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影响碳纳米管阴极场发射性能首要因素的研究 预览
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作者 潘金艳 曾桂英 +1 位作者 高云龙 李昕 《电子器件》 CAS 2010年第3期 253-257,共5页
研究了影响碳纳米管(CNT)场发射性能的主要因素,通过实验分析气压、热处理温度、发射体尺寸参数等,发现预先热处理可有效提高发射体分散均匀性,而高温后处理可有效纯化CNT;气压和温度是工作过程中影响CNT阴极膜场发射稳定性的重要参数... 研究了影响碳纳米管(CNT)场发射性能的主要因素,通过实验分析气压、热处理温度、发射体尺寸参数等,发现预先热处理可有效提高发射体分散均匀性,而高温后处理可有效纯化CNT;气压和温度是工作过程中影响CNT阴极膜场发射稳定性的重要参数;而CNT发射体的长度、管径与膜层密度是影响场发射电流特性的主要因素,长径比大小影响着场增强因子大小,大长径比引起低的开启电场强度和高发射电流,但管径的大小与场发射均匀性的优劣呈相反关系。 展开更多
关键词 碳纳米管(CNT) 场发射 均匀性 稳定性
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二极管型碳基膜场发射显示器的制作 预览
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作者 林丽锋 陈奕卫 +5 位作者 钱敏 李天军 丁慧 张哲娟 孙卓 冯涛 《功能材料与器件学报》 CAS CSCD 北大核心 2009年第1期 97-100,共4页
介绍了一套简单、低成本的制作二极管型碳基膜场发射显示器模块的制作方法。该显示单元模块为16*16矩阵型点阵,可根据实际需要拼接成各种尺寸。器件的阴极和阳极均采用丝网印刷技术,包括:阴极导电图形、CNT图形、阳极荧光图形的印... 介绍了一套简单、低成本的制作二极管型碳基膜场发射显示器模块的制作方法。该显示单元模块为16*16矩阵型点阵,可根据实际需要拼接成各种尺寸。器件的阴极和阳极均采用丝网印刷技术,包括:阴极导电图形、CNT图形、阳极荧光图形的印刷。各膜层图形经过精心设计以实现矩阵选址。使用低玻粉将阴极和阳极烧结之后,采用超高真空排气台进行排气,然后装配上驱动电路,即实现了单元碳基膜场发射显示器模块的制作。另外,为了改善CRT荧光粉的黏附性差和电阻率低的问题,我们往CRT荧光粉浆料中分别加入了碳纳米管和硝酸镁,得到了更好的发光性能。 展开更多
关键词 碳纳米管 场发射显示器 丝网印刷 荧光粉
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40 inch碳纳米管场发射显示屏的驱动系统研究 预览
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作者 钱敏 冯涛 +5 位作者 林丽锋 李天军 丁慧 张哲娟 陈奕卫 孙卓 《电子器件》 CAS 2009年第3期 497-499,503,共4页
针对自行研制开发的国内最大的40 inch二极管型纳米碳管场发射显示屏,采用DVI数字视频接口技术,结合图像解码电路、FPGA控制电路、行列驱动电路,研究开发了二极管型纳米碳管场发射显示屏专用驱动技术,并成功实现了大屏幕动态显示。
关键词 纳米碳管 场发射显示器 丝网印刷 驱动电路
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限流电阻层改善碳纳米管场发射显示器发光均匀度的研究 预览 被引量:1
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作者 李昕 贺永宁 +1 位作者 刘卫华 朱长纯 《半导体学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2008年第3期 574-577,共4页
针对碳纳米管(CNT)场发射阴极薄膜中,CNT个体差异及其与衬底的不良接触对发光均匀性的影响,引入反馈限流电阻层以改善阴极薄膜的场发射发光均匀性.采用丝网印刷工艺在衬底上制备氧化锌作为电阻限流层,在其上制备CNT阴极薄膜.对CN... 针对碳纳米管(CNT)场发射阴极薄膜中,CNT个体差异及其与衬底的不良接触对发光均匀性的影响,引入反馈限流电阻层以改善阴极薄膜的场发射发光均匀性.采用丝网印刷工艺在衬底上制备氧化锌作为电阻限流层,在其上制备CNT阴极薄膜.对CNT薄膜阴极的发射电流稳定性和均匀性进行了测试,给出了电阻限流层对场发射特性曲线的影响效果.SEM分析表明,氧化锌电阻层有利于消除CNT阴极的尖端屏蔽效应,并且使得CNT与衬底具有更加紧密的接触.场发射特性和场发射发光照片表明,虽然随着限流层厚度增加,阈值电压有所增加,发射电流有所减小,然而限流层的存在有效地改善了发射电流的稳定性,使得发射电流和场发射发光点分布更加均匀. 展开更多
