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电极银浆银粉特性对瓷介电容器性能的影响 预览
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作者 谷天鹏 甘国友 +3 位作者 余向磊 赵汝云 李文琳 李俊鹏 《有色金属工程》 CAS 北大核心 2019年第10期7-12,共6页
采用不同粒径和比表面积的银粉制备了电容器电极银浆,研究了在高温烧结条件下银粉的物理化学参数对BaTiO4瓷介电容器电容量与电容损耗的影响。利用比表面积测试仪(SSAA),激光粒度仪(LPSA),场发射扫描电子显微镜(FESEM)表征分析了样品比... 采用不同粒径和比表面积的银粉制备了电容器电极银浆,研究了在高温烧结条件下银粉的物理化学参数对BaTiO4瓷介电容器电容量与电容损耗的影响。利用比表面积测试仪(SSAA),激光粒度仪(LPSA),场发射扫描电子显微镜(FESEM)表征分析了样品比表面积、粒度和形貌,并进行了电容测试。结果表明,在830℃的烧结温度下选用高比表面积(7.7m^2/g)的类球型超细银粉,其制成的银浆在烧结后形成的银膜最致密,且表面最平整,选用此银浆烧结电极的电容器平均电容为9.17nF,电容损耗为0.68%。表明选用更高比表面积银粉的银浆,烧结成的银电极更加致密,电容器的性能更优。 展开更多
关键词 瓷介电容器 超细银粉 电容量 电容损耗 比表面积
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基于三电平斩波技术的车载变流器主电路设计
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作者 张小勇 张庆 +2 位作者 周峰武 饶沛南 周帅 《机车电传动》 北大核心 2019年第5期63-67,共5页
详细分析了三电平Buck变换器的工作原理及不同时段的等效电路,推导出滤波电感、输入电容和输出电容的理论计算公式,采用Saber软件对电路原理进行了仿真,通过设计1台工程样机进行试验测试,验证了理论分析及计算的正确性。
关键词 三电平 斩波变换器 车载变流器 滤波电感 电容 仿真
碲镉汞器件光敏元电容测试与分析 预览
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作者 任士远 林春 +6 位作者 魏彦锋 周松敏 王溪 郭慧君 陈路 丁瑞军 何力 《红外技术》 CSCD 北大核心 2019年第5期413-417,共5页
报道了液氮温度下对HgCdTe器件进行电容测试的方法。标定了仪器寄生电容以及杜瓦寄生电容,并利用该测试结果计算得到PN结区附近的载流子浓度和相应的深度等数据。对比了碲镉汞常规PN结器件与雪崩光电二极管(APD)器件的耗尽层宽度以及N... 报道了液氮温度下对HgCdTe器件进行电容测试的方法。标定了仪器寄生电容以及杜瓦寄生电容,并利用该测试结果计算得到PN结区附近的载流子浓度和相应的深度等数据。对比了碲镉汞常规PN结器件与雪崩光电二极管(APD)器件的耗尽层宽度以及N区载流子浓度。 展开更多
关键词 HGCDTE 电容 载流子浓度 缓变PN结
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铂探测器在重水堆核电站二号停堆系统中的应用与维护 预览
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作者 张振超 徐清华 刘铮 《仪器仪表用户》 2019年第3期52-54,共3页
本文介绍了铂探测器的结构和工作原理,探测器组件的结构,二号停堆系统铂探测器测量回路的工作原理,并结合调试及运行期间所积累的经验,对铂探测器的阻抗、电容和氦气环境的测量方法,故障诊断以及铂探测器的更换方法进行介绍和分析。希... 本文介绍了铂探测器的结构和工作原理,探测器组件的结构,二号停堆系统铂探测器测量回路的工作原理,并结合调试及运行期间所积累的经验,对铂探测器的阻抗、电容和氦气环境的测量方法,故障诊断以及铂探测器的更换方法进行介绍和分析。希望通过此文章能对类似的检修工作提供有意义的参考。 展开更多
关键词 铂探测器 探测器组件 阻抗 电容 氦气
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A novel 4H-SiC trench MOSFET with double shielding structures and ultralow gate-drain charge 预览
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作者 Xiaorong Luo Tian Liao +3 位作者 Jie Wei Jian Fang Fei Yang Bo Zhang 《半导体学报:英文版》 EI CAS CSCD 2019年第5期71-76,共6页
