期刊文献+
任意字段
题名或关键词
题名
关键词
文摘
作者
第一作者
机构
刊名
分类号
参考文献
作者简介
基金资助
栏目信息
共找到5篇文章
< 1 >
每页显示 20 50 100
已选择0条
导出题录 引用分析
参考文献
引证文献
 统计分析
检索结果
已选文献
显示方式：
DPRM工艺中刻蚀工艺关键参数对N/P型MOS管交界处的影响
1
作者 石梦 阎海涛 +3 位作者 毛海央 韩宝东 孙武 夏光美 《半导体光电》 CAS 北大核心 2019年第1期59-63,共5页
短沟道效应对器件性能的影响不可忽略,高k/金属栅极(High-k/Metal Gate,HKMG)器件可以很好地抑制短沟道效应。HKMG器件中金属栅极的制备工艺有前栅极制造工艺和后栅极制造工艺,其中虚拟栅去除(Dummy Poly Removal,DPRM)过程是后栅极制... 短沟道效应对器件性能的影响不可忽略,高k/金属栅极(High-k/Metal Gate,HKMG)器件可以很好地抑制短沟道效应。HKMG器件中金属栅极的制备工艺有前栅极制造工艺和后栅极制造工艺,其中虚拟栅去除(Dummy Poly Removal,DPRM)过程是后栅极制造中一道至关重要的制程。由于P型MOS管和N型MOS管的金属栅极填充材料不同,制造工艺中要先完成一种MOS管金属栅极的制作再进行另一种MOS管金属栅极的制作,DPRM后N型MOS管和P型MOS管交界处的结构形貌会直接影响金属栅极的填充,进而影响器件性能。在电子回旋共振刻蚀等离子体源条件下,探究DPRM工艺中过刻蚀过程的关键参数对NMOS管和PMOS管交界处结构形貌的影响,进而总结出减弱N/P型MOS管交界处侧向凹陷程度的工艺条件。 展开更多
关键词 过刻蚀 高k/金属栅 虚拟栅去除 电子回旋共振 侧向凹陷
TFT-LCD制程中Sand Mura的失效模式分析及改善研究 预览
2
作者 史高飞 沈奇雨 +4 位作者 许徐飞 宋洁 赵娜 韩基挏 李乘揆 《液晶与显示》 CAS CSCD 北大核心 2015年第2期257-262,共6页
在薄膜晶体管液晶显示器件（TFT-LCD）的制作过程中,Mura是一种常见的不良现象,它可以直接影响到产品的画面品质。本文结合生产工艺的实际情况,采用宏观微观检查设备Macro/Micro（M/M）、扫描电子显微镜（SEM）、聚焦离子束测试仪（FIB... 在薄膜晶体管液晶显示器件（TFT-LCD）的制作过程中,Mura是一种常见的不良现象,它可以直接影响到产品的画面品质。本文结合生产工艺的实际情况,采用宏观微观检查设备Macro/Micro（M/M）、扫描电子显微镜（SEM）、聚焦离子束测试仪（FIB）等设备进行检测分析,研究了产品开发过程中出现的Sand Mura问题。实验结果表明,Sand Mura发生的主要原因是像素电极ITO在刻蚀过程中由于过刻发生断裂,导致在通电时该处液晶分子偏转发生异常,进而阻挡了光的透过而形成暗点;通过变更ITO薄膜的厚度及刻蚀时间等一系列措施,防止了像素电极在PVX过孔处因过刻引起的断裂,不良发生率降至0.3%,产品质量得到了很大的提高。此外,过孔设计优化方案有助于新产品开发阶段避免该不良的发生,为以后相关问题的研究奠定了一些理论基础。 展开更多
关键词 TFT-LCD SAND Mura 过刻 厚度 刻蚀时间
在线阅读 下载PDF
栅绝缘层过孔的反应离子刻蚀研究 被引量：2
3
作者 姜晓辉 田宗民 +9 位作者 李田生 张家祥 王亮 沈奇雨 崔玉琳 侯学成 郭建 陈旭 谢振宇 闵泰烨 《真空科学与技术学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2014年第3期278-281,共4页
为了适应薄膜晶体管液晶显示器窄边框化以及面板布线精细化的趋势，以及利用较少光刻次数生产出高品质的产品，本文研究了利用反应离子刻蚀栅绝缘层过孔。介绍了栅绝缘层过孔刻蚀的原理，通过实验以及测试研究与分析了刻蚀过刻量、刻蚀... 为了适应薄膜晶体管液晶显示器窄边框化以及面板布线精细化的趋势，以及利用较少光刻次数生产出高品质的产品，本文研究了利用反应离子刻蚀栅绝缘层过孔。介绍了栅绝缘层过孔刻蚀的原理，通过实验以及测试研究与分析了刻蚀过刻量、刻蚀反应压力以及刻蚀气体比例等因素对栅绝缘层过孔刻蚀坡度角的影响。实验结果表明：当SF6气体比例为M3、反应压强为P3，制备的栅绝缘过孔坡度角较理想。 展开更多
关键词 栅绝缘层过孔 反应离子刻蚀 过刻量 气体比例
一种改善由隧穿氧化层氮化技术引起栅氧化层衰退的方法 预览
4
作者 李绍彬 《电子与封装》 2015年第11期39-42,共4页
隧穿氧化层在闪存器件中占有关键的地位,它极大地影响着闪存器件的循环擦写以及保持电子的能力。在形成隧穿氧化层的制程中,通常会通过加入氮化技术去提高隧穿氧化层的可靠性,但是这种工艺会给外围器件的栅氧化层带来负面影响。通过工... 隧穿氧化层在闪存器件中占有关键的地位,它极大地影响着闪存器件的循环擦写以及保持电子的能力。在形成隧穿氧化层的制程中,通常会通过加入氮化技术去提高隧穿氧化层的可靠性,但是这种工艺会给外围器件的栅氧化层带来负面影响。通过工艺方面的优化提出了一种较为简易的方法去消除由于氮化技术带来的对外围器件栅氧化层的影响。通过实验发现用过量湿法蚀刻可以很好地消除隧穿氧化层氮化技术的影响,提高了外围器件栅氧化层的可靠性。 展开更多
关键词 闪存 隧穿氧化层的氮化 氮残留 过量湿法蚀刻 栅氧化层的可靠性
在线阅读 下载PDF
抗高过载微压传感器 预览 被引量：4
5
作者 尹颢 杨恒 +2 位作者 王文襄 沈绍群 鲍敏杭 《传感器技术》 CSCD 北大核心 2001年第4期 48-51,共4页
在提高微压传感器灵敏度的研究过程中，会遇到非线性和稳定性变差、 过载能力不够以及静电封接时背岛与玻璃粘接造成器件失效等现象。提出了应力匀散结构和两层岛的限位结构, 利用有限元分析和近似解析分析, 设计了新的双岛-梁-膜结构,... 在提高微压传感器灵敏度的研究过程中，会遇到非线性和稳定性变差、 过载能力不够以及静电封接时背岛与玻璃粘接造成器件失效等现象。提出了应力匀散结构和两层岛的限位结构, 利用有限元分析和近似解析分析, 设计了新的双岛-梁-膜结构, 成功地研制出抗高过载微压传感器。量程为0.3?kPa，总精度为 0.4%，过载能力＞140倍满量程。 展开更多
关键词 微压传感器 过载能力 非线性 灵敏度
在线阅读 下载PDF
已选择0条
导出题录 引用分析
参考文献
引证文献
 统计分析
检索结果
已选文献
上一页 1 下一页 到第 页
使用帮助 返回顶部 意见反馈