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铁酸钴/钛酸钡多铁性复合材料的制备与表征 预览
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作者 王瑾 苏玉长 +4 位作者 谭江 张晶 热比古丽·图尔荪 喻秋山 赵乐 《粉末冶金材料科学与工程》 北大核心 2018年第2期130-136,共7页
采用溶胶–凝胶法将铁磁相铁酸钴与铁电相钛酸钡复合,制备铁酸钴/钛酸钡复合粉体材料,通过X射线衍射仪、红外光谱仪、扫描电镜、透射电镜、振动样品磁强计、铁电分析仪等对该材料的物相组成、分子结构、显微形貌及其烧结体的磁性能与铁... 采用溶胶–凝胶法将铁磁相铁酸钴与铁电相钛酸钡复合,制备铁酸钴/钛酸钡复合粉体材料,通过X射线衍射仪、红外光谱仪、扫描电镜、透射电镜、振动样品磁强计、铁电分析仪等对该材料的物相组成、分子结构、显微形貌及其烧结体的磁性能与铁电性能进行分析与表征。结果表明,采用溶胶–凝胶法制备的铁酸钴/钛酸钡复合粉体由铁酸钴和钛酸钡两相组成,形貌为类球形,颗粒大小均匀,晶粒尺寸随合成温度升高而增大。随铁酸钴相的比例增加,材料的磁性能增强。当铁酸钴与钛酸钡的物质的量比n(CoFe2O4):n(BaTiO3)=2:1时,复合材料的饱和磁化强度为40.01(A·m2)/kg,剩余磁化强度为20.59(A·m2)/kg,由该粉体制备的陶瓷片的矫顽场强为4.12×106V/m,剩余极化强度为0.30C/m2,同时具有较好的铁磁性能和铁电性能。 展开更多
关键词 多铁性材料 溶胶-凝胶法 磁滞回线 电滞回线 复合材料
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Ta、Nb掺杂Bi_(3.15)Nd_(0.85)Ti_3O_(12)陶瓷铁电介电性能研究 预览
2
作者 王宁章 容世龙 刘世丰 《压电与声光》 CAS CSCD 北大核心 2016年第2期271-274,共4页
采用传统固相烧结工艺制备了掺杂Ta、Nb的Bi3.15Nd0.85Ti3O12材料,构成Bi3.15Nd0.85Ti3-2x TaxNbxO12(x=0,0.02,0.04,0.06)铁电陶瓷。研究了Ta、Nb掺杂对Bi3.15Nd0.85Ti3O12陶瓷晶体结构和铁电性能的影响。结果表明,Ta、Nb掺杂未改变B... 采用传统固相烧结工艺制备了掺杂Ta、Nb的Bi3.15Nd0.85Ti3O12材料,构成Bi3.15Nd0.85Ti3-2x TaxNbxO12(x=0,0.02,0.04,0.06)铁电陶瓷。研究了Ta、Nb掺杂对Bi3.15Nd0.85Ti3O12陶瓷晶体结构和铁电性能的影响。结果表明,Ta、Nb掺杂未改变Bi3.15Nd0.85Ti3O12陶瓷的钙钛矿晶体结构,剩余极化值提高,具有较好电滞回线(Pr-Ec)。在电压为45 V、测试频率为0.1kHz下,Bi3.15Nd0.85Ti3-2xTaxNbxO12铁电陶瓷的剩余极化强度(2Pr)及矫顽场强(2Ec)可分别达到25.07μC/cm2和31.1kV/cm,电容-电压(C-V)曲线呈标准的蝴蝶形。 展开更多
关键词 固相烧结 铁电陶瓷 钙钛矿结构 电滞回线 剩余极化 电容-电压(C-V)曲线
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铁电电容系统非线性电滞参数模型研究
3
作者 薛晓敏 孙清 +1 位作者 伍晓红 张陵 《力学季刊》 CSCD 北大核心 2016年第3期457-465,共9页
