器 电源抑制比 网络分析仪
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一种基于g_m-I_D方法的神经信号放大电路
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作者 袁丰 张长春 +1 位作者 徐跃 郭宇锋 《微电子学》 CSCD 北大核心 2018年第2期237-240,245共5页
为探测幅值极小、分布频域很低的神经信号,基于g_m-I_D方法设计了一种低电压、低功耗跨导运算放大器。该运算放大器采用了带增益自举模块的AB类低电压伪差分放大结构。在此基础上,设计了电容反馈神经信号放大电路。仿真结果表明,神经信... 为探测幅值极小、分布频域很低的神经信号,基于g_m-I_D方法设计了一种低电压、低功耗跨导运算放大器。该运算放大器采用了带增益自举模块的AB类低电压伪差分放大结构。在此基础上,设计了电容反馈神经信号放大电路。仿真结果表明,神经信号放大电路在低电源电压、低功耗下具有较高的共模抑制比和电源抑制比。电路的各关键指标达到良好均衡,满足探测神经信号的需求。 展开更多
关键词 共模抑制比 电源抑制比 跨导运算放大器 神经信号放大电路 gm-ID方法
一种带分段曲率补偿的高电源抑制比的带隙基准电压源 预览
8
作者 胡伟 方玉明 吉新村 《湖北大学学报:自然科学版》 CAS 2018年第5期501-506,共6页
围绕降低温漂、提高电源抑制比的目标,设计一种带有分段曲率补偿并且具有较好的电源抑制比性能的带隙基准电路.设计带隙基准电路,优化传统的电流求和结构,采用共源共栅结构作为电流源以提高电源抑制比.设计温度补偿电路,改善带隙基准的... 围绕降低温漂、提高电源抑制比的目标,设计一种带有分段曲率补偿并且具有较好的电源抑制比性能的带隙基准电路.设计带隙基准电路,优化传统的电流求和结构,采用共源共栅结构作为电流源以提高电源抑制比.设计温度补偿电路,改善带隙基准的温度系数.设计采用SMIC 0.18μm CMOS工艺,1.8 V电压供电,输出的基准电压为900 mV,在温度为-45 125℃范围内,仿真显示,温度系数为2.3×10~(-6)/℃,在低频时电源抑制比可以达到-86 dB,电路性能参数满足预期要求. 展开更多
关键词 带隙基准 曲率补偿 电源抑制比
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一种带曲率补偿的低压高PSRR带隙基准源
9
作者 钟黎 王永禄 +2 位作者 胡云斌 青旭东 秦少宏 《微电子学》 CSCD 北大核心 2018年第1期5-8,13共5页
基于SMIC 65nm CMOS工艺,设计了一种带曲率补偿的低压高电源抑制比(PSRR)带隙基准电压源。采用带曲率补偿的电流模结构,使输出基准电压源低于1.2V且具有低温漂系数。在基本的带隙基准电路基础上,增加基准核的内电源产生电路,显著提高... 基于SMIC 65nm CMOS工艺,设计了一种带曲率补偿的低压高电源抑制比(PSRR)带隙基准电压源。采用带曲率补偿的电流模结构,使输出基准电压源低于1.2V且具有低温漂系数。在基本的带隙基准电路基础上,增加基准核的内电源产生电路,显著提高了电路的PSRR。采用Cadence Spectre软件,在1.8V电压下对电路进行仿真。结果表明,在1kHz以下时,PSRR为-95.76dB,在10kHz时,PSRR仍能达到88.51dB,在-25℃-150℃温度范围内的温度系数为2.39×10^-6/℃。 展开更多
关键词 带隙基准电压源 低电压 内电源 电源抑制比 温度系数
高电源抑制比、低噪声电源的研究与设计 预览
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作者 钱焕裕 周叶华 叶宝盛 《舰船电子对抗》 2017年第4期87-90,共4页
