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High quality 2-μm GaSb-based optically pumped semiconductor disk laser grown by molecular beam epitaxy
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作者 尚金铭 冯健 +5 位作者 杨成奥 谢圣文 张一 佟存柱 张宇 牛智川 《中国物理B:英文版》 SCIE EI CAS CSCD 2019年第3期175-179,共5页
The epitaxial growth conditions and performance of a diode-pumped GaSb-based optically pumped semiconductor disk laser(SDL) emitting near 2.0 μm in an external cavity configuration are reported. The high quality epit... The epitaxial growth conditions and performance of a diode-pumped GaSb-based optically pumped semiconductor disk laser(SDL) emitting near 2.0 μm in an external cavity configuration are reported. The high quality epitaxial structure,grown on Te-doped(001) oriented GaSb substrate by molecular beam epitaxy, consists of a distributed Bragg reflector(DBR), a multi-quantum-well gain region, and a window layer. An intra-cavity SiC heat spreader was attached to the gain chip for effective thermal management. A continuous-wave output power of over 1 W operating at 2.03 μm wavelength operating near room temperature was achieved using a 3% output coupler. 展开更多
关键词 SEMICONDUCTOR DISK laser GASB molecular BEAM EPITAXY
一种2-甲基-3-羟基喹啉-4-甲酸单核铜(Ⅱ)配合物的合成、晶体结构、理论计算与性质 预览
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作者 方小牛 李佳 +3 位作者 易绣光 易志强 陈家怡 李永绣 《无机化学学报》 SCIE CAS CSCD 北大核心 2019年第5期930-936,共7页
以2-甲基-3-羟基喹啉-4-甲酸和1,10-菲咯啉为原料,经溶剂热法合成了一种新颖的Cu(Ⅱ)配合物,[Cu(L)(Phen)(H2O)]·CH3OH(1,HL=2-甲基-3-羟基喹啉-4-甲酸,Phen=1,10-菲咯啉),并通过红外光谱、元素分析、单晶衍射、固态漫反射、光致... 以2-甲基-3-羟基喹啉-4-甲酸和1,10-菲咯啉为原料,经溶剂热法合成了一种新颖的Cu(Ⅱ)配合物,[Cu(L)(Phen)(H2O)]·CH3OH(1,HL=2-甲基-3-羟基喹啉-4-甲酸,Phen=1,10-菲咯啉),并通过红外光谱、元素分析、单晶衍射、固态漫反射、光致发光及理论计算对其结构和性质进行了研究。单晶结构分析表明配合物1的晶体属于单斜晶系,P21/c空间群,是一种零维(0D)结构的单核体。固态光致发光表明其为蓝紫色光发射体。时间密度泛函理论(TDDFT)计算表明其发射归属于配体-配体电荷转移(LLCT)。固态漫反射测量显示该化合物存在1.91eV的窄带能隙。 展开更多
关键词 晶体结构 光致发光 半导体 时间密度泛函理论 配体-配体电荷转移
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上转换光催化材料制备及应用 预览
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作者 滕洪辉 杨雯晴 +3 位作者 高彬 高泽 韩丹丹 李天育 《吉林师范大学学报:自然科学版》 2019年第1期40-43,共4页
上转换材料根据组成不同,可分为氟化物、硫化物、卤氧化物等种类,其具有吸收红外光并发射紫外光、可见光的能力,在生物分子标记、上转换激光器、光导纤维通讯、光催化等领域都具有潜在的应用前景.以制备方法为主线,综述了不同制备方法... 上转换材料根据组成不同,可分为氟化物、硫化物、卤氧化物等种类,其具有吸收红外光并发射紫外光、可见光的能力,在生物分子标记、上转换激光器、光导纤维通讯、光催化等领域都具有潜在的应用前景.以制备方法为主线,综述了不同制备方法得到的上转换材料的优缺点,其中水热法具有实验条件简单、过程容易控制的特点,超声法获得的产品具有成分均匀、可重复性高,且可用于制备结晶态材料的特点,煅烧及热处理法生长容易,可制成玻璃类制品.对不同制备方法得到的上转换材料光催化性能进行了讨论,就光催化领域的应用现状和发展趋势进行了展望.不同制备方法得到的材料在光谱的响应范围和光催化活性方面存在差异,这种差异并不是制备方法直接影响的,而是因为不同制备方法得到的材料晶体结构差异导致的,所以在光催化领域,制备新型的上转换材料是重点研究方向之一. 展开更多
关键词 上转换 复合材料 光催化 半导体
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等离子电切与激光汽化治疗良性前列腺增生临床效果及对IPSS、QOL、Qmax、PVR的影响 预览
