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基于K-means聚类分析的任务定价方案 预览
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作者 宋争艳 王振坤 +1 位作者 尹奕 李厚彪 《实验科学与技术》 2019年第2期51-56,共6页
该文研究了"拍照赚钱"的定价问题。基于K-means聚类分析,建立了任务定价与任务周围的会员个数、会员的信誉度、会员开始预定任务的时间及任务距离位置的定价模型;利用逻辑回归函数预测任务是否可以完成来评价模型的完成度;最... 该文研究了"拍照赚钱"的定价问题。基于K-means聚类分析,建立了任务定价与任务周围的会员个数、会员的信誉度、会员开始预定任务的时间及任务距离位置的定价模型;利用逻辑回归函数预测任务是否可以完成来评价模型的完成度;最后利用该算法得到的任务定价与APP给出的定价对比,验证了模型的正确性。另通过建立"打包"定价模型,在总任务价格不变的情况下,打包后任务点的完成度由打包前的70.5%提高到80.3%,打包对于任务完成情况有了明显的改善。 展开更多
关键词 K-means聚类分析 信誉度 逻辑回归函数 完成度 改善
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中低温制备气凝胶及其在电池散热中的应用 预览
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作者 杨云龙 徐自强 +2 位作者 吴孟强 张大庆 李元勋 《电源技术》 CAS 北大核心 2019年第6期992-994,1076共4页
石墨烯气凝胶(graphene aerogel,GA)由于其不理想的导热性能限制了它在储能装置中的应用。针对这个问题,系统而定量地研究了如何在提高GA 热性能的同时降低电导率并应用在电池散热中的方法。该方法通过对GO进行氮掺杂并在中低温环境下... 石墨烯气凝胶(graphene aerogel,GA)由于其不理想的导热性能限制了它在储能装置中的应用。针对这个问题,系统而定量地研究了如何在提高GA 热性能的同时降低电导率并应用在电池散热中的方法。该方法通过对GO进行氮掺杂并在中低温环境下进行水热反应制备复合气凝胶,对制备的复合气凝胶进行一系列相关测试,证明其优异的性能,并将制备的复合气凝胶用于电池散热中,设计了相关实验。实验结果表明,相较于空气自热冷却,采用复合气凝胶填充的电池pack 组在放电时温升降低了15~23 ℃,表明了复合气凝胶用于电池散热的可行性和有效性。 展开更多
关键词 气凝胶 氮掺杂 储能装置 电池散热
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镍基光催化产氢助催化剂 预览
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作者 沈荣晨 谢君 +3 位作者 向全军 陈小波 江吉周 李鑫 《催化学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2019年第3期240-288,共49页
近年来,化石能源的持续使用导致能源短缺和环境污染问题日益突出,因此,人们一直致力于开发新的清洁可再生替代能源.其中,氢气因其燃烧热值高、燃烧产物无污染等优点被认为是最具发展潜力的清洁能源之一.自从1972年日本东京大学Fujishim... 近年来,化石能源的持续使用导致能源短缺和环境污染问题日益突出,因此,人们一直致力于开发新的清洁可再生替代能源.其中,氢气因其燃烧热值高、燃烧产物无污染等优点被认为是最具发展潜力的清洁能源之一.自从1972年日本东京大学Fujishima教授和Honda教授首次发现TiO2单晶电极光催化分解水可以产生氢气以来,非均相光催化制氢被认为是实现可持续制氢最有潜力的方法之一.然而,由于光催化剂普遍存在缺少活性中心、表面反应速率低、光生载流子快速复合、热力学势垒高等制约因素,因此如何在光催化产氢反应中提高催化剂的量子效率和稳定性仍是目前所面临的一项巨大挑战.将电催化剂(用作助催化剂)负载到不同的半导体表面后,其表现出较高的光催化分解水产氢活性和稳定性.