随着无线电技术的迅猛发展,系统中的模拟电路对供电电源的电源抑制比、噪声等指标提出了越来越苛刻的要求。介绍了一种由独立器件搭建的电源系统。通过合理地选择运算放大器,精心设计电源反馈环路与滤波电路,可以使电源噪声得到优化,电... 随着无线电技术的迅猛发展,系统中的模拟电路对供电电源的电源抑制比、噪声等指标提出了越来越苛刻的要求。介绍了一种由独立器件搭建的电源系统。通过合理地选择运算放大器,精心设计电源反馈环路与滤波电路,可以使电源噪声得到优化,电源抑制比频响特性可调,使电源性能表现得更加优越,适应系统的要求。 展开更多
关键词 电源 稳定性 噪声 电源抑制比
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一种分段补偿带隙基准电压源的设计 预览 被引量:1
11
作者 王军 韦笃取 《广西师范大学学报:自然科学版》 北大核心 2017年第2期17-23,共7页
针对一阶温度补偿的基准电压源仍有较高的温度系数的问题,本文提出一种分段补偿的设计方法,以降低基准电压源输出电压随温度的漂移。利用带负电阻放大器的增益对温度敏感的特性产生一个随温度变化的电压信号,用该电压信号驱动一个PMOS管... 针对一阶温度补偿的基准电压源仍有较高的温度系数的问题,本文提出一种分段补偿的设计方法,以降低基准电压源输出电压随温度的漂移。利用带负电阻放大器的增益对温度敏感的特性产生一个随温度变化的电压信号,用该电压信号驱动一个PMOS管在3个温度段内对基准电路注入或抽取电流的方式进行分段补偿。仿真结果表明:当温度在-40~125℃范围内变化时,基准电压仅变化0.311mV,温度系数为1.89×10-6℃~(-1),电源抑制比在低频时为-90dB。该带隙基准源在温度为-15℃、34℃、76℃时,基准电压对温度的函数曲线的的曲率为0,在标准工艺下温漂系数较低。该研究可为ADC、线性稳压器、DC/DC转换器等电路提供高精度的基准电压。 展开更多
关键词 温度系数 带隙基准源 电源抑制比 分段补偿
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一种有源零点补偿的片上LDO设计 被引量:1
12
作者 胡云斌 周勇 +1 位作者 胡永贵 顾宇晴 《微电子学》 CSCD 北大核心 2017年第3期326-329,共4页
提出了一种新颖的有源零点补偿LDO结构,实现了LDO在全负载范围内的稳定,1~10 MHz范围内的电源抑制比提高了10dB。采用欠冲电压减小技术,显著减小了输出欠冲电压,提高了瞬态响应性能。基于SMIC 65nm CMOS工艺,设计了输出电压为1V、压差... 提出了一种新颖的有源零点补偿LDO结构,实现了LDO在全负载范围内的稳定,1~10 MHz范围内的电源抑制比提高了10dB。采用欠冲电压减小技术,显著减小了输出欠冲电压,提高了瞬态响应性能。基于SMIC 65nm CMOS工艺,设计了输出电压为1V、压差电压为200mV、最大输出电流为100mA的无片外电容LDO。仿真结果显示,空载时LDO的相位裕度为64.3°,最大过冲和欠冲电压分别为52mV和47mV,满载时LDO的电源抑制比为-66dB@10kHz。 展开更多
关键词 低压差线性稳压器 有源零点补偿 无片外电容 电源抑制比
一种全负载稳定的高PSRR LDO的设计 被引量:1
13
作者 张龙 来强涛 +2 位作者 刘生有 郭桂良 戴宇杰 《微电子学与计算机》 CSCD 北大核心 2017年第2期58-62,共5页
提出了一种高电源纹波抑制比的低压差线性稳压器.该低压差线性稳压器通过提高带隙基准的电源抑制比以达到提高LD0(低压差线性稳压器)低频电源纹波抑制的能力.在TSMC0.18μmCMOS工艺下进行了仿真验证,仿真结果表明,该LDO最大负载... 提出了一种高电源纹波抑制比的低压差线性稳压器.该低压差线性稳压器通过提高带隙基准的电源抑制比以达到提高LD0(低压差线性稳压器)低频电源纹波抑制的能力.在TSMC0.18μmCMOS工艺下进行了仿真验证,仿真结果表明,该LDO最大负载电流可以达到80mA,当负载电流在O~80mA范围内变化时,开环相位裕度均大于64°,证明了低压差线性稳压器的高稳定性.当负载电流从0mA跳变到80mA时,系统的输出电压过冲仅为15mV,环路响应时间仅为0.5μs.当负载电流为80mA,测得10kHz时的电源纹波抑制比为-60.82dB,100kHz时LIX)的电源纹波抑制比为-57.66dB. 展开更多
