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大马士革工艺中等离子体损伤的天线扩散效应
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作者 赵悦 杨盛玮 +2 位作者 韩坤 刘丰满 曹立强 《半导体技术》 CAS 北大核心 2019年第1期51-57,72共8页
等离子体技术的广泛应用给工艺可靠性带来了挑战,等离子体损伤的评估成为工艺可靠性评估的重要内容之一。针对大马士革工艺中的等离子体损伤问题,提出了天线扩散效应,确定了相应工艺的天线扩散系数,提高了工艺可靠性评估的准确性。根据... 等离子体技术的广泛应用给工艺可靠性带来了挑战,等离子体损伤的评估成为工艺可靠性评估的重要内容之一。针对大马士革工艺中的等离子体损伤问题,提出了天线扩散效应,确定了相应工艺的天线扩散系数,提高了工艺可靠性评估的准确性。根据不同介质层沉积对器件的影响,确定了等离子体增强化学气相沉积(PECVD)是大马士革工艺中易造成等离子体损伤的薄弱环节之一。实验结果表明,同种工艺满足相同的天线扩散效应,此时工艺参数的改变不会影响天线扩散系数。对带有不同天线结构的PMOS器件进行可靠性分析,得知与密齿状天线相比,疏齿状天线对器件的损伤更严重,确定了结构面积和间距是影响PECVD工艺可靠性水平的关键参数。 展开更多
关键词 大马士革工艺 天线扩散效应 等离子体增强化学气相沉积(PECVD) 等离子体损伤 经时击穿(TDDB)
半导体电浆制程的危害及防治 预览
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作者 周庆萍 黄琪煜 陆峰 《电子与封装》 2008年第2期 33-36,共4页
随着半导体制造技术推进到更加先进的深亚微米技术,电浆已被越来越广泛的应用在半导体的制造过程中。由于电浆环境充斥着高能量的粒子和带电的离子及电子,所以对半导体元件结构有潜在性的破坏效应。而这种破坏效应主要是对栅极氧化层... 随着半导体制造技术推进到更加先进的深亚微米技术,电浆已被越来越广泛的应用在半导体的制造过程中。由于电浆环境充斥着高能量的粒子和带电的离子及电子,所以对半导体元件结构有潜在性的破坏效应。而这种破坏效应主要是对栅极氧化层的电性损伤,进而影响器件的良率及可靠性。因此我们必须要了解电浆损伤的成因及科学的侦侧方法,并在此基础上试图找到一些方法防止电浆损伤的发生。文章讨论了半导体电浆制程对器件的危害及防治措施。 展开更多
关键词 集成电路 电浆损伤 天线效应
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Prevention of plasma-induced damage on thin gate oxides in BEOL sub-half micron CMOS processing
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作者 贺琪 赵文彬 +1 位作者 彭力 于宗光 《半导体学报》 EI CAS CSCD 2013年第6期170-173,共4页
<正>A comparison is made of several plasma-induced damage(PID) measurement techniques.A novel PID mechanism using high-density plasma(HDP) inter-metal dielectric(IMD) deposition is proposed.The results of a desi... <正>A comparison is made of several plasma-induced damage(PID) measurement techniques.A novel PID mechanism using high-density plasma(HDP) inter-metal dielectric(IMD) deposition is proposed.The results of a design of experiment(DOE) on Ar pre-clean minimizing PID are presented.For HDP oxide deposition,the plasma damage is minimal,assuring minimal exposure time of the metal line to the plasma using a maximal deposition to sputter ratio.This process induces less PID than classic SOG processing.Ar pre-clean induces minimal plasma damage using minimal process time,high ion energy and high plasma power.For metal etching,an HDP etch is compared to a reactive ion etch,and the impact of the individual process steps are identified by specialized antenna structures.The measurement results of charge pumping,breakdown voltage and gate oxide leakage correlate very well.On metal etching,the reactive ion etching induces less plasma damage than HDP etching.For both reactors, PID is induced only in the metal over-etch step. 