一般来说,采用贵金属(如铂、金和银)作为助催化剂可有效地提高半导体的光催化产氢性能.然而,贵金属成本高、丰度低,大大限制了其广泛应用.在非贵金属中,镍基助催化剂因其成本低、活性高、稳定性好而表现出较好的应用前景.本文主要针对用于光催化制氢反应的镍基助催化剂进行综述.首先,对镍基助催化剂的光催化动力学研究进行了总结,从光捕获、光生载流子的分离、半导体的本体及界面电荷输运、助催化剂捕获载流子及其表面电催化反应等过程进行详细分析,发现协同考虑和优化上述过程是开发高效产氢光催化剂的关键.同时,通过不同方法对催化剂改性并担载合适的镍基助催化剂,从而集成设计光催化剂是一种具有较好应用前景的策略.然后,对镍基电催化剂在催化制氢反应中应用的基本原理进行分析,系统地从组成工程、纳米结构工程、界面工程、表面工程和杂化工程方面综述了电催化剂的设计策略;并对镍基助催化剂的作用进行分析,包括:增加析氢活性中心,� 展开更多
关键词 多相光催化剂 镍基助催化剂 光催化制氢 太阳燃料 异质结
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动力电池PACK状态监测系统设计与实现 预览
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作者 王晓辉 徐自强 +2 位作者 林金明 吴孟强 李元勋 《电源技术》 CAS 北大核心 2019年第6期1039-1041,1046共4页
针对电动汽车动力电池PACK,设计并实现了一种基于STM32F103ZET6芯片的状态监测系统。采用模块化的思想设计了系统的硬件电路,对器件型号选择和参数确定做了详细的说明;采用自顶而下的方法编写了系统软件程序,并对软件设计做了具体的阐... 针对电动汽车动力电池PACK,设计并实现了一种基于STM32F103ZET6芯片的状态监测系统。采用模块化的思想设计了系统的硬件电路,对器件型号选择和参数确定做了详细的说明;采用自顶而下的方法编写了系统软件程序,并对软件设计做了具体的阐述。实验结果表明,该系统可以实时、准确地监测电池单体电压信息和温度信息,单体电压最大误差≤1.5 mV,温度误差≤0.5 ℃,远优于电动汽车电池状态参数测量精度要求的国家标准,保证动力电池的安全使用和高效利用。 展开更多
关键词 电动汽车 动力电池 状态监测 模块化 单体电池电压 温度
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基于动态频率补偿的LDO电路设计 预览
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作者 牛刚刚 李威 +1 位作者 刘文韬 翟亚红 《电子科技》 2019年第2期61-65,共5页
文中提出了一种基于动态频率补偿技术的LDO电路。通过添加电压缓冲器,提高了LDO的环路增益和瞬态响应特性。该电路通过电流镜采样调整管电流,使主极点频率与第三极点频率随负载电流的改变而产生相同倍数的变化,克服了LDO零极点随负载变... 文中提出了一种基于动态频率补偿技术的LDO电路。通过添加电压缓冲器,提高了LDO的环路增益和瞬态响应特性。该电路通过电流镜采样调整管电流,使主极点频率与第三极点频率随负载电流的改变而产生相同倍数的变化,克服了LDO零极点随负载变化而导致环路稳定性变差的问题。文中设计采用中电二十四所HC12.BJT工艺,利用Spectre仿真工具进行仿真,研究了不同负载电流下该LDO的频率特性及其稳定性问题。仿真结果表明,该电路在10 μA~100 mA负载电流的变化范围内,LDO环路的相位裕度保持在50°~70°之间,证明提出的LDO调整器具有良好的稳定性。 展开更多
关键词 动态频率补偿 电流镜 零极点 频率特性 相位裕度 稳定性
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用于高压ESD防护的高维持电流SCR器件 预览
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作者 肖家木 乔明 +2 位作者 齐钊 梁龙飞 曹厚华 《电子与封装》 2019年第5期45-48,共4页