关键词 线性稳压器 电源纹波抑制比 片上系统
超低温漂带隙基准电压源设计 预览 被引量:1
14
作者 陆锋 葛兴杰 《电子与封装》 2017年第3期22-25,共4页
在对传统带隙基准电压源进行理论分析的基础上,结合当前IC设计中对基准电压源低温漂、高电源抑制比的要求,设计了一种超低温漂的带隙基准电压源电路。该电路带有启动电路和高阶温度补偿电路。仿真结果表明,在-55~125℃的温度范围内获得... 在对传统带隙基准电压源进行理论分析的基础上,结合当前IC设计中对基准电压源低温漂、高电源抑制比的要求,设计了一种超低温漂的带隙基准电压源电路。该电路带有启动电路和高阶温度补偿电路。仿真结果表明,在-55~125℃的温度范围内获得了1.65×10-6/℃的温漂系数,低频时的电源抑制比达到-62 d B。 展开更多
关键词 高阶温度补偿 低温漂系数 高电源抑制比
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电流模式的高阶曲率补偿CMOS带隙基准源 预览
15
作者 张普杰 王卫东 李耀臻 《微型机与应用》 2017年第24期16-18,21共4页
因为传统的带隙电压基准源只经过了一阶温度补偿,且输出电压只能在1.2 V左右,所以为了得到一个可调的、更高精度的电压基准源,提出了电流模式的带隙电压基准源电路。电路采用了高阶曲率补偿方法,且输出的基准电压可根据输出电阻的大小... 因为传统的带隙电压基准源只经过了一阶温度补偿,且输出电压只能在1.2 V左右,所以为了得到一个可调的、更高精度的电压基准源,提出了电流模式的带隙电压基准源电路。电路采用了高阶曲率补偿方法,且输出的基准电压可根据输出电阻的大小进行调节。电路采用gpdk090 CMOS工艺,通过Spectre仿真,当电源电压为3.6 V、在-60℃--120℃温度范围内、温度系数为14.4×10-6/℃时电源电压抑制比为78.3 d B,输出电压平均为1.162 V。 展开更多
关键词 带隙电压基准源 高阶曲率补偿 温度系数 电压抑制比
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一种高PSRR无电阻带隙基准源
16
作者 秦少宏 胡永贵 +3 位作者 胡云斌 青旭东 周勇 钟黎 《微电子学》 CSCD 北大核心 2017年第4期457-460,共4页
设计了一种高电源抑制比(PSRR)、低温漂的无电阻带隙基准源。在传统无电阻带隙基准电压源的基础上引入反馈环路,实现了对电压的箝制,减小了沟道长度调制效应和失调电压,提高了带隙基准源的PSRR。引入正温度补偿电路,减小了带隙基准源... 设计了一种高电源抑制比(PSRR)、低温漂的无电阻带隙基准源。在传统无电阻带隙基准电压源的基础上引入反馈环路,实现了对电压的箝制,减小了沟道长度调制效应和失调电压,提高了带隙基准源的PSRR。引入正温度补偿电路,减小了带隙基准源的温度系数。采用TSMC 0.18μm CMOS工艺对电路进行了仿真。结果表明,在3 V工作电压下,在低频下带隙基准源的PSRR为-65 d B,在-25℃~125℃温度范围内的温度系数为3.72×10~(-5)/℃。 展开更多
关键词 无电阻带隙电压基准 反馈环路 电源抑制比 温度系数
移动设备应用低THD+N高PSRRD类功率放大器
17
作者 郑浩 王秋妍 +1 位作者 刘延飞 王道平 《固体电子学研究与进展》 CSCD 北大核心 2017年第2期134-139,共6页
介绍了一款可直接由锂电池供电,基于移动全集成CMOSD类功率放大器,该放大器采用非直接反馈结构,通过在反馈环路植入二阶反馈系统,减小高频分量以及消除来自D类放大器输出端的共模干扰,同时高环路增益可获得高电源抑制比以及低THD+N;为... 介绍了一款可直接由锂电池供电,基于移动全集成CMOSD类功率放大器,该放大器采用非直接反馈结构,通过在反馈环路植入二阶反馈系统,减小高频分量以及消除来自D类放大器输出端的共模干扰,同时高环路增益可获得高电源抑制比以及低THD+N;为节省PCB空间、减少系统成本、提高系统效率,放大器采用全差分"三态"调制技术以实现无滤波器应用。该放大器采用0.35μm数字工艺技术,在电源电压VDD=3.6V、负载电阻为8Ω条件下,输出功率为400mW,THD+N可达0.025%;电源抑制比在217Hz处为78dB;放大器可工作于电源电压范围为2.5-4.2V;放大器芯片面积为0.85mm^2。 展开更多