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作者 王竞 时少显 +3 位作者 和学强 李海涛 段晓亮 孙波 《河北医科大学学报》 CAS 2019年第2期169-173,共5页
目的观察等离子电切与激光汽化治疗良性前列腺增生临床效果及对国际前列腺症状评分(International Prostate Symptom Score,IPSS)、生活质量评分(Quality of Life,QOL)、最大尿流率(Qmax)、残余尿量(post-voiding residual volume,PVR)... 目的观察等离子电切与激光汽化治疗良性前列腺增生临床效果及对国际前列腺症状评分(International Prostate Symptom Score,IPSS)、生活质量评分(Quality of Life,QOL)、最大尿流率(Qmax)、残余尿量(post-voiding residual volume,PVR)的影响。方法回顾性分析前列腺增生且行手术切除的患者78例,其中43例接受经尿道等离子双极电切治疗的患者为电切组,35例接受1470nm半导体激光汽化治疗的患者为激光组。比较2组临床疗效、术中血红蛋白(hemoglobin,Hb)下降值、血钠下降值、膀胱冲洗时间、手术时间、留置导管时间、住院时间,治疗前后IPSS、QOL、Qmax、PVR,术中术后出血、继发性出血、电切综合征等并发症发生情况。结果2组临床疗效及治疗总有效率差异无统计学意义(P>0.05)。激光组术中Hb下降值、术中血钠下降值明显小于电切组,膀胱冲洗时间、留置导管时间、住院时间明显短于电切组,手术时间明显长于电切组(P<0.05)。治疗前,2组IPSS、QOL、Qmax、PVR差异均无统计学意义(P>0.05);治疗后,2组IPSS、QOL、PVR明显低于治疗前,Qmax明显高于治疗前,差异均有统计学意义(P<0.05),但2组IPSS、QOL、Qmax、PVR差异无统计学意义(P>0.05)。2组不良反应发生率差异无统计学意义(P>0.05)。结论1470nm半导体激光汽化治疗与经尿道等离子双极电切治疗良性前列腺增生临床效果均显著,均能有效改善患者IPSS、QOL、Qmax、PVR;经尿道等离子双极电切治疗手术时间更短,1470nm半导体激光汽化治疗出血更少。 展开更多
关键词 前列腺增生 经尿道前列腺切除术 激光 半导体
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基于石墨烯的复合材料在光催化分解水制氢的应用 预览
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作者 万志鹏 《山东化工》 CAS 2019年第16期77-82,85共7页
在传统化石能源日益枯竭的背景下,石墨烯优异的电子传输性能和独特的二维结构使其在光催化分解水制取氢气领域具有广阔的发展前景并获得研究者的广泛关注。简要介绍了最新石墨烯复合材料的制备方法,包括原位生长法、水热/溶剂热法和原... 在传统化石能源日益枯竭的背景下,石墨烯优异的电子传输性能和独特的二维结构使其在光催化分解水制取氢气领域具有广阔的发展前景并获得研究者的广泛关注。简要介绍了最新石墨烯复合材料的制备方法,包括原位生长法、水热/溶剂热法和原子层沉积法,重点评述了近几年来研究开发出的金属氧化物与石墨烯复合物、金属硫化物与石墨烯复合物、g-C3N4与石墨烯复合物以及其他基于石墨烯的复合光催化剂的光催化性能,并探讨了石墨烯在各种复合材料中增强光催化活性的机制。最后,指出了基于石墨烯的光催化材料目前存在的问题及未来的研究重点和方向,包括提高石墨烯复合光催化剂的光催化活性、化学稳定性及选择性;实现石墨烯及其复合材料的低成本、高质量、大规模的合成;对石墨烯复合光催化剂的结构及光催化机理进行更深入的研究,特别是对p-n结、异质结、Z-方案系统的载流子动力学进行充分的研究,以期合成廉价、高效的石墨烯-半导体复合光催化剂。 展开更多
关键词 石墨烯 复合材料 半导体 光催化 制氢 再生能源
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二碲化钨纳米带的合成及热电性质
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作者 周红璐 王佳浩 +2 位作者 娄世云 王洪哲 周少敏 《中国科学:物理学、力学、天文学》 CSCD 北大核心 2019年第4期94-102,共9页
在能源短缺和环境污染日益严重的今天,为了减少温室气体排放,提高能源利用效率,可再生能源转换技术的研究就显得十分必要.热电材料是一类绿色无污染的能源转换材料,将在工业废热利用以及太阳光热复合发电等方面发挥重要作用,因而受到人... 在能源短缺和环境污染日益严重的今天,为了减少温室气体排放,提高能源利用效率,可再生能源转换技术的研究就显得十分必要.热电材料是一类绿色无污染的能源转换材料,将在工业废热利用以及太阳光热复合发电等方面发挥重要作用,因而受到人们越来越多的关注.本文通过化学气相沉积法(CVD)合成了二碲化钨(WTe2)纳米带用于研究其热电性质.扫描电子显微镜和透射电子显微镜分别证实了生长在Si衬底上的大面积WTe2样品具有高质量的带状纳米结构,选区电子衍射表明样品具有单晶相.并在大约300-652K的温度范围内研究了退火后纳米带的热电输运性质,研究结果表明纳米带的最大电导率约为9.55×10^4S/m,最大塞贝克系数为90μV K-1.特别是退火后纳米带样品的最大功率因子相较于普通粉末样品提高了近2倍.这是因为一维单晶纳米带结构具有较少的缺陷,导致了载流子迁移率提高,从而导致了高的电导率.粉末样品具有较多的缺陷,禁带宽度较小,导致了激发载流子所需要的激发能较小,单位温度变化而产生的载流子浓度较大,从而导致了低的塞贝克系数.因此WTe2纳米带可以用于制造具有价廉和环境友好的热电纳米器件的优异材料. 展开更多
关键词 半导体 纳米带 热电学
Effects of chemical pressure on diluted magnetic semiconductor (Ba,K)(Zn,Mn)2As2