为解决铁电电滞模型中特性参数确定困难的问题,改善模型在工程应用中受限现状,本文利用遗传算法提出一种实用的铁电模型特性参数识别方法,可根据随机试验数据完成特性参数的提取,继而重构铁电模型以模拟各种铁电电容系统的非线性电滞行... 为解决铁电电滞模型中特性参数确定困难的问题,改善模型在工程应用中受限现状,本文利用遗传算法提出一种实用的铁电模型特性参数识别方法,可根据随机试验数据完成特性参数的提取,继而重构铁电模型以模拟各种铁电电容系统的非线性电滞行为.以上方法不但可以预测各种电场条件下的电极化响应,还可预测反映系统特性的理想饱和极化响应.最后,为验证所提方法的有效性,本文进行了仿真计算验证,其结果表明,基于优化参数的电滞模型能够很好地与试验数据吻合,具有较好的精确性和鲁棒性,为铁电系统在实际工程的应用提供有效参考. 展开更多
关键词 铁电材料 力电特性 电滞回线 参数识别 遗传算法
(Bi0.46Na0.46Ba0.06La0.02)ZrxTi(1-x)O3反铁电陶瓷介电性能及储能性能的研究
4
作者 王永锋 吕振林 《铸造技术》 CAS 北大核心 2014年第7期1420-1423,共4页
采用传统固相反应法制备无铅反铁电陶瓷材料(Bi0.46Na0.46Ba0.06La0.02)ZrxTi(1-x)O3(x=0,0.02,0.04,0.06),研究了材料的相结构、介电及储能性能。结果表明,随着Zr含量增加,晶粒尺寸逐渐减少,介电常数逐渐减少,储能密度先增加后... 采用传统固相反应法制备无铅反铁电陶瓷材料(Bi0.46Na0.46Ba0.06La0.02)ZrxTi(1-x)O3(x=0,0.02,0.04,0.06),研究了材料的相结构、介电及储能性能。结果表明,随着Zr含量增加,晶粒尺寸逐渐减少,介电常数逐渐减少,储能密度先增加后减少。少量的Zr掺杂(x=0.02)可以大幅度提高陶瓷的储能密度。在60kV/cm的电场下,其储能密度由x=0的0.43 J/cm3提高到x=0.02的0.77 J/cm3,提高了近80%。 展开更多
关键词 无铅反铁电陶瓷 能量储存性能 电滞回线
MZr0.5Ti0.5O3(M=La,Nd,Ce)的制备及其铁电性能测试 预览
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作者 王艳萍 孟祖奇 +2 位作者 夏小云 袁嫣红 胡旭东 《浙江理工大学学报》 2014年第1期102-106,共5页
采用改进的硬脂酸法制备了系列MZr0.5Ti0.5O3(M=La,Nd,Ce)陶瓷粉体材料。考察了MZr0.5Ti0.5O3的电滞回线,在此基础上通过电滞回线测试了CeZr0.5Ti0.5O3对温度和电场频率的响应情况。结果表明:LaZr0.5Ti0.5O3。和CeZr0.5Ti0.5O3具... 采用改进的硬脂酸法制备了系列MZr0.5Ti0.5O3(M=La,Nd,Ce)陶瓷粉体材料。考察了MZr0.5Ti0.5O3的电滞回线,在此基础上通过电滞回线测试了CeZr0.5Ti0.5O3对温度和电场频率的响应情况。结果表明:LaZr0.5Ti0.5O3。和CeZr0.5Ti0.5O3具有一定的电滞特性,但电滞回线并不完全对称;在本实验条件下,NdZr0.5Ti0.5O3不具备铁电性;温度升高,CeZr0.5Ti0.5O3的剩余极化强度也提高;测试电场频率降低,内偏场的数值也随之降低,而矫顽电场、剩余极化强度则明显提高。 展开更多
关键词 稀土陶瓷 电滞回线 频率响应 温度相应
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[(Bi1/2Na1/2)0.94Ba0.06](1-x)ZrxTiO3陶瓷的介电性能及储能性能研究
6
作者 王永锋 吕振林 《铸造技术》 CAS 北大核心 2014年第7期1390-1393,共4页