静电释放(ESD)是指电荷在两个电势不等的物体之间转移的物理现象,它存在于人们日常工作生活的任意环节。随着集成电路特征尺寸不断减小、集成度不断增高,芯片对ESD也变得越来越敏感。为了用尽可能小的版图面积来实现ESD防护,利用晶闸管... 静电释放(ESD)是指电荷在两个电势不等的物体之间转移的物理现象,它存在于人们日常工作生活的任意环节。随着集成电路特征尺寸不断减小、集成度不断增高,芯片对ESD也变得越来越敏感。为了用尽可能小的版图面积来实现ESD防护,利用晶闸管结构(SCR)来实现集成电路的ESD防护已成为当下的研究热点。但传统SCR的维持电压和维持电流都很低,若直接将其应用于电源ESD防护则会导致严重的闩锁效应(latch-up)。基于高维持电流设计窗口,提出一种可用于15V电路的抗闩锁SCR器件,并通过混合仿真验证了该器件的有效性。 展开更多
关键词 ESD防护 SCR 高维持电流 闩锁效应
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BaO含量对K2O-B2O3-SiO2-Al2O3低温烧结材料性能的影响 预览
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作者 尚勇 钟朝位 李欣源 《电子元件与材料》 CAS CSCD 北大核心 2019年第6期26-31,共6页
在不添加熔融玻璃的情况下,采用一次预烧法制备了低温烧结的K2O-B2O3-SiO2-Al2O3复合材料,并系统地讨论了BaO含量对复合材料微观结构、物相组成、介电性能、弯曲强度和热膨胀系数的影响。X射线衍射结果表明复合材料的主晶相为石英相,次... 在不添加熔融玻璃的情况下,采用一次预烧法制备了低温烧结的K2O-B2O3-SiO2-Al2O3复合材料,并系统地讨论了BaO含量对复合材料微观结构、物相组成、介电性能、弯曲强度和热膨胀系数的影响。X射线衍射结果表明复合材料的主晶相为石英相,次晶相为氧化铝相。除此之外,研究结果表明调整BaO含量有利于获得良好的烧结性能。当BaO质量分数为5%时,在850℃烧结的复合材料在14GHz下的相对介电常数(εr)为5.42,介电损耗为3.6×10^-3,热膨胀系数(TEC)为8.4×10^-6/℃,弯曲强度为158MPa。这为制备新型的LTCC材料提供了一种有效的方法,具有广阔的应用前景。 展开更多
关键词 K2O-B2O3-SiO2-Al2O3复合材料 低温共烧陶瓷 介电性能 高弯曲强度
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硅基金字塔结构光控太赫兹调制器 预览
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作者 金浓 朱韵樵 +3 位作者 申朝阳 杨青慧 张怀武 文岐业 《太赫兹科学与电子信息学报》 北大核心 2019年第2期195-199,共5页
提出一种硅基金字塔结构光控太赫兹波调制器。通过化学刻蚀方法在高阻硅基底形成微米级的金字塔结构,研究该结构与高阻硅片对激光的反射率及对太赫兹的调制情况。实验表明,金字塔结构可有效降低激光反射率,提升激光利用率,并且通过增加... 提出一种硅基金字塔结构光控太赫兹波调制器。通过化学刻蚀方法在高阻硅基底形成微米级的金字塔结构,研究该结构与高阻硅片对激光的反射率及对太赫兹的调制情况。实验表明,金字塔结构可有效降低激光反射率,提升激光利用率,并且通过增加太赫兹波调制面积,达到显著增强太赫兹波的调制效果,其调制深度达到 90%以上。该硅基金字塔结构光控调制器可在极低的激光功率下工作,具有宽带、大幅度调制的特点,在太赫兹成像领域具有重要应用价值。 展开更多
关键词 太赫兹波 金字塔结构 调制器 光控
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600V耗尽型GaN功率器件栅极驱动方案设计 预览
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作者 潘溯 胡黎 +3 位作者 冯旭东 张春奇 明鑫 张波 《电源学报》 CSCD 北大核心 2019年第3期57-63,共7页
