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扩散对流温盐台阶结构的数值模拟 预览
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作者 徐岩 刘香全 +3 位作者 宋仁刚 岑显荣 郭双喜 周生启 《热带海洋学报》 CAS CSCD 北大核心 2019年第1期11-18,共8页
热盐驱动下的扩散对流现象是海洋中高纬度海域普遍存在的一种现象,对其进行数值模拟可更细致地研究海洋小尺度动力过程。文章分析了扩散对流的形成机制,建立了二维方腔模型,通过有限体积法求解控制方程,对其分层现象进行了数值模拟。研... 热盐驱动下的扩散对流现象是海洋中高纬度海域普遍存在的一种现象,对其进行数值模拟可更细致地研究海洋小尺度动力过程。文章分析了扩散对流的形成机制,建立了二维方腔模型,通过有限体积法求解控制方程,对其分层现象进行了数值模拟。研究给出了流场的温度及盐度随时间演化的关系,展现了流场中速度的涡旋结构,分析了温盐台阶结构的生成、合并的演化过程,并对其物质和能量的输运进行了初步的理论解释。另外,对不同热流密度情况下的扩散对流现象进行了对比研究,发现随着热流密度的增加,台阶结构的演变速率变快,而且上边界冷却对其演化速率具有促进作用,但热流密度的改变并没有对台阶结构的演变趋势产生明显的影响。 展开更多
关键词 扩散对流 温盐台阶 盐度 温度
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海洋盐指演化过程的数值模拟 预览
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作者 徐岩 刘香全 +4 位作者 宋仁刚 岑显荣 鲁远征 郭双喜 周生启 《中国海洋大学学报:自然科学版》 CAS CSCD 北大核心 2019年第4期1-8,共8页
盐指现象的数值模拟研究对理解小尺度海洋动力学过程具有十分重要的意义。本文建立了二维方腔模型,通过有限体积法求解控制方程,对盐指现象的演化过程进行了模拟计算和数值分析,在热瑞利数为(1.12~2.24)×10^7的变化范围内,展示并... 盐指现象的数值模拟研究对理解小尺度海洋动力学过程具有十分重要的意义。本文建立了二维方腔模型,通过有限体积法求解控制方程,对盐指现象的演化过程进行了模拟计算和数值分析,在热瑞利数为(1.12~2.24)×10^7的变化范围内,展示并对比了不同粘滞系数、热瑞利数和盐瑞利数情况下的盐指现象,发现随着粘滞系数的增加,盐指的演变速率变慢,生成数目减少;热瑞利数的增加对盐指的演变速率具有抑制作用,而盐瑞利数的增加则对其具有促进作用。 展开更多
关键词 盐指 数值模拟 有限体积法 热瑞利数 盐瑞利数
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调制度对可见光通信系统性能的影响
3
作者 靳永超 陈雄斌 +3 位作者 毛旭瑞 闵成彧 潘天豪 陈弘达 《中国激光》 EI CAS CSCD 北大核心 2019年第5期372-376,共5页
针对速率为100 Mbit/s、偏置电流为0.15 A的使用开关键控调制的可见光通信系统,通过软件仿真和实验验证相结合的方法,研究了调制度对通信系统性能以及照明效果的影响。结果表明,随着调制度的增大,误码率减小,且距离越短,误码率对调制度... 针对速率为100 Mbit/s、偏置电流为0.15 A的使用开关键控调制的可见光通信系统,通过软件仿真和实验验证相结合的方法,研究了调制度对通信系统性能以及照明效果的影响。结果表明,随着调制度的增大,误码率减小,且距离越短,误码率对调制度的变化越敏感。当速率为100 Mbit/s、距离为12.0 m时,在1 W荧光型发光二极管的可见光通信系统中,调制度最小为0.1就可以满足前向纠错误码率门限要求。如果对通信系统的可靠性要求较高,调制度应在0.1和误码率为0所对应的调制度之间选择,且调制度的大小不会对照明效果产生影响。 展开更多