关键词 D类放大器 电源抑制比 总谐波失真 反馈环路
应用于红外焦平面读出电路的片上LDO设计 预览 被引量:1
18
作者 杨德振 喻松林 《激光与红外》 CAS CSCD 北大核心 2016年第7期847-851,共5页
低压差线性稳压器(low-dropout voltage regulator,LDO)由于具有响应速度快、芯片面积小、低输出噪声的优点,很适合作为电源模块集成到红外焦平面读出电路的系统中。设计了一款低噪声、带buffer和密勒补偿的LDO结构的线性电源,芯片采... 低压差线性稳压器(low-dropout voltage regulator,LDO)由于具有响应速度快、芯片面积小、低输出噪声的优点,很适合作为电源模块集成到红外焦平面读出电路的系统中。设计了一款低噪声、带buffer和密勒补偿的LDO结构的线性电源,芯片采用CSMC 0.6μm CMOS工艺设计,在Hspice上对电路模块进行了仿真验证。仿真结果表明,该LDO在50 k Hz、3.3~5 V的电源电压下,线性调整率最大为10 m V/V,电源抑制比(PSRR)为50 d B,负载电流可达到100 m A。 展开更多
关键词 低压差线性稳压器 红外焦平面 读出电路 噪声 密勒补偿 PSRR
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以频谱角度研究LDO高频段PSRR对射频信号的影响 预览
19
作者 何欢 卢起斌 《重庆理工大学学报:自然科学版》 2016年第8期105-111,共7页
以降压开关电源、LDO以及ADF4350频率综合芯片为测试平台,以自制无源探头、频谱仪作为测试工具,从频谱的角度研究了LDO高频段纹波抑制能力对射频信号质量的影响。频谱测量结果表明:当LD0高频段纹波抑制能力不佳时会在射频信号中引入... 以降压开关电源、LDO以及ADF4350频率综合芯片为测试平台,以自制无源探头、频谱仪作为测试工具,从频谱的角度研究了LDO高频段纹波抑制能力对射频信号质量的影响。频谱测量结果表明:当LD0高频段纹波抑制能力不佳时会在射频信号中引入较大杂散,应在LDO的选型时予以慎重对待。 展开更多
关键词 射频 开关电源 LDO PSRR 频谱
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一种高性能超低功耗亚阈值基准电压源 被引量:2
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作者 朱智勇 段吉海 +2 位作者 邓进丽 韦雪明 向指航 《微电子学》 CAS CSCD 北大核心 2016年第6期740-745,共6页
设计了一种超低功耗、无片上电阻、无双极型晶体管的基于CMOS亚阈值特性的基准电压源。采用Oguey电流源结构来减小静态电流,从而降低功耗,并加入工作于亚阈值区的运算放大器,在保证低功耗的前提下,显著提高了电源电压抑制比。采用1.8V ... 设计了一种超低功耗、无片上电阻、无双极型晶体管的基于CMOS亚阈值特性的基准电压源。采用Oguey电流源结构来减小静态电流,从而降低功耗,并加入工作于亚阈值区的运算放大器,在保证低功耗的前提下,显著提高了电源电压抑制比。采用1.8V MOS管与3.3V MOS管的阈值电压差进行温度补偿,使得输出电压具有超低温度系数。采用共源共栅电流镜以提高电源电压抑制比和电压调整率。电路基于SMIC 0.18μm CMOS工艺进行设计和仿真。仿真结果表明,在-30℃~125℃温度范围内,温漂系数为9.3×10-6/℃;电源电压为0.8~3.3V时,电压调整率为0.16%,电源电压抑制比为-58.2dB@100 Hz,电路功耗仅为109nW,芯片面积为0.01mm2。 展开更多
关键词 亚阈值区 超低功耗 低温漂 电源电压抑制比
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