展开更多
关键词 等离子体损伤 CMOS工艺 氧化物 等离子损伤 高密度等离子体 金属蚀刻 预防 薄栅
反应离子刻蚀氮化硅过程的损伤研究
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作者 廖乃镘 罗春林 +3 位作者 龙飞 向鹏飞 阙蔺兰 李仁豪 《半导体光电》 CAS CSCD 北大核心 2010年第6期913-915,922共4页
针对反应离子刻蚀氮化硅过程中无图形60nm栅氧的等离子体损伤问题进行了研究。采用接触电势差技术研究了反应刻蚀中电荷在硅片表面上的沉积,利用非接触式CV测试技术研究了Si/SiO2界面态的变化。研究表明,电荷沉积与Si/SiO2界面态密度增... 针对反应离子刻蚀氮化硅过程中无图形60nm栅氧的等离子体损伤问题进行了研究。采用接触电势差技术研究了反应刻蚀中电荷在硅片表面上的沉积,利用非接触式CV测试技术研究了Si/SiO2界面态的变化。研究表明,电荷沉积与Si/SiO2界面态密度增加有较好的对应关系,电荷沉积较多的区域具有更高的界面态密度。然而,电荷沉积量与界面态密度不成正比例。 展开更多
关键词 等离子损伤 反应离子刻蚀 栅氧
等离子体对90nm工艺MOS器件的损伤 预览 被引量:1
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作者 唐瑜 郝跃 +1 位作者 孟志琴 马晓华 《半导体学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2007年第1期 92-95,共4页
研究了等离子体工艺对90nm铜大马士革工艺器件的损伤.对nMOSFET和pMOSFET分别进行了HCI和NBTI应力实验,实验结果证明天线比仍是反应等离子体损伤重要的标准且通孔天线结构器件的损伤最大,并从通孔刻蚀工艺过程中解释其原因.
关键词 等离子体损伤 天线结构 通孔 铜大马士革工艺
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EEPROM电路中的等离子体损伤分析 预览
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作者 肖纯烨 徐政 《电子与封装》 2007年第9期 26-29,共4页
文章讨论了等离子体损伤造成的EEPROM电路失效,从隧道氧化层质量、器件结构、PECVD、等离子体腐蚀几方面分析了工艺中造成等离子体损伤的原因。分析结论得出金属腐蚀工艺中存在的天线效应和电子阴影效应对隧道氧化层质量有决定性影响。
关键词 隧道氧化层 等离子体损伤 金属腐蚀
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一种测试等离子体损伤的新方法 预览 被引量:1
7
作者 徐政 孙锋 李冰 《微电子学》 CAS CSCD 北大核心 2007年第5期 768-770,共3页
开发了一种用于评估等离子体损伤的测试方法。利用电流流经氧化层时会在氧化层产生缺陷,从而导致隧道电流降低的原理,通过测量氧化层的隧道电流,来评估工艺制造过程中等离子体对介质造成的损伤。测量结果用气泡图表示,气泡面积表示... 开发了一种用于评估等离子体损伤的测试方法。利用电流流经氧化层时会在氧化层产生缺陷,从而导致隧道电流降低的原理,通过测量氧化层的隧道电流,来评估工艺制造过程中等离子体对介质造成的损伤。测量结果用气泡图表示,气泡面积表示隧道电流大小,面积越大,表示等离子体损伤越小。 展开更多
关键词 半导体工艺 氧化层 等离子体损伤 隧道电流
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等离子体加工对器件损伤的两种模式 预览
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作者 刘艳红 赵宇 +2 位作者 王美田 胡礼中 马腾才 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2002年第5期 69-72,共4页
介绍了微细加工中等离子体工艺对器件的损伤.主要有两种损伤模式:充电效应引起的损伤和辐射损伤.讨论了两种损伤模式的等离子体过程及损伤机制.
关键词 等离子体损伤 可靠性 半导体工艺 超大规模集成电路
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