采用传统固相反应法制备了无铅反铁电陶瓷[(Bi1/2Na1/2)0.94Ba0.06](1-x)ZrxTiO3(x=0,0.03,0.06,0.09),研究了材料的相结构、介电特性及储能性能。结果表明,此陶瓷的极化强度Ps、介电常数εr随着Zr含量的增加而减小,能量储存性能... 采用传统固相反应法制备了无铅反铁电陶瓷[(Bi1/2Na1/2)0.94Ba0.06](1-x)ZrxTiO3(x=0,0.03,0.06,0.09),研究了材料的相结构、介电特性及储能性能。结果表明,此陶瓷的极化强度Ps、介电常数εr随着Zr含量的增加而减小,能量储存性能也随之改变。当x=0.03时,此材料的储能性能最好。 展开更多
关键词 无铅反铁电陶瓷 储能性能 电滞回线
基于MCU新型智能励磁仪的设计与实现 预览
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作者 赵继 朱彦菘 孙立 《电子设计工程》 2013年第6期108-112,共5页
提出了一种以现代化的单片机控制技术为基础,结合D/A转换、模拟电子开关、功率放大、液晶显示和串行通信等技术实现对铁磁材料的磁滞回线进行测量的新方法,并在该方法的基础上成功设计并研制出一种新型智能励磁仪,将新仪器与分析仪... 提出了一种以现代化的单片机控制技术为基础,结合D/A转换、模拟电子开关、功率放大、液晶显示和串行通信等技术实现对铁磁材料的磁滞回线进行测量的新方法,并在该方法的基础上成功设计并研制出一种新型智能励磁仪,将新仪器与分析仪、上位机等进行联机试验,结果表明新仪器具有更加友好的用户界面,所得实验数据的精度高、可靠性好。同时新仪器具有手动,自动两种工作模式,且可以实现与上位机的数据通信,自动化和智能化程度大大提高。 展开更多
关键词 单片机 D A转换 模拟电子开关 功率放大 液晶显示 磁滞回线 智能化
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紫光对多晶掺锰铁酸铋薄膜铁电和电输运性质的影响 预览
8
作者 杜明辉 姜庆华 +1 位作者 彭增伟 刘保亭 《功能材料》 EI CAS CSCD 北大核心 2012年第12期1545-1547,1552共4页
采用溶胶-凝胶的方法在Pt(111)/Ti/SiO2/Si(001)基片上制备了5%Mn掺杂的BiFeO3(BFMO)薄膜,并构建了Pt/BFMO/Pt对称型电容器,研究了紫光对多晶BFMO薄膜铁电性及J-V特性的影响。实验发现,在紫光的照射下,薄膜的电导增大,这是由于紫光入射... 采用溶胶-凝胶的方法在Pt(111)/Ti/SiO2/Si(001)基片上制备了5%Mn掺杂的BiFeO3(BFMO)薄膜,并构建了Pt/BFMO/Pt对称型电容器,研究了紫光对多晶BFMO薄膜铁电性及J-V特性的影响。实验发现,在紫光的照射下,薄膜的电导增大,这是由于紫光入射在BFMO薄膜上,产生了光生载流子。当外加电压为5V时,漏电流密度由9.1mA/cm2增大到16.3mA/cm2。Pt和BFMO的接触满足金属-半导体理论中的欧姆接触,并且光的存在并没有改变Pt/BF-MO/Pt电容器的漏电流机制。当光入射到薄膜表面,样品的剩余极化强度增大,由无光时的91.7μC/cm2增大到光照时的99.9μC/cm2。 展开更多
关键词 掺锰铁酸铋 漏电流 电滞回线
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Ho~(3+)掺杂对BiFeO_3陶瓷材料铁电和铁磁性能的影响 被引量:4
9
作者 宋桂林 苏建 +4 位作者 周晓辉 胡棚 王天兴 杨海刚 常方高 《硅酸盐学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2011年第9期1445-1450,共6页
