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强流脉冲电子束表面处理 预览 被引量:26
1
作者 郝胜智 吴平生 +3 位作者 张向东 邹建新 秦颖 董闯 《金属热处理》 CAS CSCD 北大核心 2008年第1期 77-81,共5页
以T8钢、D2模具钢和AZ91HP镁合金为试验材料,利用强流脉冲电子束(加速电压为27 keV,脉冲持续时间约为1μs,能量密度约为2.2 J/cm^2)在试样表面进行辐照处理,研究了处理试样的表层组织、相结构及性能变化规律。另外,结合电子束能量沉... 以T8钢、D2模具钢和AZ91HP镁合金为试验材料,利用强流脉冲电子束(加速电压为27 keV,脉冲持续时间约为1μs,能量密度约为2.2 J/cm^2)在试样表面进行辐照处理,研究了处理试样的表层组织、相结构及性能变化规律。另外,结合电子束能量沉积过程中瞬时温度和应力的作用特点,详细讨论了表面熔坑及深层硬化现象的形成机理。 展开更多
关键词 表面改性 强流脉冲电子束 辐照处理 组织
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TaN膜的结构,成分及性能 预览 被引量:3
2
作者 张庆瑜 陈斌 《大连理工大学学报》 CAS CSCD 北大核心 1995年第4期 482-486,共5页
研究了三极溅射法制备的TaN膜的结构、成分及其性能。实验发现:随着氮分压的增加,TaN膜的结构将从面心立方相转变为六方相;TaN膜的显微硬度在单一相结构时最大,而以双相共存时的显微硬度较低。
关键词 沉积 结构分析 性能 氮化钽 薄膜
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电子束在动态混合沉积TiN中的作用 预览
3
作者 李国卿 刘向红 +4 位作者 宫泽祥 马腾才 黑祖昆 翟光玉 朱戈 《大连理工大学学报》 CAS CSCD 北大核心 1994年第4期 394-398,共5页
在三束动态混合离子注入机中,研究了电子束对动态混合沉积TiN薄膜的硬度,结合力和膜层结构的影响。结果表明,电子束增强了离子束的反应活力,保持了混合过程中温度的均匀性,整个沉积膜层中形成了均匀分布的细纤维状TiN晶粒,... 在三束动态混合离子注入机中,研究了电子束对动态混合沉积TiN薄膜的硬度,结合力和膜层结构的影响。结果表明,电子束增强了离子束的反应活力,保持了混合过程中温度的均匀性,整个沉积膜层中形成了均匀分布的细纤维状TiN晶粒,显著提高了膜层的韧性和结合力。 展开更多
关键词 电子束 沉积 氮化钛 镀膜
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动态混合高结合力超厚TiN膜 预览 被引量:1
4
作者 龙振湖 任春生 +5 位作者 闫坤 郭宝海 李有宏 张庆瑜 薛恒春 潘曼云 《大连理工大学学报》 EI CAS CSCD 北大核心 1995年第3期 317-320,共4页
在新型的MBMI多束混合注入设备中、高真空条件下,在Ti6Al4V基底上采用化学配比态的强流N^+离子束,动态混合真空弧Ti等离子体束的沉积膜,得到高结合力(Lc:100N)超厚(10-30μm)的TiN膜。
关键词 沉积 等离子体 离子注入 氮化钛
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射频等离子体增强磁控溅射沉积Al2O3膜 预览
5
作者 郭宝海 王德真 《大连理工大学学报》 CAS CSCD 北大核心 1993年第6期 644-646,650,共4页
采用射频等离子体增强磁控溅射同步沉积,在金属表面制备了Al2O3膜,实验表明,采用本方法在工艺上是可行的,膜与基材结合性能好。
关键词 氧化铝 薄膜 磁控溅射沉积
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在电弧不稳定性研究中一类方程的解 预览
6
作者 刘金远 李国炳 +1 位作者 宫野 孙继忠 《大连理工大学学报》 CAS CSCD 北大核心 1995年第5期 628-632,共5页
用级数展开法给出了电弧等离子体柱螺旋不稳定性研究中出现的一类方程的精确解。对具有各种非齐次项的情况求得了解析解。对弧柱内外相应的方程求得了方便计算的求解公式。
关键词 等离子体 螺旋不稳定性 电弧等离子体柱
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镍对冶金法制备多晶硅电学性能的影响 预览
7
作者 张伟娜 许富民 谭毅 《稀有金属》 EI CAS CSCD 北大核心 2008年第4期 473-477,共5页