关键词 光通信 可见光通信 调制度 误码率
用刻蚀坑方法抑制平面型InGaAs/InP盖革模式APD的边缘击穿 预览
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作者 侯丽丽 韩勤 +2 位作者 李彬 王帅 叶焓 《光子学报》 CSCD 北大核心 2018年第5期78-85,共8页
通过测量平面型InGaAs/InP雪崩光电二极管闭管扩散器件帽层InP中Zn杂质的分布,拟合出掺杂浓度随扩散深度的变化函数,并且利用离化积分研究不同倍增层厚度下的最佳刻蚀坑深度和最佳刻蚀方法.结果表明在帽层深度不变的情况下,最佳刻蚀坑... 通过测量平面型InGaAs/InP雪崩光电二极管闭管扩散器件帽层InP中Zn杂质的分布,拟合出掺杂浓度随扩散深度的变化函数,并且利用离化积分研究不同倍增层厚度下的最佳刻蚀坑深度和最佳刻蚀方法.结果表明在帽层深度不变的情况下,最佳刻蚀坑深度会随着倍增层厚度而变化,当倍增层厚度为1μm左右时刻蚀坑深度在0.1-0.3μm之间.采取反应离子刻蚀可以获得良好的刻蚀坑形貌,有利于边缘击穿的抑制. 展开更多
关键词 雪崩光电二极管 光探测器 离化积分 电场击穿 刻蚀 反应离子刻蚀 盖革计数
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同谱段异频点高稳定四路集成激光器模块 预览
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作者 谭俊 穆春元 +5 位作者 王跃辉 于海洋 赵泽平 陈伟 刘建国 祝宁华 《光子学报》 CSCD 北大核心 2018年第4期30-38,共9页
面向高速空间相干光通信的应用需求,研制了一种同谱段异频点高稳定的四路集成激光器模块,并采用了梯度反馈控制方法,该反馈方法根据温度反馈值将控制事件分为五种层级,按照优先级顺序梯次调控每路温度和电流,降低了温度漂移和电流抖动,... 面向高速空间相干光通信的应用需求,研制了一种同谱段异频点高稳定的四路集成激光器模块,并采用了梯度反馈控制方法,该反馈方法根据温度反馈值将控制事件分为五种层级,按照优先级顺序梯次调控每路温度和电流,降低了温度漂移和电流抖动,从而有效降低了伺服系统对激光器线宽的影响.将该方法应用到模块控制中,为了给它提供更加精确的温度反馈值,在硬件方面采用温度被动反馈放大电路,消除了电流分量引起的误差,实验测得温度漂移低于0.001℃,电流抖动低于0.6μA.采用外腔半导体激光器,集成为模块后四路激光器洛伦兹线宽在4.5~7.5kHz之间,阿伦方差均小于4×10~(-9).将该激光器模块应用到空间光通信中,测试了四种调制格式下的误码率,并演示验证了4×50Gb/s16QAM超高速空间相干光通信,结果表明该模块在空间光通信中具有良好的应用前景. 展开更多
关键词 四路集成模块 反馈控制 自由空间光通信 半导体激光器 温度漂移 电流抖动 洛伦兹线宽 阿伦方差 16QAM
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基于CMOS工艺的抗光噪声神经微电极
6
作者 王飞 张雪莲 +1 位作者 裴为华 陈弘达 《半导体光电》 北大核心 2018年第5期671-674,共4页
为了减小神经电极的宽度,提高电极在光照下的抗噪声干扰能力,提出了一种基于0.18μm CMOS工艺的抗光噪声神经微电极。采用CMOS的多层布线代替传统电极导线的单层排布,并将电极衬底接地以有效减小光噪声。阐述了基于CMOS工艺的神经电极... 为了减小神经电极的宽度,提高电极在光照下的抗噪声干扰能力,提出了一种基于0.18μm CMOS工艺的抗光噪声神经微电极。采用CMOS的多层布线代替传统电极导线的单层排布,并将电极衬底接地以有效减小光噪声。阐述了基于CMOS工艺的神经电极结构设计、制备过程与结构表征,并对所制备的神经电极进行了电化学阻抗测试和光噪声测试。该神经电极宽度仅为70μm,实验证明:1kHz频率下电极的阻抗一致性好,且在1mW/mm2的光遗传常用光辐照下,该电极的噪声电压仅为0.07~0.08mV,远低于传统硅电极12~13mV的噪声幅值。结果表明,基于CMOS工艺的神经电极抗光噪声能力远优于传统硅电极,对硅基微电极在光遗传中的应用具有重要意义。 展开更多