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作者 彭毅 于爽 +10 位作者 赵国强 李文敏 赵建发 曹立朋 望贤成 刘清青 张思佳 于润泽 邓正 朱小红 靳常青 《中国物理B:英文版》 SCIE EI CAS CSCD 2019年第5期288-292,共5页
Chemical pressure induced by iso-valent doping has been widely employed to tune physical properties of materials.In this work,we report effects of chemical pressure by substitution of Sb or P into As on a recently dis... Chemical pressure induced by iso-valent doping has been widely employed to tune physical properties of materials.In this work,we report effects of chemical pressure by substitution of Sb or P into As on a recently discovered diluted magnetic semiconductor (Ba,K)(Zn,Mn)2As2,which has the record of reliable Curie temperature of 230 K due to independent charge and spin doping.Sb and P are substituted into As-site to produce negative and positive chemical pressures,respectively.X-ray diffraction results demonstrate the successful chemical solution of dopants.Magnetic properties of both K-underdoped and K-optimal-doped samples are effectively tuned by Sb- and P-doping.The Hall effect measurements do not show decrease in carrier concentrations upon Sb- and P-doping.Impressively,magnetoresistance is significantly improved from 7% to 27% by only 10% P-doping,successfully extending potential application of (Ba,K)(Zn,Mn)2As2. 展开更多
关键词 chemical pressure (Ba K)(Zn Mn)2As2 DILUTED magnetic SEMICONDUCTOR iso-valent DOPING
Stacked lateral double-diffused metal–oxide–semiconductor field effect transistor with enhanced depletion effect by surface substrate
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作者 李琦 张昭阳 +3 位作者 李海鸥 孙堂友 陈永和 左园 《中国物理B:英文版》 SCIE EI CAS CSCD 2019年第3期328-332,共5页
A stacked lateral double-diffused metal–oxide–semiconductor field-effect transistor(LDMOS) with enhanced depletion effect by surface substrate is proposed(ST-LDMOS), which is compatible with the traditional CMOS pro... A stacked lateral double-diffused metal–oxide–semiconductor field-effect transistor(LDMOS) with enhanced depletion effect by surface substrate is proposed(ST-LDMOS), which is compatible with the traditional CMOS processes. The new stacked structure is characterized by double substrates and surface dielectric trenches(SDT). The drift region is separated by the P-buried layer to form two vertically parallel devices. The doping concentration of the drift region is increased benefiting from the enhanced auxiliary depletion effect of the double substrates, leading to a lower specific on-resistance(Ron,sp). Multiple electric field peaks appear at the corners of the SDT, which improves the lateral electric field distribution and the breakdown voltage(BV). Compared to a conventional LDMOS(C-LDMOS), the BV in the ST-LDMOS increases from 259 V to 459 V, an improvement of 77.22%. The Ron,sp decreases from 39.62 m?·cm~2 to 23.24 m?·cm~2 and the Baliga’s figure of merit(FOM) of is 9.07 MW/cm~2. 展开更多
