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射频磁控溅射制备PZT铁电薄膜的工艺研究 预览 被引量:3
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作者 毕振兴 张之圣 +2 位作者 胡明 樊攀峰 刘志刚 《硅酸盐通报》 CAS CSCD 北大核心 2005年第4期 6-9,共4页
在SiO2/Si基片上采用直流对靶溅射技术制备出Pt/Ti底电极;应用射频磁控溅射方法,利用快速热处理(RTA)工艺,制备出了具有良好铁电性能的Pb(Zr0.52Ti0.48)O3铁电薄膜.将样品进行10min快速热退火处理,退火温度700℃.测试分析表明:薄膜厚度... 在SiO2/Si基片上采用直流对靶溅射技术制备出Pt/Ti底电极;应用射频磁控溅射方法,利用快速热处理(RTA)工艺,制备出了具有良好铁电性能的Pb(Zr0.52Ti0.48)O3铁电薄膜.将样品进行10min快速热退火处理,退火温度700℃.测试分析表明:薄膜厚度比较均匀、表面基本平整、没有裂纹和孔洞、致密性好、薄膜样品的矫顽场强(Ec)为28.6kV/cm,剩余极化强度(Pr)为18.7μC/cm2,自发极化强度(Ps)为37.5μC/cm2,是制备铁电薄膜存储器的优选材料. 展开更多
关键词 PZT 直流对靶溅射 射频磁控溅射 锆钛酸铅薄膜 钙钛矿相 电滞回线 射频磁控溅射方法 PZT铁电薄膜 溅射制备 工艺研究
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采用MOD工艺制备PZT压电薄膜及其性能的研究 预览
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作者 张之圣 王玉东 《仪表技术与传感器》 CSCD 北大核心 2000年第7期 12-14,共3页
文中比较详细地研究了采用金属有机化合物热分解(MOD)法制备锆钛酸铅Pb(Zr0.52Ti0.48)O3铁电薄膜的工艺及PZT薄膜的介电性能。利用XRD分析了薄膜的结晶过程,制得具有钙钛矿结构的PZT薄膜铁电极有利于... 文中比较详细地研究了采用金属有机化合物热分解(MOD)法制备锆钛酸铅Pb(Zr0.52Ti0.48)O3铁电薄膜的工艺及PZT薄膜的介电性能。利用XRD分析了薄膜的结晶过程,制得具有钙钛矿结构的PZT薄膜铁电极有利于钙钛矿相形成,薄膜的介电温谱研究结果表明:薄膜有居里温度约为430℃(1kHz)。 展开更多
关键词 金属有机化合物 锆钛酸铅 铁电薄膜 MOD工艺
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