关键词 CMOS工艺 神经微电极 光噪声 电极宽度
InGaAs/InP盖革模式雪崩光电二极管阵列性能一致性研究
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作者 侯丽丽 韩勤 +1 位作者 王帅 叶焓 《半导体光电》 北大核心 2018年第3期326-331,353共7页
InGaAs/InP盖革模式雪崩光电二极管(APD)阵列的性能与阵列片内均匀性密切相关。阵列面元的主要结构参数有倍增区厚度、电荷层厚度和掺杂浓度、吸收区的厚度以及器件工作的过偏压。它们的不一致性不仅会造成器件本身性能的差异,还为后... InGaAs/InP盖革模式雪崩光电二极管(APD)阵列的性能与阵列片内均匀性密切相关。阵列面元的主要结构参数有倍增区厚度、电荷层厚度和掺杂浓度、吸收区的厚度以及器件工作的过偏压。它们的不一致性不仅会造成器件本身性能的差异,还为后续的读出电路带来了巨大的挑战。通过研究APD结构参数变化对其击穿电压(Vbreak)、暗计数率(DCR)和单光子探测效率(PDE)的影响,将APD阵列面元间击穿电压波动控制在±1V以内,使暗计数率和光探测效率的波动小于10%,从而得到不同温度下各个结构参数的最大允许波动值,确定了每个温度下制约器件性能的主要因素,为大规模、高性能盖革模式雪崩光电二极管阵列的材料生长和工艺制备提供了理论依据。 展开更多
关键词 盖革模式 INGAAS/INP 雪崩光电二极管 阵列 均匀性
基于绝缘体上硅材料的25通道200GHz的阵列波导光栅 预览
8
作者 袁配 王玥 +3 位作者 吴远大 刘丽杰 安俊明 胡雄伟 《红外与毫米波学报》 CSCD 北大核心 2018年第6期673-678,共6页
报道了基于绝缘体上硅材料的25通道、信道间隔200 GHz的阵列波导光栅,分别优化了输入波导/输出波导/阵列波导间的最小间距(Δxi/Δxo/d),及其自由传播区和阵列波导之间边界结构(W2/L2/L3).实验结果表明,该阵列波导光栅的插入损耗为5~7dB... 报道了基于绝缘体上硅材料的25通道、信道间隔200 GHz的阵列波导光栅,分别优化了输入波导/输出波导/阵列波导间的最小间距(Δxi/Δxo/d),及其自由传播区和阵列波导之间边界结构(W2/L2/L3).实验结果表明,该阵列波导光栅的插入损耗为5~7dB,串扰为13~15dB,该阵列波导光栅的性能得到有效提升.同时也提出了减小插损与串扰的进一步优化方案. 展开更多
关键词 硅基光电子 阵列波导光栅 双刻蚀结构 波分复用/解复用器
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高速实时可见光通信技术研究及应用
9
作者 陈雄斌 李洪磊 《科技导报》 CSCD 北大核心 2018年第5期53-59,共7页
介绍了可见光通信技术的发展历史及研究现状。基于带宽拓展技术搭建了1 W荧光型LED做光源、PIN光电二极管做探测器、单路速率610 Mb/s的实时传输演示系统,该系统在传输距离为6.2 m时的误码率为3.48×10~(-5)。在此基础上搭建了荧... 介绍了可见光通信技术的发展历史及研究现状。基于带宽拓展技术搭建了1 W荧光型LED做光源、PIN光电二极管做探测器、单路速率610 Mb/s的实时传输演示系统,该系统在传输距离为6.2 m时的误码率为3.48×10~(-5)。在此基础上搭建了荧光型LED为光源、PIN光电二极管做探测器的、双向100 Mb/s无线光上网演示系统。 展开更多
关键词 可见光通信 荧光型LED 无线光通信 LiFi