关键词 double substrates SURFACE dielectric TRENCH stacked LATERAL double-diffused metal–oxide– SEMICONDUCTOR field-effect transistor(ST-LDMOS) breakdown voltage
基于气-液-固模式的Ⅲ-Ⅴ族一维半导体纳米线的生长研究概述 预览
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作者 刘妍 彭艳 +2 位作者 郭经纬 徐朝鹏 喇东升 《材料导报》 EI CAS CSCD 北大核心 2019年第23期3930-3938,共9页
Ⅲ-Ⅴ族一维半导体纳米线由于具有独特的性能、丰富的科学内涵而被广泛应用于微机电、光电子、光伏电、传感等方面,并在未来纳米结构器件中占有重要的战略地位,近年来引起了人们极大的兴趣和关注。探索Ⅲ-Ⅴ族一维半导体纳米线新的结构... Ⅲ-Ⅴ族一维半导体纳米线由于具有独特的性能、丰富的科学内涵而被广泛应用于微机电、光电子、光伏电、传感等方面,并在未来纳米结构器件中占有重要的战略地位,近年来引起了人们极大的兴趣和关注。探索Ⅲ-Ⅴ族一维半导体纳米线新的结构调控手段,研究具有重要应用价值的Ⅲ-Ⅴ族一维半导体纳米线的可控生长方法和技术,从而获得可应用于器件和功能实现的高质量Ⅲ-Ⅴ族一维半导体纳米线是目前各研究组的主要目标。基于气-液-固模式的纳米线生长方法具有对纳米线形貌及晶体质量可控的优点,成为当前制备高质量Ⅲ-Ⅴ族一维半导体纳米线的主要生长技术。催化辅助生长是一种有金属催化剂参与的纳米线生长方式,它可以有效降低反应物裂解能量、提高材料成核质量、控制材料生长方向、提高反应效率、稳定材料晶体结构。自催化生长是指在纳米线生长过程中不添加其他物质作为催化剂,而由反应物自身起催化作用的生长。由于自催化生长在反应过程中未引入其他物质,所以生成物纯度较高。Ⅲ-Ⅴ族异质结构半导体纳米线常具有两种半导体各自不能达到的优良光电特性,其又可划分为纵向异质结构和横向异质结构。Ⅲ-Ⅴ族一维半导体纳米线除了可以在与其自身材料相同的基底表面上生长之外,还可在与其材料不同的基底表面上生长,即在异质基底表面生长。异质基底生长在材料兼容、光电集成等方面具有十分广阔的应用前景。本文对基于气-液-固模式的Ⅲ-Ⅴ族一维半导体纳米线的生长进行了综述,并对近些年基于催化辅助和自催化的纵向异质结构、横向异质结构以及异质基底的成长研究现状进行了总结,为推动Ⅲ-Ⅴ族一维半导体纳米线制备技术的发展提供了参考依据。 展开更多
关键词 纳米线 半导体 Ⅲ-Ⅴ族 气-液-固模式
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基于半导体等离子体频率光学调控的太赫兹波调制系统 预览
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作者 杨涛 葛嘉程 +1 位作者 周源 黄维 《红外与激光工程》 EI CSCD 北大核心 2019年第2期54-59,共6页
介绍了一种太赫兹波光学调制系统,该系统首先通过刀片与半导体之间的狭缝实现太赫兹波和太赫兹表面等离子体波之间的耦合,然后通过改变照射到本征半导体表面的光强用以调控半导体表面的等离子体频率,使得半导体表面的等离子体频率在有... 介绍了一种太赫兹波光学调制系统,该系统首先通过刀片与半导体之间的狭缝实现太赫兹波和太赫兹表面等离子体波之间的耦合,然后通过改变照射到本征半导体表面的光强用以调控半导体表面的等离子体频率,使得半导体表面的等离子体频率在有光照和无光照条件下分别大于和小于其上传输的太赫兹表面等离子体波的频率,从而实现对在半导体表面传输的太赫兹表面等离子体波以及由其耦合出的太赫兹波的强度调控。该调制方法与传统方法相比具有调控频带宽、速度快、成本低、常温工作等优点,可用于太赫兹波通讯。仿真和实验结果进一步验证了该调制系统应用的可行性。 展开更多
关键词 太赫兹 表面等离子体波 半导体 等离子体频率 载流子浓度
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Heteroepitaxial growth of thick α-Ga2O3 film on sapphire(0001)by MIST-CVD technique 预览
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作者 Tongchuan Ma Xuanhu Chen +5 位作者 Fangfang Ren Shunming Zhu Shulin Gu Rong Zhang Youdou Zheng Jiandong Ye 《半导体学报:英文版》 EI CAS CSCD 2019年第1期81-85,共5页