介绍了一种适用于600V耗尽型氮化镓GaN(gallium nitride)器件的栅极驱动策略以及对应的驱动电路,并分析了采用耗尽型GaN功率器件的原因。驱动电路在功率管开启过程的2个阶段采用2种驱动强度的电流,在减小功率管开启过程中dv/dt的同时,... 介绍了一种适用于600V耗尽型氮化镓GaN(gallium nitride)器件的栅极驱动策略以及对应的驱动电路,并分析了采用耗尽型GaN功率器件的原因。驱动电路在功率管开启过程的2个阶段采用2种驱动强度的电流,在减小功率管开启过程中dv/dt的同时,保证功率管的开启速度。基于0.35μm BCD工艺对电路进行仿真验证,结果表明:在600V输入电压的半桥驱动应用下,驱动电路在GaN功率器件阈值电压前提供700mA驱动电流,达到阈值电压后提供190mA稳定驱动电流,开关节点的dv/dt为150V/ns,传输延迟加开启延迟为20ns。 展开更多
关键词 耗尽型GaN器件 600V高压 栅极驱动
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水热法合成的Z型六角铁氧体Sr3Co2Fe24O41 预览
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作者 李俊龙 贾利军 +2 位作者 胡邦文 解飞 张怀武 《磁性材料及器件》 CAS CSCD 2019年第3期7-11,21共6页
Z型六角铁氧体(Sr3Co2Fe24O41)因其在室温低场下表现出较为明显的磁电效应以及优异的高频软磁性能,具有相当大的应用潜力。以硝酸铁、硝酸锶、硝酸钴以及氢氧化钠为原料,采用水热合成法合成了纯净的Z型六角铁氧体。探究了水热反应温度(... Z型六角铁氧体(Sr3Co2Fe24O41)因其在室温低场下表现出较为明显的磁电效应以及优异的高频软磁性能,具有相当大的应用潜力。以硝酸铁、硝酸锶、硝酸钴以及氢氧化钠为原料,采用水热合成法合成了纯净的Z型六角铁氧体。探究了水热反应温度(Th)、水热反应时间(th)、氢氧根与硝酸根摩尔比R(OH^-/NO3^-)=3y∶1)、锶离子铁离子摩尔比(R(Sr^2+/Fe^3+)=x∶8)、烧结温度Ts及烧结保温时间ts等因素对产物的影响。经过参数优化后,成功制得了纯净的Z型六角铁氧体,并且所制得的Z型六角铁氧体具有自体取向的趋势,其在(00l)方向的取向度从原来的9.6%变为66.2%。 展开更多
关键词 Z型六角铁氧体 水热合成法 取向度 物相
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4H-SiC材料干法刻蚀工艺的研究 预览
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作者 许龙来 钟志亲 《电子科技》 2019年第2期1-3,8共4页
鉴于SiC材料具有很强的稳定性以及湿法刻蚀的种种缺点,目前主要使用干法刻蚀来刻蚀SiC材料。但是干法刻蚀后样品表面的粗糙度对器件的性能有一定的影响。针对这一问题,采用电感耦合等离子体-反应离子刻蚀技术,对SiC材料进行SF6/O2混合... 鉴于SiC材料具有很强的稳定性以及湿法刻蚀的种种缺点,目前主要使用干法刻蚀来刻蚀SiC材料。但是干法刻蚀后样品表面的粗糙度对器件的性能有一定的影响。针对这一问题,采用电感耦合等离子体-反应离子刻蚀技术,对SiC材料进行SF6/O2混合气体和SF6/CF4/O2混合气体的刻蚀,并且探究了压强、ICP功率和混合气体比例对样品表面粗糙度的影响。实验结果表明使用SF6/O2混合气体刻蚀后,样品的表面平整度较好。在一定RIE功率条件下,当ICP功率为700W、压强为20mT和SF6/O2为50/40sccm时,样品表面的粗糙度最小。 展开更多
关键词 碳化硅 电感耦合等离子体-反应离子刻蚀 粗糙度 压强 功率 SF6/O2
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一种基于耦合共振的太赫兹双频超材料吸收器设计 预览
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作者 戴令亮 陈思宏 +1 位作者 潘泰松 林媛 《电子元件与材料》 CAS CSCD 北大核心 2019年第6期74-78,85共6页