电阻率是多晶硅材料最重要的参数之一,通过高温扩散镍杂质到多晶硅中,利用四探针电阻测试仪、金相显微镜、扫描电镜(SEM)、电感耦合等离子发射光谱仪(ICP)、能谱分析(EDS),X射线衍射仪(XRD)等设备,研究了镍对多晶硅电阻率的影... 电阻率是多晶硅材料最重要的参数之一,通过高温扩散镍杂质到多晶硅中,利用四探针电阻测试仪、金相显微镜、扫描电镜(SEM)、电感耦合等离子发射光谱仪(ICP)、能谱分析(EDS),X射线衍射仪(XRD)等设备,研究了镍对多晶硅电阻率的影响及机制。研究结果表明:镍杂质使N型多晶硅电阻率增加,使P型多晶硅电阻率减小;高温冷却后,大量的镍与硅形成NiSi2析出相在多晶硅表面析出,并对硅中的铁有吸附作用,由于铁含量少而形成Fe0.42Si2.67新相且在表面析出,这些硅化物会引起电阻率的变化。 展开更多
关键词 多晶硅 冶金法 电阻率 金属硅化物
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Mo,Ti离子注入不锈钢耐水溶液腐蚀改性研究 预览
8
作者 王敏 张庆瑜 《大连理工大学学报》 EI CAS CSCD 北大核心 1995年第3期 312-316,共5页
用电化学测试和俄歇电子能谱分析研究了离子注入不同剂量的Mo、Ti对304L奥氏体不锈钢在H2SO4、NaCl水溶液中的腐蚀行为。结果表明:注入Mo、Ti可使不锈钢的耐水溶液腐蚀性能提高,并改善材料的钝性和耐小孔腐蚀能... 用电化学测试和俄歇电子能谱分析研究了离子注入不同剂量的Mo、Ti对304L奥氏体不锈钢在H2SO4、NaCl水溶液中的腐蚀行为。结果表明:注入Mo、Ti可使不锈钢的耐水溶液腐蚀性能提高,并改善材料的钝性和耐小孔腐蚀能力;在腐蚀过程中,注入元素在膜中富集,膜中Cr/Fe比值提高,从而达到耐蚀性能改善之目的;在适当的注入剂量下,可获得最佳的耐蚀改性效果。 展开更多
关键词 等离子体 改性 耐蚀性 奥氏体不锈钢 腐蚀
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C掺杂对离子注入合成β—FeSi2薄膜的影响 预览 被引量:4
9
作者 李晓娜 聂冬 《半导体学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2001年第12期 1507-1515,共9页
采用离子注入方法制备β-FeSi2薄膜,选择C作为掺杂元素,得到了β-FeSi2硅化物层与基体间的界面平直、厚度均一的高质量薄膜。经透射电镜分析可知,引入C离子后硅化物层的微结构向有利于薄膜质量的方向发展,晶粒得到细化,β-FeSi2层... 采用离子注入方法制备β-FeSi2薄膜,选择C作为掺杂元素,得到了β-FeSi2硅化物层与基体间的界面平直、厚度均一的高质量薄膜。经透射电镜分析可知,引入C离子后硅化物层的微结构向有利于薄膜质量的方向发展,晶粒得到细化,β-FeSi2层稳定性提高。从微结构角度考虑,引入C离子对于提高β-FeSi2薄膜的质量是很有益处的。进一步进行光这吸收表征,发现C离子的引入对β-FeSi2层的E^dg值没有产生不良影响,讨论了E^dg值的影响因素,如制备方法、工艺参数、基体取向、掺杂离子种类、掺杂离子数量、退炎温度等等,解释了文献报道的不同E^dg值。 展开更多
关键词 Β-FESI2 半导体薄膜 离子注入 C掺杂
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氩离子束溅射沉积PTFE高分子膜 预览 被引量:3
10
作者 李有宏 宫泽祥 +1 位作者 龙振湖 纪纯新 《大连理工大学学报》 CAS CSCD 北大核心 1996年第3期 279-282,共4页
用氩离子束溅射聚四氟乙烯靶材,在黄铜上沉积聚四氟乙烯薄膜,用XPS和IRS分析方法确定了聚四氟乙烯高分子膜的存在,并依据沉积膜形成过程对沉积膜与靶材在IRS谱图上的差异给予了解释,结果表明,这种溅射沉积方法形成高分子... 用氩离子束溅射聚四氟乙烯靶材,在黄铜上沉积聚四氟乙烯薄膜,用XPS和IRS分析方法确定了聚四氟乙烯高分子膜的存在,并依据沉积膜形成过程对沉积膜与靶材在IRS谱图上的差异给予了解释,结果表明,这种溅射沉积方法形成高分子薄膜是有效的。 展开更多
关键词 离子束 溅射 真空沉积 薄膜 聚四氟乙烯 塑料
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强流脉冲电子束材料表面改性的二维温度场数值模拟 预览
11
作者 刘晓娜 王晓钢 《贵州大学学报:自然科学版》 2007年第2期 155-157,197,共4页
以纯铝材料为实验样品,建立了实验过程中的二维温度场数学物理模型,并用有限中心差分法来实现温度场的数值模拟,得到了温度场的相关分布。根据模拟结果给出材料的最先熔化时刻、熔化层厚度等实验、技术参数。
关键词 强流脉冲电子束(HCPEB) 温度场 物理模型 数值模拟