肌肉阻抗图评估神经肌肉疾病的研究进展
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作者 李钊 朱愈 +7 位作者 田东 周谋望 刘明生 陈玲芬 李亦 邢华医 喇高燕 俞育德 《中华生物医学工程杂志》 CAS 2018年第1期62-65,共4页
肌肉阻抗图(EIM)是一种新型的评估神经肌肉疾病的电生理技术[1-3],其测量的肌肉阻抗与肌肉成分、结构改变,神经肌肉疾病等肌肉生理状态息息相关,故EIM技术在疾病诊断、病情监测、药效评估、康复指导等方面有着极大的应用潜力(3) 1 EIM... 肌肉阻抗图(EIM)是一种新型的评估神经肌肉疾病的电生理技术[1-3],其测量的肌肉阻抗与肌肉成分、结构改变,神经肌肉疾病等肌肉生理状态息息相关,故EIM技术在疾病诊断、病情监测、药效评估、康复指导等方面有着极大的应用潜力(3) 1 EIM技术原理 利用激励电极向被测肌肉组织区域施加高频、低强度交变电流(I),通过分析检测电极提取的肌肉组织电压信号(V),得到被测肌肉组织的本征电阻抗参数:电阻(R),电抗(X)和相位角(θ).EIM测量原理图及阻抗参数关系图见图1.EIM施加的低强度电流(I<1 mA),在不引起神经元和肌肉组织兴奋的情况下,检测静息状态的肌肉组织电阻抗特性,无痛无创[3].EIM电极见图2,早期EIM测量均采用表贴电极[4-6],后逐渐发展为手持电极[7-10],避免反复标记电极位置和固定电极,操作简便;微针电极[11]可减小皮肤角质层对肌肉阻抗测量的影响,检测灵敏度高,还方便检测小块肌肉的阻抗信息. 展开更多
基于广义相对论的涡旋光旋转多普勒效应机理研究
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作者 王刚 蔡远文 +2 位作者 任元 杨跃德 刘通 《光学与光电技术》 2018年第1期64-70,共7页
为了加深对涡旋光旋转多普勒效应的理解,利用广义相对论对涡旋光旋转多普勒效应进行了机理研究。首先利用坐标变换得到弯曲空间的度规张量,进而得到弯曲空间下电位移矢量和磁感应强度表达式;在此基础上,可推导出旋转系统中的麦克斯韦方... 为了加深对涡旋光旋转多普勒效应的理解,利用广义相对论对涡旋光旋转多普勒效应进行了机理研究。首先利用坐标变换得到弯曲空间的度规张量,进而得到弯曲空间下电位移矢量和磁感应强度表达式;在此基础上,可推导出旋转系统中的麦克斯韦方程组;然后利用准经典近似条件得到涡旋光因所在参考系转动产生的角频率差;最后,基于上述结论并结合涡旋光的螺旋波阵面特性,得到涡旋光旋转多普勒效应公式。该公式与文献中通过其他方法得到的涡旋光旋转多普勒效应公式相同,证明了该方法的正确性。 展开更多
关键词 物理光学 旋转多普勒效应 涡旋光 轨道角动量 广义相对论
垒层厚度对InGaN/GaN多量子阱电注入发光性能的影响及机理 预览
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作者 黄佳琳 易淋凯 +1 位作者 周梅 赵德刚 《发光学报》 CSCD 北大核心 2018年第2期208-213,共6页
研究了不同垒厚对InGaN/GaN多量子阱电注入发光性能的影响及机理。实验发现,当GaN垒层的厚度从6nm增大到24nm时,垒厚的样品发光强度更强,而且当注入电流增加时,适当增加垒厚,可以更显著增加发光强度。进一步结合发光峰位和光谱宽度的研... 研究了不同垒厚对InGaN/GaN多量子阱电注入发光性能的影响及机理。实验发现,当GaN垒层的厚度从6nm增大到24nm时,垒厚的样品发光强度更强,而且当注入电流增加时,适当增加垒厚,可以更显著增加发光强度。进一步结合发光峰位和光谱宽度的研究表明,由于应力和极化效应的存在,当垒层厚度在6~24nm范围内时,适当增加垒层厚度不仅会使得能带的倾斜加剧,减少电子泄露,而且也会增加InGaN阱层的局域态深度,从而改善量子阱的发光性能。 展开更多