关键词 碳纳米管 场致发射显示器 氧化锌 稳定性
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碳纳米管场致发射显示器的研究进展 预览 被引量:4
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作者 史永胜 张媛媛 +1 位作者 何伟 朱长纯 《材料导报》 EI CAS CSCD 北大核心 2008年第8期 95-98,共4页
碳纳米管场致发射显示器(CNT-FED)具有驱动电压低、功耗小和制造成本低廉等优势,有望成为下一代平板显示器件的主流产品。全面系统地分析了制约CNT-FED商品化进程中的关键技术:碳纳米管定向可控生长、阴极低的开启场、高的电流发射... 碳纳米管场致发射显示器(CNT-FED)具有驱动电压低、功耗小和制造成本低廉等优势,有望成为下一代平板显示器件的主流产品。全面系统地分析了制约CNT-FED商品化进程中的关键技术:碳纳米管定向可控生长、阴极低的开启场、高的电流发射密度、大面积发射均匀性、长寿命稳定发射以及低成本制造工艺等的研究进展,结合我们的课题研究与国内外现状,提出了实现碳纳米管场致发射显示器产业化的发展方向与研究途径。 展开更多
关键词 碳纳米管 场致发射显示器 阴极
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丝网印刷碳纳米管显示器灰度失真的研究 预览
6
作者 潘金艳 朱长纯 +1 位作者 商世广 于灵敏 《西安交通大学学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2008年第6期 734-738,共5页
通过研究两级结构丝网印刷碳纳米管显示器(CNT-FED)引线电极的线性分压问题,发现电极的线性电阻导致不同像素点间存在0.2%的电场偏差,引起8位元(256级)灰度显示中的24级灰度被湮没.为解决电极引线引起的灰度图像显示失真的问题,提... 通过研究两级结构丝网印刷碳纳米管显示器(CNT-FED)引线电极的线性分压问题,发现电极的线性电阻导致不同像素点间存在0.2%的电场偏差,引起8位元(256级)灰度显示中的24级灰度被湮没.为解决电极引线引起的灰度图像显示失真的问题,提出了一种CNT-FED电极的改造方法,通过改进屏内部引线电极和增加阴极反馈电阻,使像素点间的等效电阻值偏差从总电阻值的0.2%减小到0.0003%,且抑制了发射电流的波动,增加了像素点的过流保护.计算和仿真结果显示,新电极消除了256级灰度显示的失真,有效提高了CNT-FED的发光均匀性. 展开更多
关键词 碳纳米管显示器 丝网印刷 灰度 发光均匀性
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光纤支撑墙碳纳米管场发射显示器的研制 预览
7
作者 田昌会 朱长纯 +1 位作者 曾凡光 刘卫华 《光电子.激光》 EI CAS CSCD 北大核心 2007年第5期 526-528,共3页
针对现有的碳纳米管场发射显示器(CNT-FED)制造技术中存在的工艺复杂、成本过高的问题,利用通信光纤,通过烧结炉热处理的方法制作出了一种直径为125μm的石英玻璃光纤支撑墙,并将其切为30mm、50mm^2种长度。根据设计结果,用自制的简... 针对现有的碳纳米管场发射显示器(CNT-FED)制造技术中存在的工艺复杂、成本过高的问题,利用通信光纤,通过烧结炉热处理的方法制作出了一种直径为125μm的石英玻璃光纤支撑墙,并将其切为30mm、50mm^2种长度。根据设计结果,用自制的简易支撑墙定位装置,按10mm等间距交错位排列该支撑墙,并在同一线上相邻光纤间留8mm间隙。结合阴、阳极丝网印刷工艺,设计制作了一种显示面积为118mm×123mm、像素点数为64×64和可矩阵寻址的二极结构纤维支撑墙CNT-FED,并实现了动态显示。 展开更多
关键词 碳纳米管(CNT) 场发射显示器(FED) 光纤支撑墙 丝网印刷技术
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碳纳米管场致发射显示器与驱动系统的集成研究 预览 被引量:1