The 8 μm thick single-crystalline α-Ga2O3 epilayers have been heteroepitaxially grown on sapphire(0001) substrates via mist chemical vapor deposition technique. High resolution X-ray diffraction measurements show th... The 8 μm thick single-crystalline α-Ga2O3 epilayers have been heteroepitaxially grown on sapphire(0001) substrates via mist chemical vapor deposition technique. High resolution X-ray diffraction measurements show that the full-widths-at-halfmaximum(FWHM) of rocking curves for the(0006) and(10-14) planes are 0.024° and 0.24°, and the corresponding densities of screw and edge dislocations are 2.24 × 106 and 1.63 × 109 cm-2, respectively, indicative of high single crystallinity. The out-ofplane and in-plane epitaxial relationships are [0001] α-Ga2O3//[0001] α-Al2O3 and [11-20] α-Ga2O3//[11-20] α-Al2O3, respectively.The lateral domain size is in micron scale and the indirect bandgap is determined as 5.03 eV by transmittance spectra. Raman measurement indicates that the lattice-mismatch induced compressive residual strain cannot be ruled out despite the large thickness of the α-Ga2O3 epilayer. The achieved high quality α-Ga2O3 may provide an alternative material platform for developing high performance power devices and solar-blind photodetectors. 展开更多
关键词 ULTRA-WIDE bandgap semiconductor chemical vapor deposition EPITAXY GALLIUM oxide
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Ultraviolet photodetectors based on wide bandgap oxide semiconductor films
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作者 周长祺 艾秋 +3 位作者 陈星 高晓红 刘可为 申德振 《中国物理B:英文版》 SCIE EI CAS CSCD 2019年第4期7-17,共11页
Ultraviolet(UV) photodetectors have attracted more and more attention due to their great potential applications in missile tracking, flame detecting, pollution monitoring, ozone layer monitoring, and so on. Owing to t... Ultraviolet(UV) photodetectors have attracted more and more attention due to their great potential applications in missile tracking, flame detecting, pollution monitoring, ozone layer monitoring, and so on. Owing to the special characteristics of large bandgap, solution processable, low cost, environmentally friendly, etc., wide bandgap oxide semiconductor materials, such as ZnO, ZnMgO, Ga2O3, TiO2, and Ni O, have gradually become a series of star materials in the field of semiconductor UV detection. In this paper, a review is presented on the development of UV photodetectors based on wide bandgap oxide semiconductor films. 展开更多
关键词 PHOTODETECTOR ULTRAVIOLET OXIDE SEMICONDUCTOR FILM
车规级IGBT的发展现状与趋势综述 预览
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作者 袁博 《汽车文摘》 2019年第12期55-58,共4页
IGBT作为新能源汽车的核心部件之一,承担着控制电动机动力分配输出以及电动机和发动机运行匹配的任务,在新能源汽车的行驶过程中起着举足轻重的作用,是新能源汽车的“大脑”。近年来,车规级IGBT产业因为新能源汽车的迅速普及而得以快速... IGBT作为新能源汽车的核心部件之一,承担着控制电动机动力分配输出以及电动机和发动机运行匹配的任务,在新能源汽车的行驶过程中起着举足轻重的作用,是新能源汽车的“大脑”。近年来,车规级IGBT产业因为新能源汽车的迅速普及而得以快速发展,加之其科技含量高,成为众多汽车及零部件企业重点投资和研发的领域。随着新能源汽车产业的进一步发展,车规级IGBT产业将会迎来新的高速发展期。 展开更多
关键词 IGBT NEV 半导体 材料
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半导体激光治疗慢性根尖周炎的临床疗效 预览