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离子注入形成YSi2埋层的电镜研究 预览
12
作者 金星 张泽 《功能材料与器件学报》 CAS CSCD 1996年第4期 256-259,共4页
本文主要采用离子注入的方法制备“Si/YSi2/Si”异质结构,并以电子显微镜为手段研究YSi2埋层的形成及YSi2/Si界面的微观结构。我们发现YSi2埋层以“[001]YSi2//[111]Si”为取向关系在Si... 本文主要采用离子注入的方法制备“Si/YSi2/Si”异质结构,并以电子显微镜为手段研究YSi2埋层的形成及YSi2/Si界面的微观结构。我们发现YSi2埋层以“[001]YSi2//[111]Si”为取向关系在Si基体中择优生长,而且注入法合成的YSi2不存在空位有序结构。 展开更多
关键词 离子注入 硅化物 埋层 电子显微镜 集成电路
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碳化硅晶须增强铝复合材料扩散焊的研究:焊接表面状态... 预览
13
作者 杜兴春 牛济泰 《大连理工大学学报》 CAS CSCD 北大核心 1992年第3期 365-368,共4页
关键词 晶须 复合材料 碳化硅 扩散焊
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采用MBDM法获得高性能高分子膜的研究 预览
14
作者 任春生 龙振湖 +2 位作者 阎坤 郭宝海 纪宏学 《大连理工大学学报》 CAS CSCD 北大核心 1996年第3期 283-287,共5页
采用多束动态混合法在304不锈钢样品表面成功地制备出PTFE(聚四氟乙烯)和PEEK(聚醚醚酮)混合的高性能高分子复合膜,共结合力约70N,耐蚀能力提高20倍,摩擦系数达到0.07 ̄0.14,比授能吸收剂量在于10^... 采用多束动态混合法在304不锈钢样品表面成功地制备出PTFE(聚四氟乙烯)和PEEK(聚醚醚酮)混合的高性能高分子复合膜,共结合力约70N,耐蚀能力提高20倍,摩擦系数达到0.07 ̄0.14,比授能吸收剂量在于10^6Gy。 展开更多
关键词 离子束 沉积 薄膜 MBDM法 高聚物 塑料
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离子注入合成β—FeSi2薄膜的显微结构 预览 被引量:4
15
作者 李晓娜 聂冬 《物理学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2002年第1期 115-124,共10页
采用MEVVA源(Meta Vapor Vacuum Arc Ion Source)离子注入合成β-FeSi2薄膜,用常规透射电射和高分辨电镜研究了不同制备参数下β-FeSi2薄膜的显微结构变化。研究结果表明:调整注入能量和剂量,可以得到厚度不同的β-FeSi2表面层和埋... 采用MEVVA源(Meta Vapor Vacuum Arc Ion Source)离子注入合成β-FeSi2薄膜,用常规透射电射和高分辨电镜研究了不同制备参数下β-FeSi2薄膜的显微结构变化。研究结果表明:调整注入能量和剂量,可以得到厚度不同的β-FeSi2表面层和埋入层。制备过程中生成的α,β,γ和GsCI型FeSi2相的相变顺序为γ-FeSi2→β-FeSi2→α-FeSi2,CsCl-FeSi2→β-FeSi2→α-FeSi2或β-FeSi2→α-FeSi2。当注入参数增加到60kV,4×10^-7inos/cm^2,就会导致非晶的形成,非晶在退火后会晶化为β-FeSi2相,相变顺序就变为非晶→β-FeSi2 →α-FeSi2。随退火温度逐渐升高硅化物颗粒逐渐长大,并向基体内部生长,在一定的退火温度下硅化物层会收缩断裂为一个个小岛状,使得硅化物/硅界面平整度下降。另外,对于β-FeSi2/Si界面取向关系的硅表明,在Si基体上难以形成高质量β-FeSi2薄膜的原因在于多种非共格取向关系的共存、孪晶的形成以及由此导致的界面缺陷的形成。 展开更多
关键词 Β-FESI2 半导体薄膜 金属硅化物 离子注入 透射电子显微镜 显微结构 二硅化铁
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Cu-Zr-Nb系铜基块体非晶合金的形成 预览 被引量:5
16
作者 夏俊海 羌建兵 +3 位作者 王英敏 王清 黄火根 董闯 《金属学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2005年第9期 999-1003,共5页