A new ultralow gate–drain charge(QGD) 4 H-SiC trench MOSFET is presented and its mechanism is investigated by simulation. The novel MOSFET features double shielding structures(DS-MOS): one is the grounded split gate(... A new ultralow gate–drain charge(QGD) 4 H-SiC trench MOSFET is presented and its mechanism is investigated by simulation. The novel MOSFET features double shielding structures(DS-MOS): one is the grounded split gate(SG), the other is the P+shielding region(PSR). Both the SG and the PSR reduce the coupling effect between the gate and the drain, and transform the most part of the gate–drain capacitance(CGD) into the gate–source capacitance(CGS) and drain–source capacitance(CDS) in series.Thus the CGD is reduced and the proposed DS-MOS obtains ultralow QGD. Compared with the double-trench MOSFET(DT-MOS)and the conventional trench MOSFET(CT-MOS), the proposed DS-MOS decreases the QGD by 85% and 81%, respectively.Moreover, the figure of merit(FOM), defined as the product of specific on-resistance(Ron, sp) and QGD(Ron, spQGD), is reduced by 84% and 81%, respectively. 展开更多
关键词 SiC TRENCH MOSFET reverse transfer capacitance gate-drain CHARGE figure of merit
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Thermally annealed gamma irradiated Ni/4H-SiC Schottky barrier diode characteristics 预览
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作者 P.Vigneshwara Raja N.V.L.Narasimha Murty 《半导体学报:英文版》 EI CAS CSCD 2019年第2期57-63,共7页
Thermal annealing effects on gamma irradiated Ni/4 H-SiC Schottky barrier diode(SBD) characteristics are analyzed over a wide range of temperatures(400–1100 °C). The annealing induced variations in the concentra... Thermal annealing effects on gamma irradiated Ni/4 H-SiC Schottky barrier diode(SBD) characteristics are analyzed over a wide range of temperatures(400–1100 °C). The annealing induced variations in the concentration of deep level traps in the SBDs are identified by thermally stimulated capacitance(TSCAP). A little decrease in the trap density at E_C – 0.63 eV and E_C –1.13 eV is observed up to the annealing temperature of 600 °C. Whereas, a gamma induced trap at E_C – 0.89 eV disappeared after annealing at 500 °C, revealing that its concentration(< 1013 cm-3) is reduced below the detection limit of the TSCAP technique.The electrical characteristics of irradiated SBDs are considerably changed at each annealing temperature. To understand the anomalous variations in the post-annealing characteristics, the interface state density distribution in the annealed SBDs is extracted.The electrical properties are improved at 400 °C due to the reduction in the interface trap density. However, from 500 °C, the electrical parameters are found to degrade with the annealing temperature because of the increase in the interface trap density.From the results, it is noted that the rectifying nature of the SBDs vanishes at or above 800 °C. 展开更多