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作者 王迪 黄文静 叶艳艳 《中国继续医学教育》 2019年第19期105-107,共3页
目的探讨半导体激光治疗慢性根尖周炎的临床疗效。方法选取2016年12月—2018年12月医院收治的慢性根尖周炎88例,采用随机分配的方法分为对照组和研究组各44例,对照组患者采用常规方法进行治疗,研究组患者采用半导体激光进行治疗,对比两... 目的探讨半导体激光治疗慢性根尖周炎的临床疗效。方法选取2016年12月—2018年12月医院收治的慢性根尖周炎88例,采用随机分配的方法分为对照组和研究组各44例,对照组患者采用常规方法进行治疗,研究组患者采用半导体激光进行治疗,对比两组患者的临床治疗效果以及不同时间段疼痛情况。结果研究组的临床治疗效果显著优于对照组,差异有统计学意义(P<0.05);术前两组患者的疼痛情况差异无统计学意义(P>0.05),术后研究组的疼痛情况显著低于对照组,差异有统计学意义(P<0.05)。结论采用半导体激光进行治疗可以有效改善慢性根尖周炎患者临床治疗效果,同时安全性相对较高,降低患者的疼痛情况。 展开更多
关键词 半导体 激光 慢性 根尖周炎 临床效果 疼痛程度
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Mode couplings of a semiconductor nanowire scanning across a photonic crystal nanocavity
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作者 元晴晨 方亮 +7 位作者 赵强 王亚东 毛博 Vladislav Khayrudinov Harri Lipsanen 孙志培 赵建林 甘雪涛 《中国光学快报:英文版》 SCIE EI CAS CSCD 2019年第6期80-85,共6页
The position-dependent mode couplings between a semiconductor nanowire(NW)and a planar photonic crystal(PPC)nanocavity are studied.By scanning an NW across a PPC nanocavity along the hexagonal lattice’sΓ– M and M–... The position-dependent mode couplings between a semiconductor nanowire(NW)and a planar photonic crystal(PPC)nanocavity are studied.By scanning an NW across a PPC nanocavity along the hexagonal lattice’sΓ– M and M– K directions,the variations of resonant wavelengths,quality factors,and mode volumes in both fundamental and second-order resonant modes are calculated,implying optimal configurations for strong mode-NW couplings and light-NW interactions.For the fundamental(second-order)resonant mode,scanning an NW along the M– K(Γ– M)direction is preferred,which supports stronger light-NW interactions with larger NW-position tolerances and higher quality factors simultaneously.The simulation results are confirmed experimentally with good agreements. 展开更多
关键词 The position-dependent SEMICONDUCTOR nanowire(NW) with GOOD agreements
二极管激光治疗复发性阿弗他溃疡的Meta分析 预览
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作者 吕宗凯 郑杨灿 +3 位作者 杜胜男 冯辉 杨映阳 邓礼辉 《中华口腔医学研究杂志(电子版)》 CAS 2019年第1期23-27,共5页
目的评价二极管激光治疗复发性阿弗他溃疡(RAU)的疗效。方法电子检索中国生物医学文献数据库(CBM)、中国知网(CNKI)、维普资讯、Medline、CENTRAL、EMBASE和PubMed数据库,检索时间截止至2018年7月,收集有关二极管激光治疗RAU的临床随机... 目的评价二极管激光治疗复发性阿弗他溃疡(RAU)的疗效。方法电子检索中国生物医学文献数据库(CBM)、中国知网(CNKI)、维普资讯、Medline、CENTRAL、EMBASE和PubMed数据库,检索时间截止至2018年7月,收集有关二极管激光治疗RAU的临床随机对照试验。文献筛选并提取数据后采用Revman5.3.3进行Meta分析。结果最终纳入文献11篇,涉及877例患者。Meta分析显示,RAU患者接受二极管激光治疗后疼痛症状的视觉模拟评分(VAS)均较对照组患者明显降低(WMD=2.76,Z=3.91,P<0.001),临床有效率明显高于对照组(OR=4.97,Z=7.99,P<0.001),溃疡愈合时间也明显缩短(WMD=-2.44,Z=4.14,P<0.001),差异有统计学意义。结论二极管激光能够显著缓解RAU患者的临床症状,缩短愈合时间,具有较好的治疗作用。 展开更多
关键词 激光 半导体 口炎 口疮性 系统评价 META分析
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确保物联网的高能效 预览