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作者 杨堃 《电子测量技术》 2007年第5期 1-3,共3页
碳纳米管场致发射显示器因其特有的性质和优良的性能赢得了普遍关注。场致发射显示器的驱动电路设计与制作是场致发射显示器的一个重要部分,使用非专用驱动系统导致驱动部分体积庞大、连线复杂。本文讨论一种驱动碳纳米管场致发射显示... 碳纳米管场致发射显示器因其特有的性质和优良的性能赢得了普遍关注。场致发射显示器的驱动电路设计与制作是场致发射显示器的一个重要部分,使用非专用驱动系统导致驱动部分体积庞大、连线复杂。本文讨论一种驱动碳纳米管场致发射显示器的新方式。由于碳纳米管可以生长在硅基底上,从而可将驱动电路预先制作在硅基底上,然后再利用室温下生长碳纳米管的方法,将碳纳米管和电路集成在同一硅基底上。驱动系统和发射部分集成在一起,可达到使FED轻薄的设计要求。 展开更多
关键词 碳纳米管(CNT) 场发射显示器(FED) 驱动系统
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碳纳米管/纤维阴极场发射平板显示器研制 预览 被引量:2
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作者 郭平生 孙卓 +1 位作者 陈奕卫 郑志豪 《华东师范大学学报:自然科学版》 CAS CSCD 北大核心 2006年第4期 29-33,55,共6页
探索了从碳纳米管/纳米纤维(CNT/CNF)的制备到CNT/CNF阴极场发射平面显示器(c—FED)封装的工艺流程.用化学气相沉积方法,优化制备条件获得了纯度较高的CNT/CNF;以CNT/CNF和低压荧光粉为原料,采用丝网印刷工艺制作显示器的... 探索了从碳纳米管/纳米纤维(CNT/CNF)的制备到CNT/CNF阴极场发射平面显示器(c—FED)封装的工艺流程.用化学气相沉积方法,优化制备条件获得了纯度较高的CNT/CNF;以CNT/CNF和低压荧光粉为原料,采用丝网印刷工艺制作显示器的阴极和阳极;采用类真空荧光显示器的封装工艺封装了c-FED样管,所研制的c—FED具有优良的场发射性能,较好的均匀性及发光密度,黄色荧光粉的c—FED在电场为2.7V/μm时的亮度可达600cd/m^2,因该显示器使用普通玻璃作为阴阳极基板,整个工艺流程在大面积和实用化方面有很好的应用潜力。 展开更多
关键词 碳纳米管/碳纳米纤维 场发射 平板显示器
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CNT—FED点阵显示器件的研制及其驱动电路设计 预览
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作者 戴丽娟 冯涛 +4 位作者 蒋军 王曦 柳襄怀 李琼 张峰 《光电子技术》 CAS 2006年第2期 91-93,共3页
采用丝网印刷技术和等离子体表面处理方法,制备了16×16点阵式碳纳米管场发射显示器件(Carbon Nanotube Field Emission Display,CNT—FED)。根据CNT—FED的结构特点,研究了CNT—FED的显示驱动原理,设计了以51单片机为控制核... 采用丝网印刷技术和等离子体表面处理方法,制备了16×16点阵式碳纳米管场发射显示器件(Carbon Nanotube Field Emission Display,CNT—FED)。根据CNT—FED的结构特点,研究了CNT—FED的显示驱动原理,设计了以51单片机为控制核心的驱动电路,实现了点阵式显示器件的动态显示。 展开更多
关键词 碳纳米管 场发射显示器 驱动电路 丝网印刷
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用机械破碎方法提高印刷碳纳米管薄膜的场发射性能 预览 被引量:13
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作者 曾凡光 朱长纯 +1 位作者 刘兴辉 刘卫华 《西安交通大学学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2005年第8期 863-866,共4页