关键词 INGAN/GAN 多量子阱 垒层厚度 电注入发光
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载流子分布对GaN基LED频率特性的影响 预览
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作者 吴春晖 朱石超 +4 位作者 付丙磊 刘磊 赵丽霞 王军喜 陈宏达 《发光学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2017年第3期347-352,共6页
分别在直流偏置和交流偏置下,对大功率GaN基LED的电学和光学特性进行了研究。结果显示,通过改变靠近P型层的量子垒(也就是最后一个量子垒)中的In组分可以调控有源区中的载流子分布。有源区内积累的电子会引起负电容效应。而通过降... 分别在直流偏置和交流偏置下,对大功率GaN基LED的电学和光学特性进行了研究。结果显示,通过改变靠近P型层的量子垒(也就是最后一个量子垒)中的In组分可以调控有源区中的载流子分布。有源区内积累的电子会引起负电容效应。而通过降低有源区量子垒的势垒高度,可以改善LED中载流子传输特性,并实现载流子复合速率及通信调制带宽20%的提高。这个工作将有助于理解GaN基LED中载流子分布对频率特性的影响,并为设计适用于可见光通信的大功率高速LED奠定基础。 展开更多
关键词 氮化镓 发光二极管 可见光通信 调制带宽 载流子分布
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基于近红外波段激光光谱吸收的丙烷探测研究 预览 被引量:1
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作者 赖思良 王辉 +4 位作者 龚萍 高慧 李召松 谢亮 潘教青 《激光技术》 CAS CSCD 北大核心 2017年第2期284-288,共5页
为了对石油气挥发性有机化合物的主要成分进行实时监测,实现石油化工行业的安全生产,采用激光光谱分析技术、利用宽谱光源分析了丙烷在1686.00nm~1687.00nm波段的光谱吸收特征,获得了吸收系数随波长变化的洛伦兹线型,其半峰半宽为0.21n... 为了对石油气挥发性有机化合物的主要成分进行实时监测,实现石油化工行业的安全生产,采用激光光谱分析技术、利用宽谱光源分析了丙烷在1686.00nm~1687.00nm波段的光谱吸收特征,获得了吸收系数随波长变化的洛伦兹线型,其半峰半宽为0.21nm。选择中心波长为1686.30nm的分布反馈式半导体激光器作为光源,在丙烷宽谱吸收峰范围内进行波长扫描,得到了一次谐波信号和二次谐波信号随丙烷体积分数的变化规律,并在丙烷的体积分数0.0050~0.0300范围内标定了二次谐波与一次谐波信号的比值与体积分数的线性关系。结果表明,实验系统有很好的稳定性与重复性,能够进行实时的丙烷在线检测。该研究为探测其它挥发性有机化合物气体提供了理论及实验参考。 展开更多
关键词 光谱学 丙烷探测 可调谐半导体激光 近红外 挥发性有机化合物
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用于雷达回波仿真的小型化微波光纤延迟线 预览
15
作者 李冠鹏 王辉 +2 位作者 张邦宏 杨惠霞 谢亮 《光学精密工程》 CSCD 北大核心 2017年第5期1206-1212,共7页