采用快速液相烧结法制备Bi1-xHoxFeO3(x=0,0.05,0.10)系列陶瓷样品,用X射线衍射仪、扫描电子显微镜、铁电仪和振动样品磁强计测量与分析样品结构、形貌、铁电和铁磁性能。结果表明:所有样品的主衍射峰与纯相BiFeO3相吻合且具有良好... 采用快速液相烧结法制备Bi1-xHoxFeO3(x=0,0.05,0.10)系列陶瓷样品,用X射线衍射仪、扫描电子显微镜、铁电仪和振动样品磁强计测量与分析样品结构、形貌、铁电和铁磁性能。结果表明:所有样品的主衍射峰与纯相BiFeO3相吻合且具有良好的晶体结构,样品晶粒尺寸随着Ho3+的引入而逐渐变小,为1~5μm;在15kV/cm电场下,Bi0.9Ho0.10FeO3样品的剩余极化强度为0.83μC/cm2,是纯相BiFeO3的12倍;随着Ho3+的掺杂,样品的磁性能显著提高,在磁场为1000Oe(1Oe=79.5A/m)作用下,Bi0.9Ho0.10FeO3已具有完整的磁滞回线,呈显弱铁磁性能,剩余磁化强度为0.03emu/g(1emu/g=1Am2/kg),饱和磁化强度为0.292emu/g。 展开更多
关键词 多铁材料铁酸铋 铁电性能 电滞回线 铁磁性能 磁滞回线
稀土离子掺杂对钛酸钡铁电记忆的影响 预览 被引量:3
10
作者 路大勇 李雪翠 《吉林化工学院学报》 CAS 2008年第3期 84-87,共4页
少量稀土离子并入钛酸钡晶格时降低晶粒尺寸和提高电绝缘性能的优势适于电子器件微小型化的开发,尤其是对于基于钛酸钡的铁电记忆功能的评价具有研究价值.由冷压陶瓷技术制备了镧系稀土中两个特殊元素铈和铕掺杂的钛酸钡陶瓷,电滞回... 少量稀土离子并入钛酸钡晶格时降低晶粒尺寸和提高电绝缘性能的优势适于电子器件微小型化的开发,尤其是对于基于钛酸钡的铁电记忆功能的评价具有研究价值.由冷压陶瓷技术制备了镧系稀土中两个特殊元素铈和铕掺杂的钛酸钡陶瓷,电滞回线被测量,评价了稀土铈和铕在钛酸钡晶格并入对钛酸钡铁电记忆功能的影响. 展开更多
关键词 钛酸钡 铁电材料 电滞回线
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Preparation and Characterization of Nano-Particles PZT Ferroelectric Thin Films by RF-Magnetron Sputtering 预览 被引量:1
11
作者 樊攀峰 张之圣 +1 位作者 胡明 刘志刚 《天津大学学报:英文版》 EI CAS 2006年第2期 96-99,共4页
Pt/Ti 底部电极被 magnetrondual-facing-target 劈啪作响系统在 SiO_2/Si 底层上制作。铅锆酸盐泰坦吃了(PZT ) 薄电影是由无线电的扔的 onPt/Ti/ SiO_2/Si 底层频率(RF ) 磁控管劈啪作响系统。为 5 h 被扔的 PZTthin 电影的厚度是大约... Pt/Ti 底部电极被 magnetrondual-facing-target 劈啪作响系统在 SiO_2/Si 底层上制作。铅锆酸盐泰坦吃了(PZT ) 薄电影是由无线电的扔的 onPt/Ti/ SiO_2/Si 底层频率(RF ) 磁控管劈啪作响系统。为 5 h 被扔的 PZTthin 电影的厚度是大约 800 nm。PZT 薄电影在 700 deg C 为 20 min 在 Ar 环境和 rapid-thermal-annealed 扔了的 XRD 系列表演有好结晶化行为和 perovskite 结构。雏晶的吝啬的直径是 70 nm 和表面的 AFM 显微图表演 PZT 薄电影组织一致、稠密。未加工的平均数,根平均数平方粗糙和 PZT 薄电影的吝啬的粗糙是 34.357 nm, 2.479 nm 并且 1.954 nmrespectively。因为测试频率是 1 kHz, PZT 薄电影经常的电介质是 327.6。Electrichysteresis 循环显示出那强制的地力量,剩余极化力量和 PZT 薄电影的自发的极化力量分别地是 50 kV/cm, 10 muC/cm~2 和 13 muC/cm~2。 展开更多
关键词 PZT 铁电薄膜 制备 表征 磁控反应溅射 钙钛矿 滞电环 纳米粒子