以两个相耦合的非对称十字金属条带结构作为基元,设计了一种新型双频带太赫兹超材料吸收器。该吸收器由周期性排列的基元、金属接地板以及介质层组成。通过基元之间的耦合,可利用单一基元实现太赫兹波段的双频带吸收特性。仿真结果表明... 以两个相耦合的非对称十字金属条带结构作为基元,设计了一种新型双频带太赫兹超材料吸收器。该吸收器由周期性排列的基元、金属接地板以及介质层组成。通过基元之间的耦合,可利用单一基元实现太赫兹波段的双频带吸收特性。仿真结果表明,设计的超材料吸收器在具有基频共振所形成的吸收峰外,还具有耦合共振所形成的耦合吸收峰。通过调节耦合强度、介质层厚度和金属条带的对称性,可以在保持磁共振模式的耦合共振峰频率基本稳定的同时,对基频共振峰频率进行调控,以满足不同的吸收要求。此外,该超材料吸收器也展现出对气体折射率变化的敏感性,灵敏度可达2.5 THz/RIU,使这种吸收器在气体传感方面具有巨大的潜力。 展开更多
关键词 超材料吸收器 太赫兹 双频段 耦合
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氮化铁薄膜晶相合成热分析及其磁性 预览
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作者 卢启海 唐晓莉 +4 位作者 宋玉哲 左显维 韩根亮 闫鹏勋 刘维民 《物理学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2019年第11期250-256,共7页
研究Fe-N体系晶相转变(相变)规律对于高效合成高自旋极化率的g’-Fe4N薄膜材料非常重要.利用同步热分析(TG-DSC)研究了氮化铁薄膜的相变规律. TG-DSC的结果显示,在10℃/min的升温速率下,g’’-FeN薄膜在常温到800℃之间共有5次相变,分别... 研究Fe-N体系晶相转变(相变)规律对于高效合成高自旋极化率的g’-Fe4N薄膜材料非常重要.利用同步热分析(TG-DSC)研究了氮化铁薄膜的相变规律. TG-DSC的结果显示,在10℃/min的升温速率下,g’’-FeN薄膜在常温到800℃之间共有5次相变,分别为I,g’’-FeN→x-Fe2N;II,x-Fe2N→e-Fe3N;III,e-Fe3N→g’-Fe4N;IV, g’-Fe4N→g-Fe;以及V, g-Fe→a-Fe.利用真空退火技术有效调控了氮化铁薄膜的晶相.X-射线衍射测试结果显示,直接在纯氮气中溅射得到的氮化铁薄膜是单相的g’’-FeN,经350, 380和430℃退火可分别获得单相的x-Fe2N, e-Fe3N和g’-Fe4N.研究了氮化铁薄膜的磁学性能.振动样品磁强计测试结果显示, g’-Fe4N薄膜在面内/面外表现出明显的磁各向异性,属于典型的磁形状各向异性. 展开更多
关键词 半金属 晶体结构 同步热分析 磁各向异性
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基于峰值采样的高速光接收电路设计 预览
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作者 郭俊泽 张有润 +6 位作者 章玉飞 路统霄 周万礼 柯尊贵 袁菲 甄少伟 张波 《电子与封装》 2019年第5期12-15,21共5页
设计了一种基于峰值采样原理的高速光接收电路,该光接收电路为克服光电二极管的光电流拖尾现象,引入了峰值采样电路对光脉冲的波峰信号进行检测,解决了传统方案中采用比较器直接比较导致的占空比失真的问题,实现在更高速度下的光探测和... 设计了一种基于峰值采样原理的高速光接收电路,该光接收电路为克服光电二极管的光电流拖尾现象,引入了峰值采样电路对光脉冲的波峰信号进行检测,解决了传统方案中采用比较器直接比较导致的占空比失真的问题,实现在更高速度下的光探测和信号处理。利用Spice软件对该光接收电路进行了仿真,并对仿真结果进行分析。仿真结果表明:峰值采样电路可准确探测光电流的峰值信号,整体光接收电路可达到20MHz以上的探测频率,对传统光接收电路占空比失真的问题有较大改善。研究结果对高速应用场合下的光接收电路的发展具有重要意义。 展开更多
关键词 光接收 拖尾 光探测 峰值检测 占空比失真
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基于磁致伸缩多层膜的磁声表面波传感器 预览