关键词 4H-silicon CARBIDE SCHOTTKY barrier diode thermal annealing electrically active defects thermally stimulated CAPACITANCE
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Dominant role of wettability in improving the specific capacitance 预览
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作者 Tongtong Liu Kai Wang +2 位作者 Yongxiu Chen Shuangliang Zhao Yongsheng Han 《绿色能源与环境:英文版》 CSCD 2019年第2期171-179,共9页
Here we report a strategy to enhance the energy density of supercapacitors by increasing the utilization rate of the specific surface area(SSA)via wettability improvement.The nonporous gold(NPG)film is used as the ele... Here we report a strategy to enhance the energy density of supercapacitors by increasing the utilization rate of the specific surface area(SSA)via wettability improvement.The nonporous gold(NPG)film is used as the electrodes and the ionic liquid[EMIM]BF4 is the electrolyte.When the electrode is coated by paraffin,an increase of the contact angle leads to a remarkable reduction of the specific capacitance.While when acetonitrile is added into the electrolyte,the contact angle is decreased and the utilization rate of SSA is improved,which results in an increase of the specific capacitance.The addition of isopropyl acetate into the electrolyte leads to a further increase of the specific capacitance.To generalize the role of the wettability in improving the energy density,a carbon-based electrode is evaluated in the solution of potassium hydroxide.An addition of propyl alcohol into the potassium hydroxide solution leads to an increase of the specific capacitance,as well as a long-term stability of the supercapacitor.The role of conductivity in this study is excluded by designing experiments.This paper highlights the significance of wettability in determining the specific capacitance,showing an alternative to improve the energy density of supercapacitors. 展开更多
关键词 SUPERCAPACITOR Energy density Specific CAPACITANCE EFFECTIVE surface area WETTABILITY
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三维柔性碳纤维纳米复合材料的制备及其电容性能研究 预览
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作者 关高明 李妮 +4 位作者 陈美琳 方佳仪 陈作义 江涛 蒋辽川 《广州化工》 CAS 2019年第19期45-47,59共4页
利用水热法在碳纤维布基底上负载V2O5纳米线阵列构筑三维结构的纳米复合材料,以其作为超级电容器的正极材料。通过扫描电子显微镜(SEM)、X射线衍射仪(XRD)、循环伏安(CV)、恒电流充放电和电化学阻抗谱(EIS)对V2O5样品的形貌、组成和电... 利用水热法在碳纤维布基底上负载V2O5纳米线阵列构筑三维结构的纳米复合材料,以其作为超级电容器的正极材料。通过扫描电子显微镜(SEM)、X射线衍射仪(XRD)、循环伏安(CV)、恒电流充放电和电化学阻抗谱(EIS)对V2O5样品的形貌、组成和电化学性能进行测试表征。实验结果表明纳米复合材料的比表面积大幅度提升,增加了电子和离子间传递效率,对改善材料电化学性能有良好作用。 展开更多
关键词 五氧化二钒 碳纤维 电容
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基于PLC控制PWM连续调容无功补偿系统的设计 预览
9
作者 张冬明 《机械管理开发》 2019年第7期210-211,227共3页
介绍了一种基于PLC控制的新型电力系统容性无功补偿装置,具体阐述了该装置的原理和控制方法。该装置原理是基于PWM脉冲的面积等效原则,控制两个不同容量的电容的通断,使其对外表现为一个容量可调的等效电容。该装置采用西门子PLC控制系... 介绍了一种基于PLC控制的新型电力系统容性无功补偿装置,具体阐述了该装置的原理和控制方法。该装置原理是基于PWM脉冲的面积等效原则,控制两个不同容量的电容的通断,使其对外表现为一个容量可调的等效电容。该装置采用西门子PLC控制系统,完成了信号采集、脉宽计算、脉冲发射及其他控制。 展开更多
关键词 S7-200 PLC 无功补偿 脉宽调制 电容
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半圆柱壳电容器电场及其电容的一种计算 预览
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作者 郑民伟 王彤彤 李振彰 《广州航海学院学报》 2019年第1期57-59,64共4页
电容器是电力设备和电子产品的重要组成部分,常规电容器应用有限,而非常规电容器应用更广.本文对非常规电容器的一种半圆柱壳电容器静电场问题进行研究,其结果为制作此类电容器提供理论依据,其方法为研究此类非常规问题提供新思路,本方... 电容器是电力设备和电子产品的重要组成部分,常规电容器应用有限,而非常规电容器应用更广.本文对非常规电容器的一种半圆柱壳电容器静电场问题进行研究,其结果为制作此类电容器提供理论依据,其方法为研究此类非常规问题提供新思路,本方法为用复势函数法,通过选取合适的对数函数结合共轭复数的有关变换,运用电势的梯度公式计算出电场强度,引入电通量函数,通过电容定义式计算出半圆柱壳电容器电容值,计算出的电容、电势和电场强度. 展开更多
关键词 半圆柱壳 复势函数法 电场强度 电势 电容
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多参数积分化暂态高频电力变压器模型及其参数在线辨识方法 预览
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作者 张芮丹 王辉 +1 位作者 吴昊 宋世光 《科学技术与工程》 北大核心 2019年第21期181-188,共8页
为改变目前基于参数辨识的变压器绕组变形检测法普遍以漏感为判据,其所反映的绕组信息较少、变形判据较单一的现状,通过将原始的微分模型改写为积分形式模型,利用递推最小二乘法在变压器运行暂态过程中对各参数进行辨识。以一实际变压... 为改变目前基于参数辨识的变压器绕组变形检测法普遍以漏感为判据,其所反映的绕组信息较少、变形判据较单一的现状,通过将原始的微分模型改写为积分形式模型,利用递推最小二乘法在变压器运行暂态过程中对各参数进行辨识。以一实际变压器为例,在分析绕组等效电路的基础上,建立了包含绕组对地电容、互电容以及绕组电阻、漏电感参数的积分化辨识模型。并与传统微分辨识模型进行对比,分析了各种工况下辨识模型性能。结果表明,积分化模型在参数辨识精度、辨识速度及算法稳定性等方面有更大优势;辨识基本不受短路时刻、绕组变形和两相短路的影响;具有良好的稳定性。 展开更多
关键词 电力变压器 参数辨识 电阻 漏感 电容
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空气电容电压法测试电阻率的研究 预览
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作者 张佳磊 《电子测试》 2019年第9期44-46,共3页
本文详细地介绍了空气电容电压法的设备结构,测试原理和应用技术。空气电容电压测试方法能与C-V法进行匹配,较汞探针电容电压法接触式测试具有高效,不损伤硅片表面的优点。总结了电容电压法的应用技术和需要注意的事项。空气电容电压法... 本文详细地介绍了空气电容电压法的设备结构,测试原理和应用技术。空气电容电压测试方法能与C-V法进行匹配,较汞探针电容电压法接触式测试具有高效,不损伤硅片表面的优点。总结了电容电压法的应用技术和需要注意的事项。空气电容电压法已逐步在测量硅外延电阻率领域应用,在监控硅外延片在生产过程中电阻率的稳定性、监控外延层生长质量和降低企业成本方面起到了重要的作用。 展开更多
关键词 耗尽层 电容 电压
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Urchin-like NiCo2S4 structures synthesized through a one-step solvothermal process for high-performance supercapacitors
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作者 Yan Hu Jie Zhang +5 位作者 Di Wang Jiangbo Sun Li Zhang Yanjie Liu Shiqiu Gao Yanbin Cui 《颗粒学报:英文版》 SCIE EI CAS CSCD 2019年第4期66-73,共8页