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绕组反电势大小对双凸极永磁电动机运行的影响 预览 被引量:1
12
作者 秦海鸿 黄伟君 +1 位作者 王慧贞 严仰光 《中国电机工程学报》 EI CSCD 北大核心 2006年第6期 129-135,共7页
绕组反电势是双凸极永磁电动机的重要参量之一。在电动机设计中,根据应用场合的指标要求对绕组反电势进行优化设计有助于电动机运行性能的提高。文中针对转子斜槽式12/8极双凸极永磁电动机,简析了应用单斩电流滞环控制的电机功率变... 绕组反电势是双凸极永磁电动机的重要参量之一。在电动机设计中,根据应用场合的指标要求对绕组反电势进行优化设计有助于电动机运行性能的提高。文中针对转子斜槽式12/8极双凸极永磁电动机,简析了应用单斩电流滞环控制的电机功率变换器的工作原理,阐述了反电势大小的变化对系统损耗、功率桥损耗分布及对电动机出力的影响,得出反电势大小的优化选择原则,并根据某航空用9kW电动机驱动系统的技术指标要求,给出电动机绕组的优化设计方案。绕组反电势优化前后的测试结果表明,反电势优化选取后,系统效率显著提高,运行性能明显改善,证明了文中分析及设计的正确性。 展开更多
关键词 电机与电工 双凸极永磁电机 斜槽转子 绕组反电势 优化设计 电流滞环 单斩
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RF溅射法制备PZT铁电薄膜及其表征 预览 被引量:4
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作者 李海燕 张之圣 +3 位作者 胡明 樊攀峰 王秀宇 刘志刚 《压电与声光》 CSCD 北大核心 2006年第3期 325-327,共3页
采用对靶溅射法在SiO2/Si基板上沉积Pt/Ti底电极。用射频(RF)溅射法在Pt/Ti/SiO2/Si基板上制备了厚度约800nm的PZT薄膜。XRD分析表明,Ar气氛中沉积,700℃下快速退火(RTA)20min所得的PZT薄膜具有钙钛矿结构;SEM、AFM分析表... 采用对靶溅射法在SiO2/Si基板上沉积Pt/Ti底电极。用射频(RF)溅射法在Pt/Ti/SiO2/Si基板上制备了厚度约800nm的PZT薄膜。XRD分析表明,Ar气氛中沉积,700℃下快速退火(RTA)20min所得的PZT薄膜具有钙钛矿结构;SEM、AFM分析表明,该条件下所得薄膜的表面由平均粒径约219nm的晶粒组成,较为均匀、致密。在1kHz的测试频率下,PZT薄膜的介电常数为327.6,从电滞回线上可以得出,该PZT薄膜的矫顽场强为50kV/cm,剩余极化强度和自发极化强度分别为10μC/cm^2、13μC/cm^2。 展开更多
关键词 锆钛酸铅薄膜 射频溅射 钙钛矿结构 电滞回线
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(Na,K,Li)(Nb,Sb)O3无铅压电陶瓷的性能 预览 被引量:2
14
作者 郑立梅 王矜奉 +2 位作者 臧国忠 亓鹏 杜鹃 《电子元件与材料》 CAS CSCD 北大核心 2006年第7期 21-22,25,共3页
采用传统的固相反应法和普通烧结工艺,制备了A位和B位复合的(Na0.5+xK0.44Li0.06-x)Nb0.95Sb0.05O3(x=0,0.006,0.012)系无铅压电陶瓷样品,并对样品的压电、机电性能进行了研究。结果表明:该陶瓷系列具有很高的压电应变... 采用传统的固相反应法和普通烧结工艺,制备了A位和B位复合的(Na0.5+xK0.44Li0.06-x)Nb0.95Sb0.05O3(x=0,0.006,0.012)系无铅压电陶瓷样品,并对样品的压电、机电性能进行了研究。结果表明:该陶瓷系列具有很高的压电应变常数(x=0.006时d33=243pC/N)、低的介质损耗(tanδ〈2×10^-2)、较高的机电耦合系数(x=0.012时,k33=0.632)、高的铁电顺电相变温度(七约400℃)。这些性能显示了它是一种替代铅基PZT的具有很好应用前景的无铅压电陶瓷。 展开更多
