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CeO2掺杂Si-B复合涂层的制备及氧化行为 认领
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作者 张勇 张耿飞 +3 位作者 张宇涛 宁璠 晁奕 冯鹏发 《材料导报》 EI CAS CSCD 北大核心 2020年第18期18035-18038,共4页
采用两步包埋渗的方法在钼基体表面制备了不同CeO 2掺杂量的Si-B复合涂层,通过XRD、EDS和SEM分析了CeO 2掺杂对Si-B复合涂层在1150℃氧化前后表面物相和截面形貌的影响,并采用失重法研究了CeO 2掺杂前后Si-B复合涂层在1150℃下氧化160 ... 采用两步包埋渗的方法在钼基体表面制备了不同CeO 2掺杂量的Si-B复合涂层,通过XRD、EDS和SEM分析了CeO 2掺杂对Si-B复合涂层在1150℃氧化前后表面物相和截面形貌的影响,并采用失重法研究了CeO 2掺杂前后Si-B复合涂层在1150℃下氧化160 h的氧化动力学行为。结果表明:适量CeO 2的掺杂对Si具有一定的催渗效果,当CeO 2掺杂量为1%(质量分数)时,所制备的Si-B复合涂层的厚度最大且均匀致密,但随着CeO 2掺杂量的增加,涂层厚度有所减小。CeO 2掺杂Si-B复合涂层在1150℃下氧化前70 h的氧化速率常数值(1.48×10-4 mg 2/(cm 4·h))较未掺杂时明显降低,这表明CeO 2掺杂Si-B复合涂层的高温抗氧化性能较好。 展开更多
关键词 两步包埋渗 Si-B复合涂层 CeO 2掺杂
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等离子喷涂制备Mo-Si-B复合涂层的高温抗氧化行为研究 认领 被引量:1
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作者 曾毅 《中国钼业》 2017年第4期42-45,共4页
本文采用等离子喷涂法在钼电极表面制备了Mo-SpB复合涂层,利用SEM观察涂层的显微形貌,通过XRD分析涂层的物相组成,通过DSC-TGA考察了涂层钼电极在空气环境中的抗氧化行为.结果表明:当Mo:B:Si添加比例达3:1:1时,钼电极的涂层由MoSi... 本文采用等离子喷涂法在钼电极表面制备了Mo-SpB复合涂层,利用SEM观察涂层的显微形貌,通过XRD分析涂层的物相组成,通过DSC-TGA考察了涂层钼电极在空气环境中的抗氧化行为.结果表明:当Mo:B:Si添加比例达3:1:1时,钼电极的涂层由MoSi2相和MoB相组成,涂层的内部致密,与基体钼电极结合紧密;在抗氧化过程中,涂层经历了氧化增重、平稳运行、再次增重3个阶段;涂层物相最终转化为MoS12相、Mo5S13相、B2O3相和SiO2相. 展开更多
关键词 等离子喷涂 钼电极 Mo-Si-B复合涂层 高温抗氧化行为
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