针对高分辨率雷达回波信号仿真对带宽、线性度和延时性能的要求,设计了X波段雷达测试与校准应用的小型化微波光纤延迟线。分析了雷达回波模拟源对距离延迟单元的性能要求,根据系统指标,研制了用于宽带雷达信号线性电光转换的关键器件—... 针对高分辨率雷达回波信号仿真对带宽、线性度和延时性能的要求,设计了X波段雷达测试与校准应用的小型化微波光纤延迟线。分析了雷达回波模拟源对距离延迟单元的性能要求,根据系统指标,研制了用于宽带雷达信号线性电光转换的关键器件—直接调制分布反馈(DFB)激光器。基于光纤反射镜,设计与实现了一种小型化的反射式延迟线结构。最后,利用矢量网络分析仪对系统的微波传输性能进行了测试分析。结果表明:直接调制DFB激光器的-3dB模拟调制带宽高达21GHz。基于该激光器的微波光纤延迟线,针对X波段雷达测试应用可提供40、80、120μs不同延时的目标回波模拟,其带内幅度平坦度小于±0.5dB,相位非线性小于10°,同时线性动态范围大于60dB,满足雷达回波仿真与校准过程对于信号附加幅频误差和相频误差的要求。 展开更多
关键词 雷达回波仿真 光纤延迟线 分布反馈激光器 宽带 延时 线性度
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InGaN/GaN多量子阱电池的垒层结构优化及其光学特性调控 被引量:1
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作者 侯彩霞 郑新和 +2 位作者 彭铭曾 杨静 赵德刚 《半导体光电》 北大核心 2017年第5期709-713,共5页
InGaN基量子阱作为太阳电池器件的有源区时,垒层厚度设计以及实际生长对其光学特性的影响极为重要。采用金属有机化学气相沉积(MOVCD)技术,在蓝宝石衬底上外延生长了垒层厚度较厚的InGaN/GaN多量子阱,使用高分辨X射线衍射和变温光致... InGaN基量子阱作为太阳电池器件的有源区时,垒层厚度设计以及实际生长对其光学特性的影响极为重要。采用金属有机化学气相沉积(MOVCD)技术,在蓝宝石衬底上外延生长了垒层厚度较厚的InGaN/GaN多量子阱,使用高分辨X射线衍射和变温光致发光谱研究了垒层厚度对InGaN多量子阱太阳电池结构的界面质量、量子限制效应及其光学特性的影响。较厚垒层的InGaN/GaN多量子阱的周期重复性和界面品质较好,这可能与垒层较薄时对量子阱的生长影响有关。同时,厚垒层InGaN/GaN多量子阱的光致发光光谱峰位随温度升高呈现更为明显的"S"形(红移-蓝移-红移)变化,表现出更强的局域化程度和更高的内量子效率。 展开更多
关键词 INGAN/GAN多量子阱 金属有机化学气相沉积 光致发光 高分辨X射线衍射
基于SOI的高Q微环谐振腔的研究 被引量:1
17
作者 郭凯丽 王智 +3 位作者 李智勇 李强 乐燕思 吴重庆 《半导体光电》 CAS 北大核心 2016年第4期487-491,共5页
利用时域有限差分法,对基于绝缘体上硅(SOI)的微环谐振腔的微环波导宽度对传输性能、Q值的影响进行了理论分析与仿真。研究结果表明,单模条件下,波导越宽,Q值越大。仿真优化结果表明微环半径为10μm、微环波导宽度为600nm时,1.5... 利用时域有限差分法,对基于绝缘体上硅(SOI)的微环谐振腔的微环波导宽度对传输性能、Q值的影响进行了理论分析与仿真。研究结果表明,单模条件下,波导越宽,Q值越大。仿真优化结果表明微环半径为10μm、微环波导宽度为600nm时,1.55gm附近的谐振峰的消光比为18.2dB,计算出Q值约为2.2×10^5.进一步研究了微环与直波导间距、平板高度对Q值的影响。耦合间距增大时,由于耦合效率降低,Q值则逐渐提高;随着平板区厚度的减小,辐射损耗会越小,因此Q值增大。研究结果为微环谐振腔的进一步优化和设计提供了参考。 展开更多
关键词 集成光学 微环谐振腔 时域有限差分法 波导损耗 品质因子
1310nm垂直腔面发射激光器芯片制备技术的研究进展 预览 被引量:2
18
作者 刘丽杰 吴远大 +3 位作者 王玥 安俊明 胡雄伟 王佐 《发光学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2016年第7期809-815,共7页