Cu8Zr3和Cu10Zr7相中存在Cu8Zr5和Cu6Zr5团簇结构,它们与Cu-Zr系的两个深共晶点Cu61.8Zr38.2和Cu56Zr44对应. Cu64Zr36是Cu-Zr二元系具有最大玻璃形成能力的成分点.依据形成块体非晶的'变电子浓度线判据',以Cu64Zr36,Cu61.8Zr3... Cu8Zr3和Cu10Zr7相中存在Cu8Zr5和Cu6Zr5团簇结构,它们与Cu-Zr系的两个深共晶点Cu61.8Zr38.2和Cu56Zr44对应. Cu64Zr36是Cu-Zr二元系具有最大玻璃形成能力的成分点.依据形成块体非晶的'变电子浓度线判据',以Cu64Zr36,Cu61.8Zr38.2和Cu56Zr44 3个二元成分为出发点,以Nb元素为第三组元,建立变电子浓度线(Cu64Zr36)100-xNbx,(Cu61.8Zr38.2)100-xNbx和(Cu56Zr44)100-xNbx.采用分步熔炼法,由铜模吸铸法制备直径为3 mm的合金棒.块体非晶的玻璃形成区及玻璃形成能力由XRD和热分析确定.结果表明,添加少量Nb(原子分数,x≤3)可以显著提高Cu-Zr二元系的玻璃形成能力.具有最大Tg/Ti值(0.626)的成分Cu60.3Zr37.2Nb2.5位于具有Cu8Zr5团簇和最深共晶点的Cu61.8Zr38.2向第三组元Nb的连线上.结合Cu-Zr二元体系的团簇结构讨论了Cu-Zr-Nb系块体非晶的形成. 展开更多
关键词 块体非晶合金 Cu-Zr-Nb合金 原子团簇
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冶金法制备多晶Si杂质去除效果研究 预览 被引量:8
17
作者 徐云飞 谭毅 +1 位作者 姜大川 许富民 《特种铸造及有色合金》 CAS CSCD 北大核心 2007年第9期 730-732,共3页
采用电子束熔炼以及定向凝固对纯度为98.8%的工业Si进行提纯,研究电子束对Si中各种杂质的去除效果,以及定向凝固对金属杂质的去除效果。结果表明,电子束对Si中的各种主要杂质都有一定的去除效果,对P元素和Ca元素尤为明显,电子束熔炼可... 采用电子束熔炼以及定向凝固对纯度为98.8%的工业Si进行提纯,研究电子束对Si中各种杂质的去除效果,以及定向凝固对金属杂质的去除效果。结果表明,电子束对Si中的各种主要杂质都有一定的去除效果,对P元素和Ca元素尤为明显,电子束熔炼可将其去除90%以上,定向凝固对Fe、Al、Ca等金属杂质的去除效果比较好。一次定向凝固可使Si中的Fe含量降到0.0001%以下。 展开更多
关键词 电子束 定向凝固 太阳能级Si 杂质
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铸态Ti-Zr-(Ni,Co)伪三元准晶合金研究 预览 被引量:3
18
作者 黄火根 羌建兵 +2 位作者 姜楠 董闯 李铁 《材料热处理学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2005年第2期 6-9,共4页
沿Ti9(Ni,Co)4-Zr变电子浓度线设计系列合金成分,用吸铸方法可制备出Ti-Zr-(Ni,Co)准晶,其中Ti42Zr40(Ni,Co)18为形成准晶的最佳成分点,Ti-Zr-(Ni,Co)伪三元准晶系列的准点阵常数介于0.506~0.518nm之间.实验结果表明,Co是形成准晶的不... 沿Ti9(Ni,Co)4-Zr变电子浓度线设计系列合金成分,用吸铸方法可制备出Ti-Zr-(Ni,Co)准晶,其中Ti42Zr40(Ni,Co)18为形成准晶的最佳成分点,Ti-Zr-(Ni,Co)伪三元准晶系列的准点阵常数介于0.506~0.518nm之间.实验结果表明,Co是形成准晶的不利组元,其含量的增加将促使Ti2Ni、fcc-Zr2Ni和β-Zr(Ti)固溶相的形成,使合金中准晶相的含量大为降低;但适量Si的加入(~2 at%)能促进Ti-Zr-(Ni,Co)准晶的形成. 展开更多
关键词 准晶 Ti-Zr-Ni-Co合金 吸铸方法
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离子与尘埃相互作用对离子声波和尘埃声波的影响 预览
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作者 华建军 刘金远 马腾才 《核聚变与等离子体物理》 CAS CSCD 北大核心 2004年第1期 39-42,共4页
基于流体力学方程和与时间相关的线性微扰理论,分析了尘埃等离子体环境中离子与尘埃粒子的相互作用对离子声波和尘埃声波的影响,结果表明两者间的相互作用使得离子声波变得稳定而使尘埃声波变得不稳定。
关键词 离子 尘埃等离子体 离子声波 尘埃声波 色散方程 线性化处理
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