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应力记忆工艺优化对NMOS器件性能的改善
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作者 卢小雨 蔡巧明 +4 位作者 龙世兵 张烨 张陶娜 杨菁国 张云香 《微电子学》 CAS 北大核心 2019年第2期279-283,共5页
应力记忆工艺(SMT)通过在NMOS器件沟道中产生张应力,提高器件的电子迁移率,从而提升NMOS器件的性能。Si3N4层应力值、SiO2层厚度以及退火顺序等三种因素,均对NMOS器件的性能产生影响,增加了SMT工艺应用的难度。对三组实验结果进行分析,... 应力记忆工艺(SMT)通过在NMOS器件沟道中产生张应力,提高器件的电子迁移率,从而提升NMOS器件的性能。Si3N4层应力值、SiO2层厚度以及退火顺序等三种因素,均对NMOS器件的性能产生影响,增加了SMT工艺应用的难度。对三组实验结果进行分析,研究了三种因素对NMOS器件性能的影响,优化了工艺条件。结果表明,NMOS器件应用SMT工艺后,饱和漏极电流-关态漏极电流(Idsat-Ioff)较传统NMOS器件提高了6%。 展开更多
关键词 应力记忆工艺 NMOS器件 饱和漏极电流-关态漏极电流
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