垂直腔面发射激光器(VCSELs)在光纤通讯领域有着广泛的应用前景,国际上对VCSELs需求逐年增加,而国内目前VCSELs的产业化尚属空白。本文从两方面着手综述1 310 nm VCSELs制备方法。将可以制备出1 310 nm VCSELs的4种材料,从理论、制备... 垂直腔面发射激光器(VCSELs)在光纤通讯领域有着广泛的应用前景,国际上对VCSELs需求逐年增加,而国内目前VCSELs的产业化尚属空白。本文从两方面着手综述1 310 nm VCSELs制备方法。将可以制备出1 310 nm VCSELs的4种材料,从理论、制备、量产时需要考虑的因素等方面进行较为全面的汇总分析;同时对两种主流的制备方法从工艺步骤分析其在产业化方面的优势与不足。 展开更多
关键词 垂直腔面发射激光器 1310nm 产业化
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基于微环谐振腔的可调谐滤波器的研究 被引量:4
19
作者 吴丹宁 吴远大 +2 位作者 王玥 安俊明 胡雄伟 《光学学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2016年第1期254-260,共7页
采用深紫外光刻及等离子体刻蚀等工艺制备基于绝缘体上硅材料的环形滤波器,且微环半径仅为5μm。制备基于单微环的4通道光分插复用器,器件尺寸仅为3000μm×500μm。测试结果表明,该器件可以很好地实现上下载功能。其自由频谱宽... 采用深紫外光刻及等离子体刻蚀等工艺制备基于绝缘体上硅材料的环形滤波器,且微环半径仅为5μm。制备基于单微环的4通道光分插复用器,器件尺寸仅为3000μm×500μm。测试结果表明,该器件可以很好地实现上下载功能。其自由频谱宽度约为19.6nm,最大消光比为19.76dB。同时优化设计制备基于跑道型双微环可调谐光分插复用器。对这两种结构的光分插复用器的相邻信道间串扰进行测试,基于单微环滤波器和跑道型双微环滤波器的信道间最大串扰分别为-11.94dB和-20.04dB。所设计的基于双微环光分插复用器上下载通道与主信道间没有交叉波导结构,因此相邻通道串扰明显低于单环型的光分插复用器。同时设计并制备基于双微环PIN结型电光调制器。当偏置电压增加到1.6V时,谐振峰发生0.78nm的蓝移,并对测试结果进行分析。 展开更多
关键词 光学器件 脊形波导 可调谐滤波器 电光调制器 光复用技术 谐振腔
SOI基亚微米级光功率可调波分复用/解复用器
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作者 袁配 吴远大 +2 位作者 王玥 安俊明 胡雄伟 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2016年第3期198-203,共6页
设计并制作了基于绝缘体上硅(SOI)材料的16通道光功率可调波分复用/解复用器(VMUX/DEMUX),其信道间隔为200 GHz。该VMUX/DEMUX器件为阵列波导光栅和电吸收型可调光衰减器的单片集成。给出了器件的基本工作原理、基本结构以及器件的... 设计并制作了基于绝缘体上硅(SOI)材料的16通道光功率可调波分复用/解复用器(VMUX/DEMUX),其信道间隔为200 GHz。该VMUX/DEMUX器件为阵列波导光栅和电吸收型可调光衰减器的单片集成。给出了器件的基本工作原理、基本结构以及器件的结构参数值,并对器件进行了测试,且对测试结果进行了简单分析。测试结果显示,该VMUX/DEMUX器件的片上损耗为9.324~10.048 d B,串扰为6.5~8.2 d B;在20 d B衰减下,单通道最大功耗为87.98 m W;16通道中最快响应上升时间为34.5 ns,下降时间为37.0 ns,响应时间为71.5 ns,所有通道的响应时间均在100 ns以下。该器件整体尺寸为2.9 mm×1 mm,能够实现良好的波分复用/解复用及信道功率均衡的功能。 展开更多
关键词 阵列波导光栅 可调光衰减器 波分复用 绝缘体上硅(SOI) 单片集成
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