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作者 Bruno Damien 《传感器世界》 2019年第4期30-32,共3页
物联网似乎势不可挡,将对工业和消费领域的几乎每一个领域的流程和“事物”产生积极影响。展望了物联网的发展趋势,分析了物联网的能耗、互联、感知和免电池操作的相关焦点技术,探讨了如何保证物联网的高能效运作,介绍了安森美半导体汇... 物联网似乎势不可挡,将对工业和消费领域的几乎每一个领域的流程和“事物”产生积极影响。展望了物联网的发展趋势,分析了物联网的能耗、互联、感知和免电池操作的相关焦点技术,探讨了如何保证物联网的高能效运作,介绍了安森美半导体汇聚并开发的用于物联网及其生态系统的各种最新的技术。 展开更多
关键词 物联网 能效 安森美半导体
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基于SECS/GEM标准的半导体设备配方管理系统设计 预览 被引量:1
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作者 魏秋雨 张志胜 《机械设计与制造工程》 2019年第4期60-63,共4页
设计了一种基于SECS/GEM标准的半导体封装测试设备配方管理系统(RMS),该系统能够实现配方(recipe)程序的上传、下载、参数修改调优以及设备状态实时监控等,减少了半导体生产过程中使用程序错误、错误修改参数等因素产生的生产事故和良... 设计了一种基于SECS/GEM标准的半导体封装测试设备配方管理系统(RMS),该系统能够实现配方(recipe)程序的上传、下载、参数修改调优以及设备状态实时监控等,减少了半导体生产过程中使用程序错误、错误修改参数等因素产生的生产事故和良品率降低等问题。实际应用表明,该系统可缩短产品生产周期,提高设备的综合效率。 展开更多
关键词 SECS/GEM标准 半导体 配方管理系统 设备自动化
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Role of Bloch oscillation in high-order harmonic generation from periodic structure
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作者 刘璐 赵晶 +1 位作者 袁建民 赵增秀 《中国物理B:英文版》 SCIE EI CAS CSCD 2019年第11期60-66,共7页
The high-order harmonic generation from a model solid structure driven by an intense laser pulse is investigated using the semiconductor Bloch equations(SBEs). The main features of harmonic spectrum from SBEs agree we... The high-order harmonic generation from a model solid structure driven by an intense laser pulse is investigated using the semiconductor Bloch equations(SBEs). The main features of harmonic spectrum from SBEs agree well with the result of the time-dependent Schroodinger equation(TDSE), and the cut-off energy can be precisely estimated by the recollision model. With increasing the field strength, the harmonic spectrum shows an extra plateau. Based on the temporal population of electron and the time–frequency analysis, the harmonics in the extra plateau are generated by the Bloch oscillation. Due to the ultrafast time response of the Bloch electron, the generated harmonics provide a potential source of shorter isolated attosecond pulse. 展开更多
关键词 HIGH-ORDER HARMONIC generation ATTOSECOND pulse semiconductor BLOCH equations TIME-DEPENDENT SCHRODINGER equation
半导体塑封模具模架设计 预览
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作者 丁宁 曹玉堂 +3 位作者 汪宗华 周小飞 赵松 周逢海 《模具制造》 2019年第2期57-60,共4页
介绍了半导体封装专用模具模架基本结构、工作过程,指出半导体塑封模具设计时注意事项,核心零部件设计要点、计算公式;同时系统地介绍了半导体塑封模具各部件功能、作用、设计原则,为行业内人士了解半导体塑封模具技术要素提供了依据、... 介绍了半导体封装专用模具模架基本结构、工作过程,指出半导体塑封模具设计时注意事项,核心零部件设计要点、计算公式;同时系统地介绍了半导体塑封模具各部件功能、作用、设计原则,为行业内人士了解半导体塑封模具技术要素提供了依据、有益参考,对半导体塑封模具设计人员具有一定的指导意义。 展开更多
关键词 半导体 塑封模具 模架 支撑柱 顶料机构
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