关键词 无机非金属材料 无铅压电陶瓷 机电耦合系数 压电常数 介电常数 电滞回线
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射频磁控溅射制备PZT铁电薄膜的工艺研究 预览 被引量:3
15
作者 毕振兴 张之圣 +2 位作者 胡明 樊攀峰 刘志刚 《硅酸盐通报》 CAS CSCD 北大核心 2005年第4期 6-9,共4页
在SiO2/Si基片上采用直流对靶溅射技术制备出Pt/Ti底电极;应用射频磁控溅射方法,利用快速热处理(RTA)工艺,制备出了具有良好铁电性能的Pb(Zr0.52Ti0.48)O3铁电薄膜.将样品进行10min快速热退火处理,退火温度700℃.测试分析表明:薄膜厚度... 在SiO2/Si基片上采用直流对靶溅射技术制备出Pt/Ti底电极;应用射频磁控溅射方法,利用快速热处理(RTA)工艺,制备出了具有良好铁电性能的Pb(Zr0.52Ti0.48)O3铁电薄膜.将样品进行10min快速热退火处理,退火温度700℃.测试分析表明:薄膜厚度比较均匀、表面基本平整、没有裂纹和孔洞、致密性好、薄膜样品的矫顽场强(Ec)为28.6kV/cm,剩余极化强度(Pr)为18.7μC/cm2,自发极化强度(Ps)为37.5μC/cm2,是制备铁电薄膜存储器的优选材料. 展开更多
关键词 PZT 直流对靶溅射 射频磁控溅射 锆钛酸铅薄膜 钙钛矿相 电滞回线 射频磁控溅射方法 PZT铁电薄膜 溅射制备 工艺研究
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五元系PZN—PSN—PMS—PZT压电陶瓷的研究 预览 被引量:8
16
作者 孙琳 孙清池 胜鹏 《压电与声光》 CSCD 北大核心 2004年第1期 35-38,共4页
对PZN-PSN-PMS-PZT五元系压电陶瓷的烧结温度(1 200~1 280℃)、Zr/Ti与性能的关系以及部分Sr2+、Ba2+取代Pb2+对材料性能的影响进行了研究.实验结果表明:当Zr/Ti=0.455/0.435,掺Sr2+、Ba2+(摩尔分数均为2%)时,在1 260℃,2 h条件下烧结... 对PZN-PSN-PMS-PZT五元系压电陶瓷的烧结温度(1 200~1 280℃)、Zr/Ti与性能的关系以及部分Sr2+、Ba2+取代Pb2+对材料性能的影响进行了研究.实验结果表明:当Zr/Ti=0.455/0.435,掺Sr2+、Ba2+(摩尔分数均为2%)时,在1 260℃,2 h条件下烧结,样品的品质因数Qm为1 671;介电常数εTI3为1 294;压电常数d33为285 pC·N-1;介质损耗tanδ为0.004;机电耦合系数kp为0.522;居里温度Tc为295℃;矫顽场强Eo为19 kV·cm-1,显示出该五元系具有很大的应用价值和发展潜力. 展开更多
关键词 压电陶瓷 铌锌-铌锡-锑锰-锆钛酸铅 锶、钡取代 电滞回线
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压电位移材料电场E3和应变S1的关系 预览 被引量:2
17
作者 孙清池 左孝杰 +1 位作者 徐庭献 王裕斌 《兵器材料科学与工程》 CSCD 2001年第3期 7-10,共4页