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作者 刘力 刘国 +2 位作者 刘婉 鲁亚巍 白飞明 《压电与声光》 CAS 北大核心 2019年第3期335-339,343共6页
研究了一种基于FeCoSiB/SiO 2多层膜的磁声表面波(MSAW)传感器,其中FeCoSiB/SiO 2 多层膜制备在石英声表面波(SAW)谐振器上。在外加磁场发生变化时,FeCoSiB/SiO 2 多层膜通过巨杨氏模量效应影响压电衬底表层的相速度,进而改变SAW的谐振... 研究了一种基于FeCoSiB/SiO 2多层膜的磁声表面波(MSAW)传感器,其中FeCoSiB/SiO 2 多层膜制备在石英声表面波(SAW)谐振器上。在外加磁场发生变化时,FeCoSiB/SiO 2 多层膜通过巨杨氏模量效应影响压电衬底表层的相速度,进而改变SAW的谐振频率。通过设计和优化磁致伸缩多薄膜的结构和软磁性能,不仅获得磁致伸缩层总厚度与谐振器品质因数的关系,而且成功使磁敏传感器的灵敏度(Δ f/H ,即施加单位磁场时的谐振频率的变化量)提升了2个数量级,达到419 Hz/μT。在此基础下,探讨了Δ f - H 曲线在难、易轴方向表现出蝴蝶型和回线型特性的机理。由于该传感器具有很高的磁场灵敏度和良好的方向选择性,在微弱磁场(如地磁场)检测领域将具有极高的实用价值。 展开更多
关键词 磁传感器 软磁薄膜 杨氏模量效应 各向异性 声表面传感器
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一种宽电压范围的DCR电流采样电路 预览
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作者 陈佳伟 章玉飞 +4 位作者 甄少伟 曾鹏灏 石丹 罗萍 张波 《电子与封装》 2019年第5期31-35,共5页
基于0.35μmBCD工艺,设计了一款面向宽输出电压范围Buck变换器的DCR电流采样电路。内含电平位移电路与浮动电压产生电路,可以在宽电压范围内正常工作,满足启动、短路保护、高占空比等多种工作条件下的电流采样。仿真结果显示,所提出的DC... 基于0.35μmBCD工艺,设计了一款面向宽输出电压范围Buck变换器的DCR电流采样电路。内含电平位移电路与浮动电压产生电路,可以在宽电压范围内正常工作,满足启动、短路保护、高占空比等多种工作条件下的电流采样。仿真结果显示,所提出的DCR电流采样电路应用于输出电压为2.5~24V、开关频率为100kHz~1MHz的Buck变换器中时,DCR电流采样电路的增益为15.4dB,-3dB带宽为9.35MHz,输入电压范围为0~24V,实现了精准稳定的电感电流采样功能。 展开更多
关键词 BUCK变换器 电感DCR采样 宽电压范围 浮动电位
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Ca-B-Si玻璃掺杂对SrTiO3基半导体陶瓷材料性能的影响 预览
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作者 李欣源 钟朝位 唐斌 《电子元件与材料》 CAS CSCD 北大核心 2019年第5期14-18,共5页
采用二次烧结法制备了Ca-B-Si(CBS)玻璃掺杂的SrTiO3基晶界层型陶瓷电容器材料。研究了CBS玻璃作为掺杂剂对SrTiO3基半导体陶瓷电容器微观结构、介电性能及温度稳定性的影响。结果表明,适量的CBS掺杂能明显改善材料的电容温度稳定性,提... 采用二次烧结法制备了Ca-B-Si(CBS)玻璃掺杂的SrTiO3基晶界层型陶瓷电容器材料。研究了CBS玻璃作为掺杂剂对SrTiO3基半导体陶瓷电容器微观结构、介电性能及温度稳定性的影响。结果表明,适量的CBS掺杂能明显改善材料的电容温度稳定性,提高相对介电常数(εr),降低介电损耗(tanδ)。当CBS质量分数为0.4%时,可获得最佳的电学性能:εr为19418,tanδ为0.007,在-55~150℃电容温度变化率(ΔC·C-1)小于10%,绝缘电阻率大于2.1×10^11Ω·cm。 展开更多
关键词 SRTIO3 CaO-B2O3-SiO2玻璃 掺杂 温度稳定性 介电性能 固相反应法