提出了一种可显著改善丝网印刷碳纳米管(CNTs)薄膜场发射特性的后处理方法,用机械压力通过隔离层对附着于CNTs表面的无机物进行原位破碎,并用高速气流清洁薄膜表面.同其他方法相比,机械破碎方法既不会在处理后的阴极表面留下残留物,也... 提出了一种可显著改善丝网印刷碳纳米管(CNTs)薄膜场发射特性的后处理方法,用机械压力通过隔离层对附着于CNTs表面的无机物进行原位破碎,并用高速气流清洁薄膜表面.同其他方法相比,机械破碎方法既不会在处理后的阴极表面留下残留物,也不会使薄膜受损.场发射特性测试表明,与未处理薄膜相比,经过处理的CNTs薄膜的开启场强从2.7 V/μm降低到1.7 V/μm,同样面积的薄膜(印刷面积为40 mm×40 mm)在4.2 V/μm场强下的发射电流由70 μA提高到了950 μA,说明机械破碎处理对于提高薄膜的场发射特性有明显作用.该方法在碳纳米管场发射显示器的制作中具有很好的实际应用价值. 展开更多
关键词 丝网印刷 碳纳米管薄膜 场发射 后处理方法 场发射显示器
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新型CNT-FED栅极结构表面二次电子发射研究 预览 被引量:2
12
作者 王琦龙 雷威 +3 位作者 张晓兵 狄云松 周雪东 刘敏 《应用科学学报》 CAS CSCD 北大核心 2005年第3期 265-268,共4页
提出了一种简单可行的CNT-FED栅极制备方法,即采用金属网板作为栅极,网板上下表面同样制备一定厚度的介质层,网板表面和内通道壁上蒸发MgO和MgF2薄膜,一次电子在电场作用下轰击薄膜层将激发大量二次电子和背散射电子,弥补了栅极对初始... 提出了一种简单可行的CNT-FED栅极制备方法,即采用金属网板作为栅极,网板上下表面同样制备一定厚度的介质层,网板表面和内通道壁上蒸发MgO和MgF2薄膜,一次电子在电场作用下轰击薄膜层将激发大量二次电子和背散射电子,弥补了栅极对初始电子的截获,提高了器件发射电流密度和发光亮度.文中对该模型中二次电子发射过程进行了数值模拟计算并进行了相关验证实验. 展开更多
关键词 二次电子发射 栅极 结构表面 MgF2薄膜 数值模拟计算 电子发射过程 发射电流密度 背散射电子 制备方法 电场作用 验证实验 发光亮度 网板 介质层 MgO 薄膜层 器件
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碳纳米管场发射显示器及其全印刷制造技术 预览 被引量:5
13
作者 曾凡光 朱长纯 +1 位作者 刘卫华 刘兴辉 《西安交通大学学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2005年第10期 1139-1141,1146,共4页
针对现有的碳纳米管场发射显示器(CNTFED)制造技术中存在的工艺复杂、成本过高的问题,提出了用于制造碳纳米管场发射显示器的全印刷制造技术,即采用丝网印刷工艺制备CNTFED器件内部包括各电极图形、碳纳米管阵列、荧光粉点阵和绝缘... 针对现有的碳纳米管场发射显示器(CNTFED)制造技术中存在的工艺复杂、成本过高的问题,提出了用于制造碳纳米管场发射显示器的全印刷制造技术,即采用丝网印刷工艺制备CNTFED器件内部包括各电极图形、碳纳米管阵列、荧光粉点阵和绝缘支撑层在内的所有结构.同现有的CNTFED制造技术相比,全印刷技术具有操作简单、成本低廉的优点.采用新技术制造了对角线为14 cm的可矩阵寻址的二极结构CNTFED,分辨率为160×120像素点阵.该器件在220 V电压下可达到1×104 cd/m2的高亮度,工作电压降低到200 V以内,已经可以用现有等离子体显示屏的驱动集成电路来实现控制. 展开更多
关键词 丝网印刷 碳纳米管 场发射显示器
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高能球磨对碳纳米管形貌及场致发射显示特性的影响 被引量:2
14
作者 张哲娟 孙卓 陈奕卫 《光学学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2005年第11期1510-1514,共5页
用化学气相沉积法制备了碳纳米管,进行了不同时间的球磨处理.用扫描电镜、拉曼光谱对其形貌和结构进行了表征.对不同球磨条件下的碳纳米管制备成阴极,进行了场致发射特性的测试.结果表明,高能球磨会对碳纳米管的形貌、结构及场致发射性... 用化学气相沉积法制备了碳纳米管,进行了不同时间的球磨处理.用扫描电镜、拉曼光谱对其形貌和结构进行了表征.对不同球磨条件下的碳纳米管制备成阴极,进行了场致发射特性的测试.结果表明,高能球磨会对碳纳米管的形貌、结构及场致发射性能有明显的影响.球磨时间为0.5~1 h时,可以使碳纳半管变短而均匀,且场致发射电性能与未处理时相近,即有低的阈值电场和高的发射电流密度,从而使发射时在阳极上产生的荧光点密度大大增加,发光均匀.但研磨时间过长会改变碳纳半管结构,使其非晶化或石墨化,导致其场致发射性能和显示效果变差. 展开更多