研究了软性铌锑-锆钛酸铝Pb(Sb1/2 Nb1/2)ZrTiO3(简称SN)系及硬性锑锰-锆钛酸铅Pb(Mn1/3 Sb2/3)ZrTiO3(简称MS)系压电陶瓷电场E3和应变S1的关系.压电方程为S1=d31 E3,在弱电场下为线性关系.随着电场增加,压电应变系数d31变大,从而不再... 研究了软性铌锑-锆钛酸铝Pb(Sb1/2 Nb1/2)ZrTiO3(简称SN)系及硬性锑锰-锆钛酸铅Pb(Mn1/3 Sb2/3)ZrTiO3(简称MS)系压电陶瓷电场E3和应变S1的关系.压电方程为S1=d31 E3,在弱电场下为线性关系.随着电场增加,压电应变系数d31变大,从而不再是常数.当电场E3增大到某一值时d31有极大值,我们称此电场为饱和电场Es.软性SN三元系压电陶瓷的退极化电场Ed为12.7kV/cm,小于它的矫顽场Ec(13.6kV/cm)以及d31极大值(-457pC/N)时的饱和电场Es(14kV/cm).而硬性MS三元系压电陶瓷的退极化电场Ed和d31极大值(-202pC/N)时的饱和电场Es相等,均为24kV/cm,大于它的矫顽电场Ec(18.6kV/cm).软性SN三元系压电陶瓷在较低的电场下就可产生很大的应变.而硬性MS三元系压电陶瓷可以施加很大的反向电场. 展开更多
关键词 压电应变系统d31 退极化电场Ed 矫顽电场Ec 饱和电场Es 电滞回线 压电陶瓷 智能材料 SN系 MS系
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射频溅射制备钛酸铅薄膜 预览 被引量:1
18
作者 杨成韬 袁鑫 +1 位作者 纪洪 李言荣 《电子元件与材料》 CAS CSCD 北大核心 2001年第2期 16-18,共3页
采用射频磁控溅射方法制备钙钛矿型钛酸铅铁电薄膜。通过各种不同溅射工艺条件研究,在适宜的溅射条件和基片温度下,溅射获得的PbTiO3薄膜表面晶粒大小均匀,膜层致密性好,经XRD分析证实,薄膜为钙钛矿型结构PbTiO3。外加Pt电极对薄... 采用射频磁控溅射方法制备钙钛矿型钛酸铅铁电薄膜。通过各种不同溅射工艺条件研究,在适宜的溅射条件和基片温度下,溅射获得的PbTiO3薄膜表面晶粒大小均匀,膜层致密性好,经XRD分析证实,薄膜为钙钛矿型结构PbTiO3。外加Pt电极对薄膜进行测试表明,溅射得到的PbTiO3薄膜具有较好的电滞回线特性。 展开更多
关键词 铁电薄膜 射频溅射 电滞回线 钛酸铅薄膜 晶化
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金属有机物分解法制备SrBi_2Ta_2O_9铁电薄膜的开关特性 预览
19
作者 赵成 张志刚 《功能材料》 EI CAS CSCD 北大核心 2001年第6期 600-602,共3页
用金属有机物分解(MOD)以及sol-gel方法制备了SiBi2Ta2O9(STB)铁电薄膜。经测量在750℃晶化的SBT薄膜具有很好的铁电性能。通过对SBT样品极化反转过程进行测试,得出了外加电压(0.5-5V)与SBT薄膜的开关时间(100-600ms)及极... 用金属有机物分解(MOD)以及sol-gel方法制备了SiBi2Ta2O9(STB)铁电薄膜。经测量在750℃晶化的SBT薄膜具有很好的铁电性能。通过对SBT样品极化反转过程进行测试,得出了外加电压(0.5-5V)与SBT薄膜的开关时间(100-600ms)及极化反转电荷的关系。并研究了不同气氛不退火对SBT铁电薄膜形状特性的影响。 展开更多
关键词 钽酸锶铋 电滞回线 极化反转 开关时间 铁电薄膜 金属有机物分解法
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三角结构铁电体的电滞回线 预览 被引量:1
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作者 陆夏莲 沈韩 《中山大学学报:自然科学版》 CAS CSCD 北大核心 2000年第3期 35-38,共4页
采用量子统计的方法计算了三角结构铁电单晶的屏蔽电荷的激发,得到了不对称的电滞回线。传统的热力学理论无法对此进行解释。
关键词 三角晶系 电滞回线 铁电体 方硼石 三角结构
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