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利用P型场环调节表面电场的积累层LDMOS
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作者 孙旭 陈星弼 《微电子学》 CAS 北大核心 2019年第1期132-135,共4页
提出了一种在N型外延层中带有P型场环的积累层LDMOS。当器件耐压时,N型漂移区中浮空P型场环能调节漂移区的电场分布,以提高器件的耐压。当器件正向导通时,漂移区上方介质层的多晶硅二极管会在漂移区表面形成一层电子积累层,大幅提高器... 提出了一种在N型外延层中带有P型场环的积累层LDMOS。当器件耐压时,N型漂移区中浮空P型场环能调节漂移区的电场分布,以提高器件的耐压。当器件正向导通时,漂移区上方介质层的多晶硅二极管会在漂移区表面形成一层电子积累层,大幅提高器件的导电能力,从而降低器件的比导通电阻。数值仿真结果表明,该LDMOS的比导通电阻从传统结构的371mΩ·cm2降低到60.9mΩ·cm2。相比于没有场环的传统结构,该LDMOS的耐压从660V提高到765V。 展开更多
关键词 积累层LDMOS P型场限环 多晶硅二极管
一种适用于电流模BUCK电路的失控辅助电路 预览
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作者 李响 王佳文 周泽坤 《电子元件与材料》 CAS CSCD 北大核心 2019年第7期76-79,共4页
在某些特殊的工作条件下,峰值电流模BUCK转换器会工作在输入电压和输出电压差值较小,且开关占空比较大的情况下。此时,如果发生负载由重载跳变到极轻载的变化,可能会导致输出电压高于输入电压的不利情况发生,整个控制环路出现失控,输出... 在某些特殊的工作条件下,峰值电流模BUCK转换器会工作在输入电压和输出电压差值较小,且开关占空比较大的情况下。此时,如果发生负载由重载跳变到极轻载的变化,可能会导致输出电压高于输入电压的不利情况发生,整个控制环路出现失控,输出电压出现振荡波形。本文提出的辅助控制电路通过对输入、输出电压的比较检测,判断BUCK环路是否处于异常状态,并在合适的时间内关断高低侧功率管,保证了输出电压的稳定性。基于0.35μm CMOS工艺的仿真结果表明,当BUCK转换器负载发生重载6 A跳变为极轻载100 mA使得输出电压V超过输入电压V时,失控辅助电路开始工作O IN并在VO掉到VIN以下时及时输出恢复信号并关闭该辅助电路,恢复时间为87μs,整个过程未出现输出电压振荡现象。 展开更多
关键词 BUCK 电流模 负载跳变 振荡问题
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VNPN激光辐射效应模拟分析 预览
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作者 左慧玲 高吴昊 +3 位作者 刘承芳 夏云 孙鹏 陈万军 《电子与封装》 2019年第6期41-46,共6页
通过仿真模拟脉冲激光对半导体器件光生载流子的影响,重点研究纵向NPN三极管(VNPN)的激光辐照效应。光照强度较小时,只有集电结反偏,而发射结处的光生电动势不足以抵消发射结的内建电势,发射结尚未开启,器件工作在以集电结为主的二极管... 通过仿真模拟脉冲激光对半导体器件光生载流子的影响,重点研究纵向NPN三极管(VNPN)的激光辐照效应。光照强度较小时,只有集电结反偏,而发射结处的光生电动势不足以抵消发射结的内建电势,发射结尚未开启,器件工作在以集电结为主的二极管模式;光照强度增加时,发射结逐渐开启,器件工作在三极管模式;光照强度进一步增大,由于外部限流电阻的作用,集电极电流达到饱和,器件工作在以发射结为主的二极管模式。因此,随着光照强度的增加,VNPN器件的激光辐射效应经历三个阶段,其响应曲线呈非线性变化。改变VNPN的尺寸和脉冲激光的参数,会影响器件进入三极管模式的临界点,改变非线性响应的触发光照强度,体现了器件对激光辐照效应的敏感性。 展开更多
关键词 激光辐照效应 半导体器件 初始光生电流 非线性
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