Nickel cobalt sulfides (MCo2S4) have attracted considerable attention as electrode materials for supercapacitors. Herein, a sea-urchin-like NiCo2S4 material was synthesized through a one-step solvothermal process. Pol... Nickel cobalt sulfides (MCo2S4) have attracted considerable attention as electrode materials for supercapacitors. Herein, a sea-urchin-like NiCo2S4 material was synthesized through a one-step solvothermal process. Polyethylene glycol (PEG) 200 and thiourea were used as a shape-control age nt and sulfur source for in-s让u sulfuration, respectively. The urchin-like NiC02S4 was characterized by X-ray powder diffraction, scanning electron microscopy, Brunauer-Emmett-Teller surface area, and electrochemical measurements. The resulting NiCo2S4 with ion diffusion-favored structure demonstrated remarkable electrochemical characteristics for supercapacitor with a high specific capacitance (1334F/g at 0.5 A/g) and superior rate capability (78.1% of the original capacity from 0.5 to 20 A/g) in 6M KOH aqueous solution. Furthermore, an asymmetric supercapacitor was assembled using NiCo2S4 as a positive electrode and activated carb on (AC) as a n egative electrode. A NiCo2Sj/AC device exhibited a high energy density of 37.32 Wh/kg at a power density of 317.8 W/kg with capacity retention of 91.9% and up to 2000 charge/discharge cycles at 3 A/g. The results demonstrate that the sea-urchin-like NiCo2S4 has potential applications in supercapacitors. 展开更多
关键词 NiCo2S4 PEG Asymmetric SUPERCAPACITOR Urchin-like structure High specific CAPACITANCE
频率选择表面等效电路的计算与分析 预览
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作者 王义富 《太赫兹科学与电子信息学报》 北大核心 2019年第2期258-262,共5页
提出一种利用全波数值计算和等效电路理论反演介质中频率选择表面(FSS)等效电路的方法。该方法物理过程直观,适用于任意形状FSS等效电路的精确求解。采用经典方环型FSS,验证该等效电路提取方法的可行性。最后采用该方法研究圆形缝隙型FS... 提出一种利用全波数值计算和等效电路理论反演介质中频率选择表面(FSS)等效电路的方法。该方法物理过程直观,适用于任意形状FSS等效电路的精确求解。采用经典方环型FSS,验证该等效电路提取方法的可行性。最后采用该方法研究圆形缝隙型FSS结构尺寸、介质材料以及电磁波入射角对其等效电路参数的影响规律,为后续FSS等效电路研究及快速设计奠定理论基础。 展开更多
关键词 频率选择表面 等效电路 圆形缝隙 电容 电感
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反铁电脉冲电容器特性的测试技术研究 预览
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作者 杜赫迪 曲明山 +2 位作者 张亚梅 乔峰 胡琳 《电子元件与材料》 CAS CSCD 北大核心 2019年第3期81-85,共5页
基于反铁电脉冲电容器的特点,目前暂没有相应的国家标准对脉冲电容器的容量、放电电流测试条件进行详细规定,为了形成反铁电脉冲电容器的测试方法和要求,借助以触发管为核心的放电回路,来研究反铁电脉冲电容器与常规高压电容器的差异。... 基于反铁电脉冲电容器的特点,目前暂没有相应的国家标准对脉冲电容器的容量、放电电流测试条件进行详细规定,为了形成反铁电脉冲电容器的测试方法和要求,借助以触发管为核心的放电回路,来研究反铁电脉冲电容器与常规高压电容器的差异。通过比较反铁电脉冲电容器与常规高压电容器耐压后容量变化,可知反铁电脉冲电容器的容量在耐压后上升幅度超出常规高压电容器要求的允许偏差范围,常规测试方法不能满足反铁电脉冲电容器的容量测试要求,通过在不同电压下比较反铁电脉冲电容器充放电次数,可知放电电流测试的电压值高于额定工作电压,电容器的可靠性会下降,以此来确认可靠性高的电压使用范围。而上述试验结果,为形成适合反铁电脉冲电容器的测试方法和要求提供了借鉴。 展开更多
关键词 反铁电 脉冲电容器 放电电流 容量
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辣椒介电参数测量误差分析及改进研究 预览