关键词 光学材料 碳纳米管 场致发射显示 高能球磨
碳纳米管场致发射特性的研究 预览 被引量:4
15
作者 朱长纯 刘兴辉 《机械工程材料》 CAS CSCD 北大核心 2004年第7期 45-47,54,共4页
详细论述了碳纳米管的场致发射特性,包括开启电场、阈值电场、发射电流密度、发射电流的稳定性及场发射电子能量分布等;阐述了场发射的机制;分析了发射特性与其几何结构、吸附态及尖端缺陷等因素的关系;并简要介绍了碳纳米管场发射特性... 详细论述了碳纳米管的场致发射特性,包括开启电场、阈值电场、发射电流密度、发射电流的稳定性及场发射电子能量分布等;阐述了场发射的机制;分析了发射特性与其几何结构、吸附态及尖端缺陷等因素的关系;并简要介绍了碳纳米管场发射特性在平板显示领域中的实际应用. 展开更多
关键词 碳纳米管 发射特性 阈值电场 场发射显示器
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碳纳米管及其应用 预览 被引量:2
16
作者 翁寿松 《电子元器件应用》 2003年第9期 34-36,共3页
介绍碳纳米管的独特性能及其应用,如优良的导电性能和场发射性能等。
关键词 碳纳米管 碳纳米管场效应晶体管 碳纳米管场致发射显示器
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碳纳米管及其应用 预览 被引量:18
17
作者 朱长纯 袁寿财 李玉魁 《微纳电子技术》 CAS 2002年第8期 1-6,25,共7页
综述了碳纳米管材料当前的研究状况、独特性质及其应用潜力,对碳纳米管材料的制备技术进行了简单介绍,详细说明了碳纳米管场致发射显示器的工作原理和制作技术、方法,讨论了碳纳米管材料在各种应用领域中的巨大应用前景,包括高强度复合... 综述了碳纳米管材料当前的研究状况、独特性质及其应用潜力,对碳纳米管材料的制备技术进行了简单介绍,详细说明了碳纳米管场致发射显示器的工作原理和制作技术、方法,讨论了碳纳米管材料在各种应用领域中的巨大应用前景,包括高强度复合材料、微机械、信息存储、纳米电子器件、平板场致发射显示器以及碳纳米管微操作等.利用碳纳米管材料制作的平板显示器具有优越的视觉性能,而且可以极大地降低生产成本. 展开更多
关键词 碳纳米管 场致发射显示器 电弧放电 应用 半导体
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场致发射显示技术研究进展 预览 被引量:10
18
作者 李俊涛 雷威 张晓兵 《电子器件》 CAS 2002年第4期 332-339,共8页
首先回顾了Spindt型微尖场发射技术,介绍了场发射显示技术的发展过程、器件结构和工作原理,讨论了目前这项技术所面临的问题,着重介绍了近两年来在场发射显示技术研究领域的最新进展,包括纳米碳管和复合材料在FED中应用前景.
关键词 场致发射显示 冷阴极 纳米碳管 FED
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基于碳纳米管的场发射平板显示器研究 预览
19
作者 王敏 《电子世界》 2014年第15期77-77,共1页
碳纳米管因具有良好的电子发射特性而成为理想的场发射阴极材料。本文概述了碳纳米管的特性、分类及制备;介绍了碳纳米管场发射平板显示器的结构、工作原理及制备,分析了碳纳米管场发射平板显示器的优缺点,针对其缺点提出了一些改进... 碳纳米管因具有良好的电子发射特性而成为理想的场发射阴极材料。本文概述了碳纳米管的特性、分类及制备;介绍了碳纳米管场发射平板显示器的结构、工作原理及制备,分析了碳纳米管场发射平板显示器的优缺点,针对其缺点提出了一些改进的思路并对其发展趋势作了展望。 展开更多
关键词 碳纳米管 制备 场发射显示器 工作原理 性能
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定向碳纳米管的制备及其场发射性能研究 预览
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作者 房振乾 胡明 +1 位作者 李海燕 梁继然 《材料导报》 CSCD 北大核心 2006年第12期 24-27,共4页
定向碳纳米管的制备方法是碳纳米管场发射显示器技术领域一项十分关键的技术。简要介绍了定向碳纳米管的制备方法、结构检测技术,并综合评述了影响定向碳纳米管场发射性能的因素。
关键词 定向碳纳米管 场发射显示器 制备 场发射
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