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作者 鄢金山 史増录 +3 位作者 靳伟 辛倩倩 罗凯 方旭 《农机化研究》 北大核心 2019年第7期110-115,120共7页
研究了一种平行极板电容用于辣椒电容测量的误差问题,确定了误差补偿方案和参数。通过改进测试系统和设定测试参数将系统误差降低到0.53%,等位环在极板间距30mm时边缘电容误差降低到0.56%。以辣椒丁为原料,确定了误差较低的检测状态,辣... 研究了一种平行极板电容用于辣椒电容测量的误差问题,确定了误差补偿方案和参数。通过改进测试系统和设定测试参数将系统误差降低到0.53%,等位环在极板间距30mm时边缘电容误差降低到0.56%。以辣椒丁为原料,确定了误差较低的检测状态,辣椒丁边长1~3mm时,误差为1.2%~1.4%。将干燥收缩与电容值进行补偿计算,干燥收缩造成的误差降低至1.12%~1.92%。实验表明:测试系统的总体误差低至4.05%~4.52%,重复误差为0.57%~0.62%。 展开更多
关键词 介电参数测量 平行板 电容 误差 辣椒
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恒流与恒负载放电测量超级电容器的静电容量 预览
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作者 冯建 孙健 +1 位作者 李智玮 许峰 《电池》 CAS CSCD 北大核心 2019年第2期143-145,共3页
结合典型的直流充放电曲线,对恒流放电法和恒负载放电法测量超级电容器静电容量的原理进行介绍,设计测量电路,并比较两种方法的测量结果。在恒流放电法中,静电容量随放电电流的增大而减小;在恒负载放电法中,静电容量随放电电阻的增大而... 结合典型的直流充放电曲线,对恒流放电法和恒负载放电法测量超级电容器静电容量的原理进行介绍,设计测量电路,并比较两种方法的测量结果。在恒流放电法中,静电容量随放电电流的增大而减小;在恒负载放电法中,静电容量随放电电阻的增大而增大,两种方法的测量结果具有一致性。恒流放电法简单可靠,但对放电电流的稳定性要求高,且只能在单一电流下进行测量;恒负载放电法测量速度快,且测量结果与放电电流大小无关。 展开更多
关键词 超级电容器 静电容量 恒流放电法 恒负载放电法
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电容式电压互感器二次电压监测法的应用 预览
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作者 刘小沛 《集成电路应用》 2019年第9期49-51,共3页
电容式电压互感器发生的故障频率较高,二次电压异常是常见的电容式电压互感器故障表征形式。分析电容式电压互感器的工作原理,结合二次电压异常的实例,研究了互感器内部各种元件故障引起二次电压异常的机理,通过对故障互感器电气试验、... 电容式电压互感器发生的故障频率较高,二次电压异常是常见的电容式电压互感器故障表征形式。分析电容式电压互感器的工作原理,结合二次电压异常的实例,研究了互感器内部各种元件故障引起二次电压异常的机理,通过对故障互感器电气试验、解体检查和处理,提出了防范故障的建议。 展开更多
关键词 电压互感器 二次电压 电容
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中性点电抗器现场电容量测试超差的问题分析与处理
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作者 韩凯 谈翀 +3 位作者 刘永 杜迎辉 李磊 陈盈颖 《变压器》 北大核心 2019年第9期64-67,共4页
本文中作者对中性点电抗器在现场交接试验中出现的电容量超差问题进行了分析,采用数据分析、试验比对的方法,找到了原因,提出了该问题的解决方案。
关键词 中性点电抗器 电容量 试验
无损检测10种植物叶片含水量的通用模型 预览
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作者 郑俊波 《浙江农业学报》 CSCD 北大核心 2019年第10期1717-1723,共7页
对植物叶片含水量进行快速、准确和无损检测有助于诊断植物缺水程度。以10种植物叶片为研究对象,自行设计平行板电容传感器,改进电阻测量方法,对叶片电容和电阻进行检测。采用SPSS19.0软件对测量数据进行组内相关系数分析,验证数据的可... 对植物叶片含水量进行快速、准确和无损检测有助于诊断植物缺水程度。以10种植物叶片为研究对象,自行设计平行板电容传感器,改进电阻测量方法,对叶片电容和电阻进行检测。采用SPSS19.0软件对测量数据进行组内相关系数分析,验证数据的可靠性。将叶片分成训练集和测试集,用Excel软件对训练集进行回归分析,建立叶片含水量与电容、电阻的拟合模型,并利用拟合模型对测试集叶片含水量进行预测。结果表明,10种植物叶片电容测量值可靠性良好,红叶石楠和杨梅叶片电阻测量值可靠性良好,女贞、无患子、紫荆和桂花叶片电阻测量值可靠性一般,珊瑚树叶片电阻测量值可靠性较差。经Excel回归分析,决定系数R2为0.9788,调整R2为0.9774,P=7.85×10-37,拟合方程为Z=86.0897-628.471X-1-11.1753Y+117.2954Y·X-1,模型拟合效果良好。利用该模型对测试集叶片含水量进行预测,与烘干法比较误差值为-2.53%~1.46%。因此,该模型可以作为该10种植物叶片含水量预测的通用模型。 展开更多
关键词 无损检测 电容 电阻